JP2007266557A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザダイシングプロセスでは、ウエハのブレーキング時にチップがずれて、チップ裏面のコーナ部にチッピングが発生することが問題である。本願は折り曲げ時に半導体チップがずれたり動いたりすることを阻止し半導体装置の信頼性の向上を図る。
【解決手段】半導体ウエハ１Ｗにレーザを照射して半導体ウエハ１Ｗの内部に破砕層を形成し、さらにダイシングテープ５上に糊（接着層）を介して半導体ウエハ１Ｗを搭載し、その後、ダイシングテープ５の前記糊をＵＶ照射または冷却によって硬化させ、その後、半導体ウエハ１Ｗの折り曲げ（ブレーキング）を行うことにより、折り曲げ時に前記糊が硬化しているため、半導体チップ１Ｃがずれたり動いたりすることを阻止する。その結果、半導体チップ１Ｃが隣接チップと干渉することも防止でき、チッピングの発生も抑制できるため、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
【選択図】図１１

Description

本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、ダイシングテープを用いる半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関する。

表面側に保護シートが貼付され、裏面が研削されて極薄に加工されたウェーハを、裏面側を上にして第１の粘着シートを介してリング状の第１のフレームにマウントし、この状態でウェーハを裏面からダイシングする工程と、ダイシングされたウェーハを表裏逆にして、第２の粘着シートを介してリング状の第２のフレームに貼り替える工程とを有するようにした技術がある（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５−２２８７９４号公報（図１）

半導体装置の製造工程のダイシング工程では、半導体ウエハ（以降、単にウエハともいう）の主面のスクライブエリアと呼ばれる格子状の領域に沿ってウエハを切断し、半導体チップ（以降、単にチップともいう）を形成している。その際、ウエハの切断にはダイシングブレードと呼ばれる円盤状の切断工具が使用されている。ダイシングブレードによってウエハを個片化（分割）し、個片化後は、エキスパンド工程でチップ間を広げてチップのピックアップを行っている。この時、チップのピックアップは、エキスパンド後にダイシングテープへＵＶ照射してから行っている。このＵＶ照射によってダイシングテープの糊（接着層または接着材）が硬化し、糊の接着力が低下するため、チップのピックアップを容易に行うことができる。すなわち、チップのピックアップを行う前までは、ダイシングテープの糊が柔らかい状態である。これは、ダイシングブレード使用時は、糊が相対的に柔らかい状態であることが好ましいためである。その理由として、ダイシングにより個片化されたチップが、ダイシングブレードの振動によりダイシングテープから飛散しないようにするためである。

しかしながら、近年の半導体ウエハの薄型化に伴って、ブレードダイシング方式から、レーザダイシング方式を採用した技術が知られており、前記特許文献１（特開２００５−２２８７９４号公報）にもレーザダイシング方式が開示されている。これは、ブレードダイシング方式の場合、ウエハに掛かる応力もレーザダイシング方式に比べ大きい。そのため、半導体ウエハの薄型化に伴い、半導体ウエハの抗折強度も低下するため、ブレードダイシング方式では、チップクラックが生じてしまい問題となる。

レーザダイシングプロセスでは、一般的に、ウエハの裏面研削終了後、ウエハの裏面からレーザを照射してウエハ内部に破砕層（または改質層等ともいう）を形成する。さらに、ウエハにダイシングテープを貼り付けた後、ブレーキング作業（折り曲げ作業）を行う。ブレーキング作業ではウエハを折り曲げて破砕層から亀裂を発生させてウエハを分割し、チップ化する。その後、チップ間の隙間を広げるためのエキスパンドを実施する。

さらに、エキスパンド後、ダイシングテープへのＵＶ照射を行う。このＵＶ照射によってダイシングテープの糊（接着層または接着材）が硬化し、糊の接着力が低下するため、チップのピックアップを容易に行うことができる。

ところが、この方法では、ウエハのブレーキング時にチップがずれて、チップ裏面のコーナ部にチッピングが発生することが問題である。すなわち、ブレーキングでウエハを折り曲げた時、ダイシングテープの糊が柔らかいため、チップが動き、隣接チップと干渉して欠け（チッピング）が発生する。その結果、半導体装置の信頼性が低下するとともにチップの歩留りも低下することが問題となる。ダイシングブレードによってウエハを個片化していた時は、たとえダイシングテープの糊が柔らかくても、ダイシングブレード幅はレーザダイシングによる分割領域の幅よりも広い（厚い）分、分割された隣り合うチップ同士の間隔が十分に確保されるため、チップのピックアップの際、隣り合うチップ同士が干渉することがなかった。

なお、ブレーキングは、ウエハ上の検査パターンのヒゲ不良を発生させないために必要な作業である。すなわち、図２５の比較例の検査パターン１Ｗｆのヒゲ部１Ｖに示すように、予めブレーキングを行わずにエキスパンドを行うと、ウエハ主面に形成された検査パターン１Ｗｆが銅等で形成されていて粘るためヒゲ部１Ｖとなって残る。したがって、ヒゲ部１Ｖを形成しないようにするために、エキスパンドの前にブレーキングを予め行っておく必要がある。

また、糊が柔らかいとエキスパンド時にダイシングテープの糊がチップ裏面に付着するという問題も起こる。すなわち、ダイシングテープをエキスパンドする際、糊も引き伸ばされて引きちぎられる。特に、チップがＤＡＦ（Die Attach Film 、接着フィルム）を介してダイシングテープ上に搭載されている場合、ダイシングテープの糊が柔らかいとＤＡＦが綺麗に切断されても、ＤＡＦの裏面にダイシングテープの糊が付着する。ＤＡＦの裏面にダイシングテープの糊が付着していると、温度サイクル試験やリフロー等の際にＤＡＦに加わった熱によって糊が変質し、耐温度サイクル性や耐リフロー性を低下させるという問題が発生する。

さらに、ＤＡＦの裏面に糊が付着していると、チップを積層（または配線基板に実装）する際、平坦性が悪化し、実装不良に至ることが問題である。

本発明の目的は、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる技術を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、半導体チップの取得の歩留り向上を図ることができる技術を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、耐温度サイクル性及び耐リフロー性の低下を抑制することができる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

すなわち、本発明は、半導体ウエハにレーザを照射して半導体ウエハの内部に破砕層を形成する工程と、ダイシングテープ上に接着層を介して半導体ウエハを搭載する工程と、ダイシングテープの接着層を硬化する工程と、前記破砕層を起点として半導体ウエハを折り曲げて分割する工程と、ダイシングテープを外周から引き伸ばしてチップ間隔を広げる工程とを有するものである。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

ダイシングテープの接着層（糊）を硬化させ、その後、半導体ウエハの折り曲げを行うことにより、折り曲げ時に糊が硬化しているため、半導体チップがずれたり動いたりすることを阻止できる。その結果、チッピングの発生も抑制でき、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。

また、ダイシングテープの接着層（糊）を硬化させ、その後、半導体ウエハのエキスパンドを行うことにより、エキスパンド時に糊が硬化しているため、糊は引きちぎられることなく、糊がＤＡＦの裏面に付着することを阻止できる。その結果、耐温度サイクル性や耐リフロー性の低下を阻止することができる。

以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。

さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図、図２は図１に示すフローにおけるＢＧテープ貼り付け状態の一例を示す断面図、図３は図１に示すフローにおけるウエハの厚さ測定状態の一例を示す概念図、図４は図１に示すフローにおけるウエハの厚さ測定装置の一例を示す概念図、図５は図４に示す厚さ測定装置の出力波形の一例を示す概念図である。また、図６は図１に示すフローにおける裏面ＢＧ装置の構造の一例を示す平面図、図７は図１に示すフローにおける裏面研削状態の一例を示す概念図、図８は図１に示すフローにおけるレーザダイシング状態の一例を示す概念図、図９は図１に示すフローにおけるＤＡＦ貼り付け後の構造の一例を示す断面図、図１０は図１に示すフローにおけるウエハマウント状態の一例を示す断面図である。さらに、図１１は図１に示すフローにおけるブレーキング状態の一例を示す断面図、図１２は図１に示すフローにおけるエキスパンド状態の一例を示す断面図、図１３は図１２に示すエキスパンド時に用いられるピックアップ装置の構造の一例を示す斜視図、図１４は図１２に示すエキスパンドによって分割された検査パターンの構造の一例を示す平面図である。

また、図１５は本発明の実施の形態１のピックアップ状態の一例を示す断面図、図１６は本発明の実施の形態１のダイボンディング方法の一例を示す斜視図、図１７は本発明の実施の形態１の２段目チップのダイボンディング方法の一例を示す断面図、図１８は本発明の実施の形態１のワイヤボンディング後の構造の一例を示す断面図、図１９は本発明の実施の形態１の樹脂封止及びバンプ形成後の構造の一例を示す断面図である。

本実施の形態１の半導体装置の製造方法は、薄型の半導体チップ（例えば、チップ厚が５０μｍ以下）が搭載される半導体装置の組み立てに関するものである。

本実施の形態１の半導体装置の組み立てを図１に示すフロー図に沿って説明する。

まず、図２に示す半導体ウエハ１Ｗを準備する。半導体ウエハ１Ｗは、図１３に示す複数のチップ領域２が形成された主面１Ｗａと、この主面１Ｗａに対向する裏面１Ｗｂとを有している。さらに、図１４に示すように半導体ウエハ１Ｗの主面１Ｗａのスクライブエリア１Ｗｅには、検査パターン１Ｗｆが形成されている。検査パターン１Ｗｆは、例えば、銅合金によって形成されたものである。

その後、図１のステップＳ１に示すＢＧ（Back Grinding)テープ貼りを行う。ここでは、図２に示すように、半導体ウエハ１Ｗの主面１ＷａにＢＧテープ（研削用テープ）３を貼り付ける。

次に、この状態で図１のステップＳ２に示す厚さ測定を行う。ここでは、図４に示すように、半導体ウエハ１Ｗに赤外線である近赤外光９ｂを照射し、半導体ウエハ１Ｗの各界面（裏面１Ｗｂ及び主面１Ｗａ）からの反射光９ｃを検出して半導体ウエハ１Ｗの厚さを測定する。例えば、チャックテーブル９ｄ上にＢＧテープ３を介して固着された半導体ウエハ１Ｗに対して、その裏面１Ｗｂ側（上方）から、コントローラ９ｅと接続された赤外線カメラ等の厚さ測定器９ａによって近赤外光９ｂを照射し、裏面１Ｗｂからの反射光９ｃ（ａ）と主面１Ｗａからの反射光９ｃ（ｂ）を検出し、図５に示すように、反射光９ｃ（ａ）と反射光９ｃ（ｂ）のピーク間距離（Ｔ）を導き出すものである。この場合、反射光９ｃ（ａ）と反射光９ｃ（ｂ）のピーク間距離（Ｔ）が半導体ウエハ１Ｗの厚さとなる。

また、厚さ測定時は、図３に示すように半導体ウエハ１Ｗを回転テーブル１３ｇに載置し、回転テーブル１３ｇを回転させて測定することにより、半導体ウエハ１Ｗの面方向の複数箇所で厚さ測定を行うことが可能になり、その平均値を算出することでより高精度に半導体ウエハ１Ｗの厚さを測定することができる。

なお、近赤外光９ｂの波長は、８００〜３０００ｎｍである。

本実施の形態１の半導体ウエハ１Ｗの厚さ測定方法によれば、裏面１Ｗｂと主面１Ｗａからのそれぞれの反射光９ｃのピーク間距離（Ｔ）を算出して半導体ウエハ１Ｗの厚さを測定するため、ＢＧテープ３の厚さを含まないウエハそのものの厚さを測定することができる。

したがって、半導体ウエハ１Ｗの厚さを高精度に測定することができる。さらに、半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂの研削（ＢＧ）を行う際に、半導体ウエハ１Ｗの厚さを高精度に測定できるため、研削量を高精度に算出することができ、最終的に半導体ウエハ１Ｗの厚さを高精度に仕上げることができる。

また、この厚さ測定方法の場合、研削量を補正しながら裏面研削を行えるため、厚さ不良を発生させずに研削することができる。つまり、図３に示す回転テーブル１３ｇと厚さ測定器９ａを図６に示すＢＧ装置１３内に設けることで、裏面研削工程で半導体ウエハ１Ｗの厚さを測定しながら裏面１Ｗｂの研削を行うこともできる。

ここで、図６は、ＢＧ装置１３の構成の一例を示すものであり、ローダ１３ａと、アンローダ１３ｂと、研削部１３ｃ（Ｚ１〜Ｚ３）と、ＢＧテープ洗浄部１３ｄとを有している。図６のＢＧ装置１３内で裏面研削を行う場合、例えば、Ａ部に厚さ測定器９ａと回転テーブル１３ｇを配置することで研削量を補正しながら裏面研削を高精度に行うことができる。

ただし、半導体ウエハ１Ｗの厚さ測定は、裏面研削工程で行わなくても良く、裏面研削工程の前に、厚さ測定工程として行ってもよい。

次に、図１のステップＳ３に示すＢＧ・ＤＰ（ドライポリッシング）を行う。すなわち、半導体ウエハ１Ｗの厚さの測定結果に基づいて半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂを研削する。または、半導体ウエハ１Ｗの厚さを測定しながら所望の厚さに到達するまで半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂを研削する。研削は、図６に示すＢＧ装置１３の研削部１３ｃで行う。研削部１３ｃでは、図７に示すように、回転テーブル１３ｇ上にＢＧテープ３を介して半導体ウエハ１Ｗを固着し、この状態でグラインダ１３ｅの砥石１３ｆによって半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂを研削し、半導体ウエハ１Ｗの厚さを所望の厚さにする。

その後、半導体ウエハ１Ｗのスクライブエリア１Ｗｅ（図１４参照）に近赤外光（赤外線）９ｂを照射してレーザダイシング用のレーザ７を照射する箇所を算出する。ここでは、図４に示す厚さ測定方法を採用し、近赤外光９ｂを照射してレーザ照射箇所を導き出す。

その後、図１のステップＳ４に示すレーザダイシングを行う。ここでは、図８に示すように、半導体ウエハ１Ｗのスクライブエリア１Ｗｅにレーザ７を照射して半導体ウエハ１Ｗの内部に破砕層（改質層等ともいう）１Ｗｄを形成する。すなわち、近赤外光９ｂを照射して導き出した半導体ウエハ１Ｗのスクライブエリア１Ｗｅのレーザ照射箇所に、集光レンズ７ａを介して半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂ側からレーザ７を照射し、その内部に破砕層１Ｗｄを形成する。その際、例えば、レーザ７を６００ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動させる。なお、レーザダイシング用のレーザ７の波長は、１０６４ｎｍである。

その後、ステップＳ５に示すＤＡＦ貼り付けを行う。まず、図９に示すように、半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂに接着フィルムであるＤＡＦ４を貼り付ける。ＤＡＦ４は、フィルム状に形成されダイボンド材である。続いて、図１のステップＳ６のウエハマウント及び図１０に示すように、ダイシングテープ５上にＤＡＦ４を介して半導体ウエハ１Ｗを搭載し、搭載後にＢＧテープ３を剥がす。すなわち、ダイシングテープ５上に半導体ウエハ１Ｗの裏面１ＷｂのＤＡＦ４とダイシングテープ５の糊（接着層）５ｂとが接触するように半導体ウエハ１Ｗを搭載し、その後、ＢＧテープ３を剥がす。

なお、ダイシングテープ５は、ポリオレフィン（ＰＯ）等の樹脂から形成された基材５ａと、基材５ａ上に形成された糊（接着層）５ｂとからなる。その際、糊５ｂは、紫外線硬化型である。また、ダイシングテープ５の外周部にはリング状治具６が貼り付けられており、その開口部６ａに半導体ウエハ１Ｗをマウントする。

その後、ダイシングテープ５に紫外線を照射する。これにより、ダイシングテープ５の糊５ｂを硬化させる。

その後、ステップＳ７に示すブレーキングを行う。すなわち、半導体ウエハ１Ｗを折り曲げて破砕層１Ｗｄで分割する。ここでは、まず、ステップＳ８に示す紫外線（ＵＶ）をダイシングテープ５の糊（接着層）５ｂに照射する。その後、ステップＳ９に示す折り曲げを行う。図１１は折り曲げを行うブレーキング装置１４の主要部を示すものであり、第１テーブル１４ａと第２テーブル１４ｂそれぞれのバー領域１４ｃに跨がって半導体ウエハ１Ｗを載置し、それぞれのテーブルで吸着孔１４ｄから半導体ウエハ１Ｗを真空吸着して固定した状態で、例えば、第２テーブル１４ｂのみを所定の角度（θ）傾けることにより、半導体ウエハ１Ｗの破砕層１Ｗｄに応力をかけて破砕層１Ｗｄで切断するものである。θは、例えば、２°である。

その際、ダイシングテープ５に紫外線を照射して予め糊５ｂを硬化させている場合には、折り曲げ時に、チップがずれたり動いたりすることを阻止できる。これにより、隣接チップと干渉することも防止でき、チッピングの発生も抑制できる。

ただし、本実施の形態１のようにＤＡＦ４がある場合は、ブレーキング工程の前に予め糊５ｂを硬化させていなくてもＤＡＦ４の粘着力によりチップ１Ｃがダイシングテープ５上に保持されているため、チップがずれたりすることは起こり難い。そのため、必ずしもステップＳ７のブレーキング工程（ステップＳ９の折り曲げ工程）の前にしなくてもよいが、本実施の形態１のように半導体ウエハ１Ｗをダイシングテープ５にマウントした後、ダイシングテープ５に紫外線を照射することで、ブレーキング工程においても確実にチップ１Ｃを保持しておくことができる。これにより、ＤＡＦ４が半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂに貼り付けられている場合でも、効果的である。

折り曲げ終了後、ステップＳ１０に示すエキスパンドを行う。まず、接着フィルムであるＤＡＦ４を硬化させる。続いて、ＤＡＦ４が硬化された状態でエキスパンドを行う。すなわち、ＤＡＦ４が硬化された状態でダイシングテープ５を外周から引き伸ばしてチップ間隔を広げる。

エキスパンドでは、図１２及び図１３に示すように、まず、半導体ウエハ１Ｗが接合されたダイシングテープ５をピックアップ装置１０の支持リング１１上に水平に位置決めし、ダイシングテープ５の周縁部に接合されたリング状治具６をエキスパンドリング１２で保持する。なお、図１５に示すように、支持リング１１の内側には半導体チップ１Ｃを上方に突き上げるための突き上げ駒１６が配置されている。

次に、ピックアップ装置１０のエキスパンドリング１２を下降させることによって、図１２に示すように、ダイシングテープ５の周縁部に接合されたリング状治具６を下方に押し下げる。リング状治具６が押し下げられると、ダイシングテープ５が、その中心部から周辺部（外周部）に向かう強い張力を受けて水平方向に弛みなく引き伸ばされる。この張力により、半導体ウエハ１Ｗのスクライブエリア１Ｗｅに形成された破砕層１Ｗｄに沿って図１３に示すチップ領域２が互いに分離する結果、図１２に示すように、個片化された複数の半導体チップ１Ｃが得られる。

この時、半導体ウエハ１Ｗの裏面１ＷｂのＤＡＦ４もダイシングテープ５とともに引き伸ばされ、チップ単位で分離されるため、個片化された半導体チップ１Ｃの裏面には、半導体チップ１Ｃと同サイズのＤＡＦ４が残る。

本実施の形態１では、ＤＡＦ４が硬化された状態でエキスパンドを行うため、エキスパンド時に、ＤＡＦ４を確実に分割することができる。その結果、ピックアップ時に、半導体チップ１Ｃを確実にピックアップすることができ、チッピング等の発生を抑制できる。これにより、半導体装置（図１９に示すＣＳＰ２４）の信頼性の向上を図ることができる。さらに、半導体チップ１Ｃの取得の歩留りを向上させることができる。

また、折り曲げ前に、ＵＶ照射によって予めダイシングテープ５の糊５ｂを硬化させた場合には、エキスパンド時に糊５ｂが硬化しているため、糊５ｂは引きちぎられることはなく、糊５ｂがＤＡＦ４の裏面に付着することを阻止できる。したがって、ＤＡＦ４の裏面には糊５ｂが付着していないため、その後の工程での耐温度サイクル性や耐リフロー性の低下を阻止することができる。さらに、ＤＡＦ４の裏面には糊５ｂが付着していないため、後述するチップ実装工程等で、半導体チップ１Ｃを積層（または配線基板に実装）する際に、チップの平坦性が悪化して実装不良に至ることを阻止できる。

また、先にエキスパンドの前に折り曲げ（ブレーキング）を行うことにより、図１４に示すように、検査パターン１Ｗｆを、ヒゲ部１Ｖ（図２５参照）を形成することなく切断することができる。

尚、エキスパンド工程の前にＵＶ照射する工程を施しておけば、ダイシングテープ５の糊５ｂがＤＡＦ４の裏面に付着する問題は抑制できるが、このＵＶ照射する工程がブレーキング工程の後だと、エキスパンド工程の際、ダイシングテープ５が弛みなく引き伸ばされ難くなる。これは、ダイシングテープ５の接着層５ｂが硬化されない状態でブレーキング工程を施すと、半導体ウエハ１Ｗしか分割されない。そのため、ブレーキング工程の後にＵＶ照射すると、ダイシングテープ５に亀裂が形成されていない状態で、ダイシングテープ５は硬化される。これにより、硬化したダイシングテープ５は、エキスパンド工程において引き伸ばされ難くなってしまう。これに対し、本実施の形態１のように、ブレーキング工程の前にＵＶ照射しておけば、ブレーキング工程において半導体ウエハ１Ｗと、硬化されたダイシングテープ５の少なくとも一部が分割される。この結果、その後のエキスパンド工程の際、ダイシングテープ５は硬化された状態であっても、半導体ウエハ１Ｗに形成された破砕層１Ｗｄと平面的に重なるダイシングテープ５の領域は分割されているため、ダイシングテープ５を容易に引き伸ばすことが可能である。

次に、図１のステップＳ１１ に示す弛み除去を行う。ここでは、複数の半導体チップ１Ｃの外側の周辺部のエキスパンドによって発生したダイシングテープ５の弛みを取る。

その後、ステップＳ１２に示すダイボンドを行う。まず、図１５に示すチップのピックアップを行う。すなわち、個片化された半導体チップ１Ｃをダイシングテープ５上からピックアップする。ここでは、まず、１個の半導体チップ１Ｃの下方に突き上げ駒１６を配置するとともに、ピックアップ用の吸着保持可能なコレット１９を半導体チップ１Ｃの上方に配置して密着させる。

その後、突き上げ駒１６によって半導体チップ１Ｃを上方に突き上げるとともに、コレット１９を上方に移動させ、半導体チップ１Ｃ及びＤＡＦ４をダイシングテープ５から剥離する。

このようにして、ダイシングテープ５から剥離されてピックアップされた半導体チップ１Ｃは、コレット１９に吸着・保持されて次工程（ペレット付け工程）に搬送され、図１６に示すように配線基板１７上に実装される。

次に、ピックアップされた半導体チップ１Ｃを、図１６及び図１７に示すように、配線基板１７の主面上に実装されている半導体チップ１８Ｃの主面上に移送する。なお、半導体チップ１８Ｃは、配線基板１７の主面上に接着層２０ａを介して１段目のチップとして搭載されている。

続いて、半導体チップ１Ｃの裏面の接着層８ａと半導体チップ１８Ｃの主面とを対向させた状態で半導体チップ１Ｃを下降しチップ１８Ｃの主面上に載せる。ここで、接着層８ａは、本実施の形態１ではＤＡＦ４である。すなわち、接着層８ａ（ＤＡＦ４）を介して半導体チップ１Ｃを半導体チップ１８Ｃ上に積み重ねる（積層する）。なお、チップの積層数は２段に限らず何段であってもよい。

ここで、配線基板１７及び半導体チップ１８Ｃの構成と実装方法の一例を説明する。配線基板１７は、例えば多層配線構成を有するプリント配線基板からなり、厚さ方向に沿って互いに反対側になる主面および裏面を有している。配線基板１７の主面には半導体チップ１８Ｃが実装されている。また、配線基板１７の主面には、半導体チップ１８Ｃの外周を取り囲むように複数の電極１７ａが配置されている。また、配線基板１７の裏面には、複数の電極１７ｂが配置されている。配線基板１７の主面の電極１７ａと裏面の電極１７ｂとは配線基板１７の内層の配線を通じて電気的に接続されている。配線基板１７の電極１７ａ，１７ｂおよび配線は、例えば銅からなる。電極１７ａ，１７ｂの露出表面にはニッケル（Ｎｉ）下地の金（Ａｕ）メッキが施されている。

次に、半導体チップ１８Ｃの構成について説明すると、半導体チップ１８Ｃの半導体基板１８Ｓは、半導体チップ１Ｃの半導体基板１Ｓと同様に、例えば、シリコン（Ｓｉ）単結晶からなり、その主面には素子および配線層１８Ｌが形成されている。配線層１８Ｌの構成は、半導体チップ１Ｃの配線層１Ｌと同じであり、最上層には、パッド１８ＬＢが配置されている。半導体チップ１８Ｃは、その主面を上に向け、かつ、その裏面が接着層２０ａにより配線基板１７の主面に固着された状態で配線基板１７の主面上に実装されている。接着層２０ａは、例えば、ポリイミド樹脂のような熱可塑性樹脂により形成されている。

なお、接着層２０ａの材料としてＤＡＦ４を使用しても良い。すなわち、１段目の半導体チップ１８Ｃと２段目の半導体チップ１Ｃの両者ともＤＡＦ４を介して実装してもよい。

次に、図１８に示すように、２段目の半導体チップ１Ｃのパッド１ＬＢと１段目の半導体チップ１８Ｃのパッド１８ＬＢとを導電性のワイヤ２１により接続するとともに、１段目の半導体チップ１８Ｃのパッド１８ＬＢと配線基板１７の電極１７ａとをワイヤ２１により接続する。２段目の半導体チップ１Ｃのパッド１ＬＢと配線基板１７の電極１７ａとをワイヤ２１により接続しても良い。ワイヤ２１は、例えば、金（Ａｕ）により形成されている。

その後、図１９に示すように、半導体チップ１Ｃ，１８Ｃ及び複数のワイヤ２１等を樹脂封止する。例えば、トランスファモールド法を用いてエポキシ系樹脂等から封止体２２を形成し、この封止体２２により封止する。さらに、電極１７ｂ上に外部端子としてはんだボール２３を形成する。はんだボール２３は、例えば、鉛（Ｐｂ）−錫（Ｓｎ）の鉛半田材、または、例えば錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）系の鉛フリー半田材から成る。以上のようにしてＣＳＰ２４（半導体装置）を製造する。

（実施の形態２）
図２０は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図、図２１は図２０に示すフローにおけるウエハマウント状態の一例を示す断面図、図２２は図２０に示すフローにおけるＵＶ照射状態の一例を示す断面図、図２３は図２０に示すフローにおけるエキスパンド状態の一例を示す断面図、図２４は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法におけるピックアップ状態の一例を示す断面図である。

本実施の形態２の半導体装置の製造方法は、実施の形態１と同様に、例えば、チップ厚が５０μｍ以下の薄型の半導体チップが搭載される半導体装置の組み立てに関するものであるが、実施の形態１との相違点は、ダイシングテープ５へのウエハマウント時に、ＤＡＦ４を使用せずに直接半導体ウエハ１Ｗをダイシングテープ５に搭載するものである。

本実施の形態２の半導体装置の組み立てを図２０に示すフロー図に沿って説明する。

まず、実施の形態１と同様に、半導体ウエハ１Ｗを準備する。半導体ウエハ１Ｗは、図１３に示す複数のチップ領域２が形成された主面１Ｗａと、この主面１Ｗａに対向する裏面１Ｗｂとを有している。さらに、図１４に示すように半導体ウエハ１Ｗの主面１Ｗａのスクライブエリア１Ｗｅには、検査パターン１Ｗｆが形成されている。検査パターン１Ｗｆは、例えば、銅合金によって形成されたものである。

その後、図２０のステップＳ２１に示すＢＧテープ貼りを行う。ここでは、半導体ウエハ１Ｗの主面１ＷａにＢＧテープ３を貼り付ける。

次に、この状態でステップＳ２２に示す厚さ測定を行う。ここでは、実施の形態１と同様の方法で厚さ測定を行う。すなわち、図４に示すように半導体ウエハ１Ｗに赤外線である近赤外光９ｂを照射し、半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂ及び主面１Ｗａからの反射光９ｃを検出して半導体ウエハ１Ｗの厚さを測定する。

次に、ステップＳ２３に示すＢＧ・ＤＰ（ドライポリッシング）を行う。すなわち、半導体ウエハ１Ｗの厚さの測定結果に基づいて半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂを研削する。または、半導体ウエハ１Ｗの厚さを測定しながら所望の厚さに到達するまで半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂを研削する。

その後、半導体ウエハ１Ｗのスクライブエリア１Ｗｅ（図１４参照）に近赤外光９ｂを照射してレーザダイシング用のレーザ７を照射する箇所を算出する。ここでは、図４に示す厚さ測定方法を採用し、近赤外光９ｂを照射してレーザ照射箇所を導き出す。

その後、ステップＳ２４に示すレーザダイシングを行う。実施の形態１と同様に、図８に示すように、半導体ウエハ１Ｗのスクライブエリア１Ｗｅにレーザ７を照射して半導体ウエハ１Ｗの内部に破砕層（改質層等ともいう）１Ｗｄを形成する。すなわち、近赤外光９ｂを照射して導き出した半導体ウエハ１Ｗのスクライブエリア１Ｗｅのレーザ照射箇所に、集光レンズ７ａを介して半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂ側からレーザ７を照射し、その内部に破砕層１Ｗｄを形成する。その際、レーザダイシング用のレーザ７の波長は、１０６４ｎｍである。

その後、ステップＳ２５に示すウエハマウントを行う。まず、図２１に示すように、ダイシングテープ５上に半導体ウエハ１Ｗを搭載し、搭載後にＢＧテープ３を剥がす。すなわち、ダイシングテープ５上に半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂとダイシングテープ５の糊（接着層）５ｂとが接触するように半導体ウエハ１Ｗを搭載し、その後、ＢＧテープ３を剥がす。

なお、ダイシングテープ５は、ポリオレフィン（ＰＯ）等の樹脂から形成された基材５ａと、基材５ａ上に形成された糊（接着層）５ｂとからなる。その際、糊５ｂは、紫外線硬化型である。また、ダイシングテープ５の外周部にはリング状治具６が貼り付けられており、その開口部６ａに半導体ウエハ１Ｗをマウントする。

その後、ステップＳ２６に示すブレーキングを行う。ブレーキングでは、まず、ステップＳ２７に示すＵＶ照射を行う。ここでは、図２２に示すように、ダイシングテープ５に紫外線を照射してダイシングテープ５の糊５ｂを硬化させる。その際、半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂ側から紫外線を照射する。すなわち、半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂ側に、ＵＶランプ１５ｂに繋がったファイバスコープ１５ａを配置しておき、半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂ側から紫外線を照射する。すなわち、ダイシングテープ５は、半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂ側に貼り付けられているため、半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂ側から紫外線を照射することにより、ダイシングテープ５の糊５ｂを確実に硬化させることができる。

なお、図２２に示すＵＶ照射では、半導体ウエハ１Ｗの下方において、ファイバスコープ１５ａを含むＵＶランプ１５ｂを移動させる場合を図示しているが、ＵＶランプ１５ｂ側を固定として、半導体ウエハ１Ｗ側を移動させる方法としてもよいし、あるいは、ＵＶランプ１５ｂと半導体ウエハ１Ｗの両者を固定として紫外線を照射してもよい。すなわち、半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂ側において、ＵＶランプ１５ｂを大きな反射板で覆い、紫外線を前記反射板に乱反射させて半導体ウエハ１Ｗの裏面１Ｗｂ全域に紫外線を照射してもよい。

次に、図２０のステップＳ２８に示す折り曲げ（ブレーキング）を行う。すなわち、図１１に示す実施の形態１と同様の方法で、半導体ウエハ１Ｗを折り曲げて破砕層１Ｗｄで分割する。その際、本実施の形態２では、ダイシングテープ５の糊５ｂがＵＶ照射によって硬化されているため、折り曲げ時に、半導体チップ１Ｃがずれたり動いたりすることを阻止できる。これにより、半導体チップ１Ｃが隣接チップと干渉することを防止でき、チッピングの発生を抑制することができる。本実施の形態２では、半導体ウエハ１Ｗの裏面１ＷｂにＤＡＦ４が貼り付けられていないため、ブレーキング工程の前にダイシングテープ５の糊５ｂを予めＵＶ照射によって硬化しておくことが必要である。

その結果、半導体装置（ＣＳＰ２４）の信頼性の向上を図ることができる。さらに、半導体チップ１Ｃの取得の歩留りを向上させることができる。

折り曲げ終了後、ステップＳ２９に示すエキスパンドを行う。すなわち、ダイシングテープ５を外周から引き伸ばしてチップ間隔を広げる。エキスパンドでは、図１３及び図２３に示すように、まず、半導体ウエハ１Ｗが接合されたダイシングテープ５をピックアップ装置１０の支持リング１１上に水平に位置決めし、ダイシングテープ５の周縁部に接合されたリング状治具６をエキスパンドリング１２で保持する。なお、図２４に示すように、支持リング１１の内側には半導体チップ１Ｃを上方に突き上げるための突き上げ駒１６が配置されている。

次に、ピックアップ装置１０のエキスパンドリング１２を下降させることによって、図２３に示すように、ダイシングテープ５の周縁部に接合されたリング状治具６を下方に押し下げる。リング状治具６が押し下げられると、ダイシングテープ５が、その中心部から周辺部（外周部）に向かう強い張力を受けて水平方向に弛みなく引き伸ばされる。この張力により、半導体ウエハ１Ｗのスクライブエリア１Ｗｅに形成された破砕層１Ｗｄに沿って図１３に示すチップ領域２が互いに分離する結果、図２３に示すように、個片化された複数の半導体チップ１Ｃが得られる。

本実施の形態２では、エキスパンド前にＵＶ照射によってダイシングテープ５の糊５ｂが硬化され、糊５ｂが硬化された状態でエキスパンドを行うため、エキスパンド時に、糊５ｂが引きちぎられることはなく、糊５ｂがチップ裏面に付着することを防止できる。したがって、チップ裏面に糊５ｂが付着していないため、後述するチップ実装工程等で、半導体チップ１Ｃを積層（または配線基板に実装）する際に、チップの平坦性が悪化して実装不良に至ることを阻止できる。

また、先にエキスパンドの前に折り曲げ（ブレーキング）を行うことにより、実施の形態１と同様に、図１４に示すように、検査パターン１Ｗｆをヒゲ部１Ｖ（図２５参照）を形成することなく切断することができる。次に、図２０のステップＳ３０に示す弛み除去を行う。ここでは、複数の半導体チップ１Ｃの外側の周辺部のエキスパンドによって発生したダイシングテープ５の弛みを除去する。

その後、ステップＳ３１に示すダイボンドを行う。まず、図２４に示すチップのピックアップを行う。すなわち、個片化された半導体チップ１Ｃをダイシングテープ５上からピックアップする。ここでは、まず、１個の半導体チップ１Ｃの下方に突き上げ駒１６を配置するとともに、ピックアップ用の吸着保持可能なコレット１９を半導体チップ１Ｃの上方に配置して密着させる。

その後、突き上げ駒１６によって半導体チップ１Ｃを上方に突き上げるとともに、コレット１９を上方に移動させ、半導体チップ１Ｃをダイシングテープ５から剥離する。

このようにして、ダイシングテープ５から剥離されてピックアップされた半導体チップ１Ｃは、コレット１９に吸着・保持されて次工程（ペレット付け工程）に搬送され、図１６に示すように配線基板１７上に実装される。

なお、ピックアップされた半導体チップ１Ｃを積層（または配線基板に実装）する方法については、実施の形態１の図１６〜図１９の説明と同じであるため、その説明については省略する。

本実施の形態２の半導体装置の製造方法によって得られるその他の効果については、実施の形態１の効果と同様であるためその重複説明は省略する。

以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

例えば、前記実施の形態２では、ＵＶ照射によってダイシングテープ５の糊５ｂを硬化させる場合について説明したが、冷却によって硬化させてもよい。冷却によって硬化させる場合には、折り曲げ（ブレーキング）前にダイシングテープ５を冷却して糊５ｂを硬化させ、この状態で折り曲げを行うとともに、折り曲げ後、ダイシングテープ５は常温に戻ってしまうため、エキスパンド前に再度ダイシングテープ５を冷却して糊５ｂを硬化させ、この状態でエキスパンドを行うことが好ましい。

本発明は、ダイシングテープを用いた半導体製造技術に好適である。

本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。 図１に示すフローにおけるＢＧテープ貼り付け状態の一例を示す断面図である。 図１に示すフローにおけるウエハの厚さ測定状態の一例を示す概念図である。 図１に示すフローにおけるウエハの厚さ測定装置の一例を示す概念図である。 図４に示す厚さ測定装置の出力波形の一例を示す概念図である。 図１に示すフローにおける裏面研削（ＢＧ）装置の構造の一例を示す平面図である。 図１に示すフローにおける裏面研削状態の一例を示す概念図である。 図１に示すフローにおけるレーザダイシング状態の一例を示す概念図である。 図１に示すフローにおけるＤＡＦ貼り付け後の構造の一例を示す断面図である。 図１に示すフローにおけるウエハマウント状態の一例を示す断面図である。 図１に示すフローにおけるブレーキング状態の一例を示す断面図である。 図１に示すフローにおけるエキスパンド状態の一例を示す断面図である。 図１２に示すエキスパンド時に用いられるピックアップ装置の構造の一例を示す斜視図である。 図１２に示すエキスパンドによって分割された検査パターンの構造の一例を示す平面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法におけるピックアップ状態の一例を示す断面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法におけるダイボンディング方法の一例を示す斜視図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法における２段目チップのダイボンディング方法の一例を示す断面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法におけるワイヤボンディング後の構造の一例を示す断面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法における樹脂封止及びバンプ形成後の構造の一例を示す断面図である。 本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。 図２０に示すフローにおけるウエハマウント状態の一例を示す断面図である。 図２０に示すフローにおけるＵＶ照射状態の一例を示す断面図である。 図２０に示すフローにおけるエキスパンド状態の一例を示す断面図である。 本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法におけるピックアップ状態の一例を示す断面図である。 比較例の検査パターンの構造を示す平面図である。

符号の説明

１Ｗ 半導体ウエハ
１Ｗａ 主面
１Ｗｂ 裏面
１Ｗｄ 破砕層
１Ｗｅ スクライブエリア
１Ｗｆ 検査パターン
１Ｖ ヒゲ部
１Ｃ 半導体チップ
１Ｓ 半導体基板
１Ｌ 配線層
１ＬＢ パッド（電極）
２ チップ領域
３ ＢＧテープ（研削用テープ）
４ ＤＡＦ（接着フィルム）
５ ダイシングテープ
５ａ 基材
５ｂ 糊（接着層）
６ リング状治具
６ａ 開口部
７ レーザ
７ａ 集光レンズ
８ａ 接着層
９ａ 厚さ測定器
９ｂ 近赤外光（赤外線）
９ｃ 反射光
９ｄ チャックテーブル
９ｅ コントローラ
１０ ピックアップ装置
１１ 支持リング
１２ エキスパンドリング
１３ ＢＧ装置
１３ａ ローダ
１３ｂ アンローダ
１３ｃ 研削部
１３ｄ ＢＧテープ洗浄部
１３ｅ グラインダ
１３ｆ 砥石
１３ｇ 回転テーブル
１４ ブレーキング装置
１４ａ 第１テーブル
１４ｂ 第２テーブル
１４ｃ バー領域
１４ｄ 吸着孔
１５ａ ファイバスコープ
１５ｂ ＵＶランプ
１６ 突き上げ駒
１７ 配線基板
１７ａ，１７ｂ 電極
１８Ｃ 半導体チップ
１８Ｓ 半導体基板
１８Ｌ 配線層
１８ＬＢ パッド（電極）
１９ コレット
２０ａ 接着層
２１ ワイヤ
２２ 封止体
２３ はんだボール
２４ ＣＳＰ（半導体装置）

Claims (26)

1. （ａ）半導体ウエハにレーザを照射して前記半導体ウエハの内部に破砕層を形成する工程と、
   （ｂ）ダイシングテープ上に接着層を介して前記半導体ウエハを搭載する工程と、
   （ｃ）前記ダイシングテープの接着層を硬化する工程と、
   （ｄ）前記破砕層を起点とし、前記半導体ウエハを折り曲げて分割する工程と、
   （ｅ）前記ダイシングテープを外周から引き伸ばしてチップ間隔を広げる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記ダイシングテープの接着層は、紫外線硬化型であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程の後、前記ダイシングテープ上に前記半導体ウエハの裏面と前記ダイシングテープの接着層とが接触するように前記半導体ウエハを搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程の前に、前記半導体ウエハのスクライブエリアに赤外線を照射して前記レーザを照射する箇所を算出する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハの裏面に、接着フィルムが貼り付けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記レーザの波長は、１０６４ｎｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハの主面のスクライブエリアに検査パターンが形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. （ａ）半導体ウエハにレーザを照射して前記半導体ウエハの内部に破砕層を形成する工程と、
   （ｂ）ダイシングテープ上に接着層を介して前記半導体ウエハを搭載する工程と、
   （ｃ）前記ダイシングテープに紫外線を照射する工程と、
   （ｄ）前記半導体ウエハを折り曲げて前記破砕層で分割する工程と、
   （ｅ）前記ダイシングテープを外周から引き伸ばしてチップ間隔を広げる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項８記載の半導体装置の製造方法において、前記ダイシングテープの接着層は、紫外線硬化型であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 請求項８記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程の後、前記ダイシングテープ上に前記半導体ウエハの裏面と前記ダイシングテープの接着層とが接触するように前記半導体ウエハを搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 請求項８記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程では、前記紫外線を照射することで前記ダイシングテープを硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記紫外線を照射する際に、前記半導体ウエハの裏面側から照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
13. 請求項８記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程の前に、前記半導体ウエハのスクライブエリアに赤外線を照射して前記レーザを照射する箇所を算出する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
14. 請求項８記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハの裏面に、接着フィルムが貼り付けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
15. （ａ）半導体ウエハにレーザを照射して前記半導体ウエハの内部に破砕層を形成する工程と、
    （ｂ）ダイシングテープ上に接着層を介して前記半導体ウエハを搭載する工程と、
    （ｃ）前記ダイシングテープを冷却する工程と、
    （ｄ）前記半導体ウエハを折り曲げて前記破砕層で分割する工程と、
    （ｅ）前記ダイシングテープを冷却する工程と、
    （ｆ）前記ダイシングテープを外周から引き伸ばしてチップ間隔を広げる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
16. 請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程の後、前記ダイシングテープ上に前記半導体ウエハの裏面と前記ダイシングテープの接着層とが接触するように前記半導体ウエハを搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
17. 請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程では、前記冷却することで前記ダイシングテープを硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
18. 請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程の前に、前記半導体ウエハのスクライブエリアに赤外線を照射して前記レーザを照射する箇所を算出する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
19. 請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハの裏面に、接着フィルムが貼り付けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
20. （ａ）主面と前記主面に対向する裏面とを有し、かつ前記裏面に接着フィルムが貼り付けられた半導体ウエハを準備する工程と、
    （ｂ）前記半導体ウエハにレーザを照射して前記半導体ウエハの内部に破砕層を形成する工程と、
    （ｃ）ダイシングテープ上に前記接着フィルムを介して前記半導体ウエハを搭載する工程と、
    （ｄ）前記ダイシングテープに紫外線を照射する工程と、
    （ｅ）前記半導体ウエハを折り曲げて前記破砕層で分割する工程と、
    （ｆ）前記接着フィルムを硬化させる工程と、
    （ｇ）前記ダイシングテープを外周から引き伸ばしてチップ間隔を広げる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
21. 請求項２０記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程の後、前記ダイシングテープ上に前記半導体ウエハの裏面の前記接着フィルムと、前記ダイシングテープの接着層とが接触するように前記半導体ウエハを搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
22. 請求項２０記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程の前に、前記半導体ウエハのスクライブエリアに赤外線を照射して前記レーザを照射する箇所を算出する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
23. 請求項２０記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程では、前記紫外線を照射することで前記ダイシングテープを硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
24. （ａ）主面と前記主面に対向する裏面とを有する半導体ウエハを準備する工程と、
    （ｂ）前記半導体ウエハの主面に研削用テープを貼り付ける工程と、
    （ｃ）前記半導体ウエハに赤外線を照射し、その反射光を検出して前記半導体ウエハの厚さを測定する工程と、
    （ｄ）前記厚さの測定結果に基づいて前記半導体ウエハの裏面を研削する工程と、
    （ｅ）前記半導体ウエハのスクライブエリアに赤外線を照射してレーザを照射する箇所を算出する工程と、
    （ｆ）前記半導体ウエハに前記レーザを照射して前記半導体ウエハの内部に破砕層を形成する工程と、
    （ｇ）前記半導体ウエハの裏面に接着フィルムを貼り付ける工程と、
    （ｈ）ダイシングテープ上に前記接着フィルムを介して前記半導体ウエハを搭載した後、前記研削用テープを剥がす工程と、
    （ｉ）前記ダイシングテープに紫外線を照射する工程と、
    （ｊ）前記半導体ウエハを折り曲げて前記破砕層で分割する工程と、
    （ｋ）前記接着フィルムを硬化させる工程と、
    （ｌ）前記ダイシングテープを外周から引き伸ばしてチップ間隔を広げる工程と、
    （ｍ）前記（ｌ）工程において形成された半導体チップをピックアップする工程と、
    （ｎ）前記半導体チップを配線基板に搭載する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
25. 請求項２４記載の半導体装置の製造方法において、前記ダイシングテープの接着層は、紫外線硬化型であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
26. 請求項２４記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｎ）工程の後、
    （ｏ）前記半導体チップの電極と前記配線基板の電極とを導電性のワイヤで接続する工程と、
    （ｐ）前記半導体チップ及び前記ワイヤを樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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