JP2001118850A

JP2001118850A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2001118850A
Application number: JP29495199A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Ono; 泰弘小野; Takeshi Tokashiki; 健渡嘉敷
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-10-18
Filing date: 1999-10-18
Publication date: 2001-04-27

Abstract

(57)【要約】【課題】シリコン基板上に金、銀及び白金、イリジウ
ム等の元素周期表の白金族金属及びそれらの合金を電極
膜とし、ドライエッチング後の基板上に残渣として堆積
するエッチング反応物を効果的に除去できる半導体装置
の製造方法を提供するものである。【解決手段】シリコン基板上４の絶縁膜を層間下地層
上３に、レジストとパターンマスクを介して金属電極膜
２をパターン成膜させる半導体装置の製造方法におい
て、絶縁膜上に電極膜用の金属種をスパッタリング後、
レジストを成膜し、パターンマスクを介してドライエッ
チングをした後、レジストアッシングを行い、レジスト
及び電極膜側壁面に残渣物として堆積したエッチング反
応物５に、加圧下に水蒸気６を吹き付けた後、洗浄処理
を行い、所定のパターニングに基づく金属電極膜を形成
させる半導体装置の製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、より詳細には、シリコン基板上に金属又は
合金の電極膜をパターン成膜させるに際して、基板上に
残渣として堆積するエッチング反応物を効果的に除去さ
せて、基板上に所定のパターン電極膜を形成させる半導
体装置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体装置を製造するに際し
て、シリコン基板上に施したシリカ、窒化シリコン、Ｐ
ＳＧ等の絶縁膜である層間下地層上にアルミニウム等の
金属電極膜をパターン成膜させて半導体集積回路が形成
されている。

【０００３】近年は、この半導体集積回路が、益々微細
化、高集積化の傾向にあるなかで、このように高密度化
される半導体集積回路の品質を低下させず、しかも、コ
スト低減化を図ることは、その製造工程との係わりで、
益々困難さを余儀なくされているのが実状である。

【０００４】そこで、このような半導体集積回路は、半
導体ウエハにスパッタリング、ＣＶＤ等の方法で金属導
電膜を形成させるに際しては、その高集積度の微細構造
に関係なく、通常、レジストを介して所定のパタンマス
クを用いて、ドライエッチングを行い、基板上の絶縁膜
の層間下地層上に金属電極又は配線をエッチングで形成
させる。

【０００５】このドライエッチングによるパターンニン
グによって、エッチングによる反応物が基板上に残渣と
して堆積するのが一般的である。

【０００６】従って、このような堆積する不純物を基板
上の微細構造を損傷させないようにして、効果的に除去
しなければならない。

【０００７】このように除去する対象物は、電極膜に用
いる電導性の金属種や、また、ドライエッチング時にお
けるＣｌ₂、ＨＢｒ、ＣＦ₄、ＣＨＦ₃，Ｃ₄Ｆ₈、ＢＣ
ｌ₃、Ｃｌ₂−ＣＦ₄、Ｃｌ₂−ＨＢｒ及びＣＦ₄−Ｈ₂等の
ハロゲン化物のエッチングガス等によっても異なるが、
その多くは、電極膜に用いた金属や、レジストとのハロ
ゲン化物として堆積している。

【０００８】従って、従来から、これらの除去方法とし
て、物理的な機械的剥離や、超音波等による物理的な衝
撃処理、各種の溶解洗浄液等を単独、又はこれらを組合
せて除去させる方法が提案されている。

【０００９】例えば、特開平９−２１３７０４号公報に
は、半導体ウエハ上の絶縁膜であるシリカ膜上にアルミ
ニウム、アルミニウム合金、チタン、タングステン合金
等の金属導電膜を成膜後、レジストを介してドライエッ
チングによるパターニング及び酸素プラズマによるレジ
ストアッシングを行うに際して、レジスト及び金属導電
膜の側壁部に反応性ガスとレジストとの反応物を保護膜
とする側壁堆積膜が形成される。

【００１０】この側壁堆積膜を除去するために、フッ
酸、フッ化アンモニウム等の剥離液で湿式処理を行っ
て、次いで、過酸化水素、過酸化ベンゾイル等の過酸化
物を含む超純粋水のリンス液で洗浄する半導体製造方法
が記載されている。

【００１１】また、特開平９−２９８１８８号公報に
は、Ａｌ合金電極膜のレジストパターン−ドライエッチ
ング、レジストアッシング後の残渣（レジスト残渣、プ
ラズマ重合膜）を除去するために、フッ素系ガスプラズ
マ（ＣＨＦ₃）でパシベーション膜を形成後、Ｏ₃−ＵＶ
照射によるアッシング除去後、テトラメチルアンモニウ
ムを含むアルカリ水溶液及び純水で洗浄する半導体製造
方法が記載されている。

【００１２】更にはまた、特開平９−６９５２５号公報
には、Ａｌ合金電極膜の所定のマスク−ドライエッチン
グ後、ＡｌＣｌ₃等の堆積残渣のエッチング反応物を加
熱下でＨ₂Ｏ、アルコール及びオキソ酸等のＯＨ基を含
有するガスで熱化学反応、すなわち加熱加水分解反応さ
せて、２ＡｌＣｌ₃＋３Ｈ₂Ｏ→Ａｌ₂Ｏ₃＋６ＨＣｌの如
く除去する方法が記載されている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】以上のような状況下に
あって、既に上述するように、半導体装置を製造するに
際して、特に、金属電極膜をドライエッチングを介して
成膜することにより、その時のエッチング反応物が、残
渣として基板上に堆積される。従って、既に上述した公
報に記載されている如く、従来からその除去方法が種々
提案されている。

【００１４】また、近年の如く、半導体装置が益々高密
度化、高集積化されて、基板上の構造が一段と複雑化且
つ微細化され、このような微細化構造を損傷させること
なく残渣の堆積物を完全に除去させることは著しく困難
さを伴い、その除去方法も複雑化していく傾向にあるの
が実状である。

【００１５】また、半導体装置の使用目的にもよるが、
金属導電膜用の導電性金属も多々使用されている。その
ため、その残渣堆積物も使用する金属によって性状も異
なり、その金属種として、例えば、アルミニウム、アル
ミニウム合金、タングステン合金、銀、白金、イリジウ
ム等が挙げられる。

【００１６】このような電極膜用の金属膜に対しては、
最適なエッチングガスを選択して使用されるとしても、
その堆積反応物の主成分は、通常、塩化物、フッ化物等
のハロゲン化物塩として堆積される。従って、その堆積
形成物は、その緻密さ、硬さ、溶解性又は側壁面との密
着性等も一様でなく著しく異なっているのが一般的であ
る。

【００１７】その結果、既に上述した公報に提案されて
いる方法も含めて、従来から提案されている他の方法も
含めて、特に、その対象となる堆積物種によって、未だ
十分に満足される除去方法が得られていないのが実状で
ある。

【００１８】そこで、本発明の目的は、基板上に残渣物
として堆積するエッチング反応物を効率よく除去するこ
とができ、その処理方法には、化学的な反応を伴わず、
また、その残渣物を溶解除去するために多量の水等の洗
浄液を使用せずに、比較的に単純な処理方法で効率よく
除去できることを特徴とする半導体装置の製造方法を提
供することである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記する課
題に鑑みて、その課題を解決すべく鋭意検討を行った結
果、微細な構造を有する基板上に堆積した上述する如く
のエッチング反応物に対して、化学反応や、溶解処理等
の手段を伴わずに、物理的な手段を施した後、純水等の
洗浄液で、容易に、効果的に剥離させて除去させること
ができる、除去工程としての前処理方法を見出して、本
発明を完成させるに至った。

【００２０】すなわち、本発明によれば、シリコン基板
上の絶縁膜を層間下地層とし、レジストをパターンマス
クとしてシリカ、ＢＰＳＧ等の層間下地層上に、例え
ば、白金、イリジウム等の金属又はその合金の電極膜を
形成させる。

【００２１】これらの電極膜用の金属をスパッタリング
させた後、レジストを成膜し、次いで、前記パターンマ
スクを介してドライエッチングを行なう。

【００２２】レジストアッシングで金属又は合金の電極
膜上のレジストを除去した後、レジスト層及び電極膜の
側壁面に沿って残渣として堆積したエッチング反応物に
対して、物理的な手段（又は作用）として、ノズルから
の水蒸気に加圧下に曝されることを特徴としている。

【００２３】これによって、エッチング反応物が、効果
的に剥離除去されるが、上述した側壁堆積物のエッチン
グ反応物に対して曝した水蒸気は、加圧下にあって、し
かも、少なくとも加温状態にあることから、水蒸気の浸
透性、膨張性等の物理的な作用が効果的に働いて、堆積
物の側壁面との密着性を低下させ、更には堆積物中にク
ラックを発生させたりして、剥離を容易にさせるものと
思われる。

【００２４】これらの作用効果は、後述する実施例に示
す事実によく符合しており、このような物理的作用を組
合わせることで、基板上に残渣物として堆積したエッチ
ング反応物を容易に剥離除去することができる。

【００２５】また、必要に応じて、この水蒸気の吹き付
け処理後に、純水等の洗浄処理を組合わせることで、容
易に、確実に洗浄液中にこの剥離された堆積物を移行さ
せて除去することができる。また、このように浸透した
水蒸気は、一部が凝結した熱水としても作用し、その溶
解性も加わり、剥離性を高めるものと思われる。

【００２６】また、本発明によれば、上述するノズルか
ら加圧下に水蒸気を吹き付ける工程をレジストアッシン
グする前に、行ってもよく、更にはまた、水蒸気を吹き
付けた後、レジストアッシングを行い、再度加圧下に水
蒸気を吹き付けることができ、また、必要に応じて、同
様に純水等による洗浄処理を組合わせることもできる。

【００２７】これらにより、基板上に残渣物として堆積
したエッチング反応物を完全に除去させて、所定のパタ
ーニングに基づく金属又は合金の電極膜が形成された半
導体装置の製造方法を提供できる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下に、図１〜図５を参照して、
本発明による半導体装置の製造方法の実施形態について
説明する。

【００２９】本発明において、上述した水蒸気の吹き付
け処理をするに際して、好ましくは、レジスト側壁及び
電極膜側壁に残渣物として堆積されているエッチング反
応物の除去室の雰囲気が、例えば、減圧条件下で行われ
るアッシング処理後に連続させて、７．５×１０²Ｔｏ
ｒｒ未満の減圧下にある系に、この減圧系の圧力値を超
える圧力で、７．５×１０²Ｔｏｒｒ未満の圧力の水蒸
気を吹き込むことによって、容易に絶対圧として適宜に
エッチング反応物を加圧の水蒸気下に好適に曝すことが
できる。

【００３０】また、本発明において、上述した水蒸気の
噴霧処理をするに際して、好ましくは、このエッチング
反応物の雰囲気が、常温換算で７．５×１０²Ｔｏｒｒ
の圧力系に（常圧下）、少なくとも１００℃を超えて、
１８０℃以下の温度の水蒸気を吹き込むことも適宜にで
きる。

【００３１】ここで、更に好ましくは、１１０℃を超え
て、１６０℃以下の温度範囲の水蒸気を吹き込むことに
よって、適宜にエッチング反応物を加圧の水蒸気下に好
適に曝すことができる。

【００３２】すなわち、水蒸気温度が１００℃未満では
加圧条件として水蒸気の浸透性が不足し、十分に水蒸気
を堆積物又は側壁面に浸透させることができず、また、
１８０℃を超えてもその割に水蒸気の浸透性を増加させ
られず、剥離効果を高めることはなく、単に熱コスト的
に不利になるだけである。

【００３３】このような物理的手段をエッチング反応物
に施すことによって、従来の処理法では、完全に剥離除
去させることが困難な傾向にあった、例えば、白金、イ
リジウム等を電極膜とする場合においても容易に剥離除
去されるのである。

【００３４】このような対象物となるエッチング反応物
を発生させる導電性の遷移金属又はその合金の電極膜と
して、本発明においては、銀、金及び元素周期律表の白
金族金属元素のＲｅ、Ｔｃ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、
Ｒｈ及びＰｄ等の金属及びその合金を適宜に選んで使用
することができる。また、本発明においては、これらを
単独又は２種以上を積層させた電極膜の場合にも、その
エッチング反応物に対して同様な効果で剥離除去を行え
るものである。

【００３５】また、本発明おいて、上述した水蒸気の吹
き付け処理時に、好ましくは、シリコン基板を回転させ
ることが好適である。この回転によって、剥離を加速さ
せられるし、また、剥離した堆積物の基板上への再堆積
を低減させることができ、その後の水洗浄等を容易にさ
せる。

【００３６】また、本発明において、上述した電極膜を
成膜させる層間下地層が、基板上に形成される絶縁層で
あって、例えば、シリカ、ポリシリコン、窒化シリコ
ン、タングステンシリコン、ＰＳＧ及びＢＰＳＧ等が挙
げられ、この上に成膜される上述した金属又はその合金
の電極膜にとっては、特に絶縁膜種に限定されないが、
密着性の観点から電極膜種と絶縁層種とは、適宜選択し
て使用することが好適である。

【００３７】また、本発明において、必要に応じて、密
着性の観点から、上述した絶縁層の２種以上を積層させ
てもよく、また、絶縁層上にバリアメタル層を設けた
り、更には使用する電極膜金属種の金属酸化物をバリア
層として設けてもよい。

【００３８】このような電極膜の層間下地層の絶縁膜、
バリア層等に影響されることなく、本発明における、既
に上述したエッチング反応物の剥離除去に係わる、水蒸
気の吹き付け処理による作用効果は、何ら影響されるこ
となく発揮される。

【００３９】そこで、以下に本発明を実施例によって説
明するが、本発明は、これらにいささかも限定されるも
のではない。

【００４０】

【実施例】（実施例１）図２（ａ）〜（ｄ）を参照し
て、まず、図２（ａ）に示す如く、シリコン基板上４に
通常の方法で、絶縁層３としてボロン燐酸シリケートガ
ラス（ＢＰＳＧ）を膜厚１０００ｎｍに形成し、次い
で、バリア層としてＩｒＯ₂膜を膜厚５０ｎｍ積層さ
せ、これらの下地層上にＩｒ金属膜を電極膜２として１
５０ｎｍ膜厚で成膜させた。次いで、レジスト膜を形成
後、所定のパターンマスクを介して、下記する条件で、
ドライエッチングを行った。

【００４１】エッチング条件：装置２周波ＲＩＥ、エッ
チング剤Ｃｌ２／Ａｒ＝１０／４０ｓｃｃｍ、圧力＝５
ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー（１３．５６ＭＨｚ）＝６００
Ｗ、ＲＦパワー（４５０ｋＨｚ）＝１２０Ｗ、ウエハ裏
面Ｈｅ圧力＝５Ｔｏｒｒ、下部電極温度＝８０℃。

【００４２】その結果、図２（ａ）に示す如く、レジス
ト１及び電極膜２の側壁にエッチング反応物が残渣物と
して側壁堆積物５が形成された。

【００４３】次いで、図２（ｂ）に示す如く、下記する
条件でアッシングさせてレジスト膜１を除去させた。

【００４４】アッシング条件：アッシング剤Ｏ₂／Ｎ₂＝
１５００／１５０ｓｃｃｍ、圧力＝１．７５Ｔｏｒｒ、
ＲＦパワー（１３．５６ＭＨｚ）＝１０００Ｗ、下部電
極温度＝２５０℃、処理時間＝１８０秒間。

【００４５】次いで、シリコン基板を２００ｒｐｍで回
転させながら、図２（ｃ）に示す如く、水蒸気温度が１
１５℃の加圧水蒸気６を１２５秒間、吹き付けてこの側
壁堆積物５（エッチング反応物）を剥離除去させた。こ
の段階で、堆積物のほとんどが剥離されて、その大部分
が基板上に残されることなく除去されたが、この処理
後、純水で洗浄させて、図２（ｄ）に示す如く、電極膜
２が成膜された半導体装置を得ることができた。

【００４６】（実施例２）実施例１において、電極膜と
してＰｔ膜（膜厚２００ｎｍ）、下地絶縁層ＢＰＳＧ上
にバリアメタルのＴｉ膜（膜厚２０ｎｍ）とした以外
は、実施例１と同様にして、エッチング、アッシング、
水蒸気処理を行って、側壁堆積物５（エッチング反応
物）を完全に剥離除去させることができた。

【００４７】（比較例１）実施例１と同様にして図４
（ａ）に示す如く、レジスト層１と電極膜２の側壁にエ
ッチング反応物の側壁堆積物５を形成させ、次いで、実
施例１と同様の条件でアッシングさせて図４（ｂ）に示
す如く、レジストを除去させた後、この側壁堆積物５を
除去するために、従来から用いられているスクラブ処理
を行った。

【００４８】すなわち、図４（ｂ）に示す検体を２０℃
の純水で４０秒間リンスし、次いでブラシで１２０秒間
ブラッシングを行った。次いで、同様の純水のジェット
水を１２０秒間噴霧させた後、同様の純水で再度リンス
後、乾燥させた。その結果、図４（ｃ）に示す如く、電
極膜２の側壁部の堆積物は全く剥離除去することができ
なかった。

【００４９】（比較例２）実施例１と同様にして図４
（ａ）に示す如く、レジスト層１と電極膜２の側壁にエ
ッチング反応物の側壁堆積物５を形成させ、次いで、実
施例１と同様の条件でアッシングさせて図４（ｂ）に示
す如く、レジストを除去させた後、この側壁堆積物５を
除去するために、Ａｒガスを液体窒素（−１９５℃）で
圧縮固体化させてなるＡｒの氷結体を含むＡｒエアロゾ
ルを洗浄室圧力＝７ｋＰａで、６０秒間処理させたが、
比較例１と同様に図４（ｃ）に示す如く、電極膜２の側
壁部の堆積物を剥離除去することができなかった。

【００５０】（比較例３）実施例１と同様にして図４
（ａ）に示す如く、レジスト層１と電極膜２の側壁にエ
ッチング反応物の側壁堆積物５を形成させ、次いで、Ｔ
ｅｇａｌ社製のエッチャ−インラインリンス処理法で処
理を行った。

【００５１】比較例３として、窒素ガス雰囲気で、基板
を２５０ｒｐｍで回転させ、８０℃の純水でリンス（１
８０秒間）し、次いで、アッシングさせた後、窒素雰囲
気の乾燥下で、１０００〜２０００ｒｐｍ回転処理（６
０秒間）させた後、再度同様の条件でリンスを行った。
その結果、比較例１と同様に図４（ｃ）に示す如く、電
極膜２の側壁部の堆積物を剥離除去することができなか
った。

【００５２】（比較例４）実施例１と同様にして図４
（ａ）に示す如く、レジスト層１と電極膜２の側壁にエ
ッチング反応物の側壁堆積物５を形成させ、次いで、ア
ッシングさせた後、８０℃純水中で超音波洗浄（６０分
間）、また、塩酸水中の超音波洗浄（６０分間）、更に
また、従来から公知のフッ素系化合物を含有するＡｌ用
剥離液中の超音波洗浄（６０分間）を行ったが、何れ
も、図５（ｃ）に示す如く、全く側壁堆積物を剥離除去
させることができなかった。

【００５３】以上から、本発明による加圧下の水蒸気を
側壁堆積物に吹き付けることにより、その水蒸気の浸透
性、熱膨潤性によって、堆積物と側壁間との密着性を弱
めたり、また、堆積物に無数のクラックを発生させる等
の効果が発揮されて、従来の処理では剥離除去が困難で
あった堆積物種に対しても、格段の効果で剥離除去させ
ることができた。

【００５４】

【発明の効果】以上から、本発明によれば、トライエッ
チング時にレジスト及び電極膜の側壁に堆積するハロゲ
ン化金属塩のエッチング反応物に対して、水蒸気を加圧
下に吹き付けることにより、水蒸気の浸透性、膨張性等
の物理的な作用が効果的に働いて、堆積物中にクラック
を発生させたり、側壁面との密着性を低下させたりし
て、側壁からの剥離を効果的に、容易に発揮させること
ができる。

【００５５】また、特に水蒸気と堆積物との化学的な加
熱化学反応を要せずに、従来法では除去が困難であった
対象物であっても、このような物理的な作用効果によっ
て、完全に除去することができることから、微細化、高
密度化された半導体装置の基板上の微細化構造に対し
て、損傷を与えることのない処理方法による半導体装置
の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明におけるレジストアッシング後の加圧水
蒸気の吹き付け処理を表す概略概念図を示す。

【図２】本発明による堆積物を除去する工程からなる半
導体装置の製造工程図を示す。

【図３】本発明による堆積物を除去する別の工程からな
る半導体装置の製造工程図を示す。

【図４】従来法による堆積物を除去する工程の一例を示
す図である。

【図５】従来法による堆積物を除去する工程の他の一例
を示す図である。

【符号の説明】

１レジスト２金属電極膜３絶縁膜（層間下地層）４シリコン基板５エッチング堆積物６加圧水蒸気

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4M104 BB04 BB06 BB07 BB08 BB09 BB14 DD65 DD99 EE14 EE15 EE17 FF16 5F004 AA09 BB13 CA04 DA04 DA23 DB08 DB09 DB12 DB26 EA13 EB02 5F033 HH07 HH13 HH14 HH18 HH35 MM05 MM13 QQ00 QQ08 QQ13 QQ93 RR01 RR06 RR14 RR15 WW03 WW05 XX21 5F046 MA12 MA17 MA18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シリコン基板上の絶縁膜を層間下地層と
し、レジストをパターンマスクとして前記層間下地層上
に遷移金属及びその合金の電極膜をパターン成膜させて
なる半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜上に前記電極膜をスパッタリングさせた後、
レジストを成膜し、次いで、前記レジストのパターンマスクを介してドライ
エッチングを行った後、レジストアッシングを行い、前記レジスト側壁面及び電極膜側壁面に沿って残渣とし
て堆積したエッチング反応物に対して、ノズルから加圧
下に水蒸気を吹き付け、所定のパターニングに基づく前記電極膜を形成させるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】シリコン基板上の絶縁膜を層間下地層と
し、レジストをパターンマスクとして前記層間下地層上
に遷移金属及びその合金の電極膜をパターン成膜させて
なる半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜上に前記電極膜をスパッタリングさせた後、
レジストを成膜し、次いで、前記レジストのパターンマスクを介してドライ
エッチングを行い、前記レジスト側壁面及び前記電極膜側壁面に沿って残渣
として堆積したエッチング反応物に対して、ノズルから
加圧下に水蒸気を吹き付けた後、レジストアッシングを
行い、所定のパターニングに基づく前記電極膜を形成させるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】シリコン基板上の絶縁膜を層間下地層と
し、レジストをパターンマスクとして前記層間下地層上
に電極膜をパターン成膜させてなる半導体装置の製造方
法において、前記絶縁膜上に遷移金属及びその合金の電極膜をスパッ
タリングさせた後、レジストを成膜し、次いで、前記レジストのパターンマスクを介してドライ
エッチングを行い、前記レジスト側壁面及び前記電極膜側壁面に沿って残渣
として堆積したエッチング反応物に対して、ノズルから
加圧下に水蒸気を吹き付けた後、レジストアッシングを
行い再度前記する水蒸気を吹き付けて、所定のパターニングに基づく前記電極膜を形成させるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記エッチング反応物の除去室の雰囲気
が、大気圧以下にあって、前記ノズルからの水蒸気の圧
力が、前記エッチング反応物の除去室の雰囲気圧力より
も大きいことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載
の半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記エッチング反応物の除去室の雰囲気
が、大気圧にあって、前記ノズルからの水蒸気の温度
が、１００℃を超えて、１８０℃以下であることを特徴
とする請求項１〜３の何れかに記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項６】前記電極膜が、銀、金及び元素周期律表の
白金族金属群から選ばれた少なくとも１種の遷移金属及
びその合金であることを特徴とする請求項１〜５の何れ
かに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】前記水蒸気の噴霧処理時に、シリコン基板
を回転させることを特徴とする請求項１〜６の何れかに
記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】前記絶縁膜の層間下地層が、シリカ、ポリ
シリコン、窒化シリコン、タングステンシリコン、ＳＰ
Ｇ及びＢＳＰＧ群から選ばれる少なくとも１種であるこ
とを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の半導体装
置の製造方法。
【請求項９】前記絶縁膜の層間下地層上に設けるバリア
メタル層上に、前記電極膜を成膜することを特徴とする
請求項１〜８の何れかに記載の半導体装置の製造方法。