KR20030045653A - 흡착유지장치 - Google Patents

흡착유지장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20030045653A
KR20030045653A KR1020020076461A KR20020076461A KR20030045653A KR 20030045653 A KR20030045653 A KR 20030045653A KR 1020020076461 A KR1020020076461 A KR 1020020076461A KR 20020076461 A KR20020076461 A KR 20020076461A KR 20030045653 A KR20030045653 A KR 20030045653A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
suction
adsorption
wafer
air
chamber
Prior art date
Application number
KR1020020076461A
Other languages
English (en)
Inventor
구로카와슈지
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR20030045653A publication Critical patent/KR20030045653A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manipulator (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

웨이퍼 유지체(H)가 얹어 놓이는 테이블(24)과, 이 테이블(24)에 연결되는 흡인측 관로(25)를 구비하여 흡착유지장치(10)가 구성되어 있다. 테이블(24)은, 흡착구멍(27)이 다수 형성된 상면측의 흡착면(28)과, 흡착구멍(27)으로 통하는 챔버(32)를 구비하고 있다. 이 챔버(32)는, 상호 격리된 복수의 격실(37, 38, 39)로 분할되고, 웨이퍼 유지체(H)를 흡착면(28)으로부터 제거할 때에, 각 격실(37∼39)에 독립해서 공기가 공급됨과 동시에, 테이블(24)의 외측으로부터 내측을 향해서 순번으로 공기가 공급되도록 되어 있다.

Description

흡착유지장치{SUCTION HOLDING DEVICE}
본 발명은 흡착유지장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 흡착면으로부터 대상물을 제거할 때에, 해당 대상물의 휨변형을 방지할 수 있는 흡착유지장치에 관한 것이다.
종래부터, 대략 원반형상의 반도체 웨이퍼(이하, 다만 「웨이퍼」라고 함)의 표면측으로 되는 회로면에 부착된 보호시트를 자동적으로 박리하는 박리장치가 알려져 있다. 이 박리장치는, 링 프레임의 내측에 표출되는 다이싱(dicing) 테이프에 웨이퍼의 이면이 부착되어 이루어지는 웨이퍼 유지체를 흡착유지장치로 흡착유지하고, 그 상태에서 상기 보호시트를 박리한 후, 웨이퍼 유지체를 흡착하여 흡착유지장치측으로부터 취출하도록 되어 있다.
여기서, 상기 흡착유지장치로서는, 예를 들면, 도 10(a)에 도시하는 흡착유지장치(70)가 알려져 있다. 이 흡착유지장치(70)는, 보호시트(S)가 부착된 웨이퍼(W)를 유지하는 유지체(H)가 얹어 놓이는 테이블(71)과, 이 테이블(71)에 연결되는 도시하지 않는 진공발생장치와, 상기 테이블(71)에 공기를 공급하는 컴프레서 등의 공기 공급장치(도시 생략)를 구비하여 구성되어 있다. 테이블(71)은, 흡착구멍(74)이 다수 형성된 상면측의 흡착면(75)과, 흡착구멍(74)으로 통하는 1실의 챔버(77)와, 이 챔버(77)의 내부와 상기 진공발생장치를 연결하는 1개의 흡인측 관로(78)와, 챔버(77)의 내부와 상기 공기 공급장치를 연결하는 급기측 관로(80) 및 급기 제어밸브(81)를 구비하고 있다.
그런데, 보호시트(S)가 박리된 후의 웨이퍼 유지체(H)는, 도 10(b)에 도시되는 바와 같이, 링 프레임(R)부분에 흡착패드(P)를 흡착시킨 후에 해당 흡착패드(P)의 상승에 의해 테이블(71)로부터 제거된다. 이 때, 챔버(77) 내의 흡인이 정지됨과 동시에, 챔버(77)내에 잔존하는 진공압상태의 파괴(이하, 「진공파괴」라고 함)를 행하기 위하여, 상기 공기 공급장치로부터 공기가 챔버(77)내에 공급되어, 그 공기가 흡착구멍(74)으로부터 분출되도록 되어 있다.
그렇지만, 상기 흡착유지장치(70)에 있어서는, 챔버(77)가 1실로 구성되어 있기 때문에, 진공파괴시에 챔버(77)내에 공급된 공기는, 공기가 빠지기 쉬운 웨이퍼 유지체(H)의 외주 가장자리측으로 많이 흐르고, 웨이퍼 유지체(H)의 중앙부근까지 골고루 퍼지기 어렵다는 문제가 있다. 그 결과, 웨이퍼 유지체(H)를 테이블(71)로부터 제거할 때에, 웨이퍼 유지체(H)의 중앙부근에 있어서는, 테이블(71)측에의 흡인력이 여전히 남고, 도 10(b)에 도시되는 바와 같이, 흡착패드(P)의 상승에 따라서, 웨이퍼(W)의 외주측이 중앙측보다도 상방으로 만곡하는 휨변형이 발생하기 쉽게 된다. 특히, 최근의 웨이퍼(W)는, 두께가 종래의 350㎛∼200㎛ 정도로부터 100㎛∼30㎛ 정도로 극박(極薄)화되어 있고, 이와 같은 극박의 웨이퍼(W)에서는, 상술한 휨변형이 발생하면, 웨이퍼(W)에 균열이나 상처가 발생하기 쉬워진다는 문제가 있다.
본 발명은, 이와 같은 문제에 착안하여 안출한 것으로, 그 목적은, 웨이퍼 등의 대상물을 흡착면에서 제거할 때의 대상물의 휨변형에 기인하는 균열 상처를 방지할 수 있는 흡착유지장치를 제공하는데 있다.
도 1은 본 실시예에 관한 흡착유지장치가 적용된 박리장치의 전체구성을 도시하는 측면도,
도 2는 상기 박리장치에 적용되는 웨이퍼 유지체의 개략 사시도,
도 3은 도 2의 A-A 화살표시를 따라 본 확대 종단면도,
도 4는 본 실시예의 흡착유지장치의 주요부 확대단면도,
도 5는 상기 흡착유지장치의 평면에서 본 절반단면도,
도 6은 상기 박리장치에 의한 박리작업을 모식적으로 도시한 개략 사시도,
도 7은 상기 흡착유지장치로부터 웨이퍼 유지체를 제거할 때의 제 1의 격실의 진공파괴상태를 도시하는 확대단면도,
도 8은 도 7의 뒤의 제 2 격실의 진공파괴상태를 도시하는 확대단면도,
도 9는 도 8의 뒤의 제 3의 격실의 진공파괴상태를 도시하는 확대단면도,
도 10(a)는 종래예에 있어서의 흡착유지장치의 주요부 단면도, 및
도 10(b)는 도 10(a)의 흡착유지장치에 의한 문제를 설명하기 위한 주요부 단면도.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 흡착면으로 통하는 챔버를 구비하고, 상기 흡착면에 소정의 대상물을 흡착유지 가능하게 설치된 흡착유지장치에 있어서,
상기 챔버는, 상호 격리된 복수의 격실로 분할되고, 상기 대상물을 상기 흡착면에서 제거할 때에, 상기 각 격실에 독립하여 공기가 공급되고,
상기 각 격실의 공기의 공급은, 흡착면의 외주측에 위치하는 격실로부터 상기 흡착면의 중앙측에 위치하는 격실을 향해서 순번으로 개시되는, 라고 하는 구성을 채택하고 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 챔버가 상호 격리된 복수의 격실로 분할되고, 대상물을 흡착면에서 제거할 때에, 각 격실에 독립하여 공기가 공급되기 때문에, 챔버내의 진공파괴를 대략 전역에 확실히 행할 수 있고, 대상물을 흡착면에서 제거할 때의 대상물의 휨변형을 방지할 수 있다. 게다가, 상기 흡착면의 외주측에 위치하는 격실로부터 상기 흡착면의 중앙측에 위치하는 격실을 향해서 순번으로 공기가 공급되기 때문에, 역방향으로 공기를 공급한 경우에 발생하는 휨변형, 즉, 대상물의 중앙부분이 흡착면에서 부상하는 접시형상의 휨변형을 방지할 수 있다.
또, 본 발명에 있어서의 챔버는, 상기 흡착면의 외주측으로부터 중앙측을 향해서 간막이되는, 라고 하는 구성을 채택하는 것이 바람직하다. 이와 같이 구성함으로써, 공기가 빠지기 쉬운 대상물의 외주측의 격실과, 공기가 빠지기 어려운 대상물의 중앙측의 격실 사이에서 독립하여 공기의 공급을 제어할 수 있고, 상기 대상물의 휨변형을 한층 더 확실히 방지할 수 있다.
(바람직한 실시예의 상세한 설명)
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1에는, 본 실시예에 관한 흡착유지장치(10)가 적용된 박리장치(20)의 개략 측면도가 도시되어 있다. 또, 도 2에는, 상기 박리장치(20)에 적용되는 대상물로서의 웨이퍼 유지체(H)의 개략 사시도가 도시되어 있고, 도 3에는, 도 2의 확대 종단면도가 도시되어 있다. 이들의 도면에 있어서, 웨이퍼 유지체(H)는 표면측이 회로면으로 되는 대략 원방형상의 웨이퍼(W)와, 이 웨이퍼(W)의 회로면에 부착된 보호시트(S)와, 웨이퍼(W)의 배면측에 부착되는 다이싱 테이프(T)와, 이 다이싱 테이프(T)의 외주 가장자리부분을 따라서 부착되는 링 프레임(R)에 의해 구성되어 있다.
상기 박리장치(20)는, 다이싱공정 이전의 웨이퍼(W)로부터 보호시트(S)를 자동적으로 박리하는 장치이다. 즉, 박리장치(20)는, 웨이퍼 유지체(H)를 흡착유지하는 흡착유지장치(10)와, 이 흡착유지장치(10)에 흡착유지된 웨이퍼 유지체(H)의 웨이퍼(W)로부터 보호시트(S)를 박리하는 박리수단(22)을 구비하여 구성되어 있다.
상기 흡착유지장치(10)는, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 유지체(H)가 얹어 놓이는 대략 원반형상의 테이블(24)과, 이 테이블(24)에 연결되는 도시하지 않는 공지의 진공발생기기 또는 장치와, 컴프레서 등의 공기 공급장치를 구비하여 구성되어 있다.
상기 테이블(24)은, 흡착구멍(27)이 다수 형성된 상면측의 흡착면(28)과, 이흡착면(28)의 외주 가장자리측에 연결되는 둘레면(29)과 이 둘레면(29)의 하단측에 위치하는 저면(30)과, 이들 흡착면(28), 둘레면(29), 및 저면(30)의 내측에 형성됨과 동시에, 상기 흡착구멍(27)으로 통하는 챔버(32)를 구비하여 구성되어 있다.
상기 챔버(32)내에는, 흡착면(28)의 둘레방향을 따라서 뻗는 환상의 격벽(34, 35)이 설치되어 있고, 이것에 의해, 챔버(32)가 흡착면(28)의 외주측으로부터 중앙측을 향해서 간막이되고, 챔버(32)는, 상호 격리된 3개의 격실(37, 38, 39)로 분할된다. 또한, 이하에 있어서는, 가장 외측에 위치하는 평면에서 보아 대략 환상의 격실(37)을 제 1의 격실(37), 그 내측에 위치하는 평면에서 보아 대략 환상의 격실(38)을 제 2의 격실(38), 해당 제 2의 격실(38)의 내측에 위치하는 평면에서 보아 대략 원형상의 격실(39)을 제 3의 격실(39)로 칭하기로 한다.
상기 제 1, 제 2 및 제 3의 격실(37, 38, 39)내에는, 상기 진공발생기기 또는 장치(도시 생략)에 연결되는 흡인측 관로(25A, 25B, 25C가 접속되어 있고, 그 도중에 각 흡인측 관로(25A, 25B, 25C)의 공기의 흐름을 제어하는 제 1, 제 2 및 제 3의 진공 제어밸브(42A, 42B, 42C)가 설치되어 있다.
더욱, 상기 제 1, 제 2 및 제 3의 격실(37, 38, 39)내에는, 상기 공기 공급장치(도시 생략)에 연결되는 급기측 관로(26A, 26B, 26C)가 접속되어 있고, 그 도중에 각 급기측 관로(26A, 26B, 26C)의 공기의 흐름을 제어하는 제 1, 제 2 및 제 3의 급기 제어밸브(진공파괴밸브)(43A, 43B, 43C)가 설치되어 있다.
이것에 의해, 상기 진공발생기기 또는 장치와 공기 공급장치의 작동에 의해, 제 1, 제 2 및 제 3의 격실(37, 38, 39)내에서 각각 독립된 공기의 흡인 및 공급제어가 행해진다.
즉, 웨이퍼 유지체(H)를 흡착면(28)에 흡착유지할 때에는, 상기 진공발생기기 또는 장치에 연결되는 진공 제어밸브(42A∼42C)의 작동에 의해, 제 3의 격실(39), 제 2의 격실(38), 제 1의 격실(37)의 순으로 내측으로부터 외측을 향해서 공기를 흡인하고, 해당 제 1, 제 2 및 제 3의 격실(37, 38, 39)내를 진공상태로 하고, 흡착구멍(27)에 흡인력을 발생하게 하도록 되어 있다. 이 때, 제 3의 격실(39), 제 2의 격실(38), 제 1의 격실(37)의 순으로 내측으로부터 외측을 향해서 진공압상태로 되기 때문에, 흡착면(28)의 내측 영역과 웨이퍼 유지체(H)의 다이싱 테이프(T)의 사이에 공기가 잔존하지 않고, 해당 웨이퍼 유지체(H)를 흡착면(28)에 흡착유지할 수 있다.
한편, 웨이퍼 유지체(H)를 흡착면(28)으로부터 제거할 때에는, 상기 공기의 흡인을 정지하여, 상기 공기 공급장치에 의해 공급되는 압축공기의 흐름을 제어하는 제 1, 제 2 및 제 3의 급기제어밸브(43A, 43B, 43C)의 작동에 의해, 후술하는 타이밍으로 제 1, 제 2 및 제 3의 격실(37, 38, 39)내에 공기를 각각 이송하고, 해당 공기를 흡착구멍(27)으로부터 분출하게 함으로써, 상기 진공파괴를 행하도록 되어 있다.
또한, 상기 테이블(24)에는, 도 1에 도시되는 바와 같이, 박리수단(22)에 의한 보호시트(S)의 박리시에 테이블(24)을 소정방향으로 이동하게 하는 이동기구(46)가 설치되어 있다. 이 이동기구(46)는, 테이블(24)을 대략 수평방향으로 이동 가능하게 하는 공지의 구조, 예를 들면, 각종 레일구조체, 모터, 이송나사축, 및 실린더 등을 포함한 구성으로 되어 있다. 또, 테이블(24)의 형상은, 도시의 예에 한정되지 않고, 직사각형상 등의 다른 형상으로 할 수 있다.
상기 박리수단(22)은, 도 6에 모식적으로 도시되는 바와 같이, 보호시트(S)의 일단측에, 해당 보호시트(S)의 웨이퍼(W)에의 접착력보다도 강한 접착력을 가지는 박리테이프(A)를 이 보호시트(S)에 접착하고, 해당 박리테이프(A)의 일단측을 파지하면서 그 타단측을 향해서 웨이퍼(W)와 상대이동하게 함으로써, 보호시트(S)를 웨이퍼(W)로부터 박리할 수 있도록 설정된 것이다. 즉 도 1에 도시하는 박리수단(22)은, 본 출원인에 의해 이미 제안된 구조(일본 특원2000―106827호 등 참조)가 채용되어 있고, 보호시트(S)의 일단측에 박리테이프(A)를 접착하는 테이프 접착절단수단(48)(도 1 참조)와, 박리테이프(A)의 단부를 파지 가능한 박리헤드부(49A)(도 4, 도 6 참조)를 포함하는 파지수단(49)을 구비하여 구성되어 있다. 이들 테이프 접착절단수단(48) 및 파지수단(49)은, 본 발명의 요지는 아니기 때문에 여기서는 설명을 생략한다.
다음에, 박리장치(20)의 작용에 대하여 설명한다.
먼저, 도 4에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 유지체(H)는, 도시하지 않는 로봇 등의 구동에 의해 이동 가능한 복수의 흡착패드(P)에 링 프레임(R)의 상면부분이 흡착된 후에, 테이블(24)위에 반송된다. 그리고, 흡착패드(P)가 웨이퍼 유지체(H)보다도 이격되어 상방으로 퇴피하고, 도시하지 않는 진공발생기기 또는 장치가 작동함과 동시에, 흡인측 관로(25A, 25B, 25C)에 각각 접속되는 진공 제어밸브(42A, 42B, 42C)가 전환작동함으로써, 제 1, 제 2 및 제 3의 격실(37, 38, 39)을 진공압상태로 하여 웨이퍼 유지체(H)를 흡착면(28)에 흡착유지하게 한다. 이 상태에서, 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 보호시트(S)의 외주측에 박리테이프(A)를 열용착한 후,박리테이프(A)의 단부를 박리하고 헤드부(49A)로 파지하고, 해당 박리헤드부(49A)를 화살표시 A방향(도 4)으로 이동시킴과 동시에, 테이블(24)을 박리헤드부(49A)와 이격되는 방향(화살표시 B방향)으로 이동하게 하여, 보호시트(S)를 웨이퍼(W)로부터 박리한다.
그리고, 보호시트(S)가 웨이퍼(W)로부터 박리된 후는, 각 진공 제어밸브(42A, 42B, 42C)의 흡인측 포트를 패쇄하고, 각 배기측 포트(E1, E2, E3)가 개방되도록 전환되고, 제 1, 제 2 및 제 3의 격실(37, 38, 39)내를 대기 개방상태로 한다. 그 후, 각 배기측 포트(E1, E2, E3)도 폐쇄된 상태에서, 흡착패드(P)가 재차 링 프레임(R)의 상면부분을 흡착유지한다. 이 상태에서, 급기측 관로(26A, 26B, 26C)의 급기 제어밸브(43A, 43B, 43C)(진공파괴밸브)의 전환에 의해, 급기측 관로(26A, 26B, 26C)로부터 제 1, 제 2 및 제 3의 격실(37, 38, 39)내에, 공기가 이송되어 진공파괴가 행해진다. 이 때, 외주측으로부터 중앙측, 즉, 제 1의 급기측 관로(26A), 제 2의 급기측 관로(26B), 제 3의 급기측 관로(26C)의 순번으로 압축공기의 공급이 개시되도록 되어 있고, 상기 제 1, 제 2 및 제 3의 격실(37, 38, 39)에의 소정의 타이밍에 의한 압축공기의 공급(진공파괴)에 맞추어서 흡착패드(P)가 상승하고(도 7, 도 8, 도 9), 이것에 따라, 보호시트(S)가 박리된 웨이퍼(W)를 포함하는 웨이퍼 유지체(H)가 테이블(24)로부터 소정의 들어 올리기 높이(S1, S2, S3)순으로 들어 올려진다. 즉, 도 7에 도시하는 바와 같이, 외측으로 되는 제 1의 격실(37)내에만, 급기 제어밸브(43A)의 작동에 의해 압축공기가 공급되면서, 상기 제 1의 격실(37)부분의 웨이퍼 유지체(H)의 다이싱 테이프(T)와 테이블(24)의 흡착면(28)의 진공파괴가 행해진 후, 흡착패드(P)에 의해 들어 올리기 높이(S1)에 들어 올려져서, 먼저 웨이퍼 유지체(H)의 외주측이 흡착면(28)으로부터 이격된다. 다음에, 도 8에 도시하는 바와 같이, 제 2의 격실(38)내에, 급기 제어밸브(43B)의 작동에 의해 압축공기가 공급되고, 웨이퍼 유지체(H)의 다이싱 테이프(T)와 흡착면(28)의 진공파괴가 된 후, 흡착패드(P)가 테이블(24)로부터 들어 올리기 높이(S2)에 더 들어 올려져서, 웨이퍼 유지체(H)가 내측을 향해서 흡착면(28)의 상기 제 2의 격실(38) 부분으로부터 이격된다. 그리고, 다음에, 도 9에 도시하는 바와 같이, 제 3의 격실(39)내에 급기 제어밸브(43C)의 작동에 의해, 압축공기가 공급되고, 상기 제 3의 격실(39)부분의 웨이퍼 유지체(H)의 다이싱 테이프(T)와 밀착하고 있는 테이블(24)의 흡착면(28)으로부터 들어 올리기 높이(S3)에 더 올려져서, 웨이퍼 유지체(H) 전체가 흡착면(28)으로부터 완전히 분리된다.
테이블(24)의 흡착면(28)으로부터 완전히 이격된 웨이퍼 유지체(H)는, 그 후, 웨이퍼(W)를 작은 6면체 형상으로 절단하는 다이싱공정을 행하는 다음공정의 다이서(dicer) 등에 반송된다.
또한, 상기 들어 올리기 높이(S1, S2. S3)는, 웨이퍼(W)에 균열상처 등의 스트레스를 부여하지 않는 정도의 휨변형을 허용하는 높이이면 좋고, 웨이퍼(W)의 두께에 따라서 정해지는 것으로서, 특히 한정되는 것은 아니다.
또, 웨이퍼 유지체(H)의 테이블(24)로부터의 들어 올리기 높이를 변화시키지 않고, 각 격실(37∼39)에의 압축공기의 공급개시 타이밍을 상술한 바와 같이 외측으로부터 내측을 향해서 순번으로 변화시키는 것도 가능하다.
따라서, 이와 같은 실시예에 의하면, 챔버(32)가, 상호 격리된 제 1, 제 2 및 제 3의 격실(37, 38, 39)로 분할되어 있음과 동시에, 테이블(24)상의 웨이퍼 유지체(H)를 제거할 때에, 제 1, 제 2 및 제 3의 격실(37, 38, 39)의 순으로 소정의 타이밍으로 공기가 빠지기 쉬운 외주측으로부터 순번으로 공기를 공급하고, 잔류압력에 의해 밀착하고 있는 웨이퍼 유지체(H)의 다이싱 테이프(T)와 테이블(24)의 흡착면(28)의 아(亞)진공상태를 테이블(24)의 외측으로부터 진공파괴하는 구성으로 되어 있기 때문에, 흡착구멍(27)으로부터 분출되는 압축공기가 새어 나가는 경로가 웨이퍼(W)의 외주측으로부터 중앙측을 향해서 점점 확보되고, 웨이퍼(W)의 휨변형을 거의 발생시키지 않고 웨이퍼 유지체(H)를 테이블(24)로부터 제거할 수 있다는 효과를 얻는다,
또한, 상기 실시예에 있어서는, 유속 등이 상호 대략 동일하게 되는 공기의 공급개시 타이밍을 늦추었는데, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니고, 웨이퍼(W)의 휨변형을 거의 생기지 않게 하고 웨이퍼 유지체(H)를 테이블(24)로부터 제거할 수 있는 범위내에서, 여러가지 공급수법을 채용할 수 있다. 예를 들면, 제 1, 제 2 및 제 3의 격실(37, 38, 39)에 압축공기를 공급하는 타이밍을 대략 동일하게 하고, 제 1, 제 2 및 제 3의 격실(37, 38, 39)의 순으로 공급하는 공기의 유량이나 유속 등의 조건을 대로부터 소로 되도록 변경함으로써 조정해도 좋다.
또, 각 제 1, 제 2 및 제 3의 격실(37∼39)로 구성되는 챔버(32)는, 상술한효과가 얻어지는 한에는, 상기 실시예와 같은 분할형태를 제외한 별도의 분할형태를 채용할 수도 있다.
더욱이, 상기 흡착유지장치(10)는, 웨이퍼(W)로부터 보호시트(S)를 박리하는 박리장치(20)에 적용되어 있는데, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 단독으로 사용되고, 혹은, 웨이퍼(W) 혹은 그 밖의 박판부재 등의 대상물을 흡착유지할 필요가 있는 다른 장치에 적용할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 챔버를 상호 격리된 복수의 격실로 분할하고, 대상물을 흡착면으로부터 제거할 때에, 상기 각 격실에 독립해서 흡착면의 외측으로부터 내측을 향해서 순번으로 공기를 공급하고, 상기 대상물을 상승 가능한 구성으로 하였으므로, 밀착하는 대상물과 흡착면의 진공파괴를 대략 전역에서 확실히 실행할 수 있어, 대상물을 흡착면으로부터 제거할 때에 극박 웨이퍼 등의 대상물의 큰 휨변형을 방지할 수 있어, 극박웨이퍼의 균열상처를 방지할 수 있다.
또, 상기 흡착면의 외주측로부터 중앙측을 향해서 상기 챔버를 간막는 구성으로 하였으므로, 공기가 빠지기 쉬운 대상물의 외주측의 격실과, 공기가 빠지기 어려운 대상물의 중앙측의 격실 사이에서 독립해서 공기의 공급을 제어할 수 있어, 상기 대상물의 휨변형을 한층 더 확실히 방지할 수 있다.
더욱이, 상기 흡착면의 외주측에 위치하는 격실로부터 상기 흡착면의 중앙측에 위치하는 격실을 향해서 순번으로, 상기 공기의 공급을 개시하는 구성으로 하였으므로, 상기 대상물의 휨변형을 효과적으로 방지할 수 있다.

Claims (2)

  1. 흡착면으로 통하는 챔버를 구비하고, 상기 흡착면에 소정의 대상물을 흡착유지 가능하게 설치된 흡착유지장치에 있어서,
    상기 챔버는, 상호 격리된 복수의 격실로 분할되고, 상기 대상물을 상기 흡착면으로부터 제거할 때에, 상기 각 격실에 독립해서 공기가 공급되고,
    상기 각 격실의 공기의 공급은, 흡착면의 외주측에 위치하는 격실로부터 상기 흡착면의 중앙측에 위치하는 격실을 향해서 순번으로 개시되는 것을 특징으로 하는 흡착유지장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 챔버는, 상기 흡착면의 외주측으로부터 중앙측을 향해서 간막이되어 있는 것을 특징으로 하는 흡착유지장치.
KR1020020076461A 2001-12-04 2002-12-04 흡착유지장치 KR20030045653A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001370045A JP2003174077A (ja) 2001-12-04 2001-12-04 吸着保持装置
JPJP-P-2001-00370045 2001-12-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030045653A true KR20030045653A (ko) 2003-06-11

Family

ID=19179339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020076461A KR20030045653A (ko) 2001-12-04 2002-12-04 흡착유지장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20030102682A1 (ko)
EP (1) EP1321968A3 (ko)
JP (1) JP2003174077A (ko)
KR (1) KR20030045653A (ko)
CN (1) CN1422794A (ko)
SG (1) SG99413A1 (ko)
TW (1) TW200300739A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7987888B2 (en) 2003-09-30 2011-08-02 Nitto Denko Corporation Releasing method and releasing apparatus of work having adhesive tape
KR20200007126A (ko) * 2018-07-12 2020-01-22 주식회사 테스 기판처리장치의 진공 처킹 서셉터

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4408351B2 (ja) 2002-10-24 2010-02-03 リンテック株式会社 アライメント装置
US7290452B2 (en) * 2003-12-16 2007-11-06 Rosemount Inc. Remote process seal with improved stability in demanding applications
JP2006156616A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Jel:Kk 基板保持装置
JP4705450B2 (ja) * 2005-03-11 2011-06-22 株式会社ディスコ ウェーハの保持機構
JP4657176B2 (ja) * 2006-08-29 2011-03-23 リンテック株式会社 吸着テーブルおよび吸着テーブルを用いたシート剥離方法
DE102007020864A1 (de) * 2007-05-02 2008-11-06 Scolomatic Gmbh Flächengreifereinheit
US8446566B2 (en) 2007-09-04 2013-05-21 Asml Netherlands B.V. Method of loading a substrate on a substrate table and lithographic apparatus and device manufacturing method
US9013682B2 (en) * 2007-06-21 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Clamping device and object loading method
US20080316461A1 (en) * 2007-06-21 2008-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20090086187A1 (en) * 2007-08-09 2009-04-02 Asml Netherlands Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method
US20090164273A1 (en) * 2007-12-21 2009-06-25 Glyde Corporation Product distribution system and method thereof
JP5580529B2 (ja) * 2008-12-22 2014-08-27 アスリートFa株式会社 基板矯正装置
JP2010153585A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Ebara Corp 基板保持具および基板保持方法
WO2012140987A1 (ja) * 2011-04-12 2012-10-18 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム及び剥離方法
JP5926501B2 (ja) 2011-06-15 2016-05-25 東京応化工業株式会社 保持装置および保持方法
JP5893887B2 (ja) * 2011-10-11 2016-03-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5687647B2 (ja) * 2012-03-14 2015-03-18 株式会社東芝 半導体装置の製造方法、半導体製造装置
JP5829171B2 (ja) * 2012-04-04 2015-12-09 東京エレクトロン株式会社 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5979594B2 (ja) * 2012-09-13 2016-08-24 村田機械株式会社 吸引チャック、及びこれを備えた移載装置
CN102941546B (zh) * 2012-11-08 2015-05-13 昆山允可精密工业技术有限公司 一种带二维角度调节功能的真空吸附平台
CN104870344A (zh) * 2012-12-21 2015-08-26 肖特兄弟公司 吸杯
JP6047438B2 (ja) * 2013-03-25 2016-12-21 株式会社Screenホールディングス 剥離装置および剥離方法
JP6152971B2 (ja) * 2013-04-11 2017-06-28 株式会社クリエイティブテクノロジー ワーク保持装置
CN103231332A (zh) * 2013-05-06 2013-08-07 苏州金牛精密机械有限公司 吸盘式工件平台
JP6189700B2 (ja) * 2013-10-03 2017-08-30 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6319687B2 (ja) * 2014-05-26 2018-05-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 プラズマ処理装置及び方法
KR101703026B1 (ko) * 2014-08-29 2017-02-07 주식회사 태성기연 디스플레이용 패널 흡착장치
CN104385179B (zh) * 2014-10-20 2016-06-01 芜湖市泰能电热器具有限公司 一种气密检测用的夹持装置
NL2014635B1 (en) * 2015-04-14 2017-01-20 Vmi Holland Bv Gripper, gripper assembly and method for gripping a tire component.
CN106783669B (zh) * 2015-11-25 2019-04-12 无锡华瑛微电子技术有限公司 半导体处理装置及方法
DE102016106706A1 (de) * 2016-04-12 2017-10-12 Laser Imaging Systems Gmbh Vorrichtung zum Fixieren von Objekten mittels Vakuum
CN105960106A (zh) * 2016-04-21 2016-09-21 京东方科技集团股份有限公司 假压头及其工作方法
JP6510461B2 (ja) * 2016-05-25 2019-05-08 日本特殊陶業株式会社 基板保持装置
CN109256354B (zh) * 2017-07-14 2021-01-12 财团法人工业技术研究院 转移支撑件及转移模块
US10431483B2 (en) * 2017-07-14 2019-10-01 Industrial Technology Research Institute Transfer support and transfer module
JP7016679B2 (ja) * 2017-11-21 2022-02-07 リンテック株式会社 シート剥離装置および剥離方法
US20200101584A1 (en) * 2018-10-02 2020-04-02 Alta Devices, Inc. Automated linear vacuum distribution valve
US20220139866A1 (en) * 2020-10-30 2022-05-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method for manufacturing semiconductor package structure and semiconductor manufacturing apparatus
US11707883B2 (en) * 2020-11-20 2023-07-25 General Electric Company Foil interaction device for additive manufacturing
KR20220077174A (ko) * 2020-11-30 2022-06-09 삼성전자주식회사 기판 이송 장치

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3785898A (en) * 1972-01-14 1974-01-15 Gerber Garment Technology Inc Apparatus for producing seamed articles from sheet material
JPS60146674A (ja) * 1984-01-05 1985-08-02 Canon Inc チヤツク装置
JPS60146675A (ja) * 1984-01-05 1985-08-02 Canon Inc チヤツク
JPS60146673A (ja) * 1984-01-05 1985-08-02 Canon Inc チヤツク
US4603466A (en) * 1984-02-17 1986-08-05 Gca Corporation Wafer chuck
US4721462A (en) * 1986-10-21 1988-01-26 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Active hold-down for heat treating
JP2911997B2 (ja) * 1989-10-20 1999-06-28 日本電気株式会社 半導体ウェハーへのテープ貼付装置
DE69120068T2 (de) * 1990-05-22 1996-11-28 Glasstech Inc Vakuumbiegen von erhitzten glasscheiben
JPH05177592A (ja) * 1991-12-25 1993-07-20 Kawakami Seisakusho:Kk 積層物の裁断装置
US5343012A (en) * 1992-10-06 1994-08-30 Hardy Walter N Differentially pumped temperature controller for low pressure thin film fabrication process
JPH0758191A (ja) * 1993-08-13 1995-03-03 Toshiba Corp ウェハステージ装置
JPH1174164A (ja) * 1997-08-27 1999-03-16 Canon Inc 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
US6202292B1 (en) * 1998-08-26 2001-03-20 Micron Technology, Inc. Apparatus for removing carrier film from a semiconductor die
JP3504164B2 (ja) * 1998-10-30 2004-03-08 ソニーケミカル株式会社 マウントヘッド装置及びマウント方法
US6290274B1 (en) * 1999-04-09 2001-09-18 Tsk America, Inc. Vacuum system and method for securing a semiconductor wafer in a planar position
US6464795B1 (en) * 1999-05-21 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Substrate support member for a processing chamber
DE10009108A1 (de) * 2000-02-26 2001-09-06 Schmalz J Gmbh Vakuumhandhabungsgerät
US6628503B2 (en) * 2001-03-13 2003-09-30 Nikon Corporation Gas cooled electrostatic pin chuck for vacuum applications

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7987888B2 (en) 2003-09-30 2011-08-02 Nitto Denko Corporation Releasing method and releasing apparatus of work having adhesive tape
KR101075320B1 (ko) * 2003-09-30 2011-10-19 닛토덴코 가부시키가이샤 점착테이프 부착 가공물의 이탈방법 및 이탈장치
KR20200007126A (ko) * 2018-07-12 2020-01-22 주식회사 테스 기판처리장치의 진공 처킹 서셉터

Also Published As

Publication number Publication date
SG99413A1 (en) 2003-10-27
CN1422794A (zh) 2003-06-11
TW200300739A (en) 2003-06-16
EP1321968A3 (en) 2006-04-12
JP2003174077A (ja) 2003-06-20
US20030102682A1 (en) 2003-06-05
EP1321968A2 (en) 2003-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20030045653A (ko) 흡착유지장치
TWI404574B (zh) 基板載置平台及基板的吸附‧剝離方法
TWI417985B (zh) Non - contact type adsorption holding device
US5803797A (en) Method and apparatus to hold intergrated circuit chips onto a chuck and to simultaneously remove multiple intergrated circuit chips from a cutting chuck
TWI392051B (zh) The method of removing the processed body and the program memory medium and the placing mechanism
US6866564B2 (en) Method of backgrinding wafers while leaving backgrinding tape on a chuck
JP2005109157A (ja) 粘着テープ付ワークの離脱方法及び離脱装置
JP2002324831A (ja) 真空吸着テーブル
JP2011066114A (ja) チップ加工装置およびチップ加工方法
JP4797027B2 (ja) 基板体の貼着装置及び基板体の取り扱い方法
JP2000150611A (ja) 試料の処理システム
JP5989501B2 (ja) 搬送方法
JP2004119488A (ja) 真空吸着装置、基板搬送装置及び基板処理装置
WO2005067030A1 (en) Support system for semiconductor wafers and methods thereof
JP2010267746A5 (ko)
CN217933746U (zh) 螺旋式伯努利半导体晶圆吸盘
JP2008041761A (ja) 被処理物の処理後剥離方法及び設置装置
JP6366223B2 (ja) 半導体チップのピックアップ装置
JP2590571B2 (ja) 半導体ウエハ処理装置のウエハ保持機構
JP2021132058A (ja) チップピックアップ装置及びチップピックアップ方法及び半導体装置の製造方法
JPH05315434A (ja) 半導体ウェーハ保持具
JP2009111406A (ja) 試料の処理システム
JP2008226976A (ja) 基板等の取扱装置及び基板等の取扱方法
JPH08306711A (ja) チップ剥離装置及びチップ剥離方法
JPH033712A (ja) プリント基板穴明機による穴明け方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid