TWI438857B - 浮上式基板搬送處理裝置及浮上式基板搬送處理方法 - Google Patents

浮上式基板搬送處理裝置及浮上式基板搬送處理方法 Download PDF

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Description

浮上式基板搬送處理裝置及浮上式基板搬送處理方法
本發明係關於將處理液，例如將光阻液供應至例如為LCD用玻璃基板等之被處理基板而進行處理之浮上式基板搬送處理裝置。
一般而言，於半導體裝置的製造工程中，係進行下列的一連串處理，首先將光阻液塗佈於做為被處理基板之LCD用玻璃基板等(以下稱為基板)而形成光阻膜，並採用微影技術將電路圖案加以縮小而轉印於光阻膜，進行顯像處理之後從基板中去除光阻膜。
關於光阻膜的形成方法，為人所知者例如有，使光阻供應噴嘴與矩形狀的基板，往與光阻的吐出方向正交之方向上進行相對的平行移動而進行塗佈處理，該光阻供應噴嘴係將感光性樹脂溶解於溶劑中所組成之光阻液，以帶狀而吐出(例如參照專利文獻1)。
根據此方法，由於可從基板的一邊至另一邊以帶狀將光阻液加以吐出(供應)，因此可平均於矩形狀的基板全面上形成光阻膜。
然而，於上述技術中係具有使台座的至少一邊移動之構造，該台座乃將架設而配置於基板上方之光阻供應噴嘴或是基板保持於水平姿勢，因此會導致裝置的大型化以及複雜化，並產生為了使重量較重的光阻供應噴嘴與台座移動而需耗費極大能量之問題。此外，由於需於處理後使重量較重的光阻供應噴嘴與台座返回並移動至原先的位置，然後再次移動而進行處理，因此亦導致處理效率的降低之問題。
因此，本發明者們在經由種種探討後係開發出一種，進行氣體的噴射或是噴射及吸引，使基板一邊浮上一邊進行搬送，並以帶狀將處理液供應至基板的表面而進行處理之浮上式基板搬送處理裝置(例如參照專利文獻2)。
根據此浮上式基板搬送處理裝置，可達到裝置的小型化及簡單化，並可提升處理效率。
[專利文獻1]日本特開平10-156255號公報(申請專利範圍、第1圖)
[專利文獻2]日本特願2004-218156號公報(申請專利範圍、第2圖、第3圖)
然而，於以往之藉由氣體浮上而保持基板之方法中，為了從整齊排列於基板的搬送方向以及與該搬送方向正交之方向上，亦即從整齊排列於縱方向與橫方向上之氣體噴射孔中噴射氣體，或是從氣體噴射孔中噴射氣體並且從吸引孔中吸引氣體，係於基板的搬送過程中，於氣體的噴射部與非噴射部之間或是於氣體的吸引部與非吸引部之間，形成間距而產生脈動，因此不易使基板的浮上高度達到一致並安定的保持浮上狀態，此外亦無法抑制搬送中的振動。
本發明係鑑於上述情形而創作之發明，目的在於提供一種，可使基板的浮上高度達到一致並於安定的狀態下保持浮上狀態，並且可抑制搬送中的振動之浮上式基板搬送處理裝置。
為了解決上述課題，申請專利範圍第1項所記載之發明為一種浮上式基板搬送處理裝置，係具備從表面進行氣體的噴射及吸引，使被處理基板浮上之浮上台座；配置於上述浮上台座的上方，並將處理液供應至上述被處理基板的表面之處理液供應機構；及可各自將上述被處理基板的兩側端加以安裝及脫離且跟隨被處理基板的浮上高度而保持，並且使被處理基板於上述浮上台座上移動之移動機構，其特徵為，以多孔質構材形成上述浮上台座，並於該多孔質構材上，設置有以氣密方式所區隔之多數個吸引孔；將氣體供應機構連接於上述多孔質構材的多孔質部；隔著迂迴流路將吸引機構連接於上述吸引孔而構成。
藉由如此的構成，可藉由多孔質部將壓力損失提供至氣體的供應而分散，並藉由迂迴流路將壓力損失提供至氣體的吸引，而達到氣體的供應與吸引之間的均衡，藉此可抑制氣體的噴射及吸引之脈動，使被處理基板浮上。
申請專利範圍第2項所記載之發明，係於申請專利範圍第1項之浮上式基板搬送處理裝置中，以傾斜狀將上述多數個吸引孔配列於被處理基板的搬送方向以及與該搬送方向正交之方向上。
藉由如此的構成，由於以傾斜狀將吸引孔配列於被處理基板的搬送方向以及與該搬送方向正交之方向上，因此可抑制伴隨著被處理基板的搬送移動所導致之吸引力的變動。
此外，申請專利範圍第3項所記載之發明為一種浮上式基板搬送處理裝置，係具備，從表面進行氣體的噴射及吸引，使被處理基板浮上之浮上台座；配置於上述浮上台座的上方，並將處理液供應至上述被處理基板的表面之處理液供應機構；及可各自將上述被處理基板的兩側端加以安裝及脫離且跟隨被處理基板的浮上高度而保持，並且使被處理基板於上述浮上台座上移動之移動機構，其特徵為，上述浮上台座係具備，具有整齊排列的多數個小孔之多孔板；及配設於上述多孔板的下面，並交互配列氣體供應流路溝及氣體吸引流路溝而組成之流路平板；將氣體供應機構連接於上述氣體供應流路溝；將吸引機構連接於上述氣體吸引流路溝而構成。此時，若交互配列上述氣體供應流路溝及氣體吸引流路溝，則該配列型態可為任意，但較理想為，以傾斜狀將上述氣體供應流路溝及氣體吸引流路溝，配列於被處理基板的搬送方向以及與該搬送方向正交之方向上(申請專利範圍第4項)，或是以波狀使上述氣體供應流路溝及氣體吸引流路溝，沿著與被處理基板的搬送方向正交之方向上而形成(申請專利範圍第5項)，或者是，以各自於與被處理基板的搬送方向正交之方向上延伸存在之直線狀主溝，及連接於該直線狀主溝並於上述被處理基板的搬送方向上延伸存在之多數條分支溝，而構成上述氣體供應流路溝及氣體吸引流路溝，並以鋸齒狀將鄰接之上述氣體供應流路溝及氣體吸引流路溝的分支溝彼此加以配列而構成(申請專利範圍第6項)。
藉由如此的構成，由於氣體的供應及氣體的吸引，均藉由整齊排列的多數個小孔提供壓力損失而分散，並且可達到氣體的供應與吸引之間的均衡，因此可抑制氣體的噴射及吸引之脈動，使被處理基板浮上。此時，係能夠以傾斜狀將氣體供應流路溝及氣體吸引流路溝，配列於被處理基板的搬送方向以及與該搬送方向正交之方向上，或是形成為波狀而加以配列，或是以各自於與被處理基板的搬送方向正交之方向上延伸存在之直線狀主溝，及連接於該直線狀主溝並於被處理基板的搬送方向上延伸存在之多數條分支溝，而構成氣體供應流路溝及氣體吸引流路溝，並以鋸齒狀將鄰接之氣體供應流路溝及氣體吸引流路溝的分支溝彼此加以配列而構成，藉此可抑制伴隨著被處理基板的搬送移動所導致之吸引力的變動(申請專利範圍第4、5、6項)。
此外，申請專利範圍第7項所記載之發明為一種浮上式基板搬送處理裝置，係具備，從表面進行氣體的噴射及吸引，使被處理基板浮上之浮上台座；配置於上述浮上台座的上方，並將處理液供應至上述被處理基板的表面之處理液供應機構；及可各自將上述被處理基板的兩側端加以安裝及脫離，且跟隨被處理基板的浮上高度而保持，並且使被處理基板於上述浮上台座上移動之移動機構，其特徵為，上述浮上台座係具備，由設置有多數個大徑孔之表面板；於與該表面板的下面之間形成第1空間而配設，並設置有位於上述大徑孔的正下方之小徑孔之中間板；及於與該中間板的下面之間形成第2空間而配設之下部板所組成之台座主體；以及具有整齊排列的多數個小孔，並於嵌合於上述大徑孔之大徑頭部的下部上，具有以氣密方式嵌合於上述小徑孔之腳部之多孔體；將氣體供應機構連接於上述第1及第2空間當中任一邊，並將吸引機構連接於另一邊而組成。
藉由如此的構成，由於氣體的供應及氣體的吸引，均藉由多孔體上所設置之整齊排列的多數個小孔提供壓力損失而分散，並且可達到氣體的供應與吸引之間的均衡，因此可抑制氣體的噴射及吸引之脈動，使被處理基板浮上。
(1)　根據申請專利範圍第1項所記載之發明，係藉由多孔質部將壓力損失提供至氣體的供應而分散，並藉由迂迴流路將壓力損失提供至氣體的吸引，而達到氣體的供應與吸引之間的均衡，藉此可抑制氣體的噴射及吸引之脈動，使被處理基板浮上，因此可使被處理基板的浮上高度達到一致，且具有將被處理基板保持於安定的浮上狀態之浮上剛性，並且可抑制搬送中之被處理基板的振動。
(2)　根據申請專利範圍第2項所記載之發明，係以傾斜狀將吸引孔配列於被處理基板的搬送方向以及與該搬送方向正交之方向上，藉此可抑制伴隨著被處理基板的搬送移動所導致之吸引力的變動，因此，除了上述(1)之外，更可達到浮上高度的一致性，以及提升浮上剛性及振動的抑制效果。
(3)　根據申請專利範圍第3項、第7項所記載之發明，氣體的供應及氣體的吸引均藉由整齊排列的多數個小孔提供壓力損失而分散，並且可達到氣體的供應與吸引之間的均衡，藉此可抑制氣體的噴射及吸引之脈動，使被處理基板浮上，因此可使被處理基板的浮上高度達到一致，且具有將被處理基板保持於安定的浮上狀態之浮上剛性，並且可抑制搬送中之被處理基板的振動。
(4)　根據申請專利範圍第4項、第5項、第6項所記載之發明，係可抑制伴隨著被處理基板的搬送移動所導致之吸引力的變動，因此，除了上述(3)之外，更可達到浮上高度的一致性，以及提升浮上剛性及振動的抑制效果。
以下係根據附加圖式，詳細說明本發明的最佳實施型態。在此係說明將本發明之浮上式基板搬送處理裝置，適用於LCD用玻璃基板的光阻塗佈顯像處理裝置之光阻塗佈處理裝置之情況。
如第1圖所示般，上述光阻塗佈顯像處理裝置係具備，用以載置將多數片成為被處理基板之LCD用玻璃基板G(以下稱為基板G)加以收納之基板匣C之搬出入部1；具有用以對基板G進行包含光阻塗佈與顯像的一連串處理之多數個處理單元之處理部2；以及於與曝光裝置4之間用以進行基板G的接收傳送之界面部3，於處理部2的兩端係各自配置搬出入部1及界面部3。於第1圖中，以光阻塗佈顯像處理裝置的長邊方向為X方向，以平面觀看時與X方向正交之方向為Y方向。
上述搬出入部1係於基板匣C與處理部2之間，具備用以進行基板G的搬出入之搬送機構5，於此搬出入部1中，係進行對外部之基板匣C的搬出入。此外，搬送機構5係具有搬送臂5a，可於沿著基板匣C的配列方向之Y方向上所設置之搬送路徑6上移動，並藉由搬送臂5a於基板匣C與處理部2之間進行基板G的搬出入而構成。
上述處理部2，基本上係具有於X方向延伸之基板G搬出用之平行的2列搬送線A、B，沿著搬送線A從搬出入部1側朝向界面部3，係配列有洗滌洗淨處理單元(SCR) 11；第1熱處理單元段16；光阻處理單元13及第2熱處理單元段17。此外，沿著搬送線B從界面部3側朝向搬出入部1，係配列有第2熱處理單元段17；顯像處理單元(DEV) 14；i線UV照射單元(i-UV) 15及第3熱處理單元段18。於洗滌洗淨處理單元(SCR) 11的一部分上，係設置有準分子UV照射單元(e-UV) 12。此時，準分子UV照射單元(e-UV) 12係為了於洗滌洗淨之前先去除基板G的有機物而設置。此外，i線UV照射單元(i-UV) 15係用以進行顯像的脫色處理而設置。
第1熱處理單元段16係具備，層積有對基板G進行熱處理之熱處理單元而構成之2個熱處理單元區塊(TB) 31、32，熱處理單元區塊(TB) 31係設置於洗滌洗淨處理單元(SCR) 11側，熱處理單元區塊(TB) 32係設置於光阻處理單元13側。於此2個熱處理單元區塊(TB) 31、32之間，係設置有第1搬送機構33。
此外，第2熱處理單元段17係具備，層積有對基板G進行熱處理之熱處理單元而構成之2個熱處理單元區塊(TB) 34、35，熱處理單元區塊(TB) 34係設置於光阻處理單元13側，熱處理單元區塊(TB) 35係設置於顯像處理單元(DEV) 14側。於此2個熱處理單元區塊(TB) 34、35之間，係設置有第2搬送機構36。
此外，第3熱處理單元段18係具備，層積有對基板G進行熱處理之熱處理單元而構成之2個熱處理單元區塊(TB) 37、38，熱處理單元區塊(TB) 37係設置於顯像處理單元(DEV) 14側，熱處理單元區塊(TB) 38係設置於搬出入部1側。於此2個熱處理單元區塊(TB) 37、38之間，係設置有第3搬送機構39。
於界面部3上，係配設有延伸冷卻台座(Extension Cooling Stage)(EXT‧COL) 41；層積有周邊曝光裝置(EE)及打碼機(TITLER)而設置之外部裝置區塊42；緩衝台座(BUF) 43以及第4搬送機構44。
於如此構成之界面部3中，以第2搬送機構36所搬送之基板G，係被搬送至延伸冷卻台座(EXT‧COL) 41，並藉由第4搬送機構44被搬送至外部裝置區塊42的周邊曝光裝置(EE)，而進行周邊光阻去除之曝光，接著藉由第4搬送機構44被搬送至曝光裝置4，對基板G上的光阻膜進行曝光而形成為特定圖案。亦可能因情況的不同，而將基板G收納於緩衝台座(BUF) 43之後再搬送至曝光裝置4。之後於曝光結束後，基板G係藉由第4搬送機構44被搬送至外部裝置區塊42的打碼機(TITLER)，將特定資訊記錄於基板G之後，載置於延伸冷卻台座(EXT‧COL) 41然後再搬送至處理部2而構成。
上述光阻處理單元13係具備，適用有本發明的浮上式基板搬送處理裝置之光阻塗佈處理裝置20；以及將藉由此光阻塗佈處理裝置20而形成於基板G上之光阻膜，於減壓容器(圖中未顯示)內進行減壓乾燥之減壓乾燥裝置(VD) 21。
接下來說明適用有本發明的浮上式基板搬送處理裝置之光阻塗佈處理裝置20。
◎第1實施型態
第2圖係顯示上述光阻塗佈處理裝置20的第1實施型態之概略斜視圖，第3圖係顯示光阻塗佈處理裝置20之氣體的供應及吸引狀態之概略構成圖，第4圖及第5圖係顯示氣體的供應及吸引狀態之主要部分剖面圖。
上述光阻塗佈處理裝置20主要係由，從表面進行氣體、例如空氣的噴射及吸引，使基板G浮上至不同高度之浮上台座22；配置於此浮上台座22的上方，並以帶狀將成為處理液之光阻液R供應至基板G的表面之做為處理液供應機構之光阻供應噴嘴23；可各自將基板G的兩側端加以安裝及脫離而吸引保持之多數個基板保持構材24；沿著互為平行而配置於浮上台座22的兩側之導軌25使滑動器26移動之移動機構，例如為線性馬達28；以及將基板保持構材24與滑動器26連結，並可跟隨基板G的浮上高度而移位之連結機構27所構成。
此時如第2圖及第6圖所示般，浮上台座22係設置有，具備用以接收以搬送臂所搬送的基板G之可升降的多數根、例如為4根的頂升銷28a之搬入領域22a；將光阻供應噴嘴23與基板G之間的間隙維持在一定距離、例如為100～150μm之塗佈領域22b；以及用以接收傳送基板G之可升降的多數根、例如為4根的頂升銷28b之搬出領域22c。
此外，浮上台座22係以具有多數個氣體供應孔(氣體噴射孔)之例如為不銹鋼或鋁製的多孔質構材50所形成，並於該多孔質構材50中設置有，與構成氣體供應孔之多孔質部51以氣密方式所區隔之多數個吸引孔52。此時，吸引孔52係以下列方式所形成，亦即於貫穿多孔質部51而設置之孔部52a的內面上形成塗膜52b(參照第4圖(b))，或是於貫穿多孔質部51而設置之孔部52a內***例如為合成樹脂製的管52c(參照第4圖(c))。此外，多數個吸引孔52係以傾斜狀而配列於基板G的搬送方向(X方向)以及與該搬送方向正交之方向(Y方向)上。
此外，若以塗佈領域22b為代表而說明時，於多孔質構材50的多孔質部上，亦即於氣體供應孔部上，係隔著設置於多孔質構材50的下面之氣體供應流路53與用以減輕脈動之蓄壓機54A，而連接有氣體供應機構，例如為壓縮機55，於吸引孔52上，係隔著設置於多孔質構材50的下面之迂迴流路56與用以減輕脈動之蓄壓機54B，而連接有吸引機構，例如為真空泵57(參照第3圖～第5圖)。
上述氣體供應流路53與迂迴流路56，係藉由層積的多數片(例如為5片)板構材(平板)60a～60e上所設置之孔部而形成。此時如第7圖所示般，迂迴流路56係以下列方式所形成，亦即層積有，於與第4圖的紙面方向正交之方向上，具有隔著適當的間隔之多數個(圖面中係表示出3個之情況)孔部61a之第1平板60a；與孔部61a同列而具有多數個(圖面中係表示出3×3=9個之情況)長孔部61b之第2平板60b；與孔部61a及長孔部61b同列而具有多數個(圖面中係表示出3×5=15個之情況)小孔部61c之第3平板60c；具有於列方向上與第2平板60b的長孔部61b產生若干偏移的位置上所設置之多數個(9個)長孔部61d之第4平板60d；具有設置於與第1平板60a的孔部61a為對稱的位置上之多數個(3個)孔部61e之第5平板60e，並藉由螺栓或是壓合等固定機構加以固定而形成。
於上述構成之浮上台座22中，係藉由驅動壓縮機55並驅動真空泵57，使空氣經由氣體供應流路53，以多孔質構材50的多孔質部51上所形成之多數個氣體供應孔形成壓力損失而分散，並往上方噴射，並且經由迂迴流路56而從吸引孔52吸引。藉此使基板G浮上至浮上台座22，並藉由線性馬達28的驅動從搬入領域22a搬送至塗佈領域22b，然後再搬送至搬出領域22c。此時，所供應的空氣係因多孔質部51形成壓力損失而分散，所吸引的空氣因迂迴流路56形成壓力損失而達到供應(噴射)與吸引的均衡，因此可使基板G的浮上高度達到一致，並於安定的狀態下保持浮上狀態，並且可抑制搬送中之基板G的振動。此外，由於吸引孔52係傾斜配列於基板G的搬送方向(X方向)以及與該搬送方向正交之方向(Y方向)上，因此可抑制於基板G的塗佈膜上產生條狀波紋(轉印痕跡)，並更確實的抑制搬送中之基板G的振動。亦即，由於吸引孔52傾斜配列於基板G的搬送方向(X方向)，因此可抑制於基板G的塗佈膜上產生條狀波紋。亦即，若多數個吸引孔52均同樣位於X方向，則多數個吸引孔52係通過1條直線上，會因溫度分布的不同而產生條狀波紋，但若將吸引孔52傾斜配列於X方向，則吸引孔52的軌跡於基板面內產生分散，因而不易引起條狀波紋。此外，若使吸引孔52的配列和與搬送方向正交之方向(Y方向)為一致，則基板G的端部會接觸於多數個吸引孔52一次，或是相反的從多數個吸引孔52分離時，基板端部會從多數個吸引孔52分離，而成為基板G的垂直方向(Z方向)之振動原因。對此，可將吸引孔52的配列傾斜配列於Y方向，藉此可解決如此之問題。
此時，於搬入領域22a及搬出領域22c中，基板G係浮上至大約100～150μm高度的位置。此外，於塗佈領域22b中，基板G係浮上至大約50μm高度的位置。於搬入領域22a與塗佈領域22b之間以及塗佈領域22b與搬出領域22c之間，各設置有連接兩者之間的高度間隙之連接領域22d、22e。於這些連接領域22d、22e中，係構成為可藉由調整空氣的噴射量及吸引量而使基板G緩慢下降或上升。
上述光阻供應噴嘴23係固定於跨越浮上台座22的上方之門形框(圖中未顯示)上，並將以連接於圖中未顯示的光阻槽之供應管23a所供應之光阻液R，以帶狀供應(吐出、滴下)至基板G的表面而構成。
上述基板保持構材24係具備，可各自將基板G的兩側端加以安裝及脫離而吸引保持之多數個圖中未顯示的吸附墊及真空管，並藉由圖中未顯示的真空裝置，將基板G加以安裝及脫離而保持。
上述連結機構27係例如將構成基板保持構材24之吸附墊與滑動器26加以連結，並藉由可跟隨基板G的浮上高度而移位之板狀彈簧構材所形成。此時，板狀彈簧構材係以具有可保持基板G之保持力，亦即具有較吸附墊的吸附力還弱之彈簧力(彈力)之方式，而設定彈簧常數。藉由如此之設定板狀彈簧構材的彈簧常數，可於以基板保持構材24維持基板G的保持力(吸附力)之狀態下，跟隨基板G的浮上高度而使基板保持構材24移位。此外，基板保持構材24並不一定須由吸附墊而構成，例如亦可由靜電墊所構成。此靜電墊係將電壓施加於內部中所設置之金屬電極，於基板G與靜電墊的表面上產生正及負的電荷，並藉由於此之間所作用之強生‧拉貝克力而吸附並保持基板G。此外，亦可採用磁石體做為連結機構27以取代上述板狀彈簧構材。
接著說明如上述般所構成之光阻塗佈處理裝置20的動作型態。首先，一旦藉由圖中未顯示之搬送臂，將經由熱處理單元(TB) 31進行熱處理後的基板G搬入至浮上台座22的搬入領域22a上，則頂升銷28a上升而接收基板G。之後，搬送臂從浮上台座22上往外部退出。於接收基板G後，頂升銷28a下降，另一方面，基板G係藉由來自於搬入領域22a之浮上台座22的多孔質部51之空氣的供應(噴射)、以及來自於吸引孔52的吸引之間的均衡，而浮上至大約100～150μm的高度位置上，於此狀態下真空裝置進行動作，並藉由基板保持構材24的吸附墊而吸附並保持基板G。此時，由於板狀彈簧構材係吸收基板G的浮上高度與滑動器26的高度之間的間隙，因此，基板G可於水平狀態下，維持於浮上台座22的搬入領域22a上大約100～150μm的高度位置上。
接下來，驅動線性馬達28而將基板G搬送至塗佈領域22b。於塗佈領域22b中，基板G係藉由來自於浮上台座22的多孔質部51之空氣的供應(噴射)、以及來自於吸引孔52的吸引之間的均衡，而浮上至大約50μm的高度位置上。此時，由於板狀彈簧構材係吸收基板G的浮上高度與滑動器26的高度之間的間隙，因此，基板G可於水平狀態下，維持於浮上台座22的塗佈領域22b上大約50μm的高度位置上，並與光阻液供應噴嘴23之間維持特定的空隙(100～150μm)。於此狀態下，以帶狀從光阻液供應噴嘴23中供應(吐出)光阻液R並移動基板G，藉此於基板G的表面上形成一致的光阻膜。
一旦形成有光阻膜之基板G被移動至搬出領域22c，則基板G係藉由來自於浮上台座22的多孔質部51之空氣的供應(噴射)、以及來自於吸引孔52的吸引之間的均衡，而浮上至大約100～150μm的高度位置上，於此狀態下停止真空裝置的動作，而解除基板G的吸附及保持。之後，頂升銷28b上升而將基板G移動至上方的接收傳送位置。於此狀態下，圖中未顯示之搬送臂係接收基板G而將基板G搬送至下一工程之減壓乾燥裝置(VD) 21。
◎第2實施型態
第8圖係顯示本發明之浮上式基板搬送處理裝置的第2實施型態的主要部分之概略剖面圖，第9圖係顯示第2實施型態之氣體(空氣)的供應以及吸引部之主要部分分解斜視圖(a)，以及顯示(a)的II部之擴大斜視圖(b)，以及II部之其他的擴大斜視圖(c)。
第2實施型態係構成為，以具有整齊排列的多數個小孔71之多孔板70；及配設於該多孔板70的下面，並交互配列氣體供應流路溝72及氣體吸引流路溝73而組成之流路平板74，而構成浮上台座22A，並隔著供應管路75將氣體供應機構之壓縮機55連接於氣體供應流路溝72，此外，並隔著吸引管路76將吸引機構之真空泵57連接於氣體吸引流路溝73。
於第2實施型態中，與第1實施型態相同，係於供應管路75之壓縮機55的二次側(吐出側)上介設有蓄壓機54A，於吸引管路76之真空泵57的一次側(吸引側)上介設有蓄壓機54B。此時如第9圖(b)所示般，多孔板70例如可使多數個管構材70a彼此加以集合黏接而形成。此外，例如以黏結劑來固定可由熱或是藥品所溶解(消失)之線材，之後使線材溶解(消失)，藉此可製作出具有因黏結劑殘留而整齊排列的多數個小孔71之多孔板70(參照第9圖(c))。
於上述構成之第2實施型態的浮上式基板搬送處理裝置中，只要氣體供應流路溝72及氣體吸引流路溝73為交互配列，則可形成任意配列，較理想為以傾斜狀將氣體供應流路溝72及氣體吸引流路溝73，配列於基板G的搬送方向(X方向)以及與該搬送方向正交之方向(Y方向)上(參照第10圖(a))，或是以沿著X方向及Y方向之波狀而形成氣體供應流路溝72及氣體吸引流路溝73(參照第10圖(b))，或者是以各自於Y方向上延伸存在之直線狀主溝72a、73a，及連接於該直線狀主溝72a、73a並於X方向上延伸存在之多數條分支溝72b、73b，而構成氣體供應流路溝72及氣體吸引流路溝73，並以鋸齒狀將鄰接之氣體供應流路溝72及氣體吸引流路溝73的分支溝72b、73b彼此加以配列(參照第10圖(c))。
於第2實施型態中，其他部分係與第1實施型態相同，因此係對相同的部分附加相同符號並省略該說明。
於上述構成之第2實施型態的浮上台座22A中，藉由驅動壓縮機55並驅動真空泵57，可使空氣隔著氣體供應流路溝72，以多孔板70上所形成之多數個小孔71接受壓力損失並分散，而往上方噴射，並且從多孔板70上所形成之多數個小孔71隔著氣體吸引流路溝73而被吸引。此時，供應的空氣以及吸引的空氣，係以多孔板70上所形成之多數個小孔71接受壓力損失而達到供應(噴射)與吸引之間的均衡，因此可使基板G的浮上高度達到一致並於安定的狀態下保持浮上狀態，並且可抑制搬送中之基板G的振動。
此外，係以傾斜狀將氣體吸引流路溝73配列於X方向及Y方向上(參照第10圖(a))，或是以沿著X方向及Y方向之波狀而形成氣體供應流路溝72及氣體吸引流路溝73(參照第10圖(b))，或者是以各自於Y方向上延伸存在之直線狀主溝72a、73a，及連接於該直線狀主溝72a、73a並於X方向上延伸存在之多數條分支溝72b、73b，而構成氣體供應流路溝72及氣體吸引流路溝73，並以鋸齒狀將鄰接之氣體供應流路溝72及氣體吸引流路溝73的分支溝72b、73b彼此加以配列(參照第10圖(c))，藉此更可確實的抑制搬送中之基板G的振動。
◎第3實施型態
第11圖係顯示本發明之浮上式基板搬送處理裝置的第3實施型態的主要部分之概略剖面圖。第12圖係顯示第3實施型態之氣體(空氣)的供應及吸引部之主要部分分解斜視圖。
第3實施型態係構成為，以設置有多數個大徑孔81之表面板80；於與表面板80的下面之間形成第1空間91而配設，並設置有位於大徑孔81的正下方之小徑孔83之中間板82；及於與中間板82的下面之間形成第2空間92而配設之下部板84所組成之台座主體；以及具有整齊排列的多數個小孔71，並以氣密方式嵌合於小徑孔83之多孔體86，而構成浮上台座22B，並將氣體供應機構之壓縮機55連接於第1空間91及第2空間92當中任一邊，例如為第1空間91，並將吸引機構之真空泵57連接於另一邊的空間，例如為第2空間92。此時，於表面板80及中間板82之間，係介於構成第1空間91之上部框87a，於中間板82及下部板84之間，係介於構成第2空間92之下部框87b(參照第12圖)。
如第11圖及第12圖所示般，上述多孔體86係形成剖面略呈T字狀，並具有嵌合於表面板80上所設置的大徑孔81內之大徑頭部86a；以及隔著密封構材，例如隔著O型環88以氣密方式嵌合於中間板82上所設置的小徑孔83內之腳部86b。此外，多孔體86的形狀並不須限定於剖面略呈T字狀者，亦可形成為，例如使腳部86b下垂於大徑頭部86a之一端的下部之剖面略呈反L字狀者。
此外，於連接第1空間91與壓縮機55之供應管路75之壓縮機55的二次側(吐出側)上介設有蓄壓機54A，於連接第2空間92與真空泵57之吸引管路76之真空泵57的一次側(吸引側)上介設有蓄壓機54B。此時，多孔體86與第2實施型態的多孔板70相同，可使多數個管構材彼此加以集合黏接而形成。此外，例如以黏結劑來固定可由熱或是藥品所溶解(消失)之線材，之後使線材溶解(消失)，藉此可製作出具有因黏結劑殘留而整齊排列的多數個小孔71之多孔體86。
於第3實施型態中，其他部分係與第1實施型態及第2實施型態相同，因此係對相同的部分附加相同符號並省略該說明。
於上述構成之第3實施型態的浮上台座22B中，藉由驅動壓縮機55並驅動真空泵57，可使空氣隔著第1空間91，以多孔體86上所形成之多數個小孔71接受壓力損失並分散，而往上方供應(噴射)，並且從多孔體86上所形成之多數個小孔71隔著第2空間92而被吸引。此時，供應的空氣以及吸引的空氣，係以多孔體86上所形成之多數個小孔71接受壓力損失而達到供應(噴射)與吸引之間的均衡，因此可使基板G的浮上高度達到一致並於安定的狀態下保持浮上狀態，並且可抑制搬送中之基板G的振動。
於上述說明中，係說明將壓縮機55連接於第1空間91，將真空泵57連接於第2空間92之情況，但亦可為相反情況。亦即將真空泵57連接於第1空間91，將壓縮機55連接於第2空間92。
◎其他實施型態
於上述實施型態中，係說明將本發明之浮上式基板搬送處理裝置適用於光阻塗佈處理裝置之情況，但當然亦可適用於光阻塗佈處理裝置以外之裝置，例如適用於顯像處理裝置。
G．．．LCD用玻璃基板(被處理基板)
22、22A、22B．．．浮上台座
23．．．光阻供應噴嘴
24．．．基板保持構材
28．．．線性馬達(移動機構)
50．．．多孔質構材
51．．．多孔質部(氣體供應孔)
52．．．吸引孔
55．．．壓縮機
56．．．迂迴流路
57．．．真空泵(吸引機構)
70．．．多孔板
71．．．小孔
72．．．氣體供應流路溝
72a．．．直線狀主溝
72b．．．分支溝
73．．．氣體吸引流路溝
73a．．．直線狀主溝
73b．．．分支溝
80．．．表面板
81．．．大徑孔
82．．．中間板
83．．．小徑孔
84．．．下部板
86．．．多孔體
86a．．．大徑頭部
86b．．．腳部
88．．．O型環(密封構材)
91．．．第1空間
92．．．第2空間
第1圖係顯示適用有本發明的浮上式基板搬送處理裝置之LCD用玻璃基板的光阻塗佈顯像處理裝置之概略平面圖。
第2圖係顯示適用有上述浮上式基板搬送處理裝置之光阻塗佈處理裝置的第1實施型態之概略斜視圖。
第3圖係顯示上述浮上式基板搬送處理裝置的第1實施型態之概略構成圖。
第4圖係顯示上述浮上式基板搬送處理裝置的第1實施型態之吸引部的主要部分剖面圖(a)、(a)的I部擴大剖面圖(b)以及I部的其他擴大剖面圖(c)。
第5圖係顯示上述浮上式基板搬送處理裝置的第1電施型態之供應部及吸引部的主要部分剖面圖。
第6圖係顯示上述浮上式基板搬送處理裝置的第1實施型態之浮上台座的一部分之概略平面圖。
第7圖係顯示本發明之構成迂迴流路之多數個平板之概略平面圖。
第8圖係顯示本發明之浮上式基板搬送處理裝置的第2實施型態之概略剖面圖。
第9圖係顯示第2實施型態之浮上台座的構成構材之分解斜視圖(a)、(a)的II部擴大斜視圖(b)以及II部的其他擴大斜視圖(c)。
第10圖係顯示第2實施型態之氣體供應流路溝及氣體供應流路溝的變形例之概略平面圖。
第11圖係顯示本發明之浮上式基板搬送處理裝置的第3實施型態的主要部分之概略剖面圖。
第12圖係顯示第3實施型態之浮上台座的構成構材之分解斜視圖。
G．．．LCD用玻璃基板(被處理基板)
20．．．光阻塗佈處理裝置
22a．．．搬入領域
22b．．．塗佈領域
22c．．．搬出領域
23．．．光阻供應噴嘴
50．．．多孔質構材
51．．．多孔質部(氣體供應孔)
52．．．吸引孔
53．．．供應流路
54A．．．蓄壓機
54B．．．蓄壓機
55．．．壓縮機
56．．．迂迴流路
57．．．真空泵(吸引機構)

Claims (3)

  1. 一種浮上式基板搬送處理裝置，係具備：從表面進行氣體的噴射及吸引，使被處理基板浮上之浮上台座；配置於上述浮上台座的上方，並將處理液供應至上述被處理基板的表面之處理液供應機構；及可各自將上述被處理基板的兩側端加以安裝及脫離地保持，且使被處理基板於上述浮上台座上移動之移動機構，其特徵為：以多孔質構材形成上述浮上台座，並於該多孔質構材設置有以氣密方式所區隔之多數個吸引孔，將氣體供應機構連接於上述多孔質構材的多孔質部，經由迂迴流路來將吸引機構連接於上述吸引孔而構成，該迂迴流路係錯開分別設於層疊在上述多孔質構材的複數個板構材的孔部而形成。
  2. 如申請專利範圍第1項之浮上式基板搬送處理裝置，其中，係將上述複數個吸引孔配列成對被處理基板的搬送方向及與該搬送方向正交的方向呈傾斜狀。
  3. 一種浮上式基板搬送處理方法，係使用如申請專利範圍第1或2項所記載的浮上式基板搬送處理裝置之浮上式基板搬送處理方法，其特徵為：藉由形成浮上台座的多孔質構材的多孔質部來供給受到壓力損失而被分散的氣體，且從以氣密方式區隔於多孔質構材的複數個吸引孔經由賦予壓力損失的迂迴流路來吸引，而使被處理基板浮起於浮上台座上，從處理液供給機構帶狀地供給處理液至上述被處理基板的表面，且藉由移動機構來移動被處理基板。
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