JP2005222989A - ウエーハの分割方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】パルスレーザー光線を用いてウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成し、この変質層に沿って個々のチップに分割するとともに、分割されたチップをピックアップするウエーハの分割方法を提供する。
【解決手段】表面に格子状に形成された分割予定ライン２１に沿って分割するウエーハ２の分割方法であって、ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープ３０に貼着する工程と、パルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層２１０を形成する工程と、ウエーハの変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与しウエーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する工程と、ウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張して各チップ間の間隔を広げる工程と、拡張されたダイシングテープから各チップをピックアップするピックアップ工程とを含む。
【選択図】図６
【解決手段】表面に格子状に形成された分割予定ライン２１に沿って分割するウエーハ２の分割方法であって、ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープ３０に貼着する工程と、パルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層２１０を形成する工程と、ウエーハの変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与しウエーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する工程と、ウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張して各チップ間の間隔を広げる工程と、拡張されたダイシングテープから各チップをピックアップするピックアップ工程とを含む。
【選択図】図６
Description
本発明は、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が配設されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割し、分割された個々のチップをピックアップするウエーハの分割方法に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路（機能素子）を形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面にフォトダイオード等の受光素子（機能素子）やレーザーダイオード等の発光素子（機能素子）等が積層された光デバイスウエーハも分割予定ラインに沿って切断することにより個々のフォトダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を備えたスピンドルユニットを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。
しかるに、切削ブレードは２０μｍ程度の厚さを有するため、チップを区画する分割予定ラインとしては幅が５０μｍ程度必要となり、ウエーハの面積に対する分割予定ラインが占める面積比率が大きく、生産性が悪いという問題がある。また、サファイヤ基板、炭化珪素基板等はモース硬度が高いため、上記切削ブレードによる切断は必ずしも容易ではない。
一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する赤外光領域のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部に分割予定ラインに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。（例えば、特許文献１参照。）
特許第３４０８８０５号公報
而して、上述した切削装置によってウエーハを完全切断することにより個々のチップに分割し、このチップをピックアップするプロセスは確立されているが、パルスレーザー光線を用いてウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する技術はウエーハを完全に分割できないことから、生産ラインが確立されておらず試行錯誤の状態である。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、パルスレーザー光線を用いてウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成し、この変質層に沿って個々のチップに分割するとともに、分割されたチップをピックアップするプロセスを確立することができるウエーハの分割方法を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が配設されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するフレーム保持工程と、
フレームに保持されたウエーハの表面側からウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
フレームに保持されたウエーハの変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、
個々のチップに分割されたウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張して各チップ間の間隔を広げる拡張工程と、
拡張されたダイシングテープから各チップをピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するフレーム保持工程と、
フレームに保持されたウエーハの表面側からウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
フレームに保持されたウエーハの変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、
個々のチップに分割されたウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張して各チップ間の間隔を広げる拡張工程と、
拡張されたダイシングテープから各チップをピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
上記変質層形成工程においてウエーハの内部に形成される変質層は、少なくともウエーハの裏面に露出して形成されることが望ましい。
また、上記分割工程は、上記張工程においてダイシングテープを拡張することにより遂行されることが望ましい。
また、上記分割工程は、上記張工程においてダイシングテープを拡張することにより遂行されることが望ましい。
本発明におけるウエーハの分割方法は上記工程からなっているので、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が配設されたウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射することによりウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成し、この変質層に沿って個々のチップに分割するとともに、分割されたチップをピックアップするプロセスを確立することができる。
以下、本発明によるウエーハの分圧方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、シリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域に機能素子としての回路２２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ２の表面２ａは、所定の厚さに研磨される。
上述した半導体ウエーハ２は、その裏面２ｂを環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着される（フレーム保持工程）。このフレーム保持工程は、図２に示すように環状のフレーム３に装着された伸長可能なダイシングテープ３０の表面に半導体ウエーハ２の裏面２ｂを貼着する。なお、上記ダイシングテープ３０は、図示の実施形態においては厚さが１００μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さが５μｍ程度塗布されている。この糊は紫外線等の外的刺激によって粘着力が低下する性質を有するものが用いられている。
上述したフレーム保持工程を実施を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面２ａ側からウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。この変質層形成工程は、図３乃至５に示すレーザー加工装置４を用いて実施する。図３乃至図５に示すレーザー加工装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２と、チャックテーブル４１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段４３を具備している。チャックテーブル４１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図３において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段４２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング４２１を含んでいる。ケーシング４２１内には図４に示すようにパルスレーザー光線発振手段４２２と伝送光学系４２３とが配設されている。パルスレーザー光線発振手段４２２は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器４２２ａと、これに付設された繰り返し周波数設定手段４２２ｂとから構成されている。伝送光学系４２３は、ビームスプリッタの如き適宜の光学要素を含んでいる。上記ケーシング４２１の先端部には、それ自体は周知の形態でよい組レンズから構成される集光レンズ（図示せず）を収容した集光器４２４が装着されている。上記パルスレーザー光線発振手段４２２から発振されたレーザー光線は、伝送光学系４２３を介して集光器４２４に至り、集光器４２４から上記チャックテーブル４１に保持される被加工物に所定の集光スポット径Ｄで照射される。この集光スポット径Ｄは、図５に示すようにガウス分布を示すパルスレーザー光線が集光器４２４の対物集光レンズ４２４ａを通して照射される場合、Ｄ（μｍ）＝４×λ×ｆ／（π×Ｗ）、ここでλはパルスレーザー光線の波長（μｍ）、Ｗは対物レンズ４２４ａに入射されるパルスレーザー光線の直径（ｍｍ）、ｆは対物レンズ４２４ａの焦点距離（ｍｍ）、で規定される。
上記レーザー光線照射手段４２を構成するケーシング４２１の先端部に装着された撮像手段４３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
上述したレーザー加工装置４を用いて実施する変質層形成工程について、図３、図６および図７を参照して説明する。
この変質層形成行程は、先ず上述した図３に示すレーザー加工装置４のチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２のダイシングテープ３０側を載置し（従って、半導体ウエーハ２は表面２ａが上側となる）、図示しない吸引手段によってチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する。なお、図３、図６および図７においては、ダイシングテープ３０が装着された環状のフレーム３を省いて示しているが、環状のフレーム３はチャックテーブル４１に配設された適宜のクランプ機構に保持されている。このようにして半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない移動機構によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。
この変質層形成行程は、先ず上述した図３に示すレーザー加工装置４のチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２のダイシングテープ３０側を載置し（従って、半導体ウエーハ２は表面２ａが上側となる）、図示しない吸引手段によってチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する。なお、図３、図６および図７においては、ダイシングテープ３０が装着された環状のフレーム３を省いて示しているが、環状のフレーム３はチャックテーブル４１に配設された適宜のクランプ機構に保持されている。このようにして半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない移動機構によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。
チャックテーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、撮像手段４３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、分割予定ライン２１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
以上のようにしてチャックテーブル４１上に保持されている半導体ウエーハ２に形成されている分割予定ライン２１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図６の（ａ）で示すようにチャックテーブル４１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２４が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン２１の一端（図６の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段４２の集光器４２４の直下に位置付ける。そして、集光器４２４から透過性を有するパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル４１即ち半導体ウエーハ２を図６の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図６の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段４２の集光器４２４の照射位置が分割予定ライン２１の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル４１即ち半導体ウエーハ２の移動を停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の裏面２ｂ（下面）付近に合わせることにより、裏面２ｂ（下面）に露出するとともに裏面２ｂから内部に向けて変質層２１０が形成される。この変質層２１０は、溶融再固化層として形成される。このように変質層２１０を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに露出して形成することにより、変質層２１０に沿って外力を付与することによる分割が容易となる。
なお、上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 ；ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４スレーザー
波長 ；１０６４ｎｍのパルスレーザー
パルス出力 ：１０μＪ
集光スポット径 ；φ１μｍ
パルス幅 ；４０ｎｓ
集光点のピークパワー密度；３．２×１０１０Ｗ／ｃｍ２
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
加工送り速度 ；１００ｍｍ／秒
光源 ；ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４スレーザー
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繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
加工送り速度 ；１００ｍｍ／秒
なお、半導体ウエーハ２の厚さが厚い場合には、図７に示すように集光点Ｐを段階的に変えて上述した変質層形成工程を複数回実行することにより、複数の変質層２１０を形成する。なお、上述した加工条件においては１回に形成される変質層の厚さは約５０μｍであるため、図示の実施形態においては厚さが３００μｍのウエーハ２に対して６層の変質層を形成する。この結果、半導体ウエーハ２の内部に形成される変質層２１０は、分割予定ライン２１に沿って裏面２ｂから表面２ａに渡って形成される。
上述した変質層形成行程を実施を実施したならば、半導体ウエーハ２を分割予定ライン２１に沿って分割する分割行程を実施する。
分割工程の第１の実施形態について、図８を参照して説明する。図８に示す分割工程の第１の実施形態は、超音波分割装置５を用いて実施する。超音波分割装置５は、円筒状のベース５１と第１の超音波発振器５２および第２の超音波発振器５３とからなっている。超音波分割装置５を構成する円筒状のベース５１は、上面に上記フレーム５を載置する載置面５１ａを備えており、この載置面５１ａ上にフレーム５を載置しクランプ５４によって固定する。このベース５１は、図示しない移動手段によって図８において左右方向および紙面に垂直な方向に移動可能に構成されているとともに回動可能に構成されている。超音波分割装置５を構成する第１の超音波発振器５２および第２の超音波発振器５３は、円筒状のベース５１の載置面５１ａ上に載置されるフレーム３にダイシングテープ３０を介して支持された半導体ウエーハ２の上側と下側に対向して配設されており、所定周波数の縦波（疎密波）を発生させる。このように構成された超音波分割装置５を用いて上記分割工程を実施するには、半導体ウエーハ２（分割予定ライン２１に沿って変質層２１０が形成されている）をダイシングテープ３０を介して支持したフレーム３を円筒状のベース５１の載置面５１ａ上にダイシングテープ３０が装着されている側を載置し（従って、半導体ウエーハ２は表面２ａが上側となる）、クランプ５４によって固定する。次に、図示しない移動手段によってベース５１を作動し、半導体ウエーハ２に形成された所定の分割予定ライン２１の一端（図８において左端）を第１の超音波発振器５２および第２の超音波発振器５３からの超音波が作用する位置に位置付ける。そして、第１の超音波発振器５２および第２の超音波発振器５３を作動しそれぞれ周波数が例えば２８ｋＨｚの縦波（疎密波）を発生させるとともに、ベース５１を矢印で示す方向に例えば５０〜１００ｍｍ／秒の送り速度で移動せしめる。この結果、第１の超音波発振器５２および第２の超音波発振器５３から発生された超音波が半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１に沿って表面および裏面に作用するため、半導体ウエーハ２は変質層２１０が形成されて強度が低下せしめられた分割予定ライン２１に沿って分割される。このようにして所定の分割予定ライン２１に沿って分割工程を実施したならば、ベース５１を紙面に垂直な方向に分割予定ライン２１の間隔に相当する分だけ割り出し送りし、上記分割工程を実施する。このようにして所定方向に延びる全ての分割予定ライン２１に沿って分割工程を実施したならば、ベース５１を９０度回動し、半導体ウエーハ２に所定方向と直角な方向に形成された分割予定ライン２１に対して上記分割工程を実施することにより、半導体ウエーハ２は個々のチップに分割される。なお、個々に分割されたチップは裏面がダイシングテープ３０に貼着されているので、バラバラにはならずウエーハの形態が維持されている。
分割工程の第１の実施形態について、図８を参照して説明する。図８に示す分割工程の第１の実施形態は、超音波分割装置５を用いて実施する。超音波分割装置５は、円筒状のベース５１と第１の超音波発振器５２および第２の超音波発振器５３とからなっている。超音波分割装置５を構成する円筒状のベース５１は、上面に上記フレーム５を載置する載置面５１ａを備えており、この載置面５１ａ上にフレーム５を載置しクランプ５４によって固定する。このベース５１は、図示しない移動手段によって図８において左右方向および紙面に垂直な方向に移動可能に構成されているとともに回動可能に構成されている。超音波分割装置５を構成する第１の超音波発振器５２および第２の超音波発振器５３は、円筒状のベース５１の載置面５１ａ上に載置されるフレーム３にダイシングテープ３０を介して支持された半導体ウエーハ２の上側と下側に対向して配設されており、所定周波数の縦波（疎密波）を発生させる。このように構成された超音波分割装置５を用いて上記分割工程を実施するには、半導体ウエーハ２（分割予定ライン２１に沿って変質層２１０が形成されている）をダイシングテープ３０を介して支持したフレーム３を円筒状のベース５１の載置面５１ａ上にダイシングテープ３０が装着されている側を載置し（従って、半導体ウエーハ２は表面２ａが上側となる）、クランプ５４によって固定する。次に、図示しない移動手段によってベース５１を作動し、半導体ウエーハ２に形成された所定の分割予定ライン２１の一端（図８において左端）を第１の超音波発振器５２および第２の超音波発振器５３からの超音波が作用する位置に位置付ける。そして、第１の超音波発振器５２および第２の超音波発振器５３を作動しそれぞれ周波数が例えば２８ｋＨｚの縦波（疎密波）を発生させるとともに、ベース５１を矢印で示す方向に例えば５０〜１００ｍｍ／秒の送り速度で移動せしめる。この結果、第１の超音波発振器５２および第２の超音波発振器５３から発生された超音波が半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１に沿って表面および裏面に作用するため、半導体ウエーハ２は変質層２１０が形成されて強度が低下せしめられた分割予定ライン２１に沿って分割される。このようにして所定の分割予定ライン２１に沿って分割工程を実施したならば、ベース５１を紙面に垂直な方向に分割予定ライン２１の間隔に相当する分だけ割り出し送りし、上記分割工程を実施する。このようにして所定方向に延びる全ての分割予定ライン２１に沿って分割工程を実施したならば、ベース５１を９０度回動し、半導体ウエーハ２に所定方向と直角な方向に形成された分割予定ライン２１に対して上記分割工程を実施することにより、半導体ウエーハ２は個々のチップに分割される。なお、個々に分割されたチップは裏面がダイシングテープ３０に貼着されているので、バラバラにはならずウエーハの形態が維持されている。
次に、分割工程の第２の実施形態について、図９を参照して説明する。図９に示す分割工程の第２の実施形態は、上記図３乃至図５に示したレーザー加工装置と同様のレーザー加工装置６を用いて実施する。即ち、図９に示すようにフレーム３にダイシングテープ３０を介して支持された半導体ウエーハ２（分割予定ライン２１に沿って変質層２１０が形成されている）をレーザー加工装置６のチャックテーブル６１上にダイシングテープ３０側を載置し（従って、半導体ウエーハ２は表面２ａが上側となる）、図示しない吸引手段によって吸着保持するとともに、フレーム３をクランプ機構６２によって固定する。次に、チャックテーブル６１をレーザー光線照射手段の集光器６３が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン２１の一端（図９において左端）を集光器６３の直下に位置付ける。そして、集光器６３から半導体ウエーハ２に対して吸収性を有する連続波レーザー光線を照射しつつチャックテーブル６１即ち半導体ウエーハ２を図９において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめ、所定の分割予定ライン２１の他端（図９において右端）が集光器６３の照射位置に達したら、レーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル６１即ち半導体ウエーハ２の移動を停止する。この分割工程においては、連続波レーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の表面２ａ（上面）に合わせ、変質層２１０が形成された分割予定ライン２１を加熱することにより熱応力を発生せしめ、ヒートショックを与える。この結果、半導体ウエーハ２は、変質層２１０が形成された分割予定ライン２１に沿って割断部が形成され分割される。なお、分割工程において変質層２１０が形成された分割予定ライン２１に沿って照射するレーザー光線は、半導体ウエーハ２を加熱して適度な温度勾配（１００〜４００°Ｃ）を与える程度の出力で十分であり、シリコンを溶融させることはない。
なお、上記分割工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 ；ＬＤ励起Ｎｄ：ＹＡＧ第二高調波レーザー（ＣＷ）
波長 ；５３２ｎｍ
出力 ：１０Ｗ
集光スポット径 ：φ０．５ｍｍ（変質層１１０を含む比較的広い領域を加熱する）
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒
光源 ；ＬＤ励起Ｎｄ：ＹＡＧ第二高調波レーザー（ＣＷ）
波長 ；５３２ｎｍ
出力 ：１０Ｗ
集光スポット径 ：φ０．５ｍｍ（変質層１１０を含む比較的広い領域を加熱する）
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒
上述したよう分割行程を実施したならば、チャックテーブル６１即ち半導体ウエーハ２を分割予定ライン２１の間隔だけ図９において紙面に垂直な方向に割り出し送りし、再度上記のように連続波レーザー光線を照射しつつ加工送りを遂行する。そして、所定方向に形成された全ての分割予定ライン２１に沿って上記加工送りと割り出し送りを遂行したならば、チャックテーブル６１即ち半導体ウエーハ２を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に形成された分割予定ライン２１に沿って上記加工送りと割り出し送りを実行することにより、半導体ウエーハ２に形成された分割予定ライン２１に沿って割断され分割される。なお、分割予定ライン２１に沿って割断されることにより、半導体ウエーハ２は個々のチップに分割されるが、半導体ウエーハ２の裏面２ｂがダイシングテープ３０に貼着されているので、バラバラにはならずウエーハの形態が維持されている。
次に、分割工程の第３の実施形態について、図１０を参照して説明する。図１０に示す分割工程の第３の実施形態は、円筒状のベース７１と曲げ荷重付与手段７３とからなる曲げ分割装置７を用いて実施する。即ち、半導体ウエーハ２（分割予定ライン２１に沿って変質層２１０が形成されている）をダイシングテープ３０を介して支持したフレーム３を円筒状のベース７１の載置面７１ａ上にダイシングテープ６０側を上にして載置し（従って、半導体ウエーハ２は表面２ａが下側となる）、クランプ７２によって固定する。そして、半導体ウエーハ２の表面２ａ（下面）を曲げ荷重付与手段７３を構成する互いに並行に配列された円柱状の複数の支持部材７４上に載置する。このとき、支持部材７４と７４の間に半導体ウエーハ２の所定方向に形成された分割予定ライン２１が位置付けられるように載置する。そして、半導体ウエーハ２の裏面２ｂに貼着されたダイシングテープ３０側から押圧部材７５により分割予定ライン２１に沿って押圧する。この結果、半導体ウエーハ２には分割予定ライン２１に沿って曲げ荷重が作用して表面２ａに引っ張り応力が発生し、半導体ウエーハ２は変質層２１０が形成され強度が低下した分割予定ライン２１に沿って割断され分割される。そして、所定方向に形成された変質層２１０即ち分割予定ライン２１に沿って分割したならば、円筒状のベース７１即ち半導体ウエーハ２を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に形成された分割予定ライン２１に沿って上記分割作業を実施することにより、半導体ウエーハ２は個々のチップに分割することができる。なお、個々に分割されたチップは、裏面がダイシングテープ３０に貼着されているので、バラバラにはならず半導体ウエーハ２の形態が維持されている。
次に、分割工程の第４の実施形態について、図１１を参照して説明する。図１１に示す分割工程の第４の実施形態は、円筒状のベース８１と曲げ荷重付与手段としての押圧部材８３とからな曲げ分割装置８を用いて実施する。このベース８１は、図示しない移動手段によって図１１において左右方向および紙面に垂直な方向に移動可能に構成されているとともに回動可能に構成されている。このように構成された円筒状のベース８１の載置面８１ａ上に半導体ウエーハ２（分割予定ライン２１に沿って変質層２１０が形成されている）をダイシングテープ３０を介して支持したフレーム３をダイシングテープ３０側を載置し（従って、半導体ウエーハ２は表面２ａが上側となる）、クランプ８２によって固定する。次に、図示しない移動手段によってベース８１を作動し、半導体ウエーハ２に形成された所定の分割予定ライン２１の一端（図１１において左端）を押圧部材８３と対向する位置に位置付けるとともに、押圧部材８３を図１１において上方に作動して半導体ウエーハ２が貼着されたダイシングテープ３０を押圧する位置に位置付ける。そして、ベース８１を矢印で示す方向に移動せしめる。この結果、半導体ウエーハ２には押圧部材８３によって押圧された分割予定ライン２１に沿って曲げ荷重が作用して表面２ａに引っ張り応力が発生し、半導体ウエーハ２は変質層２１０が形成され強度が低下した分割予定ライン２１に沿って割断され分割される。このようにして所定の分割予定ライン２１に沿って分割工程を実施したならば、ベース８１を紙面に垂直な方向に分割予定ライン２１の間隔に相当する分だけ割り出し送りし、上記分割工程を実施する。このようにして所定方向に延びる全ての分割予定ライン２１に沿って分割工程を実施したならば、ベース８１を９０度回動し、半導体ウエーハ２に所定方向と直角な方向に形成された分割予定ライン２１に対して上記分割工程を実施することにより、半導体ウエーハ２は個々のチップに分割される。なお、個々に分割されたチップは裏面がダイシングテープ３０に貼着されているので、バラバラにはならずウエーハの形態が維持されている。
なお、半導体ウエーハ２を分割予定ライン２１に沿って分割する分割行程においては、上述した分割方法の外に例えばダイシングテープに貼着された半導体ウエーハ２を柔軟なゴムシート上に載置し、その上面をローラーによって押圧することによって、半導体ウエーハ２を変質層２１０が形成され強度が低下した分割予定ライン２１に沿って割断する方法を用いることができる。
上述した分割工程を実施したならば、個々のチップに分割されたウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張して各チップ間の間隔を広げる拡張工程を実施する。この拡張工程は、図１２および図１３に示すピックアップ装置９によって実施される。ここで、ピックアップ装置９について説明する。図示のピックアップ装置９は、上記フレーム３を載置する載置面９１ａが形成された円筒状のベース９１と、該ベース９１内に同心的に配設されフレーム３に装着されたダイシングテープ３０を押し広げるための拡張手段９２を具備している。拡張手段９２は、上記ダイシングテープ３０における半導体ウエーハ２が存在する領域３０１を支持する筒状の拡張部材９３を具備している。この拡張部材９３は、図示しない昇降手段によって図１３の（ａ）に示す基準位置と該基準位置から上方の図１３の（ｂ）に示す拡張位置の間を上下方向（円筒状のベース９１の軸方向）に移動可能に構成されている。なお、図示の実施形態においては拡張部材９３内には、紫外線照射ランプ９４が配設されている。
上述したピックアップ装置９を用いて実施する拡張工程について、図１２および図１３を参照して説明する。
上述したように個々のチップ２０に分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂが貼着されたダイシングテープ３０を装着したフレーム３は、図１２および図１３の（ａ）に示すように円筒状のベース９１の載置面９１ａ上に載置され、クランプ９５によってベース９１に固定される。次に、図１３の（ｂ）に示すように上記ダイシングテープ３０における半導体ウエーハ２が存在する領域３０１を支持した拡張手段９２の拡張部材９３を図示しない昇降手段によって図１３（ａ）の基準位置から上方の図１３の（ｂ）に示す拡張位置まで移動する。この結果、伸長可能なダイシングテープ３０は拡張されるので、ダイシングテープ３０とチップ２０との間にズレが生じ密着性が低下するため、チップ２０がダイシングテープ３０から容易に離脱できる状態となるとともに、個々の半導体チップ２０間には隙間が形成される。
上述したように個々のチップ２０に分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂが貼着されたダイシングテープ３０を装着したフレーム３は、図１２および図１３の（ａ）に示すように円筒状のベース９１の載置面９１ａ上に載置され、クランプ９５によってベース９１に固定される。次に、図１３の（ｂ）に示すように上記ダイシングテープ３０における半導体ウエーハ２が存在する領域３０１を支持した拡張手段９２の拡張部材９３を図示しない昇降手段によって図１３（ａ）の基準位置から上方の図１３の（ｂ）に示す拡張位置まで移動する。この結果、伸長可能なダイシングテープ３０は拡張されるので、ダイシングテープ３０とチップ２０との間にズレが生じ密着性が低下するため、チップ２０がダイシングテープ３０から容易に離脱できる状態となるとともに、個々の半導体チップ２０間には隙間が形成される。
次に、図１２に示すようにピックアップ装置１２の上方に配置されたピックアップコレット１２６を作動して、個々のチップ２０をダイシングテープ３０の上面から離脱し、図示しないトレーに搬送する（ピックアップ工程）。このとき、拡張部材９３内に配設された紫外線照射ランプ９４を点灯してダイシングテープ３０に紫外線を照射し、ダイシングテープ３０の粘着力を低下せしめることにより、より容易に離脱することができる。
上述したピックアップ装置９を用いることにより上記分割工程も実施することができる。即ち、図１４（ａ）に示すように上記分割工程を実施する前の半導体ウエーハ２（分割予定ライン２１に沿って変質層２１０が形成されている）をダイシングテープ３０を介して支持したフレーム３を円筒状のベース９１の載置面９１ａ上に載置し、クランプ９５によってベース９１に固定される。次に、図１４の（ｂ）に示すように上記ダイシングテープ３０における半導体ウエーハ２が存在する領域３０１を支持した拡張手段９２の拡張部材９３を図示しない昇降手段によって図１４（ａ）の基準位置から上方の図１４の（ｂ）に示す拡張位置まで移動する。この結果、伸長可能なダイシングテープ３０は拡張されるので、ダイシングテープ３０が貼着されている半導体ウエーハ２は放射状に引張力が作用する。このように半導体ウエーハ２に放射状に引張力が作用すると、分割予定ラインに沿って形成された変質層２１０は強度が低下せしめられているので、半導体ウエーハ２は変質層２１０に沿って破断され個々の半導体チップ２０に分割される。なお、上記分割工程におけるダイシングテープ３０の拡張量即ち伸び量は拡張部材９３の上方への移動量によって調整することができ、本発明者等の実験によるとダイシングテープ３０を２０ｍｍ程度を引き伸ばしたときに半導体ウエーハ２を変質層２１０に沿って破断することができた。このように分割工程を実施することにより、ダイシングテープ３０とチップ２０との間にズレが生じ密着性が低下するため、チップ２０がダイシングテープ３０から容易に離脱できる状態となるとともに、個々のチップ２０間には隙間は形成される。この後に、図１２に示すようにピックアップ装置９の上方に配置されたピックアップコレット９６を作動して、個々のチップ２０をダイシングテープ３０の上面から離脱し、図示しないトレーに搬送する。
２：半導体ウエーハ
２０：半導体チップ
２１：分割予定ライン
２２：回路
２１０：変質層
３：環状のフレーム
３０：ダイシングテープ
４：レーザー加工装置
４１：レーザー加工装置のチャックテーブル
４１：レーザー光線照射手段
４３：撮像手段
５：超音波分割装置
５１：円筒状のベース
５２：第１の超音波発振器
５３：第２の超音波発振器
６：レーザー加工装置
６１：レーザー加工装置のチャックテーブル
７：曲げ分割装置
７１：円筒状のベース
７２：曲げ荷重付与手段
８：曲げ分割装置
８１：円筒状のベース
８３：押圧部材
９：ピックアップ装置
９１：円筒状のベース
９２：拡張手段
９３：拡張部材
９４：紫外線照射ランプ
９６：ピックアップコレット
２０：半導体チップ
２１：分割予定ライン
２２：回路
２１０：変質層
３：環状のフレーム
３０：ダイシングテープ
４：レーザー加工装置
４１：レーザー加工装置のチャックテーブル
４１：レーザー光線照射手段
４３：撮像手段
５：超音波分割装置
５１：円筒状のベース
５２：第１の超音波発振器
５３：第２の超音波発振器
６：レーザー加工装置
６１：レーザー加工装置のチャックテーブル
７：曲げ分割装置
７１：円筒状のベース
７２：曲げ荷重付与手段
８：曲げ分割装置
８１：円筒状のベース
８３：押圧部材
９：ピックアップ装置
９１：円筒状のベース
９２：拡張手段
９３：拡張部材
９４：紫外線照射ランプ
９６：ピックアップコレット
Claims (3)
- 表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が配設されたウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するフレーム保持工程と、
フレームに保持されたウエーハの表面側からウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
フレームに保持されたウエーハの変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、
個々のチップに分割されたウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張して各チップ間の間隔を広げる拡張工程と、
拡張されたダイシングテープから各チップをピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。 - 該変質層形成工程においてウエーハの内部に形成される変質層は、少なくともウエーハの裏面に露出して形成される、請求項１記載のウエーハの分割方法。
- 該分割工程は、該拡張工程においてダイシングテープを拡張することにより遂行される、請求項１又は２記載のウエーハの分割方法。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173345A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ブレーキング装置 |
| JP2007220909A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
| KR20150108312A (ko) * | 2014-03-17 | 2015-09-25 | 가부시기가이샤 디스코 | 판형물의 가공 방법 |
| KR20150138827A (ko) * | 2014-06-02 | 2015-12-10 | 가부시기가이샤 디스코 | 칩 제조 방법 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006024676A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
| US8153464B2 (en) * | 2005-10-18 | 2012-04-10 | International Rectifier Corporation | Wafer singulation process |
| US7838331B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-11-23 | Denso Corporation | Method for dicing semiconductor substrate |
| US7517725B2 (en) * | 2005-11-28 | 2009-04-14 | Xci, Inc. | System and method for separating and packaging integrated circuits |
| US7825010B2 (en) * | 2007-06-07 | 2010-11-02 | Micron Technology, Inc. | Die singulation methods |
| JP5192213B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2013-05-08 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
| TW201227820A (en) * | 2010-12-27 | 2012-07-01 | Lextar Electronics Corp | Wafer splitting apparatus and wafer splitting process |
| WO2012097830A1 (de) * | 2011-01-17 | 2012-07-26 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zum ablösen eines produktsubstrats von einem trägersubstrat |
| US9016552B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-04-28 | Sanmina Corporation | Method for forming interposers and stacked memory devices |
| US9633883B2 (en) | 2015-03-20 | 2017-04-25 | Rohinni, LLC | Apparatus for transfer of semiconductor devices |
| US10504767B2 (en) * | 2016-11-23 | 2019-12-10 | Rohinni, LLC | Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die |
| US11094571B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-08-17 | Rohinni, LLC | Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment |
| DE102019211540A1 (de) * | 2019-08-01 | 2021-02-04 | Disco Corporation | Verfahren zum bearbeiten eines substrats |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4659300B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
| JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
| JP2004111601A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイボンダ |
| TWI520269B (zh) * | 2002-12-03 | 2016-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Cutting method of semiconductor substrate |
| DE102005004827B4 (de) * | 2004-02-03 | 2011-03-31 | Disco Corp. | Wafer-Unterteilungsverfahren |
-
2004
- 2004-02-03 JP JP2004026532A patent/JP2005222989A/ja active Pending
-
2005
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- 2005-02-02 DE DE102005004845A patent/DE102005004845B4/de active Active
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173345A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ブレーキング装置 |
| JP2007220909A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
| KR20150108312A (ko) * | 2014-03-17 | 2015-09-25 | 가부시기가이샤 디스코 | 판형물의 가공 방법 |
| JP2015174127A (ja) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | 株式会社ディスコ | 板状物の加工方法 |
| TWI626107B (zh) * | 2014-03-17 | 2018-06-11 | Disco Corp | Plate processing method |
| KR102232130B1 (ko) * | 2014-03-17 | 2021-03-24 | 가부시기가이샤 디스코 | 판형물의 가공 방법 |
| KR20150138827A (ko) * | 2014-06-02 | 2015-12-10 | 가부시기가이샤 디스코 | 칩 제조 방법 |
| JP2015226924A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
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