TWI404574B - 基板載置平台及基板的吸附‧剝離方法 - Google Patents

Description

基板載置平台及基板的吸附．剝離方法

本發明是關於一種例如在玻璃基板等的基板表面進行塗佈塗佈液之際，載置該基板的基板載置平台與使用該基板載置平台之基板的吸附、剝離方法。

欲塗佈光阻液、SOG液或彩色濾光片用塗佈液等在玻璃基板表面，以往就在吸引固定玻璃基板於基板載置平台之上面的狀態下，使用開縫噴嘴、軋輥塗敷器等將塗佈液供給到玻璃基板表面。

作為上述基板載置平台的構造，被揭示在專利文獻1及專利文獻2。被揭示於專利文獻1的基板載置平台(工作台)，是對塗佈噴嘴作成相對地可往復移動，且在其上面形成有多數吸引孔。又，在專利文獻2揭示在孔徑0.5mm以下，藉由將開口率作為1至20%的多孔質體，形成平台。

專利文獻1：日本特開平6-339656號公報

專利文獻2：日本特開平11-300258號公報

使用上述的習知基板載置平台來吸附玻璃基板並進行塗佈之後，解除吸引狀態而自平台欲剝離玻璃基板，則藉由帶電(靜電吸附)而無法從平台分開玻璃基板，若強迫剝離時，則有玻璃基板破裂之虞。

又，在習知的基板載置平台，會同時地吸附玻璃基板下面全面。因此，有在空氣介設在玻璃基板中央部與平台之間的狀態下，亦即有在玻璃基板的中央部鼓起的狀態下被吸附固定的情形，在該情形下，無法形成均勻厚度的塗膜。

又，進行塗佈等作業的期間，若藉由所有吸引孔進行強力吸引則吸引痕跡被轉印至玻璃基板，而無法得到均勻的塗膜，會發生不均勻的情形。

為了解決上述課題，本發明所涉及的基板載置平台，是於上面形成有連接於多數真空源的吸引孔及連接於壓氣源的噴出孔，又在平面觀看被分成複數同心狀領域，作成此些各領域個別地獨立地進行經由上述吸引孔的吸引及經由噴出孔的噴出的構成。

在此，上述複數同心狀領域並不是物理性地被分離，而是將平台上面假想地分成複數同心狀領域，而在各領域別地，進行控制由吸引孔(噴出孔)產生的吸引(噴出)。

又，上述吸引孔及噴出孔是共用同一孔，則對於平台的開孔作業一半就可以，而也不會降低剛性。又，共用孔時，設置切換閥於配管之途中，而作成選擇性地連接在真空源與壓氣源。

又，吸引孔(噴出孔)的密度是將上述複數同心狀領域中的最中心部領域的密度作成比其他領域的密度更大較理想。作成如此，則僅使用最中心部領域進行吸引時最有 效。

又，並不限定於孔，即使在卡盤表面格子狀地形成溝，而在該溝開設連接於真空源的吸引孔與連接壓氣源的噴出孔亦可。藉由形成溝，接觸於領域背面的面積(有關於吸引或剝離的面積)比孔更寬大，故經由溝的吸引及噴出者會縮短吸引及噴出所需時間。在此，作為溝的尺寸(寬度×深度)，若過大會成為不均勻的原因，故作成1.0mm×1.0mm以下，較理想是0.2mm×0.2mm以下。又，即使形成溝時，將中心部的溝的間隔也作成比外側部的間隔更密。

又，對基板載置平台的領域載置及剝離，使用昇降銷進行時，則外側的昇降銷的高度設成比接***台的中心部的昇降銷的高度更高，以中央部撓曲的狀態下支持領域，有效地可防止領域的破碎等。

又，使用上述基板載置平台的領域的吸引方法，是首先藉由基板載置平台複數同心狀領域中的最中心部領域吸引孔進行吸引領域之後，依次藉由外側同心狀領域的吸引孔進行吸引。如此地，首先吸引最中心部，之後依次吸附外側，則可防止在中心部隔著空氣的狀態下進行吸附的情形。

還有，在上述基板的吸附方法，一旦以全部同心狀領域吸附領域，則作成解除外側領域的吸附狀態，而僅藉由最中心部領域維持吸附狀態也可以。作成如此，可將無吸附痕跡(不均勻)的塗膜形成在玻璃基板的表面。

又，為了在同心狀領域的中心部與外側領域藉由孔或 溝密度不相同所生成之吸引力的差使不產生不均勻，而將外側領域的壓力設定成比中心部者更低也可以。

又，使用上述的基板載置平台的基板的剝離方法，是首先從基板載置平台的複數同心狀領域中的最中心部領域的噴出孔噴出氣體之後，依次從外側的同心狀領域的噴出孔進行噴出氣體。如此地從內側進行剝離，則在基板不會作用過度力量，而可防止基板破碎。

在本發明中，即使如上述般在吸附及剝離之任一者，也總是從基板中心朝外側進行。亦即，在吸附時，首先吸附中心部而外側部依次進行吸附，而在剝離時，首先在中心部放進空氣而抬高中心部並朝外側作成擴大間隙。

若藉由本發明之基板載置平台，可以使空氣不會介於與平台之間，水平地固定玻璃基板等的基板。又，欲進行剝離時，因噴出氣體(空氣或氮氣)，故即使基板藉由帶電被吸附於平台表面時，也可容易地進行剝離。

又，不僅形成孔還形成溝，且藉由在該溝內開設孔，對基板背面進行吸附；及對剝離用溝的接觸面積變大，故可縮短使用於基板的吸著及剝離所需時間，而間歇時間變快。

又，若變更複數昇降銷的高度，使得在中央部撓曲的狀態下可保持基板，因一開始基板中央部接觸於平台上面，故空氣不會進入與平台之間，又剝離時，也可使基板不會被強迫地自平台上面剝離。

以下，依據所附圖式說明本發明的實施形態。第1圖是本發明的基板載置平台的俯視圖，第2圖是表示同基板載置平台的主要部分擴大斷面圖；基板載置平台1是自然石、不銹鋼等所構成，上面是被精修成平坦面，而形成有多數兼具吸引孔與噴出孔的孔2...及昇降銷插通孔3...。

平面觀看，基板載置平台1是被分成複數同心狀領域1a、1b、1c、1d、1e，將形成於最中心部領域1a的吸引兼噴出孔2...的密度作成比外側領域1b~1e的密度更高。又，在最中心部的領域1a整體中，未提高孔2的密度，而僅提高一部分之密度也可以。

如第2圖所示地，在上述各孔2***有吸引兼噴出用噴嘴4，該噴嘴4是在基板載置平台1的背面側被連接於配管5、6。該些配管5、6是經由未圖示的切換閥選擇性地連接於真空泵或空氣管線。

又，配管5是例如進行最中心部領域1a的吸引或噴出所用者，而配管6是例如進行領域1b的吸引或噴出所用者。在本發明中如此地在各領域個別地配置配管，作成可控制各領域個別地吸引或噴出。

又，如第3圖所示般，本發明的基板載置平台1是具備載置，或剝離基板W的昇降銷。昇降銷7是貫通上述插通孔3，而且下端部被安裝於支持板8，進行一體地昇降移動。

又，昇降銷7是將接近於平台1的中央部的昇降銷7高 度設定成比外側的昇降銷7高度更低，而模仿中央部撓曲的狀態下保持基板W。將該狀態表示於第3(a)圖。

然後，如第3(b)圖所示地，當昇降銷7下降，則基板W的中央部下面接觸於基板載置平台1的中心部的領域1a。又，在該狀態下經由配管5從最中心部的領域1a的孔2吸引，俾吸引固定基板W的中央部。

由上述狀態再下降昇降銷7。又，與此並行而將吸引領域由最中心部的領域1a依次擴大至外側的領域1b~1e，而最後，如第3(c)圖所示地，將基板W以平面狀態被吸引固定在基板載置平台1的上面。當完成該吸引固定，則僅繼續最中心部的領域，解除其他領域的吸引，將開縫噴嘴9相對性地水平移動狀態下，將塗佈液塗佈在基板表面。

如第3(d)圖所示地，當完成上述塗佈作業，則將配管的閥切換成壓氣源側，而從最中心部的同心狀領域1a首先噴出氮氣等，依次將噴出領域擴大至外側的同心狀領域1a~1d，且從平台1表面剝離基板W，又如第3(e)圖所示地，使昇降銷7上昇以抬高基板W，交接給下一工程的機器人等。

在圖示例中，孔2是作成兼有吸引孔與噴出孔而簡化配管，以及謀求提昇製作效率，惟分別形成吸引孔與噴出孔也可以。

又，雖未圖示，惟在卡盤表面設置格子狀，而在該溝形成兼具吸引孔與噴出孔的孔2也可以。

本發明的基板載置平台是在基板使用開縫噴嘴，塗佈光阻液或彩色濾光片用塗佈液之際，可利用於用以固定玻璃基板。

1‧‧‧基板載置平台

1a、1b、1c、1d、1e‧‧‧同心狀領域

2‧‧‧兼具吸引孔與噴出孔的孔

3‧‧‧昇降銷插通孔

4‧‧‧吸引兼噴出用噴嘴

5、6‧‧‧配管

7‧‧‧昇降銷

8‧‧‧支持板

9‧‧‧開縫噴嘴

W‧‧‧基板

第1圖是表示本發明的基板載置平台的俯視圖。

第2圖是表示本發明的基板載置平台的主要部分擴大斷面圖。

第3(a)圖至第3(e)圖是表示對於同基板載置平台自載置基板一直到剝離為止的狀態的側視圖。

1‧‧‧基板載置平台

2‧‧‧兼具吸引孔與噴出孔的孔

3‧‧‧昇降銷插通孔

1a、1b、1c、1d、1e‧‧‧同心狀領域

Claims (10)

1. 一種基板載置平台，是用以載置固定玻璃基板等的基板的基板載置平台，其特徵為：在該基板載置平台上面形成有連接於多數真空源的吸引孔及連接於壓氣源的噴出孔，又，基板載置平台是在平面視被分成複數同心狀領域，在該些各領域個別獨立地進行經由上述吸引孔的吸引及經由噴出孔的噴出，在該基板載置平台形成有昇降銷所插通的複數貫通孔，使外側昇降銷的高度較接近於中心部的昇降銷更高，而以中央部撓曲的狀態下支持基板。
2. 如申請專利範圍第1項所述的基板載置平台，其中，上述吸引孔及噴出孔是共用同一孔。
3. 如申請專利範圍第1項所述的基板載置平台，其中，上述複數同心狀領域中最中心部領域的全部或一部分的吸引孔及噴出孔的間隔是被形成較外側領域的吸引孔及噴出孔的間隔更緻密。
4. 一種基板載置平台，是用以載置固定玻璃基板等的基板的基板載置平台，其特徵為：在該基板載置平台上面刻有多數溝，在上述溝形成有連接於多數真空源的吸引孔及連接於壓氣源的噴出孔，又，基板載置平台是在平面視被分成複數同心狀領域，在該些各領域個別獨立地進行經由被形成上述溝的上述吸引孔的吸引及經由噴出孔的噴出，在該基板載置平台形成有昇降銷所插通的複數貫通孔，使外側昇降銷的高度較接近 於中心部的昇降銷更高，而以中央部撓曲的狀態下支持基板。
5. 如申請專利範圍第4項所述的基板載置平台，其中，上述溝是格子狀，上述複數同心狀領域中的中心部領域的溝間隔是被形成較外側領域的溝間隔更細密。
6. 如申請專利範圍第4項所述的基板載置平台，其中，上述溝的尺寸是1.0mm×1.0mm以下。
7. 一種基板的吸附方法，是使用申請專利範圍第1至6項中之任一項所述的基板載置平台的基板的吸附方法，其特徵為：首先藉由基板載置平台的複數同心狀領域中最中心部的領域吸引孔進行吸附基板之後，依次藉由外側同心狀領域的吸引孔進行吸附。
8. 如申請專利範圍第7項所述的基板的吸附方法，其中，在複數同心狀領域全部進行吸附基板之後，仍維持由外側領域產生的吸附狀態下，進行解除最中心部領域的吸附狀態。
9. 如申請專利範圍第7項或第8項所述的基板的吸附方法，其中，在外側領域進行吸附基板的壓力較在中心部領域進行吸附基板的壓力更低。
10. 一種基板的剝離方法，屬於從如申請專利範圍第1至6項中之任一項所述的基板載置平台進行剝離基板的方法，其特徵為：首先從基板載置平台的複數同心狀領域中最中心部的 領域的噴出孔噴出氣體之後，依次從外側同心狀領域的噴出孔噴出氣體。