TWI450048B - 照明光學系統、曝光裝置以及元件製造方法 - Google Patents

照明光學系統、曝光裝置以及元件製造方法 Download PDF

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Description

照明光學系統、曝光裝置以及元件製造方法
本發明是關於一種在利用蝕刻步驟而製造半導體元件、液晶顯示元件、攝像元件、薄膜磁頭等元件的曝光裝置中所使用的照明光學系統，具有該照明光學系統的曝光裝置以及利用該曝光裝置的元件製造方法。
近年來，在光罩上所形成的圖案正在高度集成化，為了將該微細的圖案正確地轉印到晶圓上，以最佳的照度分布對光罩圖案進行照明是必不可少的。因此，藉由進行用於在曝光裝置具有的照明光學系統的光瞳位置形成環帶狀或多極狀(例如4極狀)的光強度分布之變形照明，並使微型複眼透鏡的後側焦點面上所形成的二次光源的光強度分布進行變化，從而使投影光學系統的焦點深度或解像力提高之技術受到矚目。
這裏，在例如日本專利早期公開之特開2002-353105號公報中揭示有一種曝光裝置，其為了將光源所發出的光束轉換為在照明光學系統的光瞳位置具有環帶狀或多極狀光強度分布的光束，而設置具有呈陣列狀排列的多個微小要素反射鏡之可動多反射鏡(例如，Digital Microminor Device(DMD)，數位微鏡元件)，並藉由使要素反射鏡的各個傾斜角及傾斜方向進行變化，從而在照明光學系統的光瞳位置或與光瞳位置共軛的位置(在微型複眼透鏡的後側焦點面上所形成的二次光源位置)處形成規定的光強度分布。在該曝光裝置中，當使入射各要素反射鏡的光利用各要素反射鏡的反射面進行反射時，是沿著規定方向偏轉規定角度，轉換為在照明光學系統的光瞳位置形成規定的光強度分布之光束。然後，在曝光時依據光罩的圖案等，以使微型複眼透鏡的後側焦點面上所形成的二次光源像形成最佳的光強度分布之形態，設定可動多反射鏡的各要素反射鏡的傾斜角及傾斜方向，從而進行曝光。
然而，在上述的曝光裝置中，是利用鐳射光源作為光源，而從鐳射光源所射出的鐳射光，在鐳射光的光束斷面內存在光強度參差不齊的問題。因此，在利用這種鐳射光而在照明光學系統的光瞳位置形成環帶狀或多極狀的光強度分布時，光分布形狀(光束斷面)內存在光強度參差不齊的問題(光強度的不均勻性)。
本發明的目的是提供一種即使在光源所發出的光存在光束斷面內的光強度參差不齊(不均勻性)之問題的情況下，也可在照明光學系統的光瞳位置或與光瞳位置共軛的位置，輕鬆地形成照明斑點並不明顯的所需的光強度分布之照明光學系統，具有該照明光學系統的曝光裝置，以及利用該曝光裝置的元件製造方法。
以下對本發明的構成附以實施形態的符號而加以說明，但本發明並不限定於本實施形態。
本發明的一實施形態的照明光學系統為一種利用由光源(1)所供給的照明光而對被照射面(M)進行照明之照明光學系統，包括：空間光調變器(S1)，其配置在前述照明光學系統的光路內，並在前述照明光學系統的光瞳位置或與該光瞳位置光學共軛的位置處形成所需的光強度分布；以及擴散器(4)，其設置在前述空間光調變器的前述照明光的入射側，並使入射前述空間光調變器的前述照明光進行擴散。
而且，本發明的一實施形態的曝光裝置為將光罩(M)的圖案轉印到感光性基板(W)上之曝光裝置，具有用於對被照射面上所配置的前述光罩進行照明之本發明的照明光學系統。
而且，本發明的一實施形態的元件製造方法包括，利用本發明的曝光裝置，將光罩(M)的圖案曝光到感光性基板(W)上，並使轉印有前述圖案的前述感光性基板顯像，將與前述圖案相對應之形狀的光罩層形成在前述感光性基板的表面上，且透過前述光罩層對前述感光性基板的表面進行加工。
依據本發明的一實施形態的照明光學系統，由於具有使入射空間光調變器的照明光擴散的擴散器，其中，該空間光調變器用於在照明光學系統的光瞳位置或與光瞳位置光學共軛的位置處形成所需的光強度分布，所以，能根據擴散的照明光，利用空間光調變器而在照明光學系統的光瞳位置或與光瞳位置光學共軛的位置處形成所需的光強度分布。因此，能夠使照明光學系統的光瞳位置或與光瞳位置光學共軛之位置處的照明斑點並不明顯。
而且，依據本發明的一實施形態的曝光裝置，由於利用本發明的照明光學系統進行光罩的照明，所以能以高解析度及高生產量(through-put)而將光罩的圖案轉印到感光性基板上。
而且，依據本發明的一實施形態的元件製造方法，由於利用具有本發明的照明光學系統之曝光裝置而進行曝光，所以能以高解析度而進行元件的製造。
以下參照圖式，對關於本發明的實施形態的曝光裝置進行說明。圖1所示為關於實施形態的曝光裝置的概略構成。另外，在以下的說明中，是設定圖1中所示的XYZ直交座標系統，並參照該XYZ直交座標系統而對各構件的位置關係進行說明。XYZ直交座標系統是設定X軸及Y軸對晶圓W平行，Z軸對晶圓W直交。
關於本實施形態的曝光裝置如圖1所示，從鐳射光源1供給曝光光(照明光)。該鐳射光源1具有例如供給波長約193nm的光之ArF準分子鐳射光源或供給波長約248nm的光之KrF準分子鐳射光源。從鐳射光源1沿著Z方向射出的大致平行的光束入射光束擴展器2，其中，該光束擴展器2具有沿著X方向細長延伸的矩形狀斷面，由一對透鏡2a及2b構成。透鏡2a及2b在圖1的YZ平面內分別具有負的折射力及正的折射力。因此，入射光束擴展器2的光束在圖1的YZ平面內被擴大，整形為具有規定矩形狀斷面的光束。經由作為整形光學系統的光束擴展器2的平行光束，利用彎曲反射鏡3被反射而偏轉向Y方向後，入射擴散器(擴散板)4。擴散器4使與照明光學系統的光軸AX大致平行的光束擴散，並形成對光軸AX具有角度的光束而射出。由擴散器4被擴散的光束入射空間光調變單元SM1。
空間光調變單元SM1如圖2所示，具有稜鏡P1和反射型的空間光調變器S1，其中，該空間光調變器S1是一體安裝在稜鏡P1上。稜鏡P1具有直方體中的1個側面凹陷為V字狀楔形之形狀。亦即，稜鏡P1具有V字形的缺口，該缺口是由呈鈍角交差的2個平面PS1、PS2構成。2個平面PS1、PS2由圖2的沿著X軸延伸的直線P1a相接。空間光調變器S1安裝在稜鏡P1之V字狀缺口的相反一側的側面上。2個平面PS1、PS2的內面是作為第1及第2反射面R11、R12發揮機能。
稜鏡P1是使安裝有空間光調變器S1的側面和光軸AX平行，且以第1反射面R11位於擴散器4側，第2反射面R12位於後述的無焦透鏡側之形態進行配置。稜鏡P1的第1反射面R11使入射的光向空間光調變器S1方向反射。空間光調變器S1是配置在第1反射面R11和第2反射面R12之間的光路中，將第1反射面R11所反射的光向第2反射面R12方向進行反射。稜鏡P1的第2反射面R12將空間光調變器S1所反射的光進行反射，並向無焦透鏡5側射出。
空間光調變器S1依據在第1反射面R11所反射的光入射空間光調變器S1之位置，而對該光賦予空間調變。空間光調變器S1如圖3所示，包括呈二維排列的多個微小的要素反射鏡SE1。例如，在入射空間光調變器S1的光束中，分別使光線L1入射空間光調變器S1的多個要素反射鏡SE1中的要素反射鏡SE1a，使光線L2入射空間光調變器S1的多個要素反射鏡SE1中的與要素反射鏡SE1a不同之要素反射鏡SE1b。要素反射鏡SE1a、SE1b分別對光線L1、L2賦予依據其位置而設定的空間調變。
以使光線L1、L2入射稜鏡片P1的入射位置IP1、IP2，到光經由要素反射鏡SE1a、SE1b而從稜鏡片P1射出的射出位置OP1、OP2之空氣換算長，與稜鏡片P1不配置在曝光光的光路中之情況下的相當於入射位置IP1、IP2的位置，到相當於射出位置OP1、OP2的位置之空氣換算長相同的形態，配置稜鏡片P1。這裏所說的空氣換算長，為將光學系統中的光路長換算為折射率1的空氣時的光路長，折射率n的媒質中的空氣換算長為其物理或實際的光路長乘以1/n的值。
空間光調變器S1如圖3所示，為包括要素反射器SE1的可動多反射鏡，其中，要素反射鏡SE1為鋪填的多個微小反射元件。各要素反射鏡SE1可動，其反射面的姿勢亦即反射面的傾斜角及傾斜方向是由SLM(spatial light modulator，空間光調變器)驅動部26而分別獨立地驅動控制，其中，SLM驅動部26是由控制部20進行控制。各要素反射鏡SE1可以與其反射面平行的二軸且為彼此直交的二軸作為旋轉軸，只連續地旋轉所需的旋轉角度。亦即，各要素反射鏡SE1可在沿著反射面的二維空間中控制傾斜。這裏，要素反射鏡SE1的外形為正方形的平坦板狀，但並不限定於此。但是，從光利用效率的觀點來看，採用可無間隙排列的形狀較佳。而且，鄰接的要素反射鏡SE1間的間隔為必要最小限度較佳。另外，為了使照明條件可進行細微的變化，要素反射鏡SE1盡可能小較佳。而且，要素反射鏡SE1的反射面的形狀並不限定於平面，也可為凹面或凸面等曲面。
空間光調變器S1可進行變形照明，在照明光學系統的光瞳位置(瞳面)上形成圓形、環帶、2極、4極等所需的光強度分布。亦即，在控制部20可訪問的記憶部22中，用於在照明光學系統的光瞳位置形成圓形、環帶、2極、4極等的各光強度分布的，構成空間光調變器S1之各要素反射鏡SE1的傾斜角及傾斜方向的資訊是以一覽表的形式進行存儲。根據該傾斜角及傾斜方向的資訊，控制部20對SLM驅動部26進行控制，並控制各要素反射鏡SE1的傾斜角及傾斜方向，在照明光學系統的光瞳位置或與該光瞳位置光學共軛的位置形成所需的光分布形狀。
在本實施形態中，空間光調變器S1控制入射光從矩形狀而轉換為環帶狀的光分布形狀，而通過了空間光調變單元SM1的光束入射無焦透鏡(中繼光學系統)5，並在無焦透鏡5(進而在照明光學系統)的光瞳位置或該光瞳位置的附近形成環帶狀的光強度分布。無焦透鏡5是使其前側焦點位置和空間光調變器S1的位置設定為大體一致，且使其後側焦點位置和圖中虛線所示的規定面6的位置設定為大體一致之無焦系統(無焦點光學系統)。因此，入射空間光調變器S1的光束在無焦透鏡5的光瞳位置形成環帶狀的光強度分布之後，變成大致平行的光束而從無焦透鏡5射出。另外，在無焦透鏡5的前側透鏡群5a和後側透鏡群5b之間的光路中，於照明光學系統的光瞳位置或其附近，從光源側依次配置圓錐旋轉三稜鏡(axicon)系統87、第1圓柱透鏡對88及第2圓柱透鏡對89。
圖4所示為在照明光學系統的光瞳位置或該光瞳位置的附近所配置之圓錐旋轉三稜鏡系統87的概略構成。圓錐旋轉三稜鏡系統87從光源側依次設置第1稜鏡87a和第2稜鏡87b。第1稜鏡87a具有凹圓錐狀的折射面(凹狀折射面)。第2稜鏡87b具有可與第1稜鏡87a的凹圓錐狀的折射面抵接而相輔形成之凸圓錐狀的折射面(凸狀折射面)。第1稜鏡87a是使平面朝向光源側且使凹圓錐狀的折射面朝向光罩M側配置，第2稜鏡87b是使凸圓錐狀的折射面朝向光源側且使平面朝向光罩M側配置。
而且，使第1稜鏡87a及第2稜鏡87b中的至少一個可沿著光軸AX進行移動地構成，且使第1稜鏡87a的凹圓錐狀的折射面和第2稜鏡87b的凸圓錐狀的折射面之間隔(以下稱為圓錐旋轉三稜鏡系統87的間隔)可變地構成。這裏，在第1稜鏡87a的凹圓錐狀的折射面和第2稜鏡87b的凸圓錐狀的折射面彼此抵接的狀態下，圓錐旋轉三稜鏡87是作為平行平面板發揮機能，不對通過後述的微型透鏡陣列10所形成之環帶狀的二次光源產生影響。但是，當使第1稜鏡87a的凹圓錐狀的折射面和第2稜鏡87b的凸圓錐狀的折射面分離時，圓錐旋轉三稜鏡系統87作為所謂的光束擴展器發揮機能。因此，隨著圓錐旋轉三稜鏡87的間隔的變化，入射光束向圖1中以虛線表示的規定面6的入射角度進行變化。
圖5(a)及圖5(b)為圓錐旋轉三稜鏡系統87對環帶照明中所形成的二次光源之作用的說明圖。圖5(a)所示為在圓錐旋轉三稜鏡系統87的間隔為0且後述的可變焦距透鏡7的焦點距離被設定為最小值之狀態(以下稱作「標準狀態」)下所形成的最小環帶狀的二次光源130a，圖5(b)所示為在將圓錐旋轉三稜鏡系統87的間隔擴大為規定的值之狀態(可變焦距透鏡7的焦點距離不變)下所形成的環帶狀的二次光源130b。二次光源130b的直徑方向的寬度(外徑和內徑之差的1/2的值。在圖中以雙頭箭形符號表示)是與二次光源130a的直徑方向的寬度相同。藉由使圓錐旋轉三稜鏡系統87的間隔從0擴大到規定的值，可使環帶狀的二次光源的直徑方向寬度與標準狀態維持相同寬度，且使外徑及內徑較標準狀態擴大。亦即，由於圓錐旋轉三稜鏡系統87的作用，而使環帶狀的二次光源的直徑方向寬度不產生變化，其環帶比(內徑/外徑)及大小(外徑)都進行變化。
圖6所示為在無焦透鏡5的前側透鏡群5a和後側透鏡群5b之間的光路中所配置的第1圓柱透鏡對88及第2圓柱透鏡對89的概略構成圖。如圖4所示，第1圓柱透鏡對88從光源側依次由例如在YZ平面內具有負折射力且在XY平面內無折射力的第1圓柱負透鏡88a，和同樣在YZ平面內具有正折射力且在XY平面內無折射力的第1圓柱正透鏡88b構成。另一方面，第2圓柱透鏡對89從光源側依次由例如在XY平面內具有負折射力且在YZ平面內無折射力的第2圓柱負透鏡89a，和同樣在XY平面內具有正折射力且在YZ平面內無折射力的第2圓柱正透鏡89b構成。
第1圓柱負透鏡88a和第1圓柱正透鏡88b是以光軸AX為中心而一體進行旋轉地構成。同樣，第2圓柱負透鏡89a和第2圓柱正透鏡89b是以光軸AX為中心而一體進行旋轉地構成。第1圓柱透鏡對88作為沿著Z方向具有能量的光束擴展器而發揮機能，第2圓柱透鏡對89作為沿著X方向具有能量的光束擴展器而發揮機能。而且，在本實施形態中，是將第1圓柱透鏡對88及第2圓柱透鏡對89的能量設定得相同。因此，通過了第1圓柱透鏡對88及第2圓柱透鏡對89的光束，沿著Z方向及X方向藉由相同的能量而受到擴大作用。
通過了無焦透鏡5的光束，入射σ值可變用的可變焦距透鏡7。規定面6的位置是配置在可變焦距透鏡7的前側焦點位置或其附近，而後述的微型透鏡陣列10的入射面是配置在可變焦距透鏡7的後側焦點面或其附近。亦即，可變焦距透鏡7是按照實質的光學上的傅裏葉轉換關係而配置規定面6和微型透鏡陣列10的入射面，進而將無焦透鏡5的光瞳位置和微型透鏡陣列10的入射面在光學上大致共軛地配置。因此，在微型透鏡陣列10的入射面上，與無焦透鏡5的光瞳位置同樣地，形成以例如光軸AX為中心的環帶狀的照明區域。該環帶狀的照明區域的全體形狀是依據可變焦距透鏡7的焦點距離而相似地進行變化。亦即，藉由微型透鏡陣列10而形成在與照明光學系統的光瞳位置光學共軛的位置上之二次光源(面光源)的大小，可使鐳射光源1所射出的照明光的光量大致保持一定，且依據可變焦距透鏡7的焦點距離而相似地進行變更。
圖7(a)及圖7(b)為可變焦距透鏡7對環帶照明中所形成的二次光源之作用的說明圖。圖7(a)所示為在標準狀態下所形成的環帶狀的二次光源130a，圖7(b)所示為在將可變焦距透鏡7的焦點距離向規定的值進行擴大之狀態下(圓錐旋轉三稜鏡系統87的間隔不變)所形成的環帶狀的二次光源130c。參照圖7(a)、圖7(b)，藉由使可變焦距透鏡7的焦點距離從最小值向規定的值進行擴大，而使照明光的光量大致保持一定，並使其全體形狀變化為相似地進行擴大之環帶狀的二次光源130c。亦即，由於可變焦距透鏡7的作用，環帶狀的二次光源的環帶比不產生變化，而其寬度及大小(外徑)一起進行變化。通過了可變焦距透鏡7的光束入射射束***器8。由射束***器8所反射的光束入射CCD攝像部(偵測部)9。利用CCD攝像部9所形成的圖像信號被輸出向控制部20。
通過了射束***器8的光束，入射作為光學積分儀的微型透鏡陣列10。對微型透鏡陣列10的入射光束的入射角度，伴隨圓錐旋轉三稜鏡系統87的間隔的變化，而與向規定面6的入射光束角度的變化同樣地進行變化。微型透鏡陣列10為由縱橫且稠密排列地多個具有正折射力的微小透鏡構成之光學元件。構成微型透鏡陣列10的各微小透鏡，具有與在光罩(被照射面)M上應形成的照明區域的形狀(進而為在晶圓W上應形成的曝光區域的形狀)相似之矩形上的斷面。入射微型透鏡陣列10的光束由多個微小透鏡進行二維分割，並在其後側焦點面(進而為照明光瞳)上，形成具有與向微型透鏡陣列10的入射光束所形成的照明區域大致相同之光分布的二次光源，亦即，由以光軸AX為中心的環帶狀的實質上的面光源所構成之二次光源。
在本例中，配置在被照射面上的光罩M是利用凱勒照明(Koehler illumination)進行照明，所以該形成有2次光源的平面為與投影光學系統PL的孔徑光闌共軛的面，也被稱作照明裝置IL的照明瞳面。典型地是被照射面(配置有光罩M的平面或配置有晶圓W的面)對照明瞳面形成光學傅裏葉轉換面。瞳強度分布為照明裝置IL的照明瞳面上的光強度分布，或與照明瞳面共軛的平面上的光強度分布。但是，在由微型透鏡陣列10所形成的波面分割數大的情況下，在微型透鏡陣列10的入射面上所形成的全輝度分布與2次光源全體的全光強度分布(瞳強度分布)具有高相關性，因此，微型透鏡陣列10的入射面上或與該入射面共軛的平面上的光強度分布也稱作瞳強度分布。關於這種微型透鏡陣列10，可參照美國專利第6913373號說明書、美國專利公開公報之2008/0074631號。微型透鏡陣列10也被稱作微型複眼透鏡。
從微型透鏡陣列10的後側焦點面上所形成之環帶狀的二次光源所發出的光束，通過可在微型透鏡陣列10的後側焦點面(射出面)或其附近配置設定的孔徑光闌12。孔徑光闌12是由例如虹彩光闌等構成，用於將微型透鏡陣列10的後側焦點面上所形成之二次光源的大小限制在規定的大小。經過了孔徑光闌12的光束，經由射束***器14、聚光鏡17a而在光罩遮板MB上重疊地進行照明。利用射束***器14所反射的光束通過透鏡15，入射光電二極管16。利用光電二極管16所形成的偵測信號向控制部20輸出。
在作為照明視野光闌的光罩遮板MB上，形成有與構成微型透鏡陣列10的各微小透鏡的形狀和焦點距離相稱之矩形狀的照明區域。通過了光罩遮板MB的矩形狀的開口部之光束，在受到成像光學系統17b的集光作用後，由反射鏡19進行反射，而對形成有規定圖案的光罩M重疊地進行照明。亦即，成像光學系統17b在光罩載台MS所載置的光罩M上，形成光罩遮板MB的矩形狀開口部的像。另外，鐳射光光源1～反射鏡19及空間光調變單元SM1構成照明光學系統。
透過了光罩M的圖案之光束經由投影光學系統PL，在作為感光性基板的晶圓W上形成光罩M的圖案像。這樣，藉由在與投影光學系統PL的光軸AX直交的平面內，對晶圓載台WS上的晶圓W進行二維驅動控制並進行整體曝光或掃描曝光，從而在晶圓W的各曝光區域上依次曝光光罩M的圖案。
依據本實施形態的曝光裝置，由於具有使入射空間光調變器的照明光進行擴散的擴散器，其中，該空間光調變器用於在照明光學系統的光瞳位置或與光瞳位置光學共軛的位置處形成所需的光強度分布，所以可根據擴散的照明光，利用空間光調變器而在照明光學系統的光瞳位置或與光瞳位置光學共軛的位置處形成所需的光強度分布。亦即，當利用空間光調變器的各要素反射鏡所反射的光在照明光學系統的光瞳位置(瞳面)處形成所需的光強度分布時，由各要素反射鏡所反射的光在照明光學系統的瞳面上會變得模糊，所以與不設置擴散器4的情況下相比，會形成大的光點。因此，可使照明光學系統的光瞳位置或與光瞳位置光學共軛之位置處的照明斑點不明顯。而且，能夠使照明光學系統的光瞳位置或與光瞳位置光學共軛之位置處的光分布輕鬆地形成各種各樣的光分布形狀，可短時間且連續地變更為最佳的光分布形狀。因此，可以高生產量及高解析度而將光罩的圖案曝光到晶圓上。
另外，在圖1所示的本實施形態的曝光裝置中，是利用CCD攝像部9而偵測在與照明光學系統的光瞳位置光學共軛之位置處的光強度分布。而且，本實施形態的曝光裝置是保持晶圓W等被處理基板，並與可移動的曝光載台(晶圓載台WS)分別設置，且在具有各種計測構件或感測器的計測載臺上設置CCD攝像部39。該CCD攝像部39根據通過了照明光學系統及投影光學系統這兩者的光，而偵測在與照明光學系統(投影光學系統)的光瞳位置光學共軛之位置處的光強度分布。如利用該CCD攝像部39，則除了照明光學系統以外，還可修正投影光學系統的歷時性光學特性變化的影響。這種CCD攝像部39在例如美國專利公開第2008/0030707號公報中有所揭示。另外，具有上述那種計測載台的曝光裝置在例如日本專利早期公開之特開平11-135400號中有所揭示。
另外，在上述實施形態的曝光裝置中，如圖8所示，從照明光的有效利用的觀點來看，在擴散器4和空間光調變單元SM1之間配置成像光學系統30，並將擴散器4所擴散的照明光轉換為收斂光且入射空間光調變單元SM1的空間光調變器S1較佳。而且，在這種情況下，擴散器4和空間光調變單元SM1的空間光調變器S1具有在光學上共軛的關係較佳。
而且，在上述實施形態的曝光裝置中，是利用使照明光等向擴散的擴散器，但藉由更換為擴散特性不同的擴散器(使照明光非等向擴散的擴散器)，可對照明光學系統的光瞳位置處所形成之光強度分布的光分布形狀進行調整。作為這種擴散器，可利用例如縱方向的擴散特性和橫方向的擴散特性不同的擴散器。因此，利用與圖案的形狀相對應的光強度分布，能以高解析度將圖案曝光到晶圓上。
而且，在上述實施形態的曝光裝置中，作為具有二維排列且個別地進行控制的多個反射要素之空間光調變器，是利用能夠個別地控制二維排列的反射面的姿勢之空間光調變器，但作為這種空間光調變器，可利用例如日本專利之特表平10-503300號公報及與其對應的歐洲專利公開第779530號公報、日本專利早期公開之特開2004-78136號公報及與其對應的美國專利第6,900,915號公報、日本專利之特表2006-524349號公報及與其對應的美國專利第7,095,546號公報以及日本專利早期公開之特開2006-113437號公報所揭示的空間光調變器。在這些空間光調變器中，可使經過了空間光調變器的個別的反射面之各個光以規定的角度入射分布形成光學系統，並在照明瞳面上形成與對多個光學要素的控制信號相稱之規定的光強度分布。
而且，作為空間光調變器，也可利用例如二維排列並可個別控制反射面的高度之空間光調變器。作為這種空間光調變器，可利用例如日本專利早期公開之特開平6-281869號公報及與其對應的美國專利第5,312,513號公報以及日本專利之特表2004-520618號公報及與其對應的美國專利第6,885,493號公報的圖1d所揭示的空間光調變器。在這些空間光調變器中，藉由形成二維的高度分布，可對入射光賦予與折射面同樣的作用。
另外，也可將上述具有二維排列的多個反射面之空間光調變器，依據例如日本專利之特表2006-513442號公報及與其對應的美國專利第6,891,655號公報或日本專利之特表2005-524112號公報及與其對應的美國專利公開第2005/0095749號公報所揭示的內容而進行變形。
而且，在上述的實施形態中，是在彎曲反射鏡3的下部側配置擴散器4及空間光調變單元SM1，但也可在彎曲反射鏡3的位置處配置不具有稜鏡的空間光調變器S1，並在其上部側(光源側)配置擴散器4。而且，在上述實施形態的曝光裝置中，是利用ArF準分子鐳射光源或KrF準分子鐳射光源作為鐳射光源，但也可利用F2 鐳射光源。
在上述各實施形態的曝光裝置中，藉由利用照明光學系統對光柵(光罩)進行照明，並利用投影光學系統將光罩上所形成的轉印用的圖案在感光性基板(晶圓)上進行曝光(曝光步驟)，可製造微型元件(半導體元件、攝像元件、液晶顯示元件、薄膜磁頭等)。以下，參照圖9的流程圖，對藉由利用上述實施形態的曝光裝置，在作為感光性基板的晶圓等上形成規定的電路圖案，從而得到作為微型元件的半導體元件時的方法的一個例子進行說明。
首先，在圖9的步驟S301中，於1批晶圓上蒸鍍金屬膜。在接著的步驟S302中，於這1批晶圓的金屬膜上塗敷光阻。然後，在步驟S303中，利用上述實施形態的曝光裝置，使光罩上的圖案的像經由該投影光學系統，而在這1批晶圓上的各照射區域上依次進行曝光轉印。然後，在步驟S304中，進行這1批晶圓上的光阻的顯像，繼而在步驟S305中，在這1批晶圓上將光阻圖案作為光罩進行蝕刻，從而在各晶圓上的各照射區域形成與光罩上的圖案相對應的電路圖案。
然後，藉由進行更上一層的電路圖案的形成等，而製造半導體元件等元件。依據上述的微型元件製造方法，由於利用上述實施形態的曝光裝置進行曝光，所以可以高生產量且精度良好地得到具有極微細電路圖案的微型元件。另外，在步驟S301～步驟S305中，是在晶圓上蒸鍍金屬，並在該金屬膜上塗敷光阻，然後，進行曝光、顯像、蝕刻各項步驟，當然也可在這些步驟之前，在晶圓上形成矽的氧化膜，然後，在該矽的氧化膜上塗敷光阻，再進行曝光、顯像、蝕刻等各項步驟。
而且，在上述實施形態的曝光裝置中，藉由在板(玻璃基板)上形成規定的圖案(電路圖案、電極圖案等)，也可得到作為微型元件的液晶顯示元件。以下，參照圖10的流程圖，對此時的方法的一個例子進行說明。在圖10中，是在圖案形成步驟S401中進行所謂的光蝕刻步驟，利用上述實施形態的曝光裝置，將光罩的圖案轉印曝光到感光性基板(塗敷有光阻的玻璃基板等)上。利用該光蝕刻步驟，在感光性基板上形成含有多個電極等的規定圖案。然後，曝光了的基板藉由經過顯像步驟、蝕刻步驟、光阻剝離步驟等各項步驟，而在基板上形成規定的圖案，並轉移向下一濾色器形成步驟S402。
接著，在濾色器形成步驟S402中形成這樣的濾色器，使對應於R(Red)、G(Green)、B(blue)的3點一組呈矩陣狀排列多組而成，或是使R、G、B的3條細長的濾色器一組沿著水平掃描線方向排列多組而成。然後，在濾色器形成步驟S402之後，實行胞組裝步驟S403。在胞組裝步驟S403中，利用由圖案形成步驟S401所得到的具有規定圖案的基板，以及由濾色器形成步驟S402所得到的濾色器等，組裝液晶面板(液晶胞)。在胞組裝步驟S403中，是在例如由圖案形成步驟S401所得到的具有規定圖案的基板和由濾色器形成步驟S402所得到的濾色器之間注入液晶，製造液晶面板(液晶胞)。
然後，利用模組組裝步驟S404，安裝使組裝的液晶面板(液晶胞)進行顯示動作的電氣電路、背光燈等各構件，完成液晶顯示元件。依據上述的液晶顯示元件的製造方法，由於利用上述實施形態的曝光裝置進行曝光，所以可以高生產量且精度良好地得到具有極微細圖案的半導體元件。
在上述實施形態中可應用所謂的液浸技術，這是利用折射率大於1.1的媒體(典型的是液體)充滿投影光學系統和感光性基板之間的光路的內部之技術。在這種情況下，作為利用液體充滿投影光學系統和感光性基板之間的光路的內部之技術，可採用以下的技術。例如國際公報WO99/49504號所揭示的利用液體局部充滿該光路的技術，日本專利早期公開之特開平6-124873號所揭示的使保持被曝光基板的載台在液體浴內進行移動的技術，日本專利早期公開之特開平10-303114號揭示的，在載臺上所形成的規定深度的液體浴中保持基板的技術等。
在上述實施形態中，也可應用美國專利公開公報2006/0203214號、2006/0170901號、2007/0146676號所揭示的那種所謂的偏光照明法。
而且，本發明並不限定應用於半導體元件製造用的曝光裝置，也可廣泛應用於例如在方型的玻璃板上所形成的液晶顯示元件或電漿顯示器等顯示裝置用的曝光裝置，或者用於製造攝像元件(CCD等)、微型機器、薄膜磁頭及DNA晶片等各種元件的曝光裝置。另外，本發明也可應用於利用光蝕刻步驟製造形成有各種元件的光罩圖案之光罩(光遮罩、光柵(reticle)等)時的曝光步驟(曝光裝置)。
1．．．鐳射光源
2a、2b．．．透鏡
2．．．光束擴展器
3．．．彎曲反射鏡
4．．．擴散器
5．．．無焦透鏡
5a．．．前側透鏡群
5b．．．後側透鏡群
6．．．規定面
7．．．可變焦距透鏡
8．．．射束***器
9．．．CCD攝像部(偵測部)
10．．．微型透鏡陣列
12．．．孔徑光闌
14．．．射束***器
15．．．透鏡
16．．．光電二極管
17a．．．聚光鏡
17b．．．成像光學系統
19．．．反射鏡
20．．．控制部
22．．．記憶部
26．．．SLM驅動部
39．．．CCD攝像部
87．．．圓錐旋轉三稜鏡系統
87a．．．第1稜鏡
87b．．．第2稜鏡
88．．．第1圓柱透鏡對
88a．．．第1圓柱負透鏡
88b．．．第1圓柱正透鏡
89．．．第2圓柱透鏡對
89a．．．第2圓柱負透鏡
89b．．．第2圓柱正透鏡
130a、130c．．．二次光源
IL．．．照明裝置
IP1、IP2．．．入射位置
L1、L2．．．光線
M．．．被照射面
MB．．．光罩遮板
MS．．．光罩載台
OP1、OP2．．．射出位置
P1．．．稜鏡
P1a．．．直線
PL．．．投影光學系統
PS1、PS2．．．平面
R11．．．第1反射面
R12．．．第2反射面
S1．．．空間光調變器
SE1、SE1a、SE1b．．．要素反射鏡
SM1．．．空間光調變單元
W．．．感光性基板
WS．．．晶圓載台
圖1所示為關於實施形態的曝光裝置的概略構成。
圖2所示為關於實施形態的空間光調變單元的構成。
圖3所示為關於實施形態的空間光調變單元之空間光調變器的構成。
圖4所示為關於實施形態的照明光學裝置所具有之圓錐旋轉三稜鏡系統的概略構成。
圖5(a)及圖5(b)所示為圓錐旋轉三稜鏡系統對實施形態的環帶照明中所形成的二次光源之作用的說明圖。
圖6所示為關於實施形態的照明光學系統所具有之第1圓柱形透鏡對及第2圓柱形透鏡對的概略構成。
圖7(a)及圖7(b)所示為變焦距透鏡對實施形態的環帶照明中所形成的二次光源之作用的說明圖。
圖8所示為關於實施形態的另一照明光學系統的構成。
圖9所示為作為關於實施形態的微型元件之半導體元件的製造方法的流程圖。
圖10所示為作為關於實施形態的微型元件之液晶顯示元件的製造方法的流程圖。
1．．．鐳射光源
2a、2b．．．透鏡
2．．．光束擴展器
3．．．彎曲反射鏡
4．．．擴散器
5．．．無焦透鏡
5a．．．前側透鏡群
5b．．．後側透鏡群
6．．．規定面
7．．．可變焦距透鏡
8．．．射束***器
9．．．CCD攝像部(偵測部)
10．．．微型透鏡陣列
12．．．孔徑光闌
14．．．射束***器
15．．．透鏡
16．．．光電二極管
17a．．．聚光鏡
17b．．．成像光學系統
19．．．反射鏡
20．．．控制部
22．．．記憶體
26．．．SLM驅動部
39．．．CCD攝像部
87．．．圓錐旋轉三稜鏡系統
87a．．．第1稜鏡
87b．．．第2稜鏡
88．．．第1圓柱透鏡對
88a．．．第1圓柱負透鏡
88b．．．第1圓柱正透鏡
89．．．第2圓柱透鏡對
89a．．．第2圓柱負透鏡
89b．．．第2圓柱正透鏡
M．．．被照射面
MS．．．光罩載台
PL．．．投影光學系統
W．．．感光性基板

Claims (11)

  1. 一種照明光學系統，為利用由光源所供給的照明光而對被照射面進行照明之照明光學系統，包括：擴散器，使來自前述光源的前述照明光，相對於前述照明光學系統的光軸而射出具有角度的光束；空間光調變器，使來自於前述擴散器的光，在前述照明光學系統的光瞳位置或與該光瞳位置光學共軛的位置處形成所需的光强度分布。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的照明光學系統，其中，前述擴散器是：使來自於前述擴散器而射出的前述照明光的擴散狀態進行變更，且使形成在前述光瞳位置的前述光強度分布的光分布形狀進行變更。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的照明光學系統，其中，前述擴散器包括：第1擴散器，將入射的前述照明光等向地進行擴散；以及第2擴散器，將入射的前述照明光非等向地進行擴散、且設置成與前述第1擴散器為能夠更換。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的照明光學系統，其中，前述空間光調變器具有二維排列的多個元件，所述多個元件接收由前述擴散器所擴散的照明光，前述多個元件能彼此獨立地進行控制。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的照明光學系統，其中，前述多個元件分別具有反射面，前述多個元件的前述反射面能彼此獨立地進行控制。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的照明光學系統，其中，設置有光學構件，該光學構件配置在前述擴散器和前述空間光調變器之間的光路中，將來自前述擴散器的前述照明光轉換為收斂光，並供給到前述空間光調變器。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的照明光學系統，其中，前述光學構件具有成像光學系統。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中的任一項所述的照明光學系統，其中，前述擴散器將入射的前述照明光等向地進行擴散。
  9. 如申請專利範圍第1項至第7項中的任一項所述的照明光學系統，其中，前述擴散器將入射的前述照明光非等向地進行擴散。
  10. 一種曝光裝置，為將光罩的圖案轉印到感光性基板上之曝光裝置，具有用於對被照射面上所配置的前述光罩進行照明之申請專利範圍第1項至第9項中的任一項所述的照明光學系統。
  11. 一種元件製造方法，包括以下的步驟：利用申請專利範圍第10項所述的曝光裝置，將光罩的圖案曝光到感光性基板上，並使轉印有前述圖案的前述感光性基板顯像，將與前述圖案相對應之形狀的光罩層形成在前述感光性基板的表 面上，且透過前述光罩層對前述感光性基板的表面進行加工。
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Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1857880B1 (en) * 2003-04-09 2015-09-16 Nikon Corporation Exposure method and apparatus and device manufacturing method
TWI360158B (en) 2003-10-28 2012-03-11 Nikon Corp Projection exposure device,exposure method and dev
TW201809801A (zh) 2003-11-20 2018-03-16 日商尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
TWI395068B (zh) 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
TWI505329B (zh) 2004-02-06 2015-10-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI423301B (zh) * 2005-01-21 2014-01-11 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
EP2115535B9 (de) 2007-02-06 2013-01-09 Carl Zeiss SMT GmbH Verfahren und vorrichtung zur überwachung von mehrfachspiegelanordnungen in einem beleuchtungssystem einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) * 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
KR101562073B1 (ko) 2007-10-16 2015-10-21 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
SG10201602750RA (en) 2007-10-16 2016-05-30 Nikon Corp Illumination Optical System, Exposure Apparatus, And Device Manufacturing Method
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101695034B1 (ko) 2008-05-28 2017-01-10 가부시키가이샤 니콘 공간 광 변조기의 검사 장치, 조명 광학계, 노광 장치, 검사 방법, 조명 광학계의 조정 방법, 조명 방법, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
WO2010024106A1 (ja) * 2008-08-28 2010-03-04 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
US20110037962A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2011108851A (ja) * 2009-11-17 2011-06-02 Canon Inc 露光装置及びデバイスの製造方法
NL2005548A (en) * 2009-11-20 2011-05-23 Asml Netherlands Bv Homogenizer.
KR102046286B1 (ko) * 2010-02-03 2019-11-18 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치, 조명 방법, 및 노광 방법 및 장치
JP5842808B2 (ja) * 2010-02-20 2016-01-13 株式会社ニコン 瞳強度分布を調整する方法
US20110205519A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2012004465A (ja) 2010-06-19 2012-01-05 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
KR101652405B1 (ko) * 2010-06-23 2016-08-30 삼성전자주식회사 입체 영상 표시장치
WO2012060099A1 (ja) * 2010-11-04 2012-05-10 株式会社ニコン 光源調整方法、露光方法、デバイス製造方法、照明光学系、及び露光装置
WO2012169090A1 (ja) * 2011-06-06 2012-12-13 株式会社ニコン 照明方法、照明光学装置、及び露光装置
KR102170875B1 (ko) * 2011-10-24 2020-10-28 가부시키가이샤 니콘 조명 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US20140071255A1 (en) * 2011-12-28 2014-03-13 Panasonic Corporation Light source control device and video display device
CN102566310A (zh) * 2012-01-12 2012-07-11 合肥芯硕半导体有限公司 用于光刻***的光能量监测***
KR101887054B1 (ko) * 2012-03-23 2018-08-09 삼성전자주식회사 적외선 검출 장치 및 이를 포함하는 가열 조리 장치
CN104885012B (zh) * 2012-11-06 2017-07-28 株式会社尼康 偏振光分束器、基板处理装置、器件制造***及器件制造方法
DE102013212613B4 (de) 2013-06-28 2015-07-23 Carl Zeiss Sms Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
US9983127B2 (en) * 2013-09-03 2018-05-29 Nanyang Technological University Optical detection device and optical detection method
EP2876498B1 (en) * 2013-11-22 2017-05-24 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP6834134B2 (ja) * 2016-01-21 2021-02-24 オムロン株式会社 撮像装置および情報コード読取装置
US10192144B2 (en) * 2016-04-14 2019-01-29 Research International, Inc. Coupon reader
WO2018182526A1 (en) * 2017-03-31 2018-10-04 Nanyang Technological University Apparatus for analysing a specimen
CN112889004B (zh) * 2018-10-19 2024-06-28 Asml荷兰有限公司 通过源和掩模优化创建理想源光谱的方法
DE102019204165A1 (de) * 2019-03-26 2020-10-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische anordnung und lithographieanlage

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200518187A (en) * 2003-09-29 2005-06-01 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
TW200519410A (en) * 2003-11-20 2005-06-16 Nikon Corp Light beam converter, optical illuminating apparatus, exposure device, and exposure method
TW200527151A (en) * 2003-11-07 2005-08-16 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method

Family Cites Families (214)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE1462T1 (de) 1979-07-27 1982-08-15 Werner W. Dr. Tabarelli Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4683420A (en) 1985-07-10 1987-07-28 Westinghouse Electric Corp. Acousto-optic system for testing high speed circuits
JP2527807B2 (ja) 1989-05-09 1996-08-28 住友大阪セメント株式会社 光学的連想識別装置
US5153428A (en) 1990-06-15 1992-10-06 Hamamatsu Photonics K.K. Confocal laser scanning microscope having relay lens and a slit for removing stray light
US5251222A (en) 1991-04-01 1993-10-05 Teledyne Industries, Inc. Active multi-stage cavity sensor
US5312513A (en) 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
US5383000A (en) * 1992-11-24 1995-01-17 General Signal Corporation Partial coherence varier for microlithographic system
US5461410A (en) 1993-03-29 1995-10-24 Texas Instruments Incorporated Gray scale printing using spatial light modulators
US5815248A (en) 1993-04-22 1998-09-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and method having a wavefront splitter and an optical integrator
DE69434108T2 (de) 1993-12-01 2006-02-02 Sharp K.K. Display für dreidimensionale Bilder
US5815247A (en) 1995-09-21 1998-09-29 Siemens Aktiengesellschaft Avoidance of pattern shortening by using off axis illumination with dipole and polarizing apertures
DE19535392A1 (de) 1995-09-23 1997-03-27 Zeiss Carl Fa Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit
KR100505202B1 (ko) 1995-09-27 2005-11-25 칼 짜이스 에스엠테 아게 줌장치
RU2084941C1 (ru) 1996-05-06 1997-07-20 Йелстаун Корпорейшн Н.В. Адаптивный оптический модуль
CN1244021C (zh) 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 光刻装置和曝光方法
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
WO1999027568A1 (fr) 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
WO1999031716A1 (fr) 1997-12-16 1999-06-24 Nikon Corporation Aligneur, methode d'exposition et procede de fabrication de ce dispositif
TW449672B (en) 1997-12-25 2001-08-11 Nippon Kogaku Kk Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
AU2747899A (en) 1998-03-20 1999-10-18 Nikon Corporation Photomask and projection exposure system
AU2958299A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Exposure method and system, photomask, method of manufacturing photomask, micro-device and method of manufacturing micro-device
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
WO1999066370A1 (fr) 1998-06-17 1999-12-23 Nikon Corporation Procede relatif a l'elaboration d'un masque
AU4930099A (en) 1998-08-18 2000-03-14 Nikon Corporation Illuminator and projection exposure apparatus
US6466304B1 (en) 1998-10-22 2002-10-15 Asm Lithography B.V. Illumination device for projection system and method for fabricating
US6406148B1 (en) 1998-12-31 2002-06-18 Texas Instruments Incorporated Electronic color switching in field sequential video displays
WO2000067303A1 (fr) 1999-04-28 2000-11-09 Nikon Corporation Procede et appareil d'exposition
AU4395099A (en) 1999-06-30 2001-01-22 Nikon Corporation Exposure method and device
DE10029938A1 (de) 1999-07-09 2001-07-05 Zeiss Carl Optisches System für das Vakuum-Ultraviolett
US6280034B1 (en) 1999-07-30 2001-08-28 Philips Electronics North America Corporation Efficient two-panel projection system employing complementary illumination
DE69930398T2 (de) 1999-09-20 2006-10-19 Nikon Corp. Belichtungssystem mit einem parallelen Verbindungsmechanismus und Belichtungsverfahren
WO2001027978A1 (fr) 1999-10-07 2001-04-19 Nikon Corporation Substrat, dispositif a etage, procede d'attaque d'etage, systeme d'exposition et procede d'exposition
EP1109067B1 (en) 1999-12-13 2006-05-24 ASML Netherlands B.V. Illuminator
JP2005233979A (ja) 2000-02-09 2005-09-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
DE60126103T2 (de) 2000-08-18 2007-11-15 Nikon Corp. Haltevorrichtung für optisches Element
JP2002231619A (ja) 2000-11-29 2002-08-16 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
SE0100336L (sv) 2001-02-05 2002-08-06 Micronic Laser Systems Ab Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område
WO2002063664A1 (fr) 2001-02-06 2002-08-15 Nikon Corporation Systeme et procede d'exposition et procede de production de dispositif
KR100815222B1 (ko) 2001-02-27 2008-03-19 에이에스엠엘 유에스, 인크. 리소그래피 장치 및 적어도 하나의 레티클 상에 형성된 적어도 두 개의 패턴으로부터의 이미지로 기판 스테이지 상의 필드를 노출시키는 방법
JPWO2002080185A1 (ja) 2001-03-28 2004-07-22 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2002305140A (ja) 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
WO2002084850A1 (fr) 2001-04-09 2002-10-24 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Induit de moteur lineaire protege et moteur lineaire protege
JP2002353105A (ja) 2001-05-24 2002-12-06 Nikon Corp 照明光学装置，該照明光学装置を備えた露光装置，およびマイクロデバイスの製造方法
US6737662B2 (en) 2001-06-01 2004-05-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product
US7015491B2 (en) 2001-06-01 2006-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
JPWO2002101804A1 (ja) 2001-06-11 2004-09-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに温度安定化流路装置
WO2002103766A1 (fr) 2001-06-13 2002-12-27 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition au balayage, et procede de production d'un dispositif associe
EP1280007B1 (en) 2001-07-24 2008-06-18 ASML Netherlands B.V. Imaging apparatus
WO2003023832A1 (fr) 2001-09-07 2003-03-20 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition, et procede de construction de dispositif associe
SE0103006D0 (sv) * 2001-09-10 2001-09-10 Micronic Lasersystems Ab Homogenization of a spatially coherent radiation beam and reading/writing of a pattern on a workpiece
US6819490B2 (en) * 2001-09-10 2004-11-16 Micronic Laser Systems Ab Homogenization of a spatially coherent radiation beam and printing and inspection, respectively, of a pattern on a workpiece
EP1694079B1 (en) 2001-10-01 2008-07-23 Sony Corporation Polarization selecting prism for a projection device
US6577379B1 (en) 2001-11-05 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for shaping and/or orienting radiation irradiating a microlithographic substrate
US6900915B2 (en) 2001-11-14 2005-05-31 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
US6577429B1 (en) * 2002-01-15 2003-06-10 Eastman Kodak Company Laser projection display system
TW200302507A (en) 2002-01-21 2003-08-01 Nikon Corp Stage device and exposure device
WO2003075328A1 (fr) 2002-03-01 2003-09-12 Nikon Corporation Procede de reglage d'un systeme optique de projection, procede de prediction, procede d'evaluation, procede de reglage, procede d'exposition, dispositif d'exposition, programme et procede de fabrication dudit dispositif
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
TWI278721B (en) 2002-04-09 2007-04-11 Nikon Corp Exposure method, exposure apparatus, and manufacturing method of device
WO2003085457A1 (fr) 2002-04-10 2003-10-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Tete d'exposition, dispositif d'exposition et utilisation
US6960035B2 (en) 2002-04-10 2005-11-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser apparatus, exposure head, exposure apparatus, and optical fiber connection method
US20050095749A1 (en) 2002-04-29 2005-05-05 Mathias Krellmann Device for protecting a chip and method for operating a chip
JP4324957B2 (ja) 2002-05-27 2009-09-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
DE60319462T2 (de) 2002-06-11 2009-03-12 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP4214547B2 (ja) * 2002-08-29 2009-01-28 株式会社オーク製作所 ビーム成形光学素子およびそれを備えたパターン描画装置
SE0202584D0 (sv) * 2002-09-02 2002-09-02 Micronic Laser Systems Ab A Method and device for coherence reduction
US20050141583A1 (en) 2002-09-02 2005-06-30 Torbjorn Sandstrom Method and device for coherence reduction
EP1395049A1 (en) 2002-09-02 2004-03-03 Sony International (Europe) GmbH Illumination unit for a projection system
JP2004111579A (ja) 2002-09-17 2004-04-08 Canon Inc 露光方法及び装置
KR100480620B1 (ko) 2002-09-19 2005-03-31 삼성전자주식회사 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법
JP2005018013A (ja) * 2002-09-30 2005-01-20 Fuji Photo Film Co Ltd 照明光学系およびそれを用いた露光装置並びに露光方法
US6958867B2 (en) 2002-09-30 2005-10-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Illumination optical system, exposure device using the illumination optical system, and exposure method
US6665119B1 (en) 2002-10-15 2003-12-16 Eastman Kodak Company Wire grid polarizer
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US6844927B2 (en) 2002-11-27 2005-01-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection
US6958806B2 (en) 2002-12-02 2005-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200412617A (en) 2002-12-03 2004-07-16 Nikon Corp Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method
CN1723541B (zh) 2002-12-10 2010-06-02 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
KR101157002B1 (ko) 2002-12-10 2012-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
WO2004053955A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US20040108973A1 (en) 2002-12-10 2004-06-10 Kiser David K. Apparatus for generating a number of color light components
CN1717776A (zh) 2002-12-10 2006-01-04 株式会社尼康 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
WO2004053950A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101101737B1 (ko) 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
US6891655B2 (en) 2003-01-02 2005-05-10 Micronic Laser Systems Ab High energy, low energy density, radiation-resistant optics used with micro-electromechanical devices
CN1723384A (zh) 2003-01-15 2006-01-18 麦克罗尼克激光***公司 检测缺陷像素的方法
JP4280509B2 (ja) 2003-01-31 2009-06-17 キヤノン株式会社 投影露光用マスク、投影露光用マスクの製造方法、投影露光装置および投影露光方法
KR101381538B1 (ko) 2003-02-26 2014-04-04 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
SE0300516D0 (sv) 2003-02-28 2003-02-28 Micronic Laser Systems Ab SLM direct writer
EP1610361B1 (en) 2003-03-25 2014-05-21 Nikon Corporation Exposure system and device production method
JP4902201B2 (ja) 2003-04-07 2012-03-21 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2004091079A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki キャンド・リニアモータ電機子およびキャンド・リニアモータ
WO2004094940A1 (ja) 2003-04-23 2004-11-04 Nikon Corporation 干渉計システム、干渉計システムにおける信号処理方法、該信号処理方法を用いるステージ
US7095546B2 (en) 2003-04-24 2006-08-22 Metconnex Canada Inc. Micro-electro-mechanical-system two dimensional mirror with articulated suspension structures for high fill factor arrays
TW200507055A (en) 2003-05-21 2005-02-16 Nikon Corp Polarized cancellation element, illumination device, exposure device, and exposure method
TW200509205A (en) 2003-05-23 2005-03-01 Nippon Kogaku Kk Exposure method and device-manufacturing method
TW201515064A (zh) 2003-05-23 2015-04-16 尼康股份有限公司 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
EP1628330A4 (en) 2003-05-28 2009-09-16 Nikon Corp EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
DE10324477A1 (de) 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
WO2004109780A1 (ja) 2003-06-04 2004-12-16 Nikon Corporation ステージ装置、固定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
TWI536430B (zh) 2003-06-19 2016-06-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP2264531B1 (en) 2003-07-09 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2005032909A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Fuji Photo Film Co Ltd 照明光学系およびそれを用いた露光装置
JPWO2005008754A1 (ja) 2003-07-18 2007-09-20 株式会社ニコン フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク
SG10201607457PA (en) 2003-08-29 2016-10-28 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
DE10343333A1 (de) 2003-09-12 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
US7714983B2 (en) 2003-09-12 2010-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7064880B2 (en) * 2003-09-25 2006-06-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Projector and projection method
JP2005123586A (ja) 2003-09-25 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 投影装置および投影方法
WO2005031292A1 (en) 2003-09-26 2005-04-07 Tidal Photonics, Inc. Apparatus and methods relating to enhanced spectral measurement systems
JPWO2005036619A1 (ja) 2003-10-09 2007-11-22 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JPWO2005036620A1 (ja) 2003-10-10 2006-12-28 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TWI360158B (en) 2003-10-28 2012-03-11 Nikon Corp Projection exposure device,exposure method and dev
JP4605014B2 (ja) 2003-10-28 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
JP4195434B2 (ja) * 2003-10-31 2008-12-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
WO2005048326A1 (ja) 2003-11-13 2005-05-26 Nikon Corporation 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
WO2005048325A1 (ja) 2003-11-17 2005-05-26 Nikon Corporation ステージ駆動方法及びステージ装置並びに露光装置
KR101941351B1 (ko) 2003-12-15 2019-01-22 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
KR101636632B1 (ko) 2004-01-05 2016-07-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7697110B2 (en) 2004-01-26 2010-04-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7580559B2 (en) 2004-01-29 2009-08-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator
US7990516B2 (en) 2004-02-03 2011-08-02 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with liquid detection apparatus
TWI505329B (zh) 2004-02-06 2015-10-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
JP4548341B2 (ja) 2004-02-10 2010-09-22 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法
WO2005081291A1 (ja) 2004-02-19 2005-09-01 Nikon Corporation 露光装置及びデバイスの製造方法
EP1727188A4 (en) 2004-02-20 2008-11-26 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, FEEDING METHOD AND RECOVERY METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP4864869B2 (ja) 2004-02-26 2012-02-01 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明系
US6977718B1 (en) 2004-03-02 2005-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Lithography method and system with adjustable reflector
JP2005309380A (ja) 2004-03-26 2005-11-04 Fuji Photo Film Co Ltd 画像露光装置
JP2005302825A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Canon Inc 露光装置
EP1753016B1 (en) 2004-04-19 2012-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and device producing method
US7123348B2 (en) 2004-06-08 2006-10-17 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and method utilizing dose control
US7116403B2 (en) 2004-06-28 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7283209B2 (en) 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
US7259827B2 (en) * 2004-07-14 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Diffuser unit, lithographic apparatus, method for homogenizing a beam of radiation, a device manufacturing method and device manufactured thereby
JP2006054328A (ja) * 2004-08-12 2006-02-23 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP4599936B2 (ja) 2004-08-17 2010-12-15 株式会社ニコン 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法
EP1801853A4 (en) 2004-08-18 2008-06-04 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
CN101015039B (zh) 2004-09-17 2010-09-01 尼康股份有限公司 曝光用基板、曝光方法及元件制造方法
WO2006035775A1 (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Hamamatsu Photonics K.K. 空間光変調装置、光学処理装置、カップリングプリズム、及び、カップリングプリズムの使用方法
JP4335114B2 (ja) 2004-10-18 2009-09-30 日本碍子株式会社 マイクロミラーデバイス
GB2419208A (en) 2004-10-18 2006-04-19 Qinetiq Ltd Optical correlation employing an optical bit delay
US7177012B2 (en) 2004-10-18 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200636816A (en) 2004-11-11 2006-10-16 Nikon Corp Exposure method, device manufacturing method and substrate
US7333177B2 (en) 2004-11-30 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006070580A1 (ja) 2004-12-27 2006-07-06 Nikon Corporation オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
US20060138349A1 (en) 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI423301B (zh) 2005-01-21 2014-01-11 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
JP2006208432A (ja) 2005-01-25 2006-08-10 Fuji Photo Film Co Ltd 露光方法および装置
KR100664325B1 (ko) 2005-02-04 2007-01-04 삼성전자주식회사 광 터널 및 이를 포함하는 프로젝션 장치
JP2006216917A (ja) 2005-02-07 2006-08-17 Canon Inc 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法
JPWO2006085626A1 (ja) 2005-02-14 2008-06-26 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
WO2006085524A1 (ja) 2005-02-14 2006-08-17 Nikon Corporation 露光装置
JP5125503B2 (ja) 2005-03-23 2013-01-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP4561425B2 (ja) 2005-03-24 2010-10-13 ソニー株式会社 ホログラム記録再生装置およびホログラム記録再生方法
US7317506B2 (en) 2005-03-29 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Variable illumination source
US7548302B2 (en) 2005-03-29 2009-06-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7400382B2 (en) 2005-04-28 2008-07-15 Asml Holding N.V. Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form
JP4230525B2 (ja) 2005-05-12 2009-02-25 有限会社テクノドリーム二十一 ３次元形状計測方法およびその装置
JP4771753B2 (ja) 2005-06-08 2011-09-14 新光電気工業株式会社 面光源制御装置および面光源制御方法
CN100526992C (zh) 2005-07-01 2009-08-12 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法及设备制造方法
DE102005030839A1 (de) 2005-07-01 2007-01-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit einer Mehrzahl von Projektionsobjektiven
JP4684774B2 (ja) * 2005-07-05 2011-05-18 株式会社ナノシステムソリューションズ 露光装置
TW200719095A (en) 2005-11-09 2007-05-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
JP2007150295A (ja) 2005-11-10 2007-06-14 Carl Zeiss Smt Ag ラスタ要素を有する光学装置、及びこの光学装置を有する照射システム
TWI397945B (zh) 2005-11-14 2013-06-01 尼康股份有限公司 A liquid recovery member, an exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
KR20080068006A (ko) 2005-11-15 2008-07-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치와, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP5194799B2 (ja) 2005-12-06 2013-05-08 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
EP1962329B1 (en) 2005-12-08 2014-08-06 Nikon Corporation Substrate holding device, exposure device, exposure method, and device fabrication method
JP2007258691A (ja) * 2006-02-21 2007-10-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の作製方法
US7532378B2 (en) 2006-02-21 2009-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, method of laser irradiation, and method for manufacturing semiconductor device
US7525642B2 (en) 2006-02-23 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101389982A (zh) 2006-02-27 2009-03-18 株式会社尼康 分色镜
JP2007234110A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Toshiba Corp 光情報記録装置および光情報記録装置の制御方法
EP1993120A1 (en) 2006-03-03 2008-11-19 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and device manufacturing method
WO2007132862A1 (ja) 2006-05-16 2007-11-22 Nikon Corporation 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4893112B2 (ja) 2006-06-03 2012-03-07 株式会社ニコン 高周波回路コンポーネント
KR101427433B1 (ko) 2006-08-02 2014-08-08 가부시키가이샤 니콘 결함 검출 장치 및 결함 검출 방법
JP5141979B2 (ja) 2006-09-29 2013-02-13 株式会社ニコン ステージ装置および露光装置
KR100855628B1 (ko) 2006-10-02 2008-09-03 삼성전기주식회사 광변조기 검사를 위한 장치 및 방법
US7804603B2 (en) 2006-10-03 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Measurement apparatus and method
JP4924879B2 (ja) 2006-11-14 2012-04-25 株式会社ニコン エンコーダ
WO2008061681A2 (de) 2006-11-21 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik
TWI452437B (zh) 2006-11-27 2014-09-11 尼康股份有限公司 An exposure method, a pattern forming method, and an exposure apparatus, and an element manufacturing method
JP4910679B2 (ja) 2006-12-21 2012-04-04 株式会社ニコン 可変キャパシタ、可変キャパシタ装置、高周波回路用フィルタ及び高周波回路
EP2998983B1 (en) 2006-12-27 2018-03-21 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus and device fabricating method
WO2008090975A1 (ja) 2007-01-26 2008-07-31 Nikon Corporation 支持構造体及び露光装置
US8937706B2 (en) 2007-03-30 2015-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US9250536B2 (en) 2007-03-30 2016-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US20080259304A1 (en) 2007-04-20 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
KR101545361B1 (ko) 2007-05-09 2015-08-19 가부시키가이샤 니콘 포토마스크용 기판, 포토마스크용 기판의 성형 부재, 포토마스크용 기판의 제조 방법, 포토마스크, 및 포토마스크를 사용한 노광 방법
US7573564B2 (en) 2007-06-26 2009-08-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Systems for doppler tracking using photonic mixing detectors
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US20090091730A1 (en) 2007-10-03 2009-04-09 Nikon Corporation Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
SG10201602750RA (en) 2007-10-16 2016-05-30 Nikon Corp Illumination Optical System, Exposure Apparatus, And Device Manufacturing Method
KR101562073B1 (ko) 2007-10-16 2015-10-21 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JPWO2009153925A1 (ja) 2008-06-17 2011-11-24 株式会社ニコン ナノインプリント方法及び装置
WO2009157154A1 (ja) 2008-06-26 2009-12-30 株式会社ニコン 表示素子の製造方法及び製造装置
KR20110028473A (ko) 2008-06-30 2011-03-18 가부시키가이샤 니콘 표시 소자의 제조 방법 및 제조 장치, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 제조 장치, 및 회로 형성 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200518187A (en) * 2003-09-29 2005-06-01 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
TW200527151A (en) * 2003-11-07 2005-08-16 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200519410A (en) * 2003-11-20 2005-06-16 Nikon Corp Light beam converter, optical illuminating apparatus, exposure device, and exposure method

Also Published As

Publication number Publication date
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