CN101491880B - 晶片磨削方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种晶片磨削方法，其在利用精磨构件对经粗磨构件磨削过的晶片进行磨削时，能够使对晶片的所谓锋利性良好，从而防止面烧伤的发生。上述晶片磨削方法包括以下工序：晶片保持工序，将晶片保持在具有圆锥状保持面的卡盘工作台的该保持面上；粗磨工序，将粗磨轮的磨削面定位成相对于上述卡盘工作台的上述保持面具有预定的倾斜角，并且使上述粗磨轮旋转，从而对保持在上述卡盘工作台的上述保持面上的晶片进行粗磨；以及精磨工序，将精磨轮的磨削面定位成相对于上述卡盘工作台的上述保持面平行，并且使上述精磨轮在磨轮的磨削区域中一边向朝向上述精磨轮的磨削面与晶片的被磨削面之间的接触角的顶点的方向旋转，一边对晶片进行精磨。

Description

晶片磨削方法
技术领域
本发明涉及一种磨削半导体晶片等晶片的背面的晶片磨削方法。
背景技术
在半导体器件制造工序中，关于形成有多个IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(Large Scale Integration：大规模集成电路)等电路的半导体晶片，在被分割成一个个芯片之前，通过磨削装置磨削其背面而形成为预定厚度。磨削装置包括：保持晶片的卡盘工作台、和对保持在该卡盘工作台上的晶片进行磨削的磨削构件。为了高效率地磨削晶片背面，一般使用这样的磨削装置：其包括具有粗磨轮的粗磨构件、和具有精磨轮的精磨构件。(例如参照专利文献1)
专利文献1：日本特开2001-1261号公报
在使用上述的具有粗磨构件和精磨构件的磨削装置进行磨削时，利用粗磨构件对保持于卡盘工作台的晶片留有精加工余量地进行粗磨，然后利用精磨构件对粗磨过的晶片进行精磨，从而使晶片形成为预定厚度。
但是，由于在利用精磨构件对经粗磨构件磨削过的晶片进行磨削时，精磨构件的构成精磨轮的精磨磨具的磨粒粒径很小，因此存在这样的问题：对晶片的所谓锋利性差，从而发生面烧伤(面焼け)；或者按压力随着磨削进给而增大，使得晶片的质量降低。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供一种晶片磨削方法，该晶片磨削方法在利用精磨构件对经粗磨构件磨削过的晶片进行磨削时，能够使对晶片的所谓锋利性良好，防止面烧伤的发生。
根据本发明的第一方面，提供一种晶片磨削方法，其包括以下工序：晶片保持工序，将晶片保持在具有圆锥状保持面的卡盘工作台的该保持面上；粗磨工序，将粗磨轮的磨削面定位成相对于上述卡盘工作台的上述保持面具有预定的倾斜角，并且使上述粗磨轮旋转，从而对保持在上述卡盘工作台的上述保持面上的晶片进行粗磨；以及精磨工序，将精磨轮的磨削面定位成相对于上述卡盘工作台的上述保持面平行，并且使上述精磨轮在磨轮的磨削区域中一边向朝向上述精磨轮的磨削面与晶片的被磨削面之间的接触角的顶点的方向旋转，一边对晶片进行精磨。
优选的是，上述粗磨轮的磨削面相对于卡盘工作台的保持面的倾斜角设定为0.01～0.03毫弧度。
根据本方面的第二方面，提供一种晶片磨削方法，其包括以下工序：晶片保持工序，将晶片保持在具有圆锥状保持面的卡盘工作台的该保持面上；粗磨工序，将粗磨轮的磨削面定位成相对于上述卡盘工作台的上述保持面平行，并且使上述粗磨轮旋转，从而对保持在上述卡盘工作台的上述保持面上的晶片进行粗磨；以及精磨工序，将精磨轮的磨削面定位成相对于上述卡盘工作台的上述保持面具有预定的倾斜角，并且使上述精磨轮在磨轮的磨削区域中一边向朝向上述精磨轮的磨削面与晶片的被磨削面之间的接触角的顶点的方向旋转，一边对晶片进行精磨。
优选的是，上述精磨轮的磨削面相对于卡盘工作台的保持面的倾斜角设定为0.01～0.03毫弧度。
根据本发明的晶片磨削方法的第一方面，关于粗磨工序，将粗磨轮的磨削面定位成相对于卡盘工作台的保持面具有预定的倾斜角，并实施该工序，关于精磨工序，将精磨轮的磨削面定位成相对于上述卡盘工作台的保持面平行，并且使精磨轮旋转，其中精磨轮的旋转方向是在精磨轮的磨削区域中朝向精磨轮的磨削面与晶片的被磨削面之间的接触角的顶点的方向，因此，即使构成精磨轮的精磨磨具的磨粒粒径很小，对晶片的所谓锋利性也变得良好，能够防止面烧伤的发生。
根据本发明的晶片磨削方法的第二方面，关于粗磨工序，将粗磨轮的磨削面定位成相对于卡盘工作台的保持面平行，并实施该工序，关于精磨工序，将精磨轮的磨削面定位成相对于卡盘工作台的保持面具有预定的倾斜角，并且使精磨轮旋转，其中精磨轮的旋转方向是在精磨轮的磨削区域中朝向精磨轮的磨削面与晶片的被磨削面之间的接触角的顶点的方向，因此，即使构成精磨轮的精磨磨具的磨粒粒径很小，对晶片的所谓锋利性也变得良好，能够防止面烧伤的发生。
附图说明
图1是用于实施本发明的晶片磨削方法的磨削装置的立体图。
图2是构成图1所示的磨削装置中装备的粗磨单元的磨轮的立体图。
图3是构成图1所示的磨削装置中装备的精磨单元的磨轮的立体图。
图4是放大表示图1所示的磨削装置中装备的卡盘工作台的主要部分的剖视图。
图5是表示本发明的晶片磨削方法的第一发明中的粗磨工序的第一实施方式的说明图。
图6是表示本发明的晶片磨削方法的第一发明中的粗磨工序的第二实施方式的说明图。
图7是表示本发明的晶片磨削方法的第一发明中的精磨工序的第一实施方式的说明图。
图8是表示本发明的晶片磨削方法的第一发明中的精磨工序的第二实施方式的说明图。
图9是表示本发明的晶片磨削方法的第二发明中的粗磨工序的说明图。
图10是表示本发明的晶片磨削方法的第二发明中的精磨工序的第一实施方式的说明图。
图11是表示本发明的晶片磨削方法的第二发明中的精磨工序的第二实施方式的说明图。
标号说明
2：装置壳体；3：粗磨单元；32：轮座；33：粗磨轮；331：磨具基座；332：粗磨磨具；37：角度调整构件；4：精磨单元；42：轮座；43：精磨轮；431：磨具基座；432：精磨磨具；47：角度调整构件；5：旋转工作台；6：卡盘工作台；61：卡盘工作台主体；62：吸附保持卡盘；7：第一盒；8：第二盒；9：中心对准构件；11：旋转清洗构件；12：被加工物搬送构件；13：被加工物搬入构件；14：被加工物搬出构件；15：半导体晶片。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的晶片磨削方法的优选实施方式进行更加详细的说明。
图1中表示用于实施本发明的晶片磨削方法的磨削装置的立体图。
图示的实施方式中的磨削装置包括大致长方体状的装置壳体2。在装置壳体2的图1中的右上端，直立设置有静止支承板21。在该静止支承板21的前侧表面上设置有在上下方向延伸的两对引导轨道22、22和23、23。在一对引导轨道22、22上以能够在上下方向上移动的方式安装有作为粗磨构件的粗磨单元3，在另一对引导轨道23、23上以能够在上下方向上移动的方式安装有作为精磨构件的精磨单元4。
粗磨单元3包括：单元壳体31；粗磨轮33，其安装于轮座32，该轮座32以能够自由旋转的方式安装在上述单元壳体31的下端；电动马达34，其安装于上述单元壳体31的上端，用于驱动轮座32旋转，而且能够进行正转驱动和反转驱动；支承部件35，其支承单元壳体31；移动基座36，其用于安装上述支承部件35；以及角度调整构件37，其由多个调整螺栓371构成，该多个调整螺栓371将支承部件35以能够调整角度的方式安装在移动基座36上。
如图2所示，粗磨轮33具有磨具基座331、和呈环状地安装在该磨具基座331的下表面上的多个粗磨磨具332。磨具基座331通过紧固螺栓333安装在轮座32上。粗磨磨具332是将例如粒径为10μm左右的金刚石磨粒用树脂结合剂结合起来而形成的，粗磨磨具332的下表面形成磨削面332a。
返回图1继续说明，在上述移动基座36上设置有被引导轨道361、361，通过使该被引导轨道361、361以能够移动的方式与设置于上述静止支承板21的引导轨道22、22配合，粗磨单元3以能够在上下方向上移动的方式被支承。图示方式中的粗磨单元3包括磨削进给机构38，该磨削进给机构38使上述移动基座36沿引导轨道22、22移动，从而使磨轮33进行磨削进给。磨削进给机构38包括：外螺纹杆381，其与引导轨道22、22平行地沿上下方向配置于上述静止支承板21，并被支承成能够旋转；脉冲马达382，其用于驱动上述外螺纹杆381旋转；以及未图示的内螺纹块，其安装在上述移动基座36上，并与外螺纹杆381螺合，通过利用脉冲马达382驱动外螺纹杆381正转和反转，来使粗磨单元3在上下方向上移动。上述角度调整构件37构成为：多个调整螺栓371贯穿***在设置于支承部件35的长孔(未图示)中，并与形成于移动基座36的内螺纹孔螺合，通过调整设置于支承部件35的长孔的拧紧位置，来调整单元壳体31的安装角度。
上述精磨单元4也具有与粗磨单元3相同的结构，上述精磨单元4包括：单元壳体41；精磨轮43，其安装于轮座42，该轮座42以能够自由旋转的方式安装在上述单元壳体41的下端；电动马达44，其安装于上述单元壳体41的上端，用于驱动轮座42旋转，并能够进行正转驱动和反转驱动；支承部件45，其支承单元壳体41；移动基座46，其用于安装上述支承部件45；以及角度调整构件47，其由多个调整螺栓471构成，该多个调整螺栓471将支承部件45以能够调整角度的方式安装在移动基座46上。
如图3所示，精磨轮43具有磨具基座431、和呈环状地安装在该磨具基座431的下表面上的多个精磨磨具432。磨具基座431通过紧固螺栓433安装在轮座42上。精磨磨具432是将例如粒径为1μm左右的金刚石磨粒用陶瓷结合剂结合起来而形成的，精磨磨具432的下表面形成磨削面432a。
返回图1继续说明，在上述移动基座46上设置有被引导轨道461、461，通过使该被引导轨道461、461以能够移动的方式与设置于上述静止支承板21的引导轨道23、23配合，精磨单元4以能够在上下方向上移动的方式被支承。图示方式中的精磨单元4包括磨削进给机构48，该磨削进给机构48使上述移动基座46沿引导轨道23、23移动，从而使磨轮43进行磨削进给。磨削进给机构48包括：外螺纹杆481，其与引导轨道23、23平行地沿上下方向配置于上述静止支承板21，并被支承成能够旋转；脉冲马达482，其用于驱动上述外螺纹杆481旋转；以及未图示的内螺纹块，其安装在上述移动基座46上，并与外螺纹杆481螺合，通过利用脉冲马达482驱动外螺纹杆481正转和反转，来使精磨单元4在上下方向上移动。上述角度调整构件47构成为：多个调整螺栓471贯穿***在设置于支承部件45的长孔中，并与形成于移动基座46的内螺纹孔螺合，通过调整设置于支承部件45的长孔的拧紧位置，来调整单元壳体41的安装角度。
图示的实施方式中的磨削装置包括旋转工作台5，该旋转工作台5在上述静止支承板21的前侧以与装置壳体2的上表面大致为同一个面的方式配置。该旋转工作台5形成为直径较大的圆盘状，其通过未图示的旋转驱动机构向箭头5a所示的方向适当旋转。在旋转工作台5上，在图示实施方式的情况下分别以120度的相位角配置有3个卡盘工作台6，该卡盘工作台6以能够在水平面内旋转的方式配置。参照图4对卡盘工作台6进行说明。
图4所示的卡盘工作台6具有：圆形的卡盘工作台主体61；和圆形的吸附保持卡盘62，其配置在该卡盘工作台主体61的上表面上。卡盘工作台主体61由不锈钢等金属材料形成，在其上表面上形成有圆形的配合凹部611，在该配合凹部611的底面外周部设置有环状的载置架612。另外，吸附保持卡盘62与配合凹部611相配合，该吸附保持卡盘62由多孔性部件形成，该多孔性部件由具有无数吸引孔的多孔陶瓷等构成。关于这样与卡盘工作台主体61的配合凹部611相配合的吸附保持卡盘62，如图4中夸张地表示的那样，其上表面即保持面621以旋转中心P1为顶点形成为圆锥形。关于该形成为圆锥形的保持面621，若设其半径为R，顶点的高度为H，则坡度(H/R)设定为0.00001～0.001。此外，在卡盘工作台主体61中形成有与配合凹部611连通的连通道613，该连通道613连通至未图示的吸引构件。因此，通过在吸附保持卡盘62上表面即保持面621上载置作为被加工物的晶片，并使未图示的吸引构件工作，晶片就被吸引保持在保持面621上。这样构成的卡盘工作台6如图1所示通过未图示的旋转驱动机构向箭头6a所示的方向旋转。通过旋转工作台5的适当旋转，配置于旋转工作台5的3个卡盘工作台6依次移动至被加工物搬入搬出区域A、粗磨加工区域B、精磨加工区域C以及被加工物搬入搬出区域A。
图示的磨削装置包括：第一盒7，其相对于被加工物搬入搬出区域A配置在一侧，用于存放磨削加工前的作为被加工物的半导体晶片；第二盒8，其相对于被加工物搬入搬出区域A配置在另一侧，用于存放磨削加工后的作为被加工物的半导体晶片；中心对准构件9，其配置在第一盒7和被加工物搬入搬出区域A之间，用于进行被加工物的中心对准；旋转清洗构件11，其配置在被加工物搬入搬出区域A和第二盒8之间；被加工物搬送构件12，其将收纳在第一盒7内的作为被加工物的半导体晶片搬出至中心对准构件9，并且将利用旋转清洗构件11清洗过的半导体晶片搬送至第二盒8中；被加工物搬入构件13，其将载置于中心对准构件9上并进行了中心对准的半导体晶片搬送至定位于被加工物搬入搬出区域A的卡盘工作台6上；以及被加工物搬出构件14，其将载置在定位于被加工物搬入搬出区域A的卡盘工作台6上的磨削加工后的半导体晶片搬送至清洗构件11。另外，多枚半导体晶片15以在表面上粘贴有保护带16的状态收纳在上述第一盒7中。此时，半导体晶片15以背面15b朝向上侧的方式被收纳。
图示实施方式中的磨削装置如上所述地构成，下面对其作用进行说明。
收纳在第一盒7中的磨削加工前的作为被加工物的半导体晶片15，通过被加工物搬送构件12的上下动作和进退动作而被搬送，并载置到中心对准构件9上，然后通过6支销91的朝向中心的径向运动来进行中心对准。载置于中心对准构件9上、并进行了中心对准的半导体晶片15通过被加工物搬入构件14的回转动作，而被载置到定位于被加工物搬入搬出区域A的卡盘工作台6的吸附保持卡盘62上。然后，使未图示的吸引构件工作，将半导体晶片15吸引保持在吸附保持卡盘62上。接下来，通过未图示的旋转驱动机构使旋转工作台5向箭头5a所示的方向转动120度，将载置有半导体晶片的卡盘工作台6定位在粗磨加工区域B。
关于保持有半导体晶片15的卡盘工作台6，当其定位于粗磨加工区域B时，通过未图示的旋转驱动机构向箭头6a所示的方向旋转。另一方面，使粗磨单元3的磨轮33在向预定方向旋转的同时，通过磨削进给机构38进行磨削进给，从而下降预定量。其结果为，在卡盘工作台6上的半导体晶片15的背面15b上实施粗磨加工(粗磨工序)。此外，在此期间，在定位于被加工物搬入搬出区域A的下一个卡盘工作台6上，如上所述地载置磨削加工前的半导体晶片15。然后，通过使未图示的吸引构件工作，将半导体晶片15吸引保持在卡盘工作台6上。接下来，使旋转工作台5向箭头5a所示的方向转动120度，将保持有粗磨加工过的半导体晶片15的卡盘工作台6定位在精磨加工区域C，将保持有磨削加工前的半导体晶片15的卡盘工作台6定位在粗磨加工区域B。
这样，对在定位于粗磨加工区域B的卡盘工作台6上所保持的粗磨加工前的半导体晶片15的背面15b，通过粗磨单元3实施粗磨加工；对在定位于精磨加工区域C的卡盘工作台6上所载置的并且经过粗磨加工的半导体晶片15的背面15b，通过精磨单元4实施精磨加工(精磨工序)。接下来，使旋转工作台5向箭头5a所示的方向转动120度，将保持有精磨加工过的半导体晶片15的卡盘工作台6定位于被加工物搬入搬出区域A。此外，将在粗磨加工区域B中保持有粗磨加工过的半导体晶片15的卡盘工作台6移动至精磨加工区域C，将在被加工物搬入搬出区域A中保持有磨削加工前的半导体晶片15的卡盘工作台6移动至粗磨加工区域B。
另外，经由粗磨加工区域B和精磨加工区域C而返回了被加工物搬入搬出区域A的卡盘工作台6，在此处解除对精磨加工过的半导体晶片15的吸附保持。然后，关于定位于被加工物搬入搬出区域A的卡盘工作台6上的、精磨加工后的半导体晶片15，通过被加工物搬出构件14被搬出到旋转清洗构件11。关于搬送到旋转清洗构件11的半导体晶片15，在此处将附着在背面15b(磨削面)和侧面的磨屑清洗除去，并且进行旋转干燥。将这样进行了清洗和旋转干燥的半导体晶片15通过被加工物搬送构件12搬送至第二盒8并收纳在该第二盒8中。
接下来，对由上述粗磨工序和精磨工序构成的晶片磨削方法的第一发明进行说明。
关于第一发明中的粗磨工序，将粗磨轮的磨削面定位成相对于卡盘工作台的保持面具有预定的倾斜角，然后实施该粗磨工序。参照图5说明该第一发明中的粗磨工序的第一实施方式。
关于第一发明中的粗磨工序的第一实施方式，如图5的(a)所示，将构成粗磨轮33的粗磨磨具332的磨削面332a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621具有预定的倾斜角(θ1)。该倾斜角(θ1)优选设定为0.01～0.03毫弧度。在图5所示的第一实施方式中，构成粗磨轮33的粗磨磨具332的磨削面332a倾斜地定位成在最开始与半导体晶片15的背面15b(被磨削面)的中心部接触，其中上述半导体晶片15保持在构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621上。此外，在将构成粗磨轮33的粗磨磨具332的磨削面332a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621具有预定的倾斜角(θ1)时，通过上述角度调整构件37来实施该定位。从图5中(a)所示的状态起将卡盘工作台6向箭头6a所示的方向旋转，并且使粗磨轮33一边向箭头33a所示的方向旋转一边向箭头F所示的方向进行磨削进给。其结果为，如图5(b)所示，半导体晶片15的背面15b(被磨削面)与构成粗磨轮33的粗磨磨具332的磨削面332a的倾斜相对应地被磨削，其中上述半导体晶片15保持在构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621上。这样磨削过的半导体晶片15形成为从中心向外周厚度逐渐增加。
接下来，参照图6说明第一发明中的粗磨工序的第二实施方式。
关于第一发明中的粗磨工序的第二实施方式，如图6的(a)所示，将构成粗磨轮33的粗磨磨具332的磨削面332a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621具有预定的倾斜角(θ2)。该倾斜角(θ2)优选设定为0.01～0.03毫弧度。在图6所示的第二实施方式中，将构成粗磨轮33的粗磨磨具332的磨削面332a倾斜地定位成在最开始与半导体晶片15的背面15b(被磨削面)的外周部接触，其中上述半导体晶片15保持在构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621上。此外，在将构成粗磨轮33的粗磨磨具332的磨削面332a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621具有预定的倾斜角(θ2)时，通过上述角度调整构件37来实施该定位。从图6中(a)所示的状态起将卡盘工作台6向箭头6a所示的方向旋转，并且使粗磨轮33一边向箭头33a所示的方向旋转一边向箭头F所示的方向进行磨削进给。其结果为，如图6的(b)所示，半导体晶片15的背面15b(被磨削面)与构成粗磨轮33的粗磨磨具332的磨削面332a的倾斜相对应地被磨削，其中上述半导体晶片15保持在构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621上。这样磨削过的半导体晶片15形成为从外周向中心厚度逐渐增加。
在如上所述实施了第一发明中的粗磨工序之后，将旋转工作台5向图1中箭头5a所示的方向转动120度，将保持有粗磨加工过的半导体晶片15的卡盘工作台6定位在精磨加工区域C，然后实施精磨工序。该精磨工序这样实施：将精磨轮的磨削面定位成平行于卡盘工作台的保持面，并且使精磨轮旋转，其中精磨轮的旋转方向是在精磨轮的磨削区域中朝向该精磨轮的磨削面与晶片的被磨削面之间的接触角的顶点的方向。参照图7说明该第一发明中的精磨工序的第一实施方式。
对于利用上述图5所示的第一发明中的粗磨工序的第一实施方式进行了粗磨的半导体晶片15，实施第一发明中的精磨工序的第一实施方式。即，如图7中(a)所示，将构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621平行。因此，在图7所示的第一实施方式中，构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a在最开始与半导体晶片15的背面15b(被磨削面)的外周部接触，其中上述半导体晶片15保持在构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621上。此外，在将构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621平行时，通过上述角度调整构件47来实施该定位。从图7中(a)所示的状态起将卡盘工作台6向箭头6a所示的方向旋转，并且如图7中(a)所示，使精磨轮43一边向箭头43a所示的方向旋转一边向箭头F所示的方向进行磨削进给。这里，对精磨轮43的旋转方向进行说明。如图7中(a)所示，当将构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621平行时，精磨磨具432的磨削面432a与半导体晶片15的背面15b(被磨削面)以预定的接触角(α1，若θ1为0.01～0.03毫弧度，则α1为0.01～0.03毫弧度)相接触，其中上述半导体晶片15保持在构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621上。此外，由于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621形成为圆锥形，因此如图7中(b)所示，构成精磨轮43的精磨磨具432对半导体晶片15的背面15b(被磨削面)的磨削区域S成为斜线所示的区域。关于这样构成精磨轮43的精磨磨具432通过磨削区域S时的旋转方向43a，重要的是，将其设定为朝向上述接触角(α1)的顶点A的方向。通过这样设定精磨轮43的旋转方向，即使构成精磨轮43的精磨磨具432的磨粒粒径很小，对半导体晶片15的背面15b(被磨削面)的所谓锋利性也变得良好，能够防止面烧伤的发生。通过像以上那样实施精磨工序，如图7中(c)所示，半导体晶片15被磨削成与构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621平行。因此，半导体晶片15以背面15b(被磨削面)与表面15a平行的方式形成为预定厚度。
接下来，参照图8说明第一发明中的精磨工序的第二实施方式。
对于利用上述图6所示的第一发明中的粗磨工序的第二实施方式进行了粗磨的半导体晶片15，实施第一发明中的精磨工序的第二实施方式。即，如图8的(a)所示，将构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621平行。因此，在图8所示的第二实施方式中，构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a在最开始与半导体晶片15的背面15b(被磨削面)的中心部接触，其中上述半导体晶片15保持在构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621上。此外，在将构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621平行时，通过上述角度调整构件47来实施该定位。从图8中(a)所示的状态起将卡盘工作台6向箭头6a所示的方向旋转，并且如图8中(a)所示使精磨轮43一边向箭头43b所示的方向旋转一边向箭头F所示的方向进行磨削进给。这里，对精磨轮43的旋转方向进行说明。如图8中(a)所示，当将构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621平行时，构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a与半导体晶片15的背面15b(被磨削面)以预定的接触角(α2，若θ2为0.01～0.03毫弧度，则α2为0.01～0.03毫弧度)相接触，其中上述半导体晶片15保持在构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621上。此外，由于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621形成为圆锥形，因此如图8中(b)所示，构成精磨轮43的精磨磨具432对半导体晶片15的背面15b(被磨削面)的磨削区域S成为斜线所示的区域。关于这样构成精磨轮43的精磨磨具432通过磨削区域S时的旋转方向43a，重要的是，将其设定为朝向上述接触角(α2)的顶点B的方向。通过这样设定精磨轮43的旋转方向，即使构成精磨轮43的精磨磨具432的磨粒粒径很小，对半导体晶片15的背面15b(被磨削面)的所谓锋利性也变得良好，能够防止面烧伤的发生。通过像以上那样地实施精磨工序，如图8中(c)所示，半导体晶片15被磨削成与构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621平行。因此，半导体晶片15以背面15b(被磨削面)与表面15a平行的方式形成为预定厚度。
接下来，说明本发明的晶片磨削方法的第二发明。
关于第二发明中的粗磨工序，将粗磨轮的磨削面定位成相对于卡盘工作台的保持面平行后来实施该工序。参照图9说明该第二发明中的粗磨工序。
关于本发明的晶片磨削方法的第二发明中的粗磨工序，如图9中(a)所示，将构成粗磨轮33的粗磨磨具332的磨削面332a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621平行。此外，在将构成粗磨轮33的粗磨磨具332的磨削面332a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621平行时，通过上述角度调整构件37来实施该定位。从图9中(a)所示的状态起将卡盘工作台6向箭头6a所示的方向旋转，并且使粗磨轮33一边向箭头33a所示的方向旋转一边向箭头F所示的方向进行磨削进给。其结果为，如图9(b)所示，半导体晶片15的背面15b(被磨削面)被粗磨成与构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621平行，其中上述半导体晶片15保持在构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621上。
在如上所述实施了第二发明中的粗磨工序之后，将旋转工作台5向图1中箭头5a所示的方向转动120度，将保持有粗磨加工过的半导体晶片15的卡盘工作台6定位在精磨加工区域C，并实施精磨工序。该精磨工序这样实施：将精磨轮的磨削面定位成相对于卡盘工作台的保持面具有预定的倾斜角，并且使精磨轮旋转，其中精磨轮的旋转方向是在精磨轮的磨削区域中朝向精磨轮的磨削面与晶片的被磨削面之间的接触角的顶点的方向。参照图10说明该第二发明中的精磨工序的第一实施方式。
关于第二发明中的精磨工序的第一实施方式，如图10中(a)所示，将构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621具有预定的倾斜角(θ1)。该倾斜角(θ1)优选设定为0.01～0.03毫弧度。在图10所示的第一实施方式中，将构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a倾斜地定位成在最开始与半导体晶片15的背面15b(被磨削面)的中心部接触，其中上述半导体晶片15保持在构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621上。此外，在将构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621具有预定的倾斜角(θ1)时，通过上述角度调整构件47来实施该定位。从图10中(a)所示的状态起将卡盘工作台6向箭头6a所示的方向旋转，并且使精磨轮43一边向箭头43b所示的方向旋转一边向箭头F所示的方向进行磨削进给。这里，对精磨轮43的旋转方向进行说明。如图10中(a)所示，当将构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621具有预定的倾斜角(θ1)时，构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a与半导体晶片15的背面15b(被磨削面)以预定的接触角(α3，若θ1为0.01～0.03毫弧度，则α3为0.01～0.03毫弧度)相接触，其中上述半导体晶片15保持在构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621上。此外，由于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621形成为圆锥形，因此如图10中(b)所示，构成精磨轮43的精磨磨具432对半导体晶片15的背面15b(被磨削面)的磨削区域S成为斜线所示的区域。关于这样构成精磨轮43的精磨磨具432通过磨削区域S时的旋转方向43b，重要的是，将其设定为朝向上述接触角(α3)的顶点B的方向。通过这样设定精磨轮43的旋转方向，即使构成精磨轮43的精磨磨具432的磨粒粒径很小，对半导体晶片15的背面15b(被磨削面)的所谓锋利性也变得良好，能够防止面烧伤的发生。通过像以上那样地实施精磨工序，如图10中(c)所示，半导体晶片15形成为从中心向外周厚度逐渐增加。
接下来，参照图11说明第二发明中的精磨工序的第二实施方式。
关于第二发明中的精磨工序的第二实施方式，如图11中(a)所示，将构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621具有预定的倾斜角(θ2)。该倾斜角(θ2)优选设定为0.01～0.03毫弧度。在图11所示的第二实施方式中，将构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a倾斜地定位成在最开始与半导体晶片15的背面15b(被磨削面)的外周部接触，其中上述半导体晶片15保持在构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621上。此外，在将构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621具有预定的倾斜角(θ2)时，通过上述角度调整构件47来实施该定位。从图11中(a)所示的状态起将卡盘工作台6向箭头6a所示的方向旋转，并且使精磨轮43一边向箭头43a所示的方向旋转一边向箭头F所示的方向进行磨削进给。这里，对精磨轮43的旋转方向进行说明。如图11中(a)所示，当将构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a定位成相对于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621具有预定的倾斜角(θ2)时，构成精磨轮43的精磨磨具432的磨削面432a与半导体晶片15的背面15b(被磨削面)以预定的接触角(α4，若θ2为0.01～0.03毫弧度，则α4为0.01～0.03毫弧度)相接触，其中上述半导体晶片15保持在构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621上。此外，由于构成卡盘工作台6的吸附保持卡盘62的保持面621形成为圆锥形，因此如图11中(b)所示，构成精磨轮43的精磨磨具432对半导体晶片15的背面15b(被磨削面)的磨削区域S成为斜线所示的区域。关于这样构成精磨轮43的精磨磨具432通过磨削区域S时的旋转方向43a，重要的是，将其设定为朝向上述接触角(α4)的顶点A的方向。通过这样设定精磨轮43的旋转方向，即使构成精磨轮43的精磨磨具432的磨粒粒径很小，对半导体晶片15的背面15b(被磨削面)的所谓锋利性也变得良好，能够防止面烧伤的发生。通过像以上那样地实施精磨工序，如图11中(c)所示，半导体晶片15形成为从外周向中心厚度逐渐增加。

Claims (2)

1.一种晶片磨削方法，其特征在于，
上述晶片磨削方法包括以下工序：
晶片保持工序，将晶片保持在具有圆锥状保持面的卡盘工作台的该保持面上；
粗磨工序，将粗磨轮的磨削面定位成相对于上述卡盘工作台的上述保持面具有预定的倾斜角，并且使上述粗磨轮旋转，从而对保持在上述卡盘工作台的上述保持面上的晶片进行粗磨；以及
精磨工序，将精磨轮的磨削面定位成相对于上述卡盘工作台的上述保持面平行，并且使上述精磨轮在磨轮的磨削区域中一边向朝向上述精磨轮的磨削面与晶片的被磨削面之间的接触角的顶点的方向旋转，一边对晶片进行精磨，
其中，上述粗磨轮的磨削面相对于上述卡盘工作台的上述保持面的倾斜角设定为0.01～0.03毫弧度。
2.一种晶片磨削方法，其特征在于，
上述晶片磨削方法包括以下工序：
晶片保持工序，将晶片保持在具有圆锥状保持面的卡盘工作台的该保持面上；
粗磨工序，将粗磨轮的磨削面定位成相对于上述卡盘工作台的上述保持面平行，并且使上述粗磨轮旋转，从而对保持在上述卡盘工作台的上述保持面上的晶片进行粗磨；以及
精磨工序，将精磨轮的磨削面定位成相对于上述卡盘工作台的上述保持面具有预定的倾斜角，并且使上述精磨轮在磨轮的磨削区域中一边向朝向上述精磨轮的磨削面与晶片的被磨削面之间的接触角的顶点的方向旋转，一边对晶片进行精磨，
其中，上述精磨轮的磨削面相对于上述卡盘工作台的上述保持面的倾斜角设定为0.01～0.03毫弧度。
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