CN1719634A - 氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种氮化物系化合物半导体发光元件，其包括：支承衬底(11)、形成于该支承衬底(11)上的第一欧姆电极(12)、形成于该第一欧姆电极(12)上的粘接用金属层(20)、形成于该粘接用金属层(20)上的第二欧姆电极(13)、形成于该第二欧姆电极(13)上的氮化物系化合物半导体层(30)、形成于该半导体层(30)的大致整个上面的透明电极(17)、形成于该支承衬底(11)的背面的欧姆电极(14)。
Description
技术领域
本发明涉及能够在蓝色区至紫外区发光的氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法，特别是涉及被粘着导电性衬底的氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法。
背景技术
氮化物系化合物半导体例如由InxGayAlzN(其中，x+y+z＝1，0≤x＜1，0＜y≤1，0≤z＜1)表示，其具有大能量带隙和高的热稳定性，另外，通过调节其组成可控制带隙宽度。因此，期待氮化物系化合物半导体可作为应用于以发光元件、高温器件为首的各种半导体器件的材料。
其中，使用氮化物系化合物半导体的发光二极管中，已开发实用化有在从蓝色到绿色的光波长区域具有数cd级的亮度的器件。另外，作为对大容量光盘介质的拾取用光源使用氮化物系化合物半导体的激光二极管的实用化正成为研究开发的目标。
特开平09-008403号公报中公开有这样的激光和发光二极管的元件结构。具体地说，如图5所示，具有如下结构：在形成有正电极107的导电性衬底100上形成第一欧姆电极102和第二欧姆电极101，在其之上依次层积氮化镓系半导体的P型层103、活性层104及N型层105，在其之上形成负电极106。在此，上述第一欧姆电极102与第二欧姆电极101加热压接。
在特开平09-008403号公报所记载的现有技术中，在导电性衬底上形成欧姆电极，使用加热压接接合等方法将氮化镓系半导体层接合。
但是，由于导电性衬底与欧姆电极的密接性差，而存在导电性衬底从欧姆电极剥离的问题。若导电性衬底与欧姆电极完全剥离开，不能除去蓝宝石衬底，由此，不能形成发光元件。另外，若局部剥离掉，则电流不能从氮化镓系半导体层顺畅地流向导电性衬底，工作电压增大，由此，存在使发光元件的可靠性恶化的问题。
进而，上述局部剥离时，在过程中渗入溶剂、抗蚀剂、蚀刻液，例如在灯泡发光元件的情况下，树脂和水分等从剥离过的部分进入，使剥离扩大，另外破坏欧姆电极。由此，发光元件的可靠性恶化。
另外，将Au引线接合在衬垫电极上时，导电性衬底与它上面的欧姆电极的密接性差，则存在在导电性衬底与欧姆电极之间产生剥离，并且工作电压上升的问题。
发明内容
本发明是为解决上述现有技术问题而研发的，其目的在于提供一种使导电性衬底与欧姆电极的密合性良好、可靠性高的氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法。
本发明的氮化物系化合物半导体发光元件包括：支承衬底；形成于该支承衬底上的第一欧姆电极；形成于该第一欧姆电极上的粘接用金属层；形成于该粘接用金属层上的第二欧姆电极；形成于该第二欧姆电极上的氮化物系化合物半导体层；形成于该半导体层大致整个上面上的透明电极；形成于上述支承基部的背面的欧姆电极。
理想的是，上述氮化物系化合物半导体层从支承衬底侧至少依次层积P型层、发光层及N型层。
理想的是，上述支承衬底是导电性的，并且由Si、GaAs或GaP中的任意一种或多种构成，该支承衬底的电阻率在10Ωcm～10-4Ωcm。
理想的是，上述支承衬底是导电性的，并且由CuW、CuAg或C μMo中的任意一种或多种构成，该支承衬底的导热率在1.5W/cm·k～2.5W/cm·k的范围内。
理想的是，上述粘接用金属层是两层或两层以上，这些两层或两层以上的金属层由互不相同的材料或相同材料形成。
理想的是，上述粘接用金属层由Au、Sn、Au-Sn或Au-Ge中任意一种金属构成。
理想的是，在上述粘接用金属层两层或两层以上时，其由Au、Sn、Au-Sn或Au-Ge中不同的两种或两种以上的金属构成。
理想的是，用于反射来自上述发光层的光的反射层形成于上述第二欧姆电极和上述粘接用金属层之间。
理想的是，上述第二欧姆电极的层厚在1nm～15nm的范围内。
理想的是，上述氮化物系化合物半导体层层积形成于蓝宝石、尖晶(スピネル)石或铌酸锂(ニオブ酸)的任意一种绝缘性衬底上，或碳化硅、硅、氧化亚铅或镓砒素的任意一种导电性衬底上。
理想的是，上述绝缘性衬底或上述导电性衬底能够通过研削并研磨或激光剥离法而进行除去。
本发明另一方面的氮化物系化合物半导体的制造方法包括：在衬底上层积形成氮化物系化合物半导体层的工序；在该氮化物系化合物半导体层上形成第二欧姆电极的工序；在该第二欧姆电极之上形成第二粘接用金属层的工序；在支承衬底上形成第一欧姆电极的工序；在该第一欧姆电极上形成第一粘接用金属层的工序；接合上述第一粘接用金属层和上述第二粘接用金属层的工序；除去上述衬底使上述氮化物系化合物半导体层的表面露出的工序；在该露出的表面上形成透明电极的工序。
理想的是，在上述衬底上层积形成氮化物系化合物半导体层的工序中包含从衬底侧至少依次层积形成N型层、发光层及P型层的工序。
理想的是，在形成上述第二欧姆电极的工序和形成上述第二粘接用金属层的工序之间具有在上述第二欧姆电极上形成反射层的工序，上述第二粘接用金属层形成的工序是在该反射层上形成该第二粘接用金属层的工序。
理想的是，该制造方法还包括：除去上述氮化物系化合物半导体层的一部分而使上述第二欧姆电极露出的工序；在该露出的金属表面照射激光的工序；在照射有激光的部分上从支承衬底的背面侧形成划线的工序；沿该划线进行分割的工序。
根据本发明的氮化物系化合物半导体及其制造方法，由于通过粘接用金属层来防止短路，工序中的成品率提高。另外，由于能够降低元件的漏电流，故可靠性也良好。另外，能够在衬底除去中将氮化物系化合物半导体层的P型层进行P型化，故不需要热处理工序，使工序简略化。
通过与参照附图所理解的本发明相关的详细说明，可明了本发明的上述及其他目的、特征、方式以及优点。
附图说明
图1是本发明的氮化物系化合物半导体的示意剖面图；
图2是本发明的氮化物系化合物半导体的具体例的示意剖面图；
图3是本发明的氮化物系化合物半导体的具体例的示意剖面图；
图4是用于说明除去本发明的氮化物系化合物半导体发光元件的衬底的工序的示意剖面图；
图5是现有的化合物半导体发光元件的示意剖面图。
具体实施方式
本发明的氮化物系化合物半导体发光元件包括：支承衬底；形成于该支承衬底上的第一欧姆电极；形成于该第一欧姆电极上的粘接用金属层；形成于该粘接用金属层上的第二欧姆电极；形成于该第二欧姆电极上的氮化物系化合物半导体层；形成于该半导体层大致整个上面上的透明电极；形成于上述支承基部的背面的欧姆电极。特别是以形成粘接用金属层为特征。
这样，可通过在第一欧姆电极和第二欧姆电极之间形成粘接用金属层，能够防止欧姆电极的剥离，得到可靠性高的发光元件。
以下参照附图详细说明本发明。图1是本发明的氮化物系化合物半导体发光元件的示意剖面图。本发明的氮化物系化合物半导体发光元件在支承衬底11上形成第一欧姆电极12，在该第一欧姆电极12上形成粘接用金属层20，在该粘接用金属层20之上形成第二欧姆电极13，在该第二欧姆电极13上形成氮化物系化合物半导体层30，在该氮化物系化合物半导体层30上形成透明电极17，在该透明电极17上形成垫片电极18。在此，理想的是在粘接用金属层20与第二欧姆电极13之间形成反射金属层19。
另外，理想的是，在上述图1的氮化物系化合物半导体发光元件中，在支承衬底11的背面，如图2所示还形成欧姆电极14，在垫片电极18上形成接合引线10。
本发明中，粘接用金属层20形成两层或两层以上为好。此时，如图2所示，例如能够由第一粘接用金属层21和第二粘接用金属层22构成。
另外，本发明中，氮化物系化合物半导体层30如图2所示，从支承衬底侧依次形成P型层33、发光层32以及N型层31，其作为发光元件而起作用。
本发明中，作为支承衬底11，能够使用CuW、CuAg或CμMo等。此时，该支承衬底的热传导性在小于或等于2.5W/cm·k的范围内为好。如果超过2.5W/cm·k，则存在在发光元件上流动大电流时产生热并且发光元件的可靠性恶化的问题。进而，1.5W/cm·k附近的CuW、CuAg或CμMo等材料更加理想。
另外，在本发明中支承衬底11能够使用Si、GaAs或GaP等。此时，该支承衬底的电阻率在小于或等于10Ωcm且大于或等于10-4Ωcm的范围内为好。制作不到10-4Ωcm的衬底是困难的，而如果超过10Ωcm，则会产生如下问题：与欧姆电极的欧姆性恶化，使此时的电压上升，使发光元件的驱动电压上升。进而，在大于或等于10-3Ωcm且小于或等于10-2Ωcm的范围内更加理想。
另外，支承衬底的厚度大于或等于50μm且小于或等于500μm为好。超过500μm，则芯片分割时恐怕会产生困难；不到50μm时，则芯片处理等有困难。
本发明中，第一欧姆电极能够使用Al、Cr、Ti、In、Ti-Al，但并不限定于此。
如后所述，本发明的粘接用金属层，是用于使第二欧姆电极与第一欧姆电极的粘接性良好。这样的粘接用金属层能够使用Au、Sn、Au-Sn或Au-Ge中任意一种。另外，粘接用金属层是两层或两层以上时，各层可以相同也可以不同，能够适当组合使用上述材料中相同的材料或不同的材料。
在此，所谓粘接用金属层是两层或两层以上的情况例如在粘接用金属层的形成过程中，预先形成在第一欧姆电极上形成的第一粘接用金属层和在第二欧姆电极上形成的第二粘接用金属层，通过将这两个粘接用金属层接合而形成两层的情况等。
本发明中，第二欧姆电极能够使用Pd、Ni、Ni-Au，但并不限定于此。另外，第二欧姆电极的厚度在大于或等于1nm且小于或等于15nm的范围内为好。这是因为超过15nm，则存在发光的透射减少的问题；不到1nm，则存在欧姆性接触恶化的问题。
本发明中，氮化物系化合物半导体能够发出蓝色区～紫外区的光。这样的氮化物系化合物半导体例如InxAlyGa1-x-y(0≤x，0≤y，x+y≤1)，但并不限定于此。另外，本发明的氮化物系化合物半导体层从衬底侧形成N型层、发光层和P型层。N型层、发光层以及P型层的制作方法可使用本领域公知的方法，例如MOCVD法、MBE法等。
另外，在本发明中，氮化物系化合物半导体层在与第一欧姆电极接合之前，预先层积形成N型层、发光层以及P型层为好。即，如图3所示，在衬底35上依次层积生长缓冲层36、N型层31、发光层32以及P型层33，形成有氮化物系化合物半导体层。然后，在P型层上利用蒸镀法等依次形成第二欧姆电极13、反射层19、势垒层15、第二粘接用金属层22。然后，将第二粘接用金属层22与第一粘接用金属层21接合。
上述衬底能够使用蓝宝石、尖晶石或铌酸锂等绝缘性衬底，或碳化硅、硅、氧化亚铅或镓砒素等导电性衬底。另外，这样的衬底能够能够通过研削并且研磨或者激光剥离法进行除去。
上述反射层用于将来自发光层的光向上方反射。该反射层能够使用在Ag、Al、Ag中混入稀土类(例如Nd等)的材料，但不限于此。
上述势垒层用于防止粘接用金属进入反射层。该势垒层可使用Mo、Ni、Ti、Ni-Ti材料，但不限于此。另外，势垒层的厚度可形成大于或等于5nm。这是因为若不到5nm则会产生如下问题：势垒层厚度不均，出现不形成层的区域，粘接金属进入发射层。
本发明中，透明电极可使用Pd、Ni、Ni-Au，其厚度可设为大于或等于1nm且小于或等于15nm。这是因为，超过15nm存在发光不向上方透射的问题；而不到1nm则存在欧姆性接触恶化的问题。另外，还可以使用ITO等透明导电体膜。
接下来说明本发明的氮化物系化合物半导体发光元件的制作方法。本发明的氮化物系化合物半导体发光元件的制造方法包括：在衬底上层积形成氮化物系化合物半导体层的工序；在该氮化物系化合物半导体层上形成第二欧姆电极的工序；在该第二欧姆电极之上形成第二粘接用金属层的工序；在支承衬底上形成第一欧姆电极的工序；在该第一欧姆电极上形成第一粘接用金属层的工序；将上述第一粘接用金属层与上述第二粘接用金属层接合的工序；除去上述衬底而使上述氮化物系化合物半导体层的表面露出的工序；在该露出的表面上形成透明电极的工序。
本发明的制造方法，如上所述，其特征在于，在衬底上预先形成氮化物系化合物半导体层、第二欧姆电极以及第二粘接用金属层，将其与支承衬底侧的结构、即含有支承衬底、第一欧姆电极以及第一粘接用金属层的结构相组合。
由此，能够在元件的上下形成电极，通过粘接用金属层将二者接合，因此，欧姆电极不发生剥离，粘接性也得良好，所得到的发光元件的可靠性提高。
本发明的制造方法中，在支承衬底上形成第一欧姆电极、第一粘接用金属层时能够使用电子束蒸镀法(EB法)、溅射法、电阻加热蒸镀法。另外，在氮化物系化合物半导体层上形成第二欧姆电极的工序中也能够使用上述EB法等。
另外，本发明的制造方法中，将第一粘接用金属层与第二粘接用金属层接合时可以使用共晶接合法。此时，可根据所使用的材料适当设定温度及压力。
本发明的制造方法中，除去氮化物系化合物半导体的一部分而使第二欧姆电极露出的工序，例如可使用RIE来进行。另外，在该露出的表面上照射激光的工序可利用照射激光波长355nm或1064nm的激光的方法来进行。在照射有激光的部分上从支承衬底的背面侧形成划线的工序，可使用红外线透射型划线装置通过与照射激光而形成的槽相对向的划线形成方法来进行。另外，沿划线进行分割的工序可通过断裂的方法来进行。
以下列举实施例详细说明本发明，但本发明不限定于此。
(实施例1)
在作为支承衬底11的Si衬底上由电子束蒸镀法(EB法)依次形成作为第一欧姆电极12的Ti(15nm)/Al(150nm)层，以使作为第一粘接用金属层21的Au(3μm)层。
然后，作为衬底35，在蓝宝石衬底上依次生长缓冲层36、N型氮化物系化合物半导体层31、发光层32、P型氮化物系化合物半导体层33。在此，使用MOCVD法(有机金属气相生长法)来制作。另外，依次层积形成厚度20nm的GaN缓冲层作为缓冲层36、厚度7μm的N型氮化物系化合物半导体层31、厚度50nm的MQW发光层作为发光层32以及厚度200μm的P型氮化物系化合物半导体层33。
然后，在上述P型氮化物系化合物半导体层33上蒸镀形成第二欧姆电极13、反射金属层19、势垒金属层15以及第二粘接用金属层22。具体地说，从P型氮化物系化合物半导体层33侧依次以3nm的厚度形成Pd作为第二欧姆电极13，以150nm的厚度形成Ag作为反射金属层19，以50nm的厚度形成Mo作为势垒金属层15，分别以100nm及3μm的厚度形成Au及AuSn作为第二粘接用金属层22。该形成由EB法蒸镀形成。在此，AuSn的Sn为20％质量。
接着，将上述第一粘接用金属层21与P型氮化物系化合物半导体层33上的第二粘接用金属22接合。具体地说，使Au与AuSn相对，使用共晶接合法以290℃的温度、200N/cm2的压力进行粘着。
之后，如图4所示，除去作为上述衬底35的蓝宝石衬底。具体地说，从蓝宝石衬底侧照射图4箭头所示的YAG-THG激光(波长355nm)，使蓝宝石衬底、GaN缓冲层36以及N型氮化物系化合物半导体层31局部热分解，以此除去蓝宝石衬底。
在除去了上述蓝宝石衬底而露出的N型氮化物系化合物半导体层31上在透明电极17(以厚度150nm形成ITO)与透明电极17的大致中心形成接合焊盘18。在该接合焊盘18上作为接合引线10接合有Au引线。由此，完成发光元件的制造工序。
然后，使用RIE槽形状地除去在上述工序中制作的氮化物系化合物半导体层，使第二欧姆电极露出，通过在上述露出的金属表面照射上述激光而形成贯通上述金属层到达支承衬底的槽(深20μm、宽15μm)。之后，相对上述激光照射部从支承衬底的背面侧形成划线(分割线)，沿上述划线进行分割，以此而芯片化。
如上所述制作的本发明的氮化物系化合物半导体发光元件，由于为了在使用Si材料的支承衬底上形成膜厚较厚的N型氮化物系化合物半导体层、发光层以及P型氮化物系化合物半导体层，而利用粘接用金属层防止短路，故工序中的成品率提高，另外，因为可降低元件的漏电流，而能够制作可靠性良好的氮化物系化合物半导体发光元件。另外，为了将P型氮化物系化合物半导体层P型化以往需要进行热处理，而本发明能够在除去蓝宝石衬底中照射激光期间进行P型化，不需要热处理工序，进而使工序简略化。
(实施例2)
在作为支承衬底11的CuW衬底上由电子束蒸镀法(EB法)依次形成作为第一欧姆电极12的Ti(15nm)/Al(150nm)层作为第一粘接用金属层21的Au(3μm)层。
然后，作为衬底35在蓝宝石衬底上依次生长缓冲层36、N型氮化物系化合物半导体层31、发光层32、P型氮化物系化合物半导体层33。在此，使用MOCVD法(有机金属气相生长法)来制作。另外，依次层积形成厚度20nm的GaN缓冲层作为缓冲层36、厚度5μm的N型氮化物系化合物半导体层31、厚度50nm的MQW发光层作为发光层32以及厚度200nm的P型氮化物系化合物半导体层33。
然后，在上述P型氮化物系化合物半导体层33上蒸镀形成第二欧姆电极13、反射金属层19、势垒金属层15以及第二粘接用金属层22。具体地说，从P型氮化物系化合物半导体层33侧依次以3nm的厚度形成Pd作为第二欧姆电极13，以150nm的厚度形成Ag-Nd作为反射金属层19，以50nm的厚度形成Ni-Ti作为势垒金属层15，以3μm的厚度形成AuSn作为第二粘接用金属层22。该形成由EB法蒸镀形成。
接着，将上述第一粘接用金属层21与P型氮化物系化合物半导体层33上的第二粘接用金属22接合。具体地说，使Au与AuSn相对，使用共晶接合法以320℃的温度、200N/cm2的压力进行粘着。
之后，如图4所示，除去作为上述衬底35的蓝宝石衬底。具体地说，从蓝宝石衬底侧照射图4箭头所示的YAG-THG激光(波长355nm)，使蓝宝石衬底、GaN缓冲层36以及N型氮化物系化合物半导体层31局部热分解，以此除去蓝宝石衬底。
在除去了上述蓝宝石衬底而露出的N型氮化物系化合物半导体层31上在透明电极17(以厚度150nm形成ITO)与透明电极17的大致中心形成接合焊盘18。在该接合焊盘18上作为引线接合10接合有Au引线。由此，完成发光元件的制造工序。
然后，使用RIE槽形状地除去在上述工序中制作的氮化物系化合物半导体层，使第二欧姆电极露出，通过在上述露出的金属表面照射上述激光而形成通过上述金属层到达支承衬底的槽(深20μm、宽15μm)。之后，相对上述激光照射部从支承衬底的背面侧形成划线(分割线)，沿上述划线进行分割，以此而芯片化。
如上所述制作的本发明的氮化物系化合物半导体发光元件，代替Si使用导热率良好的CuW作为支承衬底。CuW、CuAg、CuMo等由于热传导良好，可以在从该支承衬底的相反侧照射激光而剥离蓝宝石衬底时，能够使激光照射所产生的热量高效地逃逸，因此具有由激光照射引起的对发光层的热损伤减少的优点。另外，与实施例1相同，为了将P型氮化物系化合物半导体层P型化以往需要进行热处理，而本发明能够在除去蓝宝石衬底中照射激光期间进行P型化，不需要热处理工序，进而使工序简略化。另外，由于热量的发散良好，能够流过大电流，故能够形成高输出的氮化物系化合物半导体发光元件。
以上详细地说明了本发明，但其只是示例并不进行限定，可以明了本发明的精神和范围只由所述的权利要求来限定。
Claims (15)
1.一种氮化物系化合物半导体发光元件，其包括：支承衬底(11)、形成于该支承衬底(11)上的第一欧姆电极(12)、形成于该第一欧姆电极(12)上的粘接用金属层(20)、形成于该粘接用金属层(20)上的第二欧姆电极(13)、形成于该第二欧姆电极(13)上的氮化物系化合物半导体层(30)、形成于该半导体层(30)的大致整个上面的透明电极(17)、形成于上述支承衬底(11)的背面的欧姆电极(14)。
2.如权利要求1所述的氮化物系化合物半导体发光元件，其特征在于，上述氮化物系化合物半导体层(30)从支承衬底(11)侧至少依次层积有P型层(33)、发光层(32)以及N型层(31)。
3.如权利要求2所述的氮化物系化合物半导体发光元件，其特征在于，用于反射来自上述发光层(32)的光的反射层(19)形成于上述第二欧姆电极(13)与上述粘接用金属层(20)之间。
4.如权利要求1所述的氮化物系化合物半导体发光元件，其特征在于，上述支承衬底(11)是导电性的，并且由Si、GaAs或GaP中的任意一种或多种构成，该支承衬底(11)的电阻率在10-4Ωcm～10Ωcm的范围内。
5.如权利要求1所述的氮化物系化合物半导体发光元件，其特征在于，上述支承衬底(11)是导电性的，并且由CuW、CuAg或CμMo中的任意一种或多种构成，该支承衬底(11)的导热率在1.5W/cm·k～2.5W/cm·k的范围内。
6.如权利要求1所述的氮化物系化合物半导体发光元件，其特征在于，上述粘接用金属层(20)是两层或两层以上，这些两层或两层以上的各层由互不相同的材料或相同材料构成。
7.如权利要求6所述的氮化物系化合物半导体发光元件，其特征在于，上述粘接用金属层(20)是两层或两层以上时，由Au、Sn、Au-Sn或Au-Ge不同的两种或两种以上的金属构成。
8.如权利要求1所述的氮化物系化合物半导体发光元件，其特征在于，上述粘接用金属层(20)由Au、Sn、Au-Sn或Au-Ge中的任意一种金属构成。
9.如权利要求1所述的氮化物系化合物半导体发光元件，其特征在于，上述第二欧姆电极(13)的层厚在1nm～15nm的范围内。
10.如权利要求1所述的氮化物系化合物半导体发光元件，其特征在于，上述氮化物系化合物半导体层(30)层积形成在蓝宝石、尖晶石或铌酸锂中任意一种绝缘性衬底上，或碳化硅、硅、氧化亚铅或镓砒素中任意一种导电性衬底上。
11.如权利要求10所述的氮化物系化合物半导体发光元件，其特征在于，上述绝缘性衬底或上述导电性衬底能够通过研削和研磨或激光剥离法进行除去。
12.一种氮化物系化合物半导体的制造方法，其包括：在衬底上层积形成氮化物系化合物半导体层(30)的工序；在该氮化物系化合物半导体层(30)上形成第二欧姆电极(13)的工序；在该第二欧姆电极(13)之上形成第二粘接用金属层(22)的工序；在支承衬底(11)上形成第一欧姆电极(12)的工序；在该第一欧姆电极(12)上形成第一粘接用金属层(21)的工序；接合上述第一粘接用金属层和上述第二粘接用金属层的工序；除去上述衬底使上述氮化物系化合物半导体层(30)的表面露出的工序；在该露出的表面上形成透明电极(17)的工序。
13.如权利要求12所述的氮化物系化合物半导体发光元件的制作方法，其特征在于，在上述衬底上层积形成氮化物系化合物半导体层(30)的工序包括从衬底侧至少依次层积形成N型层(31)、发光层(32)以及P型层(33)的工序。
14.如权利要求12所述的氮化物系化合物半导体发光元件的制作方法，其特征在于，在形成上述第二欧姆电极(13)的工序与形成上述第二粘接用金属层的工序之间，包括在上述第二欧姆电极(13)上形成反射层(19)的工序，形成上述第二粘接用金属层(22)的工序是在该反射层(19)上形成该第二粘接用金属层的工序。
15.如权利要求12所述的氮化物系化合物半导体发光元件的制作方法，其特征在于，还包括：除去上述氮化物系化合物半导体层(30)的一部分使上述第二欧姆电极(13)露出的工序；在该露出的表面照射激光的工序；在照射激光的部分上从支承衬底(11)的一侧形成划线的工序；沿该划线进行分割的工序。
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