JP2002324831A - 真空吸着テーブル - Google Patents
真空吸着テーブルInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 サイズの異なる半導体ウェーハであっ
てもその全面を均一に吸着保持することができ、表面保
護テープの剥がし工程時や吸着テーブル面からの離脱時
にウェーハにストレスをかけたり割れを生じさせること
がなく、塵埃の付着による悪影響の発生もない、極薄ウ
ェーハの吸着保持に適した真空吸着テーブルを提供す
る。 【解決手段】 ベース２１の上面に設けた円形凹部２
２内を同心円状の薄い環状壁２３、２４で区画し、少な
くともこの環状壁２３、２４の内側でオリフラ部２５〜
２８の位置を薄い仕切り壁２９〜３２で区画し、上記円
形凹部２２内の環状壁２３、２４及び仕切り壁２９、３
２で区画されたそれぞれの部屋３３〜３９に通気性部材
４０〜４６をベース２１の上面と同一平面になるよう組
み込み、前記ベース２１の下部で各区画された部屋３３
〜３９ごとに独立して連通するエア給排口４８〜５４を
設け、この各給排口４８〜５４をエア吸引源５５とエア
供給源５６にバルブを介して個々に独立して接続してい
る。
てもその全面を均一に吸着保持することができ、表面保
護テープの剥がし工程時や吸着テーブル面からの離脱時
にウェーハにストレスをかけたり割れを生じさせること
がなく、塵埃の付着による悪影響の発生もない、極薄ウ
ェーハの吸着保持に適した真空吸着テーブルを提供す
る。 【解決手段】 ベース２１の上面に設けた円形凹部２
２内を同心円状の薄い環状壁２３、２４で区画し、少な
くともこの環状壁２３、２４の内側でオリフラ部２５〜
２８の位置を薄い仕切り壁２９〜３２で区画し、上記円
形凹部２２内の環状壁２３、２４及び仕切り壁２９、３
２で区画されたそれぞれの部屋３３〜３９に通気性部材
４０〜４６をベース２１の上面と同一平面になるよう組
み込み、前記ベース２１の下部で各区画された部屋３３
〜３９ごとに独立して連通するエア給排口４８〜５４を
設け、この各給排口４８〜５４をエア吸引源５５とエア
供給源５６にバルブを介して個々に独立して接続してい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエーハ
を吸着保持するために用いられる真空吸着テーブルに関
する。
を吸着保持するために用いられる真空吸着テーブルに関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエーハを製造するための各種製
造工程としては、例えば、表面保護テープの剥離工程、
切削・研磨加工工程、洗浄工程等があり、これらの工程
において、半導体ウエーハを固定するための手段とし
て、半導体ウエーハを真空吸着によってホールドする真
空吸着テーブルが多く用いられている。
造工程としては、例えば、表面保護テープの剥離工程、
切削・研磨加工工程、洗浄工程等があり、これらの工程
において、半導体ウエーハを固定するための手段とし
て、半導体ウエーハを真空吸着によってホールドする真
空吸着テーブルが多く用いられている。
【０００３】そして、近年における半導体ウエーハは、
大口径化（４、５、６インチ→８インチ→１２インチ）
と薄型化（３００〜５００μｍ→１００〜２００μｍ→
５０〜３０μｍ）が進み、これに対応して半導体ウエー
ハの吸着保持も部分吸着から全面吸着へと移行してきて
いる。
大口径化（４、５、６インチ→８インチ→１２インチ）
と薄型化（３００〜５００μｍ→１００〜２００μｍ→
５０〜３０μｍ）が進み、これに対応して半導体ウエー
ハの吸着保持も部分吸着から全面吸着へと移行してきて
いる。
【０００４】前者の部分吸着は、テーブルの上面に多数
の吸引小孔を設け、この吸引小孔で半導体ウエーハを吸
着する構造であり、また、後者の全面吸着は、テーブル
の上面が多孔質セラミックス等の通気性部材から形成さ
れたポーラステーブル構造である。
の吸引小孔を設け、この吸引小孔で半導体ウエーハを吸
着する構造であり、また、後者の全面吸着は、テーブル
の上面が多孔質セラミックス等の通気性部材から形成さ
れたポーラステーブル構造である。
【０００５】従来、ポーラステーブル構造を用いた全面
吸着用の真空吸着テーブルとしては、本出願人が先に出
願した特開平５−１１６８３７号に開示されたものがあ
る。
吸着用の真空吸着テーブルとしては、本出願人が先に出
願した特開平５−１１６８３７号に開示されたものがあ
る。
【０００６】この真空吸着テーブルは、一つのテーブル
で複数サイズ、例えば、５、６、８インチの半導体ウエ
ーハの吸着保持が可能になっている。
で複数サイズ、例えば、５、６、８インチの半導体ウエ
ーハの吸着保持が可能になっている。
【０００７】図５と図６は、この真空吸着テーブルの構
造を示し、ベース１の上面に８インチの半導体ウエーハ
Ａ３に適合する円形凹部２を設け、この円形凹部２内
を、５インチの半導体ウエーハＡ１に適合する環状壁３
と６インチの半導体ウエーハＡ ２に適合する環状壁４と
で同心円状に区画し、円形凹部２と環状壁３、４の内側
にはオリフラ部５、６、７を一体に設け、上記円形凹部
２内の環状壁３、４で区画されたそれぞれの部屋８、
９、１０に、区画された部屋８、９、１０の形状に適合
する多孔質セラミックス等の通気性部材１１、１２、１
３を、それぞれの上面とベース１の上面が同一平面にな
るよう組み込み、前記ベース１の下部で各区画された部
屋８、９、１０ごとに独立して連通するエア給排口１
４、１５、１６を設け、この各給排口１４、１５、１６
がエア吸引源とエア供給源にバルブを介して接続される
ようになっている。
造を示し、ベース１の上面に８インチの半導体ウエーハ
Ａ３に適合する円形凹部２を設け、この円形凹部２内
を、５インチの半導体ウエーハＡ１に適合する環状壁３
と６インチの半導体ウエーハＡ ２に適合する環状壁４と
で同心円状に区画し、円形凹部２と環状壁３、４の内側
にはオリフラ部５、６、７を一体に設け、上記円形凹部
２内の環状壁３、４で区画されたそれぞれの部屋８、
９、１０に、区画された部屋８、９、１０の形状に適合
する多孔質セラミックス等の通気性部材１１、１２、１
３を、それぞれの上面とベース１の上面が同一平面にな
るよう組み込み、前記ベース１の下部で各区画された部
屋８、９、１０ごとに独立して連通するエア給排口１
４、１５、１６を設け、この各給排口１４、１５、１６
がエア吸引源とエア供給源にバルブを介して接続される
ようになっている。
【０００８】また、真空吸着テーブル上の半導体ウエー
ハを取り出すために、ベース１の下部に半導体ウエーハ
を押し上げるためのリフターピン１７が通気性部材１１
の上面から出没できるように設けられている。
ハを取り出すために、ベース１の下部に半導体ウエーハ
を押し上げるためのリフターピン１７が通気性部材１１
の上面から出没できるように設けられている。
【０００９】上記真空吸着テーブルは、５インチの半導
体ウエーハＡ１を吸着するときは、５インチサイズで区
画された環状壁３内の通気性部材１１上にこの半導体ウ
エーハＡ１を載置し、上記環状壁３内の部屋８だけに吸
引力を作用させ、通気性部材１１上に半導体ウエーハＡ
１を吸着保持し、この時、他の部屋９、１０には吸引力
を作用させないようにする。
体ウエーハＡ１を吸着するときは、５インチサイズで区
画された環状壁３内の通気性部材１１上にこの半導体ウ
エーハＡ１を載置し、上記環状壁３内の部屋８だけに吸
引力を作用させ、通気性部材１１上に半導体ウエーハＡ
１を吸着保持し、この時、他の部屋９、１０には吸引力
を作用させないようにする。
【００１０】また、６インチの半導体ウエーハＡ２を吸
着するときは、５インチサイズの通気性部材１１と６イ
ンチサイズの通気性部材１２の上にわたってこの半導体
ウエーハＡ２を載置し、上記環状壁３と４内の部屋８、
９に吸引力を作用させ、残りの部屋１０には吸引力を作
用させないようにする。さらに、８インチの半導体ウエ
ーハＡ３を吸着するときは、全ての部屋８、９、１０に
吸引力を作用させることで吸着保持するものである。
着するときは、５インチサイズの通気性部材１１と６イ
ンチサイズの通気性部材１２の上にわたってこの半導体
ウエーハＡ２を載置し、上記環状壁３と４内の部屋８、
９に吸引力を作用させ、残りの部屋１０には吸引力を作
用させないようにする。さらに、８インチの半導体ウエ
ーハＡ３を吸着するときは、全ての部屋８、９、１０に
吸引力を作用させることで吸着保持するものである。
【００１１】従来、上記した真空吸着テーブルにおい
て、環状壁３、４の厚みは３〜５ｍｍ程度で、かつ、オ
リフラ部５、６、７の厚みは環状壁３、４の２倍程度に
なっているため、６インチや８インチの半導体ウエーハ
Ａ２、Ａ３を吸着するとき、これらの上面は非吸着面に
なる。
て、環状壁３、４の厚みは３〜５ｍｍ程度で、かつ、オ
リフラ部５、６、７の厚みは環状壁３、４の２倍程度に
なっているため、６インチや８インチの半導体ウエーハ
Ａ２、Ａ３を吸着するとき、これらの上面は非吸着面に
なる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近の半導
体ウエーハは、更なる薄型化が図られ、５０〜３０μｍ
の極薄ウエーハが主流になりつつある。
体ウエーハは、更なる薄型化が図られ、５０〜３０μｍ
の極薄ウエーハが主流になりつつある。
【００１３】このような極薄ウエーハを上述した従来の
真空吸着テーブルで吸着して処理しようとすると、ウエ
ーハがあまりにも薄いために、以下のような問題点が発
生する。
真空吸着テーブルで吸着して処理しようとすると、ウエ
ーハがあまりにも薄いために、以下のような問題点が発
生する。
【００１４】例えば、６インチの半導体ウエーハＡ２を
吸着保持した場合、５インチサイズで区画された環状壁
３の上面とオリフラ部５のエリアに位置するウエーハ部
分は吸着されないことになる。この結果、
吸着保持した場合、５インチサイズで区画された環状壁
３の上面とオリフラ部５のエリアに位置するウエーハ部
分は吸着されないことになる。この結果、
【００１５】（１）表面保護テープの剥がし工程時に、
この吸着されていないウエーハ部分が表面保護テープで
引っ張られてストレスがかかり、これがウエーハ自体に
ダメージや破損を引き起こす原因となっている。
この吸着されていないウエーハ部分が表面保護テープで
引っ張られてストレスがかかり、これがウエーハ自体に
ダメージや破損を引き起こす原因となっている。
【００１６】（２）表面保護テープの剥がし作業が終了
すると、吸着停止→エア噴射によるウエーハの吸着
テーブル面からの密着状態の解除（真空破壊）→リフ
ターピンの上昇よるウエーハの吸着テーブル面からの離
脱→ロボットハンド等でウエーハを次工程へ搬出とい
った作業を行うが、この内、エア噴射によってウエーハ
を吸着テーブルとの密着状態から解除しようとすると
き、環状壁３、４やオリフラ部５、６、７のエリアに位
置する部分は、密着状態が解除されないことがある。
すると、吸着停止→エア噴射によるウエーハの吸着
テーブル面からの密着状態の解除（真空破壊）→リフ
ターピンの上昇よるウエーハの吸着テーブル面からの離
脱→ロボットハンド等でウエーハを次工程へ搬出とい
った作業を行うが、この内、エア噴射によってウエーハ
を吸着テーブルとの密着状態から解除しようとすると
き、環状壁３、４やオリフラ部５、６、７のエリアに位
置する部分は、密着状態が解除されないことがある。
【００１７】このため、リフターピン１７を上昇させて
ウエーハを吸着テーブル面から離脱させようとすると
き、このリフターピン１７に当接するウエーハ部分に割
れが生じるという致命的な欠点を有している。
ウエーハを吸着テーブル面から離脱させようとすると
き、このリフターピン１７に当接するウエーハ部分に割
れが生じるという致命的な欠点を有している。
【００１８】（３）また、何度も吸着保持作業を繰り返
していると、バックグランド工程等でウエーハに付着し
た塵埃が吸着テーブルの環状壁３、４やオリフラ部５、
６、７の上面に蓄積され、これがウエーハに再付着して
該ウエーハに悪影響を及ぼす原因となりかねない。
していると、バックグランド工程等でウエーハに付着し
た塵埃が吸着テーブルの環状壁３、４やオリフラ部５、
６、７の上面に蓄積され、これがウエーハに再付着して
該ウエーハに悪影響を及ぼす原因となりかねない。
【００１９】そこで、この発明の課題は、環状壁を極薄
厚にすると共にオリフラ部にも吸引機能を与え、何れの
サイズの半導体ウエーハであってもその全面を均一に吸
着保持することができ、表面保護テープの剥がし工程時
や吸着テーブル面からの離脱時にウエーハにストレスを
かけたり割れを生じさせることがなく、塵埃の付着によ
る悪影響の発生もない、極薄ウエーハの吸着保持に適し
た真空吸着テーブルを提供することにある。
厚にすると共にオリフラ部にも吸引機能を与え、何れの
サイズの半導体ウエーハであってもその全面を均一に吸
着保持することができ、表面保護テープの剥がし工程時
や吸着テーブル面からの離脱時にウエーハにストレスを
かけたり割れを生じさせることがなく、塵埃の付着によ
る悪影響の発生もない、極薄ウエーハの吸着保持に適し
た真空吸着テーブルを提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記のような課題を解決
するため、この発明は、ベースの上面に設けた円形凹部
内を同心円状の薄い環状壁で区画し、少なくともこの環
状壁の内側でオリフラ部の位置を薄い仕切り壁で区画
し、上記円形凹部内の環状壁及び仕切り壁で区画された
それぞれの部屋に、区画された部屋の形状に適合する通
気性部材を、それぞれの上面が同一平面になるよう組み
込み、前記ベースの下部で各区画された部屋ごとに独立
して連通するエア給排口を設け、この各給排口をエア吸
引源とエア供給源の何れかとバルブを介して個々に独立
して接続した構成を採用したものである。
するため、この発明は、ベースの上面に設けた円形凹部
内を同心円状の薄い環状壁で区画し、少なくともこの環
状壁の内側でオリフラ部の位置を薄い仕切り壁で区画
し、上記円形凹部内の環状壁及び仕切り壁で区画された
それぞれの部屋に、区画された部屋の形状に適合する通
気性部材を、それぞれの上面が同一平面になるよう組み
込み、前記ベースの下部で各区画された部屋ごとに独立
して連通するエア給排口を設け、この各給排口をエア吸
引源とエア供給源の何れかとバルブを介して個々に独立
して接続した構成を採用したものである。
【００２１】ここで、ベースの上面に設けた円形凹部の
内径を８インチサイズに設定した場合、円形凹部の内部
には、５インチサイズと６インチサイズの環状壁が設け
られ、また、円形凹部の内径を１２インチサイズに設定
した場合は、５、６と８インチサイズの環状壁が設けら
れることになる。
内径を８インチサイズに設定した場合、円形凹部の内部
には、５インチサイズと６インチサイズの環状壁が設け
られ、また、円形凹部の内径を１２インチサイズに設定
した場合は、５、６と８インチサイズの環状壁が設けら
れることになる。
【００２２】また、半導体ウエーハは、位置決め用とな
るオリフラの条件がサイズによって異なり、５インチの
半導体ウエーハはオリフラが一箇所設けられ、６インチ
の半導体ウエーハはオリフラが一箇所又は二箇所設けら
れ、８インチの半導体ウエーハはオリフラが一箇所又は
これに代えて面積の小さなＶノッチが設けられ、１２イ
ンチの半導体ウエーハは、オリフラがなくＶノッチのみ
であり、従って、環状壁や円形凹部の内側に設けるオリ
フラ部は、対応する半導体ウエーハの条件に合わせて設
定されることになる。
るオリフラの条件がサイズによって異なり、５インチの
半導体ウエーハはオリフラが一箇所設けられ、６インチ
の半導体ウエーハはオリフラが一箇所又は二箇所設けら
れ、８インチの半導体ウエーハはオリフラが一箇所又は
これに代えて面積の小さなＶノッチが設けられ、１２イ
ンチの半導体ウエーハは、オリフラがなくＶノッチのみ
であり、従って、環状壁や円形凹部の内側に設けるオリ
フラ部は、対応する半導体ウエーハの条件に合わせて設
定されることになる。
【００２３】上記環状壁と仕切り壁は、例えば、厚みの
極薄い０．１３ｍｍ厚のステンレス板を板厚が垂直にな
るようにして用い、各区画の境目厚をゼロに近づけるよ
うにすると共に、各部屋に組み込む通気性部材には、多
孔質セラミックス等を使用する。
極薄い０．１３ｍｍ厚のステンレス板を板厚が垂直にな
るようにして用い、各区画の境目厚をゼロに近づけるよ
うにすると共に、各部屋に組み込む通気性部材には、多
孔質セラミックス等を使用する。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
１乃至図４の図示例と共に説明する。
１乃至図４の図示例と共に説明する。
【００２５】図示のように、真空吸着テーブルは、円板
状に形成したベース２１の上面に円形凹部２２を設け、
この円形凹部２２内を同心円状の薄い環状壁２３、２４
で区画し、円形凹部２２と環状壁２３、２４の内側でオ
リフラ部２５、２６、２７、２８の位置を薄い仕切り壁
２９、３０、３１、３２で区画し、上記円形凹部２２内
の環状壁２３、２４及び仕切り壁２９、３０、３１、３
２で区画されたそれぞれの部屋３３、３４、３５、３
６、３７、３８、３９に、区画された部屋３３〜３９の
形状に適合する通気性部材４０〜４６が、それぞれの上
面とベース２１の上面が同一平面になるよう組み込まれ
ている。この通気性部材４０〜４６としては、多孔質セ
ラミックス等を使用する。
状に形成したベース２１の上面に円形凹部２２を設け、
この円形凹部２２内を同心円状の薄い環状壁２３、２４
で区画し、円形凹部２２と環状壁２３、２４の内側でオ
リフラ部２５、２６、２７、２８の位置を薄い仕切り壁
２９、３０、３１、３２で区画し、上記円形凹部２２内
の環状壁２３、２４及び仕切り壁２９、３０、３１、３
２で区画されたそれぞれの部屋３３、３４、３５、３
６、３７、３８、３９に、区画された部屋３３〜３９の
形状に適合する通気性部材４０〜４６が、それぞれの上
面とベース２１の上面が同一平面になるよう組み込まれ
ている。この通気性部材４０〜４６としては、多孔質セ
ラミックス等を使用する。
【００２６】図示の場合、真空吸着テーブルは、５、６
及び８インチの半導体ウエーハを吸着保持する例を示
し、円形凹部２２の内径を８インチのサイズに設定する
と共に、円形凹部２２の内部に５インチサイズの環状壁
２３と６インチサイズの環状壁２４を同心円状に配置
し、５インチサイズの環状壁２３の内側一箇所にオリフ
ラ部２５を設け、６インチサイズの環状壁２４の内側二
箇所にショートオリフラ部２６とロングオリフラ部２７
を設け、円形凹部２２の内側一箇所にオリフラ部２８を
設けている。
及び８インチの半導体ウエーハを吸着保持する例を示
し、円形凹部２２の内径を８インチのサイズに設定する
と共に、円形凹部２２の内部に５インチサイズの環状壁
２３と６インチサイズの環状壁２４を同心円状に配置
し、５インチサイズの環状壁２３の内側一箇所にオリフ
ラ部２５を設け、６インチサイズの環状壁２４の内側二
箇所にショートオリフラ部２６とロングオリフラ部２７
を設け、円形凹部２２の内側一箇所にオリフラ部２８を
設けている。
【００２７】また、５、６、８及び１２インチの半導体
ウエーハを吸着保持する場合は、円形凹部２２の内径を
１２インチのサイズに設定し、円形凹部２２の内部に
５、６及び８インチサイズの環状壁を同心円に設け、円
形凹部２２の内側にオリフラ部がない構造を採用すれば
よい。
ウエーハを吸着保持する場合は、円形凹部２２の内径を
１２インチのサイズに設定し、円形凹部２２の内部に
５、６及び８インチサイズの環状壁を同心円に設け、円
形凹部２２の内側にオリフラ部がない構造を採用すれば
よい。
【００２８】上記環状壁２３、２４と仕切り壁２９〜３
２は、例えば、厚みの極薄い０．１３ｍｍ厚のステンレ
ス板を用い、図３と図４の拡大図で示すように、円形凹
部２２の底面に設けた溝にその板厚を気密状に差し込ん
で固定することにより、板厚が垂直になり、その上端縁
がベース２１の上面と同じレベル高さになるよう配置さ
れ、環状壁２３、２４内の仕切り壁２９〜３１は両端が
環状壁２３、２４に固定され、円形凹部２２内の仕切り
壁３２はベース２１に設けた溝にはめ込み固定され、こ
れらの環状壁２３、２４と仕切り壁２９〜３２で円形凹
部２２内を独立した部屋３３〜３９に区画し、各部屋３
３〜３９内に通気性部材４０〜４６が組み込まれてい
る。
２は、例えば、厚みの極薄い０．１３ｍｍ厚のステンレ
ス板を用い、図３と図４の拡大図で示すように、円形凹
部２２の底面に設けた溝にその板厚を気密状に差し込ん
で固定することにより、板厚が垂直になり、その上端縁
がベース２１の上面と同じレベル高さになるよう配置さ
れ、環状壁２３、２４内の仕切り壁２９〜３１は両端が
環状壁２３、２４に固定され、円形凹部２２内の仕切り
壁３２はベース２１に設けた溝にはめ込み固定され、こ
れらの環状壁２３、２４と仕切り壁２９〜３２で円形凹
部２２内を独立した部屋３３〜３９に区画し、各部屋３
３〜３９内に通気性部材４０〜４６が組み込まれてい
る。
【００２９】前記ベース２１には、環状壁２３で区画さ
れた部屋３３の下部に、半導体ウエーハをテーブル面か
ら持ち上げるための複数のリフターピン４７が、通気性
部材４０の上面に対して一体に出没するよう上下動自在
に設けられている。
れた部屋３３の下部に、半導体ウエーハをテーブル面か
ら持ち上げるための複数のリフターピン４７が、通気性
部材４０の上面に対して一体に出没するよう上下動自在
に設けられている。
【００３０】上記ベース２１の下部には、各区画された
各部屋３３〜３９ごとに独立して連通するエア給排口４
８〜５４を設け、この各給排口４８〜５４にエア吸引源
５５とエア供給源５６をそれぞれ切り換え用のバルブ５
７、５８を介して接続し、更に各給排口４８〜５４ごと
に開閉バルブ５９〜６５を設け、各部屋３３〜３９ごと
に個々に独立してエア吸引源５５又はエア供給源５６を
接続できるようになっている。
各部屋３３〜３９ごとに独立して連通するエア給排口４
８〜５４を設け、この各給排口４８〜５４にエア吸引源
５５とエア供給源５６をそれぞれ切り換え用のバルブ５
７、５８を介して接続し、更に各給排口４８〜５４ごと
に開閉バルブ５９〜６５を設け、各部屋３３〜３９ごと
に個々に独立してエア吸引源５５又はエア供給源５６を
接続できるようになっている。
【００３１】この発明の真空吸着テーブルは、上記のよ
うな構成であり、５インチの半導体ウエーハＡ１を吸着
するときは、５インチサイズで区画された環状壁２３内
の通気性部材４０上にこの半導体ウエーハＡ１を載置
し、エア吸引源５５の切り換えバルブ５７を開き、エア
供給源５６の切り換えバルブ５８を閉じて、５インチサ
イズに該当する部屋３３の開閉バルブ５９を開き、上記
環状壁２３内の部屋３３だけに吸引力を作用させ、通気
性部材４０上に半導体ウエーハＡ１を全面吸着保持す
る。この時、他の部屋３４〜３９には吸引力が作用して
いない。
うな構成であり、５インチの半導体ウエーハＡ１を吸着
するときは、５インチサイズで区画された環状壁２３内
の通気性部材４０上にこの半導体ウエーハＡ１を載置
し、エア吸引源５５の切り換えバルブ５７を開き、エア
供給源５６の切り換えバルブ５８を閉じて、５インチサ
イズに該当する部屋３３の開閉バルブ５９を開き、上記
環状壁２３内の部屋３３だけに吸引力を作用させ、通気
性部材４０上に半導体ウエーハＡ１を全面吸着保持す
る。この時、他の部屋３４〜３９には吸引力が作用して
いない。
【００３２】また、半導体ウエーハＡ１を取り出すとき
は、エア吸引源５５の切り換えバルブ５７を閉じてエア
供給源５６の切り換えバルブ５８を開き、エアの供給で
真空を破壊し、通気性部材４０面からの半導体ウエーハ
Ａ１の密着状態を解除し、この後、リフターピン４７を
上昇させ、テーブル面から半導体ウエーハＡ１を持ち上
げればよい。
は、エア吸引源５５の切り換えバルブ５７を閉じてエア
供給源５６の切り換えバルブ５８を開き、エアの供給で
真空を破壊し、通気性部材４０面からの半導体ウエーハ
Ａ１の密着状態を解除し、この後、リフターピン４７を
上昇させ、テーブル面から半導体ウエーハＡ１を持ち上
げればよい。
【００３３】次に、６インチの半導体ウエーハＡ２を吸
着するときは、５インチサイズの通気性部材４０と６イ
ンチサイズに区画された環状壁２４内の通気性部材４１
上にわたってこの半導体ウエーハＡ２を載置し、エア吸
引源５５の切り換えバルブ５７を開き、エア供給源５６
の切り換えバルブ５８を閉じて、５インチと６インチサ
イズの部屋３３、３４及び５インチサイズのオリフラ部
２５の部屋３６の開閉バルブ５９、６０、６２を開き、
上記三つの部屋３３、３４及び３６に吸引力を作用さ
せ、通気性部材４０、４１、４３上に半導体ウエーハＡ
２を吸着保持する。この時、他の部屋３５と３７〜３９
には吸引力が作用していない。
着するときは、５インチサイズの通気性部材４０と６イ
ンチサイズに区画された環状壁２４内の通気性部材４１
上にわたってこの半導体ウエーハＡ２を載置し、エア吸
引源５５の切り換えバルブ５７を開き、エア供給源５６
の切り換えバルブ５８を閉じて、５インチと６インチサ
イズの部屋３３、３４及び５インチサイズのオリフラ部
２５の部屋３６の開閉バルブ５９、６０、６２を開き、
上記三つの部屋３３、３４及び３６に吸引力を作用さ
せ、通気性部材４０、４１、４３上に半導体ウエーハＡ
２を吸着保持する。この時、他の部屋３５と３７〜３９
には吸引力が作用していない。
【００３４】また、８インチの半導体ウエーハＡ３を吸
着するときは、上記した６インチの半導体ウエーハＡ２
の吸着条件に加え、６インチサイズのオリフラ部２６、
２７の部屋３７、３８と８インチサイズの部屋３５の開
閉バルブ６１、６３と６４も開き、この半導体ウエーハ
Ａ３がオリフラのないタイプであれば、更に８インチサ
イズのオリフラ部２８の部屋３９の開閉バルブ６５を開
くようにする。
着するときは、上記した６インチの半導体ウエーハＡ２
の吸着条件に加え、６インチサイズのオリフラ部２６、
２７の部屋３７、３８と８インチサイズの部屋３５の開
閉バルブ６１、６３と６４も開き、この半導体ウエーハ
Ａ３がオリフラのないタイプであれば、更に８インチサ
イズのオリフラ部２８の部屋３９の開閉バルブ６５を開
くようにする。
【００３５】上記のような開閉バルブ６０〜６５の開閉
を選択することにより、６インチの半導体ウエーハＡ２
及び８インチの半導体ウエーハＡ３を何れの場合も、全
面吸着することができることになる。
を選択することにより、６インチの半導体ウエーハＡ２
及び８インチの半導体ウエーハＡ３を何れの場合も、全
面吸着することができることになる。
【００３６】また、６インチの半導体ウエーハＡ２及び
８インチの半導体ウエーハＡ３を取り出すときは、エア
吸引源５５の切り換えバルブ５７を閉じてエア供給源５
６の切り換えバルブ５８を開き、エアの供給で吸着部分
の真空を破壊し、通気性部材４０〜４６の上面に対する
半導体ウエーハの密着状態を解除し、この後、リフター
ピン４７を上昇させ、テーブル面から半導体ウエーハを
持ち上げればよい。
８インチの半導体ウエーハＡ３を取り出すときは、エア
吸引源５５の切り換えバルブ５７を閉じてエア供給源５
６の切り換えバルブ５８を開き、エアの供給で吸着部分
の真空を破壊し、通気性部材４０〜４６の上面に対する
半導体ウエーハの密着状態を解除し、この後、リフター
ピン４７を上昇させ、テーブル面から半導体ウエーハを
持ち上げればよい。
【００３７】上記のように、５、６、８インチの何れの
サイズの半導体ウエーハでも全面を均一に吸着保持する
ことができ、これにより、表面保護テープの剥がし工程
時に吸着されていないウエーハ部分が表面保護テープで
引っ張られてストレスがかかるというようなことがなく
なる。
サイズの半導体ウエーハでも全面を均一に吸着保持する
ことができ、これにより、表面保護テープの剥がし工程
時に吸着されていないウエーハ部分が表面保護テープで
引っ張られてストレスがかかるというようなことがなく
なる。
【００３８】また、各環状壁２３、２４や仕切り壁２９
〜３２は極薄い板厚になっていると共に、各オリフラ部
２５〜２８を区画してその中に通気性部材４３〜４６を
組み込み、ウエーハを吸着できるようにしてあるので、
リフターピン４７の上昇によるウエーハの吸着テーブル
面からの離脱工程時に、エアの供給で真空を破壊するこ
とができ、従って、半導体ウエーハの環状壁２３、２４
やオリフラ部２５〜２８のエリアに位置する部分の密着
状態の解除が確実に行え、リフターピン４７に当接する
ウエーハ部分にストレスをかけたり割れが生じることが
ない。
〜３２は極薄い板厚になっていると共に、各オリフラ部
２５〜２８を区画してその中に通気性部材４３〜４６を
組み込み、ウエーハを吸着できるようにしてあるので、
リフターピン４７の上昇によるウエーハの吸着テーブル
面からの離脱工程時に、エアの供給で真空を破壊するこ
とができ、従って、半導体ウエーハの環状壁２３、２４
やオリフラ部２５〜２８のエリアに位置する部分の密着
状態の解除が確実に行え、リフターピン４７に当接する
ウエーハ部分にストレスをかけたり割れが生じることが
ない。
【００３９】更に、各環状壁２３、２４や仕切り壁２９
〜３２は極薄い板厚になっていると共に、各オリフラ部
２５〜２８はエアの噴出ができるので、バックグランド
工程等でウエーハに付着した塵埃が環状壁２３、２４や
オリフラ部２５〜２８の上面に蓄積されることがなく、
塵埃がウエーハに再付着して該ウエーハに悪影響を及ぼ
すこともない。
〜３２は極薄い板厚になっていると共に、各オリフラ部
２５〜２８はエアの噴出ができるので、バックグランド
工程等でウエーハに付着した塵埃が環状壁２３、２４や
オリフラ部２５〜２８の上面に蓄積されることがなく、
塵埃がウエーハに再付着して該ウエーハに悪影響を及ぼ
すこともない。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、この発明によると、環状
壁や仕切り壁を極薄厚にすると共に、オリフラ部も区画
して吸引機能を与え、何れのサイズの半導体ウエーハで
あってもその全面を均一に吸着保持することができるよ
うにしたので、半導体ウエーハの表面保護テープの剥が
し工程時に、吸着されていないウエーハ部分が表面保護
テープで引っ張られるようなことがなく、ストレスによ
るウエーハ自体のダメージや破損の発生を防ぐことがで
きる。
壁や仕切り壁を極薄厚にすると共に、オリフラ部も区画
して吸引機能を与え、何れのサイズの半導体ウエーハで
あってもその全面を均一に吸着保持することができるよ
うにしたので、半導体ウエーハの表面保護テープの剥が
し工程時に、吸着されていないウエーハ部分が表面保護
テープで引っ張られるようなことがなく、ストレスによ
るウエーハ自体のダメージや破損の発生を防ぐことがで
きる。
【００４１】また、各環状壁や仕切り壁は極薄い板厚に
なっていると共に、各オリフラ部はエアの噴出ができる
ので、吸着テーブル面からの離脱時に密着状態の解除が
確実に行え、リフターピンに当接するウエーハ部分にス
トレスをかけたり割れが生じることがないと共に、バッ
クグランド工程等でウエーハに付着した塵埃が環状壁や
オリフラ部の上面に蓄積されることがなく、塵埃がウエ
ーハに再付着して該ウエーハに悪影響を及ぼすこともな
く、極薄ウエーハの吸着保持が可能になる。
なっていると共に、各オリフラ部はエアの噴出ができる
ので、吸着テーブル面からの離脱時に密着状態の解除が
確実に行え、リフターピンに当接するウエーハ部分にス
トレスをかけたり割れが生じることがないと共に、バッ
クグランド工程等でウエーハに付着した塵埃が環状壁や
オリフラ部の上面に蓄積されることがなく、塵埃がウエ
ーハに再付着して該ウエーハに悪影響を及ぼすこともな
く、極薄ウエーハの吸着保持が可能になる。
【図１】この発明の真空吸着テーブルを示す平面図
【図２】図１の矢印II−IIに沿う縦断正面図
【図３】真空吸着テーブルのオリフラ部を拡大した平面
図
図
【図４】図３の矢印IV−IVに沿う縦断正面図
【図５】従来の真空吸着テーブルを示す平面図
【図６】図５の矢印VI−VIに沿う縦断正面図
２１ ベース ２２ 円形凹部 ２３ 環状壁 ２４ 環状壁 ２５ オリフラ部 ２６ オリフラ部 ２７ オリフラ部 ２８ オリフラ部 ２９ 仕切り壁 ３０ 仕切り壁 ３１ 仕切り壁 ３２ 仕切り壁 ３３ 部屋 ３４ 部屋 ３５ 部屋 ３６ 部屋 ３７ 部屋 ３８ 部屋 ３９ 部屋 ４０ 通気性部材 ４１ 通気性部材 ４２ 通気性部材 ４３ 通気性部材 ４４ 通気性部材 ４５ 通気性部材 ４６ 通気性部材 ４７ リフターピン ４８ エア給排口 ４９ エア給排口 ５０ エア給排口 ５１ エア給排口 ５２ エア給排口 ５３ エア給排口 ５４ エア給排口 ５５ エア吸引源 ５６ エア供給源 ５７ 切り換え用のバルブ ５８ 切り換え用のバルブ ５９ 開閉バルブ ６０ 開閉バルブ ６１ 開閉バルブ ６２ 開閉バルブ ６３ 開閉バルブ ６４ 開閉バルブ ６５ 開閉バルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3F102 AA20 AB09 BA08 BB01 DA11 FA01 5F031 CA02 HA02 HA14 HA33 HA34 PA16 PA20 PA23
Claims (1)
- 【請求項１】 ベースの上面に設けた円形凹部内を同心
円状の薄い環状壁で区画し、少なくともこの環状壁の内
側でオリフラ部の位置を薄い仕切り壁で区画し、上記円
形凹部内の環状壁及び仕切り壁で区画されたそれぞれの
部屋に、区画された部屋の形状に適合する通気性部材
を、それぞれの上面が同一平面になるよう組み込み、前
記ベースの下部で各区画された部屋ごとに独立して連通
するエア給排口を設け、この各給排口をエア吸引源とエ
ア供給源の何れかとバルブを介して個々に独立して接続
するようにした真空吸着テーブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001128951A JP2002324831A (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | 真空吸着テーブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001128951A JP2002324831A (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | 真空吸着テーブル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002324831A true JP2002324831A (ja) | 2002-11-08 |
| JP2002324831A5 JP2002324831A5 (ja) | 2005-08-11 |
Family
ID=18977564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001128951A Pending JP2002324831A (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | 真空吸着テーブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002324831A (ja) |
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| JP7469921B2 (ja) | 2020-03-13 | 2024-04-17 | 株式会社東京精密 | 加工システム |
-
2001
- 2001-04-26 JP JP2001128951A patent/JP2002324831A/ja active Pending
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