JP5621106B2 - 半導体発光素子及び半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光素子及び半導体発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5621106B2 JP5621106B2 JP2013084385A JP2013084385A JP5621106B2 JP 5621106 B2 JP5621106 B2 JP 5621106B2 JP 2013084385 A JP2013084385 A JP 2013084385A JP 2013084385 A JP2013084385 A JP 2013084385A JP 5621106 B2 JP5621106 B2 JP 5621106B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- semiconductor
- semiconductor layer
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 147
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 81
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 30
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 5
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Description
面に、下層より順に接着金属層、コンタクトメタル(接合金属層)、半導体層(下層より
順にコンタクト層、下部電流拡散層、発光層、上部電流拡散層、コンタクト層)が積層さ
れ、半導体層上にボンディングパットが配設されて構成されている(例えば、特許文献1
参照。)。
クト層、下部電流拡散層、発光層、上部電流拡散層、コンタクト層をエピタキシャル成長
させた半導体層と基板とを、接合金属層及び接着金属層を介して貼り合わした後に、Ga
As系基板を除去し、上部電流拡散層に接続されたコンタクト層上にボンディングパット
を形成し、基板の裏面に裏面電極を形成する方法が知られている(例えば、特許文献1参
照。)。
に分離する。分離する際に上方に向かう機械的な力が半導体層などにかかる結果、半導体
層などに損傷や膜剥がれが生じる可能性がある。例えば半導体層に損傷が生じると、半導
体発光素子の発光面積が減少し、発光効率が低下する場合がある。
成されたGaAs層から、素子境界の近傍のエピタキシャルGaAs層を選択的に除去し
、ダイシングストリートを形成する方法が知られている(例えば、特許文献2参照。)。
に分離する前に、ダイシングストリートを形成し、半導体層の表面や接合金属層の側面な
どにパッシベーション膜を形成したとしても、依然としてチップ形状の半導体発光素子に
分離する際に上方に向かう機械的な力がパッシベーション膜などにかかる結果、接合金属
層側面のパッシベーション膜の膜剥がれが生じる可能性がある。その結果、接合金属層の
側面が露出し、腐食する可能性がある。
る。
面上に配設された第1電極と、前記半導体層の前記一面と対向する他面側に配設された接
合金属層と、前記接合金属層を覆設し、前記半導体層の前記他面と接合された接着金属層
と、前記接着金属層と接合され、第2電極が配設された基板と、を備えることを特徴とす
る。
続された第1導電部と、前記第2電極と接続された第2導電部と、前記半導体発光素子を
覆設する蛍光体部とを備えることを特徴とする。
提供できる。
全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。また、図面の寸法比率は、図
示の比率に限定されるものではない。
[半導体発光素子の構成]
本発明の一実施形態における半導体発光素子の構成について、図1を用いて説明する。
半導体発光素子100は、発光層を含む半導体層10と、半導体層10に接着金属層11
,12を介して貼り合わされた基板13と、半導体層10及び接着金属層11で覆われた
接合金属14等を備える。なお、この半導体発光素子100において、後述する発光層2
2で発光した光は、基板13とは反対側の、図1において上側から取り出される。
半導体層10は、下層より順に第2コンタクト層20、第2電流拡散層21、発光層2
2、第1電流拡散層23、第1コンタクト層24を積層して構成されている。ここでは、
発光層22に、クラッド層、超格子層等を含む構造としてもよい。なお、電流拡散層21
,23をコンタクト層20,24または発光層22のクラッド層に含まれる構造としても
よい。この半導体層10には、所定の間隔を隔てて形成されるように例えばエッチング加
工を行う。形成された所定の間隔が、ダイシングストリートとなる。
。同様に、第1コンタクト層24と主面電極(第1電極ともいう)15の界面は、オーミ
ック性のコンタクトを有する。
/InGaAlPやInGaN/GaN/AlGaNの多重量子井戸構造(MQWともい
う)を用いることができる。また、第2電流拡散層21及び第1電流拡散層23として、
例えばInGaAlPやGaNを用いる。この第2電流拡散層21及び第1電流拡散層2
3は、主面電極15又は裏面電極(第2電極ともいう)17を介して供給される電流を面
方向に拡散させる機能を有する。第1コンタクト層24及び第2コンタクト層20として
、例えばGaAsを用いる。または、クラッド層としてAlGaN、発光層としてAlG
aN/AlInGaNの多重量子井戸構造を用い、第1コンタクト層24及び第2コンタ
クト層20として、GaNを用いることもできる。
いてもよい。
基板13は、主面電極15と裏面電極17の間の導通を確保するため導電性を有する。
例えば、基板13として、シリコン基板を用いる。なお、基板13の材料として、Ge、
InP、GaP、GaAs、GaN、SiCを用いてもよい。また、基板13主面に接着
金属層12が形成されており、裏面(主面に対向する面)には裏面電極17が形成されて
いる。
接合金属層14として、例えば金属Ag層を用いる。金属Ag層は光の反射率が高く、
発光層22で発光した光を上方に反射させる反射膜の役割も兼ねる。
れており、半導体層10と接着金属層11で覆われるように形成される。ここで、図1に
示すように、接合金属層14は、基板13側における半導体層10表面からはみ出さずに
形成されている。言い換えれば、基板13側における半導体層10の表面が、接合金属層
14だけでなく、接着金属層11とも接触している。
。接着金属層11として、例えば基板13側の表面から順にAu層、Pt層、Ti層、N
i層を積層した層を用いる。このNi層はドライエッチングのストッパー膜としての役割
を担う。また、半導体層10側の接着金属層11と半導体層10の間にストッパー膜とし
ての役割を担うNi層を形成してもよい。Ni層の代わりに、例えばシリコンの酸化物を
含む層、シリコンの窒化物を含む層、シリコンの酸窒化物を含む層などを用いてもよい。
の形状を用いてもよい。例えば、接合金属層14が半導体層10に埋め込まれた形状でも
よい。
次に、本実施形態の半導体発光素子の製造方法のうち、チップ形状の半導体発光素子に
分離する前までの製造方法について、図2及び図3の工程図を用いて説明する。なお、図
2及び図3では、半導体層10a,10b,10c,10d,10eの構造を省略して示
した。
層10aをエピキャピタル成長させて形成する。基礎基板20として、例えばInGaA
lP系発光素子の場合にはGaAsを用いる。また、GaN系発光素子の場合には、サフ
ァイアやGaN、SiCなどを用いる。
を塗布し、光リソグラフィー技術により半導体層10aが所定の間隔を隔てて形成される
よう所望のレジストパターンを形成する。この後に、このレジストパターンをマスクとし
て半導体層10aをドライエッチングにより加工し、半導体層10bが形成される。
に用いる材料で例えばレジストリフトオフ法により、蒸着で、接合金属層14を形成する
。熱処理により半導体層10bと接合金属層14の界面は、オーミックコンタクトを有す
る。
基礎基板20と接触する面と対向する面10cの一部は露出する。
上に接着金属層11に用いる材料で例えばレジストリフトオフ法により、接着金属層11
を形成する。このとき、接着金属層11は、接合金属層14全面を被覆する形状となる。
なお、接着金属層11は、接合金属層14上に形成されるため、接合金属層14の段差が
反映された形状となる。また、接着金属層11の形成後に、半導体層10b表面のうち、
基礎基板20と接触する面と対向する面10cの一部が露出してもよい。
金属層11と貼り合わせ、接着する。具体的には、接着金属層11,12同士を圧接させ
た状態で加熱して接着する。半導体層10aのエピタキシャル成長に用いる基礎基板20
を例えばウェットエッチング、レーザリフトオフ法により除去する。
除去する時に生じるダメージ部分を除去して発光特性の低下を防止するとともに、後述す
る絶縁膜16を半導体層10上に形成しやすくするためである。
ジスト31を例えば熱処理などにより形成する。この形状は、半導体層10dに後述する
ドライエッチングをした時に、接着金属層11表面及び半導体層10のみが露出されるよ
うな形状とする。
スト31を後退させつつ、半導体層10に対してドライエッチングを行う。これにより、
図3(b)の下方から上方に向かって半導体層10の幅が小さくなるテーパ形状の半導体
層10eを形成する。フォトレジストの形状が図3(a)に示す形状の場合は、図3(b
)に示すように、ドライエッチングした後に、側壁膜10fが残存する。半導体層10e
を形成後に、フォトレジスト31をアッシングまたは有機溶剤により、除去する。
することによって、側壁膜10fが残らない形状にすることもできる。また、半導体層1
0eの形状は、テーパ形状に限定されることなく、他の形状(例えば、垂直形状)であっ
てもよい。また、発光の取り出し向上のため、適宜半導体層10e側面に加工を施しても
よい。
により露出した接着金属層11上に、例えばCVD法又は塗布法により、発光する波長に
対して透明な絶縁膜16を形成する。この絶縁膜16は、半導体層10表面の保護膜とし
ての機能を有すると同時に、絶縁膜16の屈折率や膜厚を設定することで、光取り出し向
上に寄与する機能を有する。
開口するための所望のレジストパターンをマスクとして、保護膜16を加工し、半導体層
10e上面の開口部に主面電極15に用いる材料を埋め込み、主面電極15を形成する。
ため凹凸に加工してもよい。この場合は、絶縁膜16を形成する前に半導体層10eを加
工してから絶縁膜16を形成してもよく、絶縁膜16を形成した後に半導体層10e上面
に形成された絶縁膜16を開口し加工してもよい。
次に、前述した半導体発光素子を搭載した半導体発光装置について図4を用いて説明す
る。以下、「砲弾型」などと呼ばれる樹脂封止型の半導体発光装置を例として説明する。
4、光透過性の樹脂105等を備える。
103の底面に導電性ペーストなどによりマウントされている。これにより、半導体発光
素子100の裏面電極17とリード101が接続される。
04により電気的に接続されている。カップ部103の内壁面103aには、光反射面を
構成し、半導体発光素子100から放出された光を反射して上方に取り出すことができる
。
出し面105aは集光曲面を形成し、半導体発光素子101から放出される光を適宜集光
させて所定の配光分布が得られるようにすることができる。
層106を配設する。これにより、半導体発光素子100で発光する光と異なる色の光を
取り出せる。例えば、青色光を発光する半導体発光素子100を用いて、白色光を取り出
す場合には、蛍光体層106に、この青色光によって励起されて黄色光を出す蛍光体を含
むようにする。
以上より、本実施形態では、接合金属層の腐食を抑制可能な半導体発光素子及び半導体
発光装置を提供できる。以下、具体的に説明する。
れ、素子ごとに半導体層10が分離されているため、チップ形状の半導体発光素子に分離
する際に接着金属層12と基板13のみを切断すればよく、半導体層10と半導体層10
に接着された接着金属層11、接合金属層14には直接力を加えることはないため、接合
金属層14の表面が露出しない。その結果、例えば半導体発光素子の他の製造工程で用い
る薬品などによる接合金属層14の腐食を防止でき、半導体発光素子及び半導体発光装置
の信頼性を向上できる。
、基板側の半導体層の表面と同程度の面積を有している。このため、図3(b)の工程で
、半導体層をテーパ形状に加工する場合に、ドライエッチングにより接合金属層の一部が
露出する。接合金属層の材質がエッチャントと反応して、反応生成物が半導体層側面に付
着する結果、発光時に半導体層側面からの漏れ電流が増大する可能性がある。
側の半導体層10表面より小さい。このため、図3(b)の工程で、半導体層10をテー
パ形状に加工する場合に、ドライエッチングにより接合金属14の一部が露出しない。露
出する接着金属層11の表面はエッチング耐性を有する材質であり、半導体層10側面に
反応生成物が付着しにくい。その結果、半導体層10からの漏れ電流を低減できる。
本実施形態の変形例1として、図5に示すように、接合金属層14が主面電極15の直
下を避けるように形成された形態が可能である。なお、形成される接合金属層14の個数
や形状は問わない。
本実施形態の半導体発光素子では、発光層により生成され接合金属層14側に向かう光
を接合金属層14表面での反射により上面から取り出す。本変形例1のように、主面電極
15の直下に接合金属層14を設けないことで、電流分布と発光分布を主面電極15の直
下を避けた場所に誘導できる。その結果、主面電極15によって遮蔽されない発光の量を
増大し、主面電極15と接合金属14間を行き来し、半導体層10から外部に取り出され
ない光量を軽減できる。その結果、半導体発光素子の発光効率を向上できる。
いるレジストパターンを変更する以外、その他の製造方法は、本実施形態と同様である。
本実施形態では、接着金属層12を基板13上全面に形成したが、本変形例2では、図
6に示すように、接着金属層12に素子分離領域30を形成してもよい。
このため、例えばレーザーダイシング法の場合には、レーザーを照射する部分が基板1
3のみである。その結果、本実施形態の場合と比べて、より半導体層10及び接着金属層
11などに損傷や膜はがれが生じにくくなる。
脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の
発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の
発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が
削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の
欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明とし
て抽出されうる。
11 12…接着金属層
13…基板
14…接合金属層
15…主面電極
16…保護膜
20…基板
31…フォトレジスト
30…素子分離領域
Claims (3)
- 発光層を含む半導体層と、
前記半導体層の一面側に配設された第1電極と、
前記半導体層の前記一面と対向する他面側に配設されたAgを含む第1層と、
前記第1層を覆い、前記半導体層の前記他面側に前記半導体層からはみ出して配設された第2層と、
第2電極が配設され、前記第2層に接続された基板と、
前記半導体層の一面側に配設された絶縁膜と
を備え、
前記第2層は、Ptを含む第3層、Tiを含む第4層を含み、前記第3層は前記第4層よりも前記基板側に設けられており、
前記第2層のうち前記半導体層側の表面で、前記半導体層の端部からはみだした領域にシリコン窒化物が含まれている
ことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記半導体層の幅は前記第1電極から前記第2層に向かって広くなることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記第2層は、エッチングにより前記半導体層をエッチングする際のストッパーであることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013084385A JP5621106B2 (ja) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013084385A JP5621106B2 (ja) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010065232A Division JP5356292B2 (ja) | 2010-03-19 | 2010-03-19 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014172085A Division JP2014220533A (ja) | 2014-08-26 | 2014-08-26 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013138271A JP2013138271A (ja) | 2013-07-11 |
JP5621106B2 true JP5621106B2 (ja) | 2014-11-05 |
Family
ID=48913674
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013084385A Active JP5621106B2 (ja) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5621106B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10245631B4 (de) * | 2002-09-30 | 2022-01-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterbauelement |
JP4799974B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-10-26 | 昭和電工株式会社 | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2008130799A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Sharp Corp | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
EP2270881B1 (en) * | 2008-04-30 | 2016-09-28 | LG Innotek Co., Ltd. | Light-emitting element and a production method therefor |
JP2011086899A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-04-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
-
2013
- 2013-04-12 JP JP2013084385A patent/JP5621106B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013138271A (ja) | 2013-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5356292B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光装置 | |
USRE43411E1 (en) | Series connection of two light emitting diodes through semiconductor manufacture process | |
US6838704B2 (en) | Light emitting diode and method of making the same | |
KR100986353B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 | |
EP2063469B1 (en) | Method of manufacturing vertical light emitting diode | |
US7786491B2 (en) | Semiconductor light-emitting device comprising a plurality of semiconductor layers | |
CN107210341B (zh) | Led以及制造方法 | |
US20170194531A1 (en) | Light emitting device | |
US20150129915A1 (en) | Light-emitting diode provided with substrate having pattern on rear side thereof, and method for manufacturing same | |
US8426878B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
US20130126925A1 (en) | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing semiconductor light-emitting device | |
KR20100035846A (ko) | 발광 소자 및 그 제조방법 | |
JP5065936B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
US20160276538A1 (en) | Light Emitting Diodes With Current Spreading Material Over Perimetric Sidewalls | |
JP6693336B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
JP3916011B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
US20100207151A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP2005038892A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
JP2010267813A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP5621106B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光装置 | |
JP2017054902A (ja) | 半導体発光装置 | |
US8507938B2 (en) | Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same | |
KR20160136070A (ko) | 발광 소자 | |
KR20220136159A (ko) | 성장 기판과 반도체 발광 장치 사이의 코너에서 절연층을 제거하는 방법 | |
JP2019046949A (ja) | 発光素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130412 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140509 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140801 |
|
RD07 | Notification of extinguishment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7427 Effective date: 20140812 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140902 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140828 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5621106 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |