CN101188265B - 半导体发光元件及其制造方法 - Google Patents
半导体发光元件及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101188265B CN101188265B CN2007101928154A CN200710192815A CN101188265B CN 101188265 B CN101188265 B CN 101188265B CN 2007101928154 A CN2007101928154 A CN 2007101928154A CN 200710192815 A CN200710192815 A CN 200710192815A CN 101188265 B CN101188265 B CN 101188265B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- type semiconductor
- emitting elements
- semiconductor layer
- conductive type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 213
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 28
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 21
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 20
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 14
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 11
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims description 4
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 4
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Substances [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N iminotitanium Chemical compound [Ti]=N KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件包括：导电基板；形成在导电基板上的结合金属层；形成在结合金属层上的垒层；形成在垒层上的反射层；形成在反射层上的欧姆电极层；形成在欧姆电极层上的第二导电类型半导体层；形成在第二导电类型半导体层上的发光层；和形成在发光层上的第一导电类型半导体层，其中第二导电类型半导体层、发光层和第一导电类型半导体层的***被除去。
Description
技术领域
本发明涉及半导体发光元件及其制造方法，且更具体而言涉及能够提高产量的半导体发光元件及其制造方法。
背景技术
专利文献1(日本专利公开第09-008403号)所公开的具有附着于半导体层叠主体的半导体发光元件被期望作为实现发光二极管的高强度光发射的有效方法。具体而言，使用氮化物半导体的半导体发光元件期望作为在宽光波长段内提供光发射的材料而引起注意。
图12是具有附着于半导体层叠主体的导电基板的示意性常规半导体发光元件的示意性剖面图。
常规半导体发光元件具有这样的结构，其中在导电基板102上具有形成在其各侧面上的第一欧姆电极层101和第二欧姆电极层103，下面的层依次堆叠：第一结合金属层104a；第二结合金属层104b；垒层105；反射层106；p侧欧姆电极层107；p型半导体层108；发光层109；n型半导体层110；和n侧欧姆电极层111。
例如如下所述制造了具有这样结构的半导体发光元件。首先，在导电基板102上依次堆叠第二欧姆电极层103和第一结合金属层104a以制造第一晶片。此外，n型半导体层110、发光层109和p型半导体层108依次生长在生长基板上，此后p侧欧姆电极层107、反射层106、垒层105和第二结合金属层104b依次堆叠以制造第二晶片。
接着，第一晶片的第一结合金属层104a和第二晶片的第二结合金属层104b被结合以制造晶片结合主体。接着，从晶片结合主体的第二晶片除去生长基板。然后，在导电基板102的后表面上形成第一欧姆电极层101，并在n型半导体层110的表面上形成n侧欧姆电极层111。
此后，具有形成在其上的第一欧姆电极层101和n侧欧姆电极层111的晶片结合主体被切割为芯片，因此获得具有图12所示的结构的常规半导体发光元件。
发明内容
然而，在具有上述结构的常规半导体发光元件中，导电基板102和生长基板由不同材料形成。当导电基板102和生长基板由不同材料形成时，在构成半导体发光元件的层中由于内部应力而容易发生变形。因此，当晶片结合主体被分为芯片时半导体层可能分层，引起减少产量的问题。
考虑到上述情况，本发明的一个目的是提供一种能够提高产量的半导体发光元件及其制造方法。
本发明的半导体发光元件包括：导电基板、形成在导电基板上的结合金属层；形成在结合金属层上的垒层；形成在垒层上的反射层；形成在反射层上的欧姆电极层；形成在欧姆电极层上的第二导电类型半导体层；形成在第二导电类型半导体层上的发光层；和形成在发光层上的第一导电类型半导体层，其中第二导电类型半导体层、发光层和第一导电类型半导体层的***被除去。
在本发明中，可以在(i)导电基板和结合金属层之间；(ii)结合金属层和垒层之间；(iii)垒层和反射层之间；(iv)反射层和欧姆电极层之间；(v)欧姆电极层和第二导电类型半导体层之间；(vi)第二导电类型半导体层和发光层之间；以及(vii)发光层和第一导电类型半导体层之间的至少之一中可以形成另一层。
此外，在本发明中，“垒层”指与不设置垒层的情况相比能够抑制夹置该垒层的两层之间的原子互扩散的层。
此外，在本发明中，“反射层”指能够反射从发光层发射的至少一部分光的层。
在本发明的半导体发光元件中，其在与第一导电类型半导体层相邻的一侧的表面可以用作主光提取表面。
在本发明中，“主光提取表面”指能够比其他表面更多地提取从发光表面发射的光的表面。
优选地，在本发明的半导体发光元件中，绝缘膜至少部分地形成在除去上述***的部分中。
优选地，在本发明的半导体发光元件中，绝缘膜具有用于提取光的开口。
优选地，在本发明的半导体发光元件中，绝缘膜中用于提取光的开口的面积不小于导电基板的表面面积的50％且不大于导电基板的表面面积的99％。
优选地，在本发明的半导体发光元件中，除去***的部分的面积不小于导电基板的表面面积的1％且不大于导电基板的表面面积的50％。
优选地，在本发明的半导体发光元件中，结合金属层由金或含金的合金制成。
优选地，在本发明的半导体发光元件中，垒层由镍或含镍的合金制成。
优选地，在本发明的半导体发光元件中，反射层由银或含银的合金制成。
优选地，在本发明的半导体发光元件中，欧姆电极层由钯或含钯的合金制成。
优选地，在本发明的半导体发光元件中，在第一导电类型半导体层的表面上形成不平坦，且其上形成有不平坦的第一导电类型半导体层的表面用作主光提取表面。
优选地，在本发明的半导体发光元件中，第二导电类型半导体层、发光层和第一导电类型半导体层由氮化物半导体制成。
在本发明中，作为氮化物半导体，可以使用例如由组分公式AlxGayInzN(这里0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z≠0)表示的氮化物半导体。应该注意，在上述组分公式中，Al代表铝，Ga代表镓，In代表铟，N代表氮。此外，x代表Al的组分比，y代表Ga的组分比，z代表In的组分比。此外，n型或p型掺杂剂可以掺入由上述组分公式表示的氮化物半导体中。
本发明还提供一种制造上述任何一种半导体发光元件的方法，包括通过干法蚀刻除去第二导电类型半导体层、发光层和第一导电类型半导体层的***。
优选地，在本发明的半导体发光元件的制造方法中，当反射层由银或含银合金制成时，在干法蚀刻之后进行超声波清洁。
优选地，在本发明的半导体发光元件的制造方法中，将由干法蚀刻暴露的第二导电类型半导体层、发光层和第一导电类型半导体层的表面浸入蚀刻剂中。
优选地，在本发明的半导体发光元件的制造方法中，在浸入蚀刻剂中的第二导电类型半导体层、发光层和第一导电类型半导体层的表面上形成绝缘膜。
优选地，在本发明的半导体发光元件的制造方法中，能够蚀刻从结合金属层、垒层、反射层和欧姆电极层的组选择出的至少一种的类型的材料可以用作蚀刻剂。
优选地，在本发明的半导体发光元件的制造方法中，当结合金属层由金或含金合金制成时，蚀刻剂由碘、碘化钾、有机溶剂和水的混合溶液形成。
优选地，在本发明的半导体发光元件的制造方法中，当垒层由镍或含镍合金制成时，蚀刻剂由盐酸、硫酸或硝酸水溶液形成。
优选地，在本发明的半导体发光元件的制造方法中，当反射层由银或含银合金制成时，蚀刻剂由磷酸水溶液、硝酸水溶液、醋酸水溶液和水的混合溶液形成。
优选地，在本发明的半导体发光元件的制造方法中，当欧姆电极层由钯或含钯合金制成时，蚀刻剂由盐酸和水的混合溶液形成。
根据本发明，可以提供能够提高产量的半导体发光元件及其制造方法。
通过结合附图对本发明的下述具体描述中，本发明的上述和其他目的、特点和优点将变得更为明显。
附图说明
图1是作为本发明示范性半导体发光元件的示范性氮化物半导体发光二极管的示意性剖面图；
图2到11是示出制造图1所示的氮化物半导体发光二极管的示范性制造方法的步骤的示意性剖面图；和
图12是具有附着于半导体层叠主体的导电基板的示范性常规半导体发光元件的示意性剖面图。
具体实施方式
此后，将描述本发明的实施例。在本发明的附图中，相同或相应的部件由相同的附图标记表示。
图1是作为本发明示范性半导体发光元件的示范性氮化物半导体发光二极管的示意性剖面图。
图1所示的氮化物半导体发光二极管元件具有如下结构，其中，在由例如n型硅制成的导电基板12上依次堆叠下面的层：由例如Ti层和Au层的层叠主体形成的第二欧姆电极层13；由例如Au-Sn合金层形成的第一结合金属层14；由例如Au层形成的第二结合金属层11；由例如Ni-Ti合金形成的垒层10；由例如Ag-Nd层形成的反射层9；由例如Pd层形成的p侧欧姆电极层8；由例如p型GaN制成的第一p型半导体层7；由例如p型AlGaN制成的第二p型半导体层6；包括例如由GaN制成的阻挡层和由InGaN制成的阱层的发光层5；和由例如n型GaN制成的n型半导体层4。
在图1所示的氮化物半导体发光二极管元件中，n型半导体层4具有形成在其上的不平坦的表面，且在该不平坦表面上形成由例如Ti层和Au层的层叠主体形成的n侧欧姆电极层16。此外，在导电基板12的后表面上形成由Ti层、Al层和Ti层的层叠主体形成的第一欧姆电极层17。
此外，在图1所示的氮化物半导体发光二极管元件中，除去n型半导体层4、发光层5、第二p型半导体层6、第一p型半导体层7、p侧欧姆电极层8、反射层9和垒层10的所有***以及部分第二结合金属层11的所有***。
此外，在图1所示的氮化物半导体发光二极管元件中，绝缘膜15形成在通过除去上述***而暴露的n型半导体层4、发光层5、第二p型半导体层6、第一p型半导体层7、p侧欧姆电极层8、反射层9和垒层10的侧表面以及第二结合金属层11的部分侧表面上。绝缘膜15设置有其中暴露出n型半导体层4的方形孔18。
此后，将描述图1所示的氮化物半导体发光二极管元件的示范性制造方法。
首先，如图2的示意性剖面图所示，在作为生长基板的蓝宝石基板1上，通过例如MOCVD(金属有机化学气相沉积)以下述次序堆叠下面的层：由例如250nm厚的GaN制成的缓冲层2；由例如1μm厚的非掺杂GaN制成的氮化物半导体层3；例如4μm厚的n型半导体层4；例如100nm厚的发光层5；例如30nm厚的第二p型半导体层6；和例如200nm厚的第一p型半导体层7。
接着，如图3的示意性剖面图所示，在第一p型半导体层7上，通过例如溅射法以下述次序堆叠下面的层：具有例如3.5nm厚度的p侧欧姆电极层8；具有例如300nm厚的反射层9；和具有例如100nm厚度的垒层10。然后，通过真空蒸镀法在垒层10上沉积第二结合金属层11以具有例如3μm的厚度。
因此，制造了第一晶片20a，其具有依次堆叠在蓝宝石基板1上的缓冲层2、氮化物半导体层3、n型半导体层4、发光层5、第二p型半导体层6、第一p型半导体层7、p侧欧姆电极层8、反射层9、缓冲层10和第二结合金属层11。
此外，如图4的示意性剖面图所示，制备了导电基板12，且通过真空蒸镀在导电基板12上依次沉积具有例如50nm厚度的Ti层和具有例如500nm厚度的Au层以形成第二欧姆电极层13。然后，通过真空蒸镀在第二欧姆电极层13上沉积第一结合金属层14以具有例如3μm的厚度。
因此，制造了第二晶片20b，其具有在导电基板12上依次堆叠的第二欧姆电极层13和第一结合金属层14。
接着，如图5的示意性剖面图所示，设置第一晶片20a的第二结合金属层11和第二晶片20b的第一结合金属层14以彼此面对，并且二者通过在300℃的温度和300N/cm2的压强的条件下在真空气氛中进行的共晶结合而结合。因此，制造了第一晶片20a和第二晶片20b的晶片结合主体。
此后，如图6的示意性剖面图所示，除去了蓝宝石基板1和缓冲层2。可以通过从相邻于被镜面抛光的蓝宝石基板1的后表面一侧施加YAG-THG激光(具有355nm波长)并热分解蓝宝石基板1、缓冲层2和一部分氮化物半导体层3而除去蓝宝石基板1和缓冲层2。
接着，如图7的示意性剖面图所示，对除去蓝宝石基板1后暴露的氮化物半导体层3的表面和n型半导体层4的表面进行干法蚀刻，以在n型半导体层4的表面上形成不平坦。在此情形，进行干法蚀刻直到完全除去氮化物半导体层3。通过在将用作主光提取表面的n型半导体层4的表面上形成不平坦，提高了光提取效率。
接着，使用光刻在n型半导体层4的表面上形成抗蚀剂图案，在该抗蚀剂图案中每个均具有一边为300μm的方形形状的抗蚀剂设置成350μm节距的格栅图案(即相邻方形抗蚀剂之间的间距为50μm)。
然后，如图8的示意性剖面图所示，通过干法蚀刻除去位于上述方形抗蚀剂之间的n型半导体层4、发光层5、第二p型半导体层6、第一p型半导体层7、p侧欧姆电极层8、反射层9、垒层10和一部分第二结合金属层11，以形成沟槽。该沟槽形成为具有允许对第二结合金属层11的部分进行干法蚀刻的深度。可以采用蚀刻气体通过例如物理和/或化学蚀刻半导体层(n型半导体层4、发光层5、第二p型半导体层6和第一p型半导体层7)和金属层(p侧欧姆电极层8、反射层9、垒层10和第二结合金属层11)而进行干法蚀刻。
在此情形，在反射层9由Ag或含Ag合金制成的情况，当干法蚀刻达到反射层9时可能发生Ag迁移且Ag可能生长为晶须或柱，这可能引起n型半导体层与p型半导体层之间的短路。因此，优选在形成上述沟槽的干法蚀刻之后进行超声波清洁。因此，已经生长为晶须或柱的Ag可以被除去。此外，当形成上述沟槽的干法蚀刻被分为多个干法蚀刻步骤并进行时，优选在每个干法蚀刻步骤之后进行超声波清洁。可以通过将第一晶片20a和第二晶片20b的晶片结合主体浸入清洁液体然后对清洁液体施加超声波而进行超声波清洁。
通过上述干法蚀刻，在第一晶片20a和第二晶片20b的晶片结合主体表面上的格栅图案中形成沟槽。在形成沟槽之后，除去构成上述抗蚀剂图案的抗蚀剂。
此外，形成上述沟槽的干法蚀刻到达位于半导体层(n型半导体层4、发光层5、第二p型半导体层6和第一p型半导体层7)下面的金属层(p侧欧姆电极层8、反射层9、垒层10和第二结合金属层11)。因此，由上述干法蚀刻引起的金属飞溅物(splashes)可能附着到上述半导体层的侧表面，并引起n型半导体层与p型半导体层之间的短路。
因此，通过将上述半导体层的侧表面浸入能够蚀刻上述各个金属层的蚀刻剂中来进行湿法蚀刻的清洗处理。
例如，在p侧欧姆电极层8由Pd或含Pd的合金制成的情况下，优选使用盐酸和水的混合溶液作为蚀刻剂来蚀刻p侧欧姆电极层8。因此，附着到上述半导体层的侧表面的p侧欧姆电极层8的飞溅物可以通过在室温下将上述半导体层的侧表面浸入由盐酸和水的混合溶液形成的第一蚀刻剂中一分钟而除去。
应该注意，在p侧欧姆电极层8由Pd或含Pd的合金制成的情况，存在p侧欧姆电极层8能够建立与p型半导体层之间的良好欧姆接触的倾向。
此外，在反射层9由Ag或含Ag的合金制成的情况，优选使用磷酸水溶液、硝酸水溶液、醋酸水溶液和水的混合溶液作为蚀刻剂来蚀刻反射层9。因此，附着到上述半导体层的反射层9的飞溅物可以通过例如在室温下将上述半导体层的侧表面浸入由含有质量比为50∶5∶40∶5的磷酸水溶液、硝酸水溶液、醋酸水溶液和水的混合溶液形成的第二蚀刻剂中一分钟而除去。
应该注意，在反射层9由Ag或含Ag合金制成的情况，存在当发光层5发射具有在蓝色波段的波长(例如不小于430nm且不大于490nm的波长)的蓝光时蓝光更容易在反射层9反射的倾向。
此外，在垒层10由Ni或含Ni合金制成的情况，优选使用盐酸、硫酸或硝酸水溶液作为蚀刻垒层10的蚀刻剂。因此，可以通过例如在室温下将上述半导体层的侧表面浸入含浓缩的盐酸的第一蚀刻剂中一分钟而除去附着到上述半导体层侧表面的垒层10的飞溅物。
应该注意，在垒层10由Ni或含Ni合金制成的情况，抑制夹置垒层10的反射层9与第二结合金属层11之间的原子互扩散的效果增加了。
此外，在第二结合金属层11由Au或含Au的合金制成的情况，优选使用碘、碘化钾、有机溶剂和水的混合溶液作为蚀刻第二结合金属层11的蚀刻剂。因此，可以通过例如在室温下将上述半导体层的侧表面浸入质量比为1∶3∶40∶56的碘、碘化钾、酒精和水的混合溶液形成的第三蚀刻剂中五分钟而除去附着到上述半导体层的侧表面的第二结合金属层11的飞溅物。
应该注意，在第一结合金属层14和第二结合金属层11由Au或含Au的合金制成的情况，第一结合金属层14和第二结合金属层11倾向于更强地结合，且电阻倾向于变得更低。
因此，存在例如通过将上述半导体层的侧表面依次浸入上述第一蚀刻剂、第二蚀刻剂和第三蚀刻剂中而有效除去附着到上述半导体层的侧表面的金属飞溅物的倾向。显然浸入第一蚀刻剂、第二蚀刻剂和第三蚀刻剂中的顺序并没有特别限定。
接着，如图9的示意性剖面图所示，由例如SiO2制成的绝缘膜15通过例如等离子体CVD的方式形成在与n型半导体层14相邻的一侧上的晶片结合主体的整个表面上。通过形成绝缘膜15，可以保护被进行湿法蚀刻的上述半导体层的侧表面不受沾染。
接着，如图10的示意性剖面图所示，进行光蚀刻以除去一侧上的绝缘膜15的一部分，该部分具有与上述一侧上的300μm方形抗蚀剂相同中心的290μm的形状，并在绝缘膜15中形成用于提取光的开口18。由于形成用于提取光的开口18可以抑制从发光层5发射的光被绝缘层15吸收，因此提高了光提取效率。
接着，如图11的示意性剖面图所示，使用光刻和剥离工艺，靠近n型半导体层4的表面的中心形成具有堆叠的例如15nm厚的Ti层和例如500nm厚的Au层的n侧欧姆电极层16。此外，具有依次堆叠的例如15nm厚的Ti层、例如150nm厚的Al层和例如15nm厚的Ti层的第一欧姆电极层17形成在导电基板12的后表面上。
最后，在对应于形成上述沟槽的位置切割上述晶片结合主体并将其分为芯片，且因此获得了图1所示的氮化物半导体发光二极管元件。上述晶片结合主体可以通过例如金刚石划片、激光划片、切块(dicing)等而切割。
在如上获得的图1所示的氮化物半导体发光二极管元件中，即使当作为生长基板的蓝宝石基板1和导电基板12由彼此不同的材料形成时，在第一结合金属层14和第二结合金属层11结合之后，n型半导体层4、发光层5、第二p型半导体层6和第一p型半导体层7的***均被除去，且因此通过存在该被除去的部分而减轻了这些半导体层的变形。
因此，在图1所示的氮化物半导体发光二极管元件中，能够抑制当晶片结合主体被切割时引起的半导体层的变形导致的半导体层的分层，因此提高了产量。
此外，在图1所示的氮化物半导体发光二极管元件中，在通过上述干法蚀刻形成沟槽之后对n型半导体层4、发光层5、第二p型半导体层6和第一p型半导体层7的侧表面进行湿法蚀刻，并可以除去附着到这些半导体层侧表面的金属飞溅物。因此，可以抑制在n型半导体层和p型半导体层之间引起的短路。
此外，在图1所示的氮化物半导体发光二极管元件中，在上述湿法蚀刻之后在上述半导体层的侧表面上形成绝缘膜，且因此能够抑制在n型半导体层和p型半导体层之间可能引起的短路。因此，可以获得稳定的电流和电压特性。
此外，在图1所示的氮化物半导体发光二极管元件中，在具有蓝色波段的高反射率的Ag或含这样的Ag的合金用作反射层9的情况，由于形成上述沟槽的干法蚀刻所产生的Ag晶须或柱可以通过组合干法蚀刻和超声波清洁而除去。因此，可以抑制在n型半导体层和p型半导体层之间引起的短路。
此外，在图1所示的氮化物半导体发光二极管元件中，优选除去上述半导体层的***的除去部分的面积S1不小于导电基板12表面面积S0的1％且不大于50％。当面积S1小于面积S0的1％时，存在不能充分获得通过上述除去部分实现减小上述半导体层的变形的效果的倾向。当面积S1大于面积S0的50％时，光发射量显著减少，因此光提取效率倾向于显著减小。这里，面积S1意味着上述框状除去部分的整个面积。
此外，在图1所示的氮化物半导体发光二极管元件中，优选绝缘膜15中用于提取光的开口18的面积S2不小于导电基板12表面的面积S0的50％且不大于99％。当面积S2小于面积S0的50％时，具有从发光层5发射的光被绝缘膜15吸收的倾向且因此光提取效率不能显著提高。当面积S2大于面积S0的99％时，绝缘膜15倾向于从上述半导体层分层。
本发明的半导体发光元件可以合适地应用于例如发射具有不小于430nm且不大于490nm波长的蓝光的氮化物半导体发光二极管等。
虽然具体描述并示出了本发明，但应该清除地理解，仅为了示例的目的而不是限制的目的提供了上述描述，本发明的范围由权利要求限定。
本申请要求2006年11月21目向日本专利局提交的日本专利申请第2006-314052号的优先权，其全部内容引用在此处作为参考。
Claims (18)
1.一种半导体发光元件，包括：
导电基板；
形成在所述导电基板上的结合金属层；
形成在所述结合金属层上的垒层；
形成在所述垒层上的反射层；
形成在所述反射层上的欧姆电极层；
形成在所述欧姆电极层上的第二导电类型半导体层；
形成在所述第二导电类型半导体层上的发光层；和
形成在所述发光层上的第一导电类型半导体层，
其中所述第二导电类型半导体层、所述发光层和所述第一导电类型半导体层的***被除去；
其中至少部分地在除去了所述***的部分中形成绝缘膜，并且所述绝缘膜具有用于提取光的开口；
其中所述绝缘膜中用于提取光的所述开口的面积不小于所述导电基板的表面面积的50％且不大于所述导电基板的表面面积的99％。
2.一种半导体发光元件，包括：
导电基板；
形成在所述导电基板上的结合金属层；
形成在所述结合金属层上的垒层；
形成在所述垒层上的反射层；
形成在所述反射层上的欧姆电极层；
形成在所述欧姆电极层上的第二导电类型半导体层；
形成在所述第二导电类型半导体层上的发光层；和
形成在所述发光层上的第一导电类型半导体层，
其中所述第二导电类型半导体层、所述发光层和所述第一导电类型半导体层的***被除去；
其中至少部分地在除去了所述***的部分中形成绝缘膜，并且所述绝缘膜具有用于提取光的开口；
其中除去所述***的部分的面积不小于所述导电基板的表面面积的1％且不大于所述导电基板的表面面积的50％。
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中所述第一导电类型半导体层的表面用作主光提取表面。
4.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中所述结合金属层由金或含金的合金制成。
5.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中所述垒层由镍或含镍的合金制成。
6.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中所述反射层由银或含银的合金制成。
7.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中所述欧姆电极层由钯或含钯的合金制成。
8.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中在所述第一导电类型半导体层的表面上形成不平坦部分，且其上形成有所述不平坦部分的所述第一导电类型半导体层的表面用作主光提取表面。
9.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中所述第二导电类型半导体层、所述发光层和所述第一导电类型半导体层由氮化物半导体制成。
10.一种制造根据权利要求1或2的半导体发光元件的方法，包括如下步骤：通过干法蚀刻除去所述第二导电类型半导体层、所述发光层和所述第一导电类型半导体层的***；
至少部分地在除去了所述***的部分中形成绝缘膜，所述绝缘膜具有用于提取光的开口。
11.根据权利要求10所述的半导体发光元件的制造方法，还包括当所述反射层由银或含银合金制成时，在所述干法蚀刻之后进行超声波清洁的步骤。
12.根据权利要求10所述的半导体发光元件的制造方法，还包括将由所述干法蚀刻暴露的所述第二导电类型半导体层、所述发光层和所述第一导电类型半导体层的表面浸入蚀刻剂中的步骤。
13.根据权利要求12所述的半导体发光元件的制造方法，还包括在浸入所述蚀刻剂中的所述第二导电类型半导体层、所述发光层和所述第一导电类型半导体层的表面上形成绝缘膜的步骤。
14.根据权利要求12所述的半导体发光元件的制造方法，其中所述蚀刻剂由能够蚀刻从所述结合金属层、所述垒层、所述反射层和所述欧姆电极层的组选择出的至少一种类型的材料形成。
15.根据权利要求14所述的半导体发光元件的制造方法，其中当所述结合金属层由金或含金合金制成时，所述蚀刻剂由碘、碘化钾、有机溶剂和水的混合溶液形成。
16.根据权利要求14所述的半导体发光元件的制造方法，其中当所述垒层由镍或含镍合金制成时，所述蚀刻剂由盐酸、硫酸或硝酸水溶液形成。
17.根据权利要求14所述的半导体发光元件的制造方法，其中当所述反射层由银或含银合金制成时，所述蚀刻剂由磷酸水溶液、硝酸水溶液、醋酸水溶液和水的混合溶液形成。
18.根据权利要求14所述的半导体发光元件的制造方法，其中当所述欧姆电极层由钯或含钯合金制成时，所述蚀刻剂由盐酸和水的混合溶液形成。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006314052A JP2008130799A (ja) | 2006-11-21 | 2006-11-21 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
| JP314052/06 | 2006-11-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101188265A CN101188265A (zh) | 2008-05-28 |
| CN101188265B true CN101188265B (zh) | 2012-05-30 |
Family
ID=39416052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007101928154A Active CN101188265B (zh) | 2006-11-21 | 2007-11-20 | 半导体发光元件及其制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7611992B2 (zh) |
| JP (1) | JP2008130799A (zh) |
| CN (1) | CN101188265B (zh) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008050538B4 (de) | 2008-06-06 | 2022-10-06 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP5075786B2 (ja) * | 2008-10-06 | 2012-11-21 | 株式会社東芝 | 発光装置及びその製造方法 |
| KR100974776B1 (ko) | 2009-02-10 | 2010-08-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| JP5466479B2 (ja) * | 2009-10-27 | 2014-04-09 | スタンレー電気株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| KR101014155B1 (ko) * | 2010-03-10 | 2011-02-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
| JP5052636B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2012-10-17 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| KR101125334B1 (ko) * | 2010-04-09 | 2012-03-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
| JP2012094630A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-17 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP5652373B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2015-01-14 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| US20120247686A1 (en) * | 2011-03-28 | 2012-10-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Systems and Methods For Ultrasonically Cleaving A Bonded Wafer Pair |
| JP5292456B2 (ja) | 2011-12-28 | 2013-09-18 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| CN103378246A (zh) * | 2012-04-18 | 2013-10-30 | 联胜光电股份有限公司 | 发光二极管的缓冲层结构 |
| JP6203586B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2017-09-27 | 関東化學株式会社 | ヨウ素系エッチング液およびエッチング方法 |
| JP5450847B2 (ja) * | 2013-01-23 | 2014-03-26 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光素子 |
| JP5514341B2 (ja) * | 2013-03-12 | 2014-06-04 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体素子の製造方法 |
| JP5621106B2 (ja) * | 2013-04-12 | 2014-11-05 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
| CN103311396B (zh) * | 2013-06-19 | 2016-12-28 | 南宁市柳川华邦电子有限公司 | 一种采用Si基衬底的二极管 |
| US20150091032A1 (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Intermolecular, Inc. | Nickel-Titanium and Related Alloys as Silver Diffusion Barriers |
| TWI591848B (zh) | 2013-11-28 | 2017-07-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件及其製造方法 |
| CN104701435A (zh) * | 2013-12-06 | 2015-06-10 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件及其制造方法 |
| US10236413B2 (en) | 2015-04-20 | 2019-03-19 | Epistar Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| CN106601877A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-04-26 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种垂直结构led芯片的制造方法 |
| CN106571414B (zh) * | 2016-11-09 | 2019-11-19 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种垂直结构led芯片的制造方法 |
| CN106449932A (zh) * | 2016-11-17 | 2017-02-22 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种垂直结构发光二极管及其制造方法 |
| CN106449955A (zh) * | 2016-11-17 | 2017-02-22 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种垂直结构发光二极管及其制造方法 |
| JP7255965B2 (ja) | 2017-08-24 | 2023-04-11 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
| CN113594034A (zh) * | 2021-08-03 | 2021-11-02 | 中山大学南昌研究院 | 一种改善湿法刻蚀均一性的方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441403B1 (en) * | 2000-06-23 | 2002-08-27 | United Epitaxy Company, Ltd. | Semiconductor device with roughened surface increasing external quantum efficiency |
| JP2005322919A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ビーム放射および／またはビーム受信半導体素子および半導体基体にコンタクトを構造化してデポジットする方法 |
| CN1719634A (zh) * | 2004-07-08 | 2006-01-11 | 夏普株式会社 | 氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法 |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3557033B2 (ja) * | 1995-03-24 | 2004-08-25 | 三洋電機株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP3259811B2 (ja) | 1995-06-15 | 2002-02-25 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 |
| JP3698229B2 (ja) * | 1997-10-24 | 2005-09-21 | ソニー株式会社 | 半導体素子および半導体発光素子 |
| JP4045007B2 (ja) * | 1998-03-18 | 2008-02-13 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3316479B2 (ja) * | 1998-07-29 | 2002-08-19 | 三洋電機株式会社 | 半導体素子、半導体発光素子および半導体素子の製造方法 |
| US20010042866A1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-11-22 | Carrie Carter Coman | Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal |
| JP4247863B2 (ja) * | 1999-07-12 | 2009-04-02 | ソニー株式会社 | 電子部品用金属材料、電子部品用配線材料、電子部品用電極材料、電子部品、電子機器、金属材料の加工方法及び電子光学部品 |
| JP2001118850A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP2270875B1 (de) * | 2000-04-26 | 2018-01-10 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Strahlungsmittierendes Halbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren |
| US7180100B2 (en) * | 2001-03-27 | 2007-02-20 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| US6547249B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-04-15 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates |
| JP2003224116A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エッチング液、エッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP3705791B2 (ja) * | 2002-03-14 | 2005-10-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子および半導体発光装置 |
| JP2004022550A (ja) * | 2002-06-12 | 2004-01-22 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP4362682B2 (ja) * | 2002-09-02 | 2009-11-11 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法ならびにその製造装置 |
| KR100543696B1 (ko) * | 2002-09-09 | 2006-01-20 | 삼성전기주식회사 | 고효율 발광 다이오드 |
| JP4311000B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2009-08-12 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子とその製造方法 |
| TWI344706B (en) * | 2003-06-04 | 2011-07-01 | Myung Cheol Yoo | Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices |
| KR100568269B1 (ko) * | 2003-06-23 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 플립-칩 본딩용 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
| JP2005085932A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| EP1679740A4 (en) * | 2003-10-27 | 2009-09-02 | Sumitomo Electric Industries | GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| US7419912B2 (en) * | 2004-04-01 | 2008-09-02 | Cree, Inc. | Laser patterning of light emitting devices |
| CN101366121B (zh) * | 2004-04-28 | 2011-05-04 | 沃提科尔公司 | 垂直结构半导体器件 |
| JP2005345581A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2006073618A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
| JP2006012916A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子 |
| JP4622720B2 (ja) * | 2004-07-21 | 2011-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体ウエハ又は窒化物半導体素子の製造方法 |
| JP2006073619A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子 |
| JP4457826B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2010-04-28 | 三菱化学株式会社 | 窒化物半導体を用いた発光ダイオード |
| JP2006135311A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-05-25 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体を用いた発光ダイオード |
| JP4592388B2 (ja) * | 2004-11-04 | 2010-12-01 | シャープ株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP4767035B2 (ja) * | 2005-04-12 | 2011-09-07 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
| KR100638730B1 (ko) * | 2005-04-14 | 2006-10-30 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 3족 질화물 발광 소자의 제조 방법 |
| JP2008182069A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
-
2006
- 2006-11-21 JP JP2006314052A patent/JP2008130799A/ja active Pending
-
2007
- 2007-11-19 US US11/942,316 patent/US7611992B2/en active Active
- 2007-11-20 CN CN2007101928154A patent/CN101188265B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441403B1 (en) * | 2000-06-23 | 2002-08-27 | United Epitaxy Company, Ltd. | Semiconductor device with roughened surface increasing external quantum efficiency |
| JP2005322919A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ビーム放射および／またはビーム受信半導体素子および半導体基体にコンタクトを構造化してデポジットする方法 |
| CN1719634A (zh) * | 2004-07-08 | 2006-01-11 | 夏普株式会社 | 氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008130799A (ja) | 2008-06-05 |
| US7611992B2 (en) | 2009-11-03 |
| CN101188265A (zh) | 2008-05-28 |
| US20080116472A1 (en) | 2008-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101188265B (zh) | 半导体发光元件及其制造方法 | |
| EP2426743B1 (en) | GaN compound semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same | |
| KR100670928B1 (ko) | ＧａＮ계 화합물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| US20050242365A1 (en) | Vertical structure semiconductor devices | |
| CN102067339A (zh) | 一种制备具有金属衬底的InGaAlN发光二极管的方法 | |
| KR20080015794A (ko) | ＩｎＧａＡｌＮ 발광 장치 및 이의 제조 방법 | |
| CN102142361A (zh) | Iii族氮化物类化合物半导体元件及其制造方法 | |
| KR20090044311A (ko) | 발광 소자 및 그의 제조 방법 | |
| KR101203137B1 (ko) | ＧａＮ계 화합물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR101239852B1 (ko) | ＧａＮ계 화합물 반도체 발광 소자 | |
| JP5281536B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| CN214176057U (zh) | 一种led芯片 | |
| JP4179942B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2007081333A (ja) | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 | |
| TWI811729B (zh) | 半導體結構及其製作方法 | |
| KR20110131477A (ko) | 질화물 반도체 발광다이오드 및 이의 제조방법 | |
| KR101233234B1 (ko) | 내재전극에 메탈 콜로이드가 채워진 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR101115571B1 (ko) | ＧａＮ계 화합물 반도체 발광 소자 | |
| KR20110131478A (ko) | 질화물 반도체 발광다이오드 및 이의 제조방법 | |
| JP2005340797A (ja) | 透光性正極 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20181205 Address after: No. 841-899, Min An Avenue, Tong Tang, Tongan District, Xiamen, Fujian Patentee after: XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS CO., LTD. Address before: Osaka Japan Patentee before: Sharp Corporation |
|
| TR01 | Transfer of patent right |