JP2008041761A - 被処理物の処理後剥離方法及び設置装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】設置部21に設けた吸着孔24に吸引源65を接続し、被処理物Wを設置部に吸着して処理する。処理後、設置部21の相対的に中央側の第1領域29Aの吸着孔24Aを剥離用流体供給源66に接続切替し、中央側の吸着孔24Aに剥離用流体の供給を開始する。その後、設置部21の相対的に周辺側の第2領域29Bの吸着孔24Bを剥離用流体供給源66に接続切替し、周辺側の吸着孔24Bに剥離用流体の供給を開始する。
【選択図】図3
Description
前記設置部に分散して複数配置された吸着孔のうち相対的に中央側の吸着孔に剥離用流体の供給を開始し、
その後、相対的に周辺側の吸着孔に剥離用流体の供給を開始することを特徴とする。
これによって、被処理物の中央側の部分の残留吸着を確実に除去でき、当該中央側の部分を設置部から確実に剥離することができる。そのうえで、周辺側の部分の残留吸着を除去して剥離することができる。これにより、被処理物を破損することなく設置部から安全かつスムーズに取り出すことができる。
これによって、被処理物の中央側の部分が再吸着するのを防止することができる。
前記中央側の吸着孔への剥離用流体の供給を停止したうえで、前記周辺側の吸着孔への剥離用流体の供給開始することにしてもよい。
同様に、前記周辺側の吸着孔への剥離用流体の供給圧力を、該周辺側の吸着孔への供給期間中ほぼ一定に保持することにしてもよい。
これにより、剥離用流体の圧力調節構成を簡易化できる。
これにより、剥離用流体の節約を図ることができる。供給圧力を小さくするタイミングは、好ましくは被処理物の中央側の部分の残留吸着が除去された後であり、残留吸着が除去された後であれば、前記周辺側の吸着孔への剥離用流体の供給開始の前であっても後であってもよい。供給圧力を小さくするときは、再吸着を阻止し得る圧力を下回らない程度にするのが好ましい。
前記設置部に分散して複数配置された吸着孔のうち相対的に中央側の吸着孔に剥離用流体を供給することにより、前記中央側の吸着孔の内圧が相対的に周辺側の吸着孔の内圧より大きくなるようにし、
その後、前記周辺側の吸着孔に剥離用流体を供給することにより、前記周辺側の吸着孔の内圧を上昇させることを特徴とする。
これによって、被処理物の中央側の部分の残留吸着を確実に除去でき、当該中央側の部分を設置部から確実に剥離することができる。そのうえで、周辺側の部分の残留吸着を除去して剥離することができ、これにより、被処理物を破損することなく設置部から安全かつスムーズに取り出すことができる。
ここで、前記周辺側の吸着孔の内圧を増大させる前は、周辺側の吸着孔の内圧が中央側の吸着孔の内圧より小さくなっていればよく、剥離用流体を中央側の吸着孔にだけ供給し、周辺側の吸着孔へは未供給の状態にしてもよく、剥離用流体を周辺側の吸着孔へも中央側より低圧にして供給することにしてもよい。
被処理物が設置されるべき面を有し、前記面における相対的に中央側の第1領域と相対的に周辺側の第2領域とにそれぞれ吸着孔が開口形成された設置部と、
前記第1領域の吸着孔を、前記被処理物の処理時は吸引源に接続し、処理終了後は剥離用流体の供給源に接続切替する第1接続切替手段と、
前記第2領域の吸着孔を、前記処理時は吸引源に接続し、処理終了後は前記剥離用流体供給源に接続切替する第2接続切替手段と、
を備えたことを特徴とする。前記第2接続切替手段による接続切替は、前記第1接続手段による接続切替の後に行なうのが望ましい。
これによって、被処理物の第1領域に対応する中央側の部分の残留吸着を確実に除去でき、当該中央側の部分を設置部から確実に剥離することができる。そのうえで、被処理物の第2領域に対応する周辺側の部分の残留吸着を除去して剥離することができる。これにより、被処理物を破損することなく設置部から安全かつスムーズに取り出すことができる。
同様に、前記剥離用流体供給源と前記第2領域の吸着孔との間に圧力制御弁等の第2圧力制御手段を設けることにしてもよい。この第2圧力制御手段により、第2領域の吸着孔への剥離用流体の供給圧力を、供給開始時は相対的に大きくし、その後、相対的に小さくしてもよい。
前記第1圧力制御手段又は第2圧力制御手段によって、前記第1接続手段による接続切替時には第2領域の吸着孔の内圧が第1領域の吸着孔の内圧より小さくなるようにし、その後、前記第2圧力制御手段によって、第2領域の吸着孔の内圧を上昇させることにしてもよい。この場合、前記第2接続手段による接続切替は、必ずしも前記第1接続手段による接続切替の後にする必要はなく、第1接続手段による接続切替と相前後して実行することにしてもよい。
図1及び図2は、本発明の一実施形態に係る表面処理装置Mを示したものである。表面処理装置Mの被処理物Wは、例えばFPD(フラットパネルディスプレイ)用の大型ガラス基板である。図1に示すように、ガラス基板Wは、平面視四角形をなしている。1つのガラス基板Wから複数のFPDが得られるようになっている。
処理ユニット10には、処理ガス源2に連なる処理ガス吹出し路14が形成されている。処理ガス吹出し路14は、処理ユニット10の下面に達している。
処理ユニット10が位置固定される一方、ステージ20が移動されるようになっていてもよい。
ステージ本体21は、平面視四角形の金属盤にて構成されている。ステージ本体21は、接地線25を介して電気的に接地されており、処理ユニット10の高圧電極11と対をなす接地電極を構成している。上記電源1から高圧電極11への電圧供給により、高圧電極11と接地電極としてのステージ本体21との間に大気圧グロー放電が生成されるようになっている。
ステージ本体21の面積は、ガラス基板Wより若干小さい。したがって、ガラス基板Wの外周部がステージ本体21より突出されるようになっている。
吸着孔24及び給排機構60については追って更に詳述する。
図1に示すように、ステージ本体21には、中央領域29Aと、中間領域29Bと、外周領域29Cとが仮想的に設定されている。中央領域29Aは、ステージ本体21の中央部に配置されている。中間領域29Bは、中央領域29Aを囲む環状をなし、中央領域29Aと外周領域29Cの間に配置されている。外周領域29Cは、ステージ本体21の外周を含み、中間領域29Bを囲んでいる。
図2に示すように、これら吸着孔24の上端部は、ステージ本体21の上面(被処理物の設置面)に達して開口され、下端部は、給排機構60に接続されている。
ステージ本体21の領域29ごとにチャンバを設け、各吸着孔24を対応する領域29のチャンバに連ねるとともに、各チャンバを対応する給排路61A〜61Cに接続することにしてもよい。この場合のチャンバは、各給排路61A〜61Cのステージ本体21側の分岐路と回路的に等価である。
中間領域29B対応の方向切替弁62Bによって、吸着孔64B用の給排路61Bが、吸引路63又は剥離用流体路64を介して真空ポンプ65と窒素ガス源66の何れか一方に選択的に接続されるようになっている。
外周領域29C対応の方向切替弁62Cによって、吸着孔64C用の給排路61Cが、吸引路63又は剥離用流体路64を介して真空ポンプ65と窒素ガス源66の何れか一方に選択的に接続されるようになっている。
設置工程
図6に示すように、処理ユニット10をステージ20の平面視外側に退避させ、かつ、継ぎ足し枠30をステージ20の平面視外側に後退させたうえで、支持枠40と昇降ピン50をステージ20より上に突出させる。この支持枠40及び昇降ピン50上に、処理すべきガラス基板Wをフォーク状マニピュレータ等(図示せず)で載置する。支持枠40によってガラス基板Wの外周部を支持し、昇降ピン50によってガラス基板Wの中央部を支持することにより、ガラス基板Wが撓むのを防止することができる。
続いて、図2に示すように、継ぎ足し枠30を前進させてステージ本体21の外側に継ぎ足し、ガラス基板Wの外周部を継ぎ足し枠30にて支持する。
また、方向切替弁62A〜62Cを真空ポンプ65への接続位置にし、ステージ本体21の全領域29の吸着孔24A〜24Cを真空吸引して負圧にする。これにより、ガラス基板Wがステージ本体21に吸着される。
そして、処理ユニット10をスキャンさせながら、処理ガスを処理ユニット10から下方へ吹き出すとともに、電源1から高圧電極11に電圧を供給して高圧電極11と接地電極としてのステージ20との間に大気圧グロー放電を生成する。これにより、処理ガスがプラズマ化されるとともにガラス基板Wに接触し、ガラス基板Wをプラズマ表面処理することができる。プラズマは、ステージ本体21上だけでなく継ぎ足し部材上でも形成することができるので、ガラス基板Wの外周部を含む全体を万遍なく処理することができる。
表面処理の終了後、真空ポンプ65を停止する。或いは、吸引路63に設けた開閉弁68を閉じる。これによって、吸着孔24の真空吸引を停止する。
続いて、図3に示すように、方向切替弁62A〜62Cのうち、先ず中央領域29Aに対応する方向切替弁62Aのみを窒素ガス源66との接続位置に切り替える。これによって、窒素ガス源66からの加圧窒素(剥離用流体)が、ステージ20の3つの領域29のうち中央領域29Aの吸着孔24にのみ導入され、ステージ20の中央領域29Aとガラス基板Wとの間に入り込む。このとき、中央領域29Aより外側(中間領域29B及び外周領域29C)は、通常、残留吸着によってステージ20とガラス基板Wが密着した状態を維持している。したがって、上記の加圧窒素は、中央領域29Aに閉じ込められた状態になる。よって、中央領域29Aの残留吸着を確実に解除でき、ガラス基板Wの中央部分をステージ20から確実に剥離することができる。さらに、剥離した状態を維持することができる。
次いで、図4に示すように、中間領域29Bに対応する方向切替弁62Bを窒素ガス源66との接続位置に切り替える。これによって、窒素ガス源66からの加圧窒素が、中間領域29Bの吸着孔24にも導入され、ステージ20の中間領域29Bとガラス基板Wとの間に入り込む。これによって、中間領域29Bの残留吸着を解除でき、ガラス基板Wの剥離部分を中央領域29Aから中間領域29Bへ広げることができる。
次いで、図5に示すように、外周領域29Cに対応する方向切替弁62Cを窒素ガス源66との接続位置に切り替える。これによって、加圧窒素が、ステージ20の外周領域29Cの吸着孔24にも導入され、ステージ20の外周領域29Cとガラス基板Wとの間に入り込む。これによって、外周領域29Cの残留吸着を解除して剥離部分をガラス基板Wの全体に広げることができる。
上記の吸引停止工程〜外周剥離工程と併行して、又は相前後して、処理ユニット10をステージ20の平面視外側に退避させておく。
また、継ぎ足し枠30をステージ20の平面視外側に後退させ、支持枠40をステージ本体21の高さまで上昇させ、ガラス基板Wの外周部に当接する。
そして、上記外周剥離工程の後、図6に示すように、支持枠40及び昇降ピン50を昇降駆動部41,51によって同期させて上昇させる。ガラス基板Wの全体がステージ20から確実に剥離されているので、ガラス基板Wを破損することなく安全かつスムーズに持ち上げることができる。ガラス基板Wが上昇する際に窒素ガス源66からの窒素供給を止める。
そして、フォーク状マニピュレータ等を用いてガラス基板Wを搬出する。
例えば、剥離用流体は、窒素に限られず、空気や窒素以外の不活性ガス等を用いることにしてもよく、気体に限られず、水等の液体を用いてもよい。
領域29は全体として多重環状であればよく、領域29の数は、3つに限られず、2つでもよく、4つ以上でもよい。
これら領域29の2つのうち相対的に中央側の領域29が、特許請求の範囲の第1領域となり、相対的に周辺側の領域29が第2領域となる。例えば中央領域29Aが第1領域であるとすると、中間領域29B又は外周領域29Cが第2領域となる。中間領域29Bが第1領域であるとすると、外周領域29Cが第2領域となる。
方向切替弁62A〜Bに大気開放ポートを設けておく等により、処理終了後、給排路61を一旦大気開放し、その後、剥離用流体の導入を行なうことにしてもよい。
外周領域29Cに対応する剥離用流体路64Cにも、同様の圧力制御弁を設け、外周剥離工程の実行開始時の吸着孔24Cへの窒素導入圧を相対的に大きくし、その後、窒素導入圧を相対的に小さくするようにしてもよい。
これら圧力制御弁は、剥離用流体路64A〜64Cに代えて、給排路61A〜61Cに設けてもよく、方向切替弁62A〜62Cに一体に組み込んでもよい。
表面処理手段は、プラズマ表面処理に限られず、熱CVD等にも適用できる。
表面処理内容は、洗浄、表面改質(親水化、撥水化等)、成膜、エッチング、アッシング、その他の種々の表面処理に適用可能である。
さらに、本発明は、表面処理に限られず、切削、研磨、その他の加工等の処理にも適用できる。
M 表面処理装置
20 ステージ(設置装置)
21 ステージ本体(設置部)
24A〜24C 吸着孔
29A〜29C 領域
60 給排機構
62A〜62C 方向切替弁
65 真空ポンプ(吸引源)
66 加圧窒素ガス源(剥離用流体供給源)
67A 圧力制御弁
Claims (6)
- 被処理物を、設置部に吸着して処理した後、前記設置部から剥離する方法であって、
前記設置部に分散して複数配置された吸着孔のうち相対的に中央側の吸着孔に剥離用流体の供給を開始し、
その後、相対的に周辺側の吸着孔に剥離用流体の供給を開始することを特徴とする被処理物の処理後剥離方法。 - 前記中央側の吸着孔への剥離用流体の供給を、前記周辺側の吸着孔への剥離用流体の供給開始後も継続することを特徴とする請求項1に記載の剥離方法。
- 前記中央側の吸着孔への剥離用流体の供給圧力を供給期間中ほぼ一定に保持することを特徴とする請求項1又は2に記載の剥離方法。
- 前記中央側の吸着孔への剥離用流体の供給圧力を、供給開始時は相対的に大きくし、その後、相対的に小さくすることを特徴とする請求項1又は2に記載の剥離方法。
- 被処理物を、設置部に吸着して処理した後、前記設置部から剥離する方法であって、
前記設置部に分散して複数配置された吸着孔のうち相対的に中央側の吸着孔に剥離用流体を供給することにより、前記中央側の吸着孔の内圧が相対的に周辺側の吸着孔の内圧より大きくなるようにし、
その後、前記周辺側の吸着孔に剥離用流体を供給することにより、前記周辺側の吸着孔の内圧を上昇させることを特徴とする剥離方法。 - 被処理物を剥離可能に設置する装置であって、
被処理物が設置されるべき面を有し、前記面における相対的に中央側の第1領域と相対的に周辺側の第2領域とにそれぞれ吸着孔が開口形成された設置部と、
前記第1領域の吸着孔を、前記被処理物の処理時は吸引源に接続し、処理終了後は剥離用流体の供給源に接続切替する第1接続切替手段と、
前記第2領域の吸着孔を、前記処理時は吸引源に接続し、処理終了後は前記第1接続手段による接続切替の後に前記剥離用流体供給源に接続切替する第2接続切替手段と、
を備えたことを特徴とする被処理物の設置装置。
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JP2006211086A JP2008041761A (ja) | 2006-08-02 | 2006-08-02 | 被処理物の処理後剥離方法及び設置装置 |
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