TW536689B - Display, portable device, and substrate - Google Patents

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536689 A7 B7 五、發明説明（,） 發明之領域 本發明係關於一種各像素配置記憶元件和發光元件的顯 示裝置、攜帶機器、基板。 ^ 發明之背景 近幾年作為液晶顯示器對抗的平板顯示器，有機el (電 致發光）顯示器受到注目，正積極進行其顯示電路或驅動方 法的開發。 此有機EL顯示器的驅動電路、驅動方法大致區分成被動 驅動和主動驅動，主動驅動有機EL時，需要驅動像素的 TFT為多晶碎。 這是因為TFT驅動有機EL之類的自發光元件時，為了確 保流經其自發光元件的電流量，需要形成TF丁的矽的電荷 移動率。這是因為若是液晶之類的非發光的光閘元件，則 非晶矽就夠了，但若是有機E L，則需要多晶矽。 作為此有機EL的像素結構，在美國專利4,996,523 (公開 曰1991年2月2 6日）號公報顯示使用單晶矽fet取代多晶矽 TFT的結構，特別是使用記憶元件的結構。 圖2 6為同公報所示的每一像素（黑白顯示器則「1像素=i 點」’但彩色顯示器則「1像素=RGB3點」。因此，正確 應表現為1點，但此處這種嚴格的區別省略）的電路結構。 即，在此美國專利4,996,523號公報如圖26 ,係由多數記 憶胞221，即Cn〜Cn-3，為了選擇這些記憶胞的電晶體 222，即Dn〜Dn.3，恆定電流電路225及有機EL元件226構 成1像素。 ___-4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) ▼ 裝 訂

線 536689 A7 B7 五、發明説明（2 ) 恆定電流電路225為使用FET223、224的電流反射鏡電 路，所以流經有機EL226的電流取決於流經FET Dn〜Dn_3的 電流總和。而且，流經此FET Dn〜Dn_3的電流為取決於保存 於記憶胞Cn〜Cn_3的資料的FET Dn〜Dn_3的閘極電壓所設 定。 又，此記憶胞22 1的結構如圖2 7所示。即，根據列控制信 號控制CMOS反相器228、MOS傳送閘227、229。此列控制 信號為選擇狀態時，MOS傳送閘227成為導通狀態，MOS 傳送閘229成為不導通狀態，所以行輸入信號Bn通過M〇S 傳送閘227輸入到CMOS反相器230的閘極。此外，此列控 制信號為非選擇狀態時，MOS傳送閘227成為不導通狀 態，MOS傳送閘229成為導通狀態，所以CMOS反相器231 的輸出通過MOS傳送閘229反饋到CMOS反相器230。又， 由於此記憶胞221使CMOS反相器230的輸出通過CMOS反 相器231及MOS傳送閘229反饋到CMOS反相器230的閘極， 所以此電路被看作使用反相器兩級的靜態記憶電路。 如此在美國專利4,996,523號公報揭示一種使用單晶矽 FET作為有機EL顯示器用的像素TFT結構的記憶結構。 上述美國專利4,996,523號公報所示的圖26的像素記憶結 構，雖然各像素具有多數記憶胞Cn〜Cn_3，但各像素具有 電流反射鏡電路225，利用其電流反射鏡電路將數位信號變 換成類比信號（電流值）。 使用這種電流反射鏡電路的結構時，需要構成電流反射 鏡電路的FET 223、224的特性一致。然而，即使在用於液 ____^___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 裝 線 y 536689 A7 一 ___ B7 五、發明説明（3 ) 晶顯示裝置等的多晶矽製程製作FET，也沒有鄰接的FET特 性一致的保證。 因此，在如圖2 6的類比灰度顯示有多晶矽TFT的特性偏 差這種問題，畫面全面的均勻灰度顯示困難。 於是，思考進行數位灰度顯示，抑制多晶矽TFT的特性偏 差。圖33為使用分時灰度顯示方法作為其數位灰度顯示方 法時的像素電路結構。即，包含為了驅動有機El 1 〇8的 TFT107、儲存為了控制該TFT1〇7導通狀態的電壓的電容器 119及為了控制該電容器丨丨9的電壓的TFT丨〇6。在此結構係 下述方法：如圖3 4，在一幀期間τ F幾次重寫各像素的電容 器119的電壓，將其電壓以使11?丁1〇7成為導通狀態的電壓 或成為木導通狀態的電壓灰度顯示。 此外’在液晶顯示裝置使用多晶矽TFT各像素加入靜態記 憶構造的結構揭示於日本國特開平8 _丨942〇5號公報（公開日 1996年7月3 0曰）。 即’在此特開平8- 194205號公報，如圖28,在第一玻璃 基板上矩陣配置像素電極202，在像素電極202間橫向配置 掃描線203 ,縱向配置信號線2〇4。此外，和掃描線2〇3平 行配置參考線205。在掃描線203和信號線2〇4的交又部設 置後述記憶元件206 ,在記憶元件2〇6和像素電極2〇2間設 置開關元件207。 在上述第一玻璃基板上離開預定距離對向配置第二玻璃 基板’在第二玻璃基板的對向面形成對向電極。而且，在 兩個玻璃基板間封入作為顯示材料層的液晶層。又，圖28 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297^釐) 536689 A7 B7 五、發明説明（

的2 0 8為知描線驅動為’ 2 0 9為化號線驅動器，210為參考 線驅動器。 圖2 9為顯示圖2 8的像素部結構的電路圖。在形成矩陣狀 的掃描線203和信號線204的叉叉部連接二值資料保持—己障 元件206，在此記憶元件206設置輸出所保持的資訊的輸出 部。在輸出部連接作為3端子開關元件207的TFT2 14。此開 關元件207控制參考線205和像素電極202間的電阻值，調 整液晶層215的偏壓狀態。 在此圖2 9作為記憶元件206，使用兩級反相器，使用使其 正反饋式的記憶電路，即靜態型記憶元件。即，由信號線 204所給與的資料在TFT211為導通狀態時輸入到反相器212 的閘極端子。此反相器2 12的輸出通過反相器2 13再輸入到 反相器212的閘極端子，所以TFT211的導通狀態時，寫入 到反相器212的資料以同極性反饋到反相器212，保持到 TFThl再度成為導通狀態。 如此在特開平8 - 194205號公報揭示具有多晶碎TFT作為 液晶顯示器用的像素TFT結構的記憶結構。即，揭示於此 公報的圖2 9的TFT基板結構係各像素具有靜態記憶體2〇6 , 以儲存於此像素記憶體的資料進行二值顯示的結構。 此外’使顯示部外側具有記憶功能的液晶顯示裝置的電 路結構揭示於日本國特開2000-227608號公報（公開日2〇〇〇 年8月15曰）。 圖3 0為同公報所示的顯示基板的方塊結構圖。 即，在此特開2000-227608號公報，顯示基板的顯示部 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 9 裝 訂

線 V： 536689 A7 B7 五、發明説明（5 ) 3 10通過線路緩衝器3〇9連接於圖像記憶體^此圖像記 憶體308具有位元映像（bit map)結構：記憶胞排列成矩陣 狀’具有和顯示部310的像素同一位址空間。位址信號303 通過元憶控制電路3〇6輸入到記憶線路選擇電路3 11、行選 擇電路307。為此位址信號3〇3所指定的記憶胞為未圖示的 行線及線路線所選擇，寫入顯示資料3〇4到其記憶胞。如此 被寫入後，根據輸入到記憶線路選擇電路311的位址信號將 包含選擇像素的一線路分的資料輸出到線路緩衝器309。線 路緩衝器309連接於顯示部的信號配線，所以此所讀出的資 料被輸出到未圖示的信號配線。 此外，位址仏號也輸入到位址線變換電路3 〇 5 ,利用顯示 線路選擇電路312施加選擇電壓給未圖示的列選擇配線。 藉由此動作將圖像記憶體3〇8的資料寫入到顯示部3 1〇。 此顯示部310的像素電路結構為圖3丨所示的結構。即，利 用線路選擇配線401控制控制TFT405，將由信號配線4〇2所 給的資料保持於在共同配線404和控制TFT4〇5間的電容器 406 ,根據此電容器406的電壓控制驅動tFT4〇9的導通、不 導通，決定是否施加由液晶基準配線403所給與的電壓給顯 示電極408。又，在源極-汲極端子間連接補償電容器4〇9。 圖3 2為上述顯示部3 10的另外像素電路結構。使用類比開 關504作為驅動液晶的TFT加以驅動。為了驅動由此pch TFT及nchTFT構成的類比開關，分別設置兩系統由抽樣電 容器503、507及抽樣TFT 502、506構成的記憶電路，使用 兩條資料配線501、505供應極性不同的資料，連接於共同 -8 - 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 五、發明説明（ 的列選擇配線401，藉由同時搞详τ 此外，記載將為了驅動辨比門：仃顯示動作。 啦勒痛比開關的極 設置兩系統記憶料，而是利用設 2㈣貝科不是 產生的結構或作為記憶電路，使^=_的反相電路 記憶電路等。 使用TFT構成用於半導體的 ^ ™ ΓΓΓ00'227608 ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 基广構。即’圖3〇的TFT基板結 =有以：AM構成的圖像記憶體3〇8，並且在顯示部 广於此VT31或圖32的電容器構成的像素記憶體，以儲 存於此像素讀體的二值資料進行顯示的結構。 、，如上述，思考進行數位灰度顯示，抑制多晶矽Tm争性偏 差：、、：而若是這種分時灰度I員示方法，則預料會產生 PDP(電漿顯示面板）等所見到的動畫假輪廓。兹用圖㈣ 明產生此動畫假輪廓的結構，灰度位準训圖案在灰度位 準31的背景移動時，視線如圖35的虛線⑷〜⑷般地移 動，所以看彳于見其視線移動上的像素的視線移動時的灰度 圖案。例如在虚線（a)視線如灰度！、2、4、8及32的點亮 定時模糊，所以看得見灰度位準.47，但在虛線（d)只是灰 度16的點亮定時模糊，所以是看得見灰度位準“的現像。 因此，在PDP等所作的動畫假輪廓對策將位元（bit)的權 重大的資料分成多數次，在位元的權重少的資料前後顯 不’藉此減低動畫假輪廓。即，藉由位元的權重大的資料 在一定t貞期間的周期之間出現多數次，減少動畫假輪廓。 然而’在PDP等為了顯示多數次上述位元的權重大的資 .......... — -- -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 536689 A7 B7 五、發明説明（ 料，有每一次的顯示都需要顯示掃描的問題。 此外’在美國專利4,996,523號公報，各像素配置圖26的 電路。即使最近的液晶顯示器也使64灰度顯示實現，所以 這種情況也需要各像素配置6位元分的記憶體然而，一般 顯示器的像素尺寸在RGB3像素為l5〇Um]xl5〇Um]〜3⑻ I>m]x300[>m]程度。在此尺寸施以閘極配線、源極配線 或電源配線，並且在如圖2 6的結構加入6位元分的記憶電 路在現在的低溫多晶矽製程也困難。最多可加入3位元分的 圮憶體。然而，這樣就只能顯示8灰度，成為缺乏商品性的 顯示器。 另一方面，在特開平8- 194205號公報，只在像素配置1位 元的記憶體。此程度在現在的低溫多晶矽製程亦可實現， 但靜止圖像顯示時在此丨位元的記憶體進行顯示，所以只能 顯示二值圖像顯示（因RGB彩色而多色顯示）。 犯 又，在特開2000-227608號公報，因在像素（顯示區域）外 側配置記憶體而不產生上述課題。然而，在顯示區域外例 配置記憶體，這種情況需要增大顯示基板面積。此奇味著 從同一玻璃基板經過TFT製程所得到（具有同一顯示面積）的 基板數變少。~，產生使具有同_顯示面積的每—基板的 製造成本增大的結果。 使基板具有記憶體的最大效果係考量低耗電化。此低耗 電化最產生競爭力的是攜帶機器市場，然而，此手段在具 有同一顯示面積的顯示器，基板尺寸也變大，所以作為需 要小型化輕量化的適於攜帶機器市場的手段是不合乎要$ 二10- 本紙張尺度適用中國®家標準(CNS) A4規格(21GX 297公爱) 8 五、發明説明（ 的 發明之概述 ▲本發明之目的在於提供-種作為不進行新的掃描而分割 位兀的顯7F期間的手段的顯示裝置、攜帶機器、基板。 本發明之其他目的在於的供一種作為可實現比土配置於像 素的記憶體數多的多灰詹顧+ &溫—f 2 _ 7夕人度^的顯不基板電路結構的顯示 裝置、攜帶機器、基板。 記 區 本發明之另外其他目的在於關於在顯示區域外側配置 憶體的顯示基板結構，提供一種作為可減少配置於顯示 域外侧的記憶體數，以更小的基板尺寸產生同等灰度數的 顯不基板電路結構的顯示裝置、攜帶機器、基板。 、為了達成上述㈣，關於本發明的顯示裝置，其特徵在 =··具有多數電光元件，前述各電光元件具備記憶機構和 电位保持機構，使用前述記憶機構和前述電位保持機構的 輸出控制前述電光元件的顯示者。 為了達成上述目的，關於本發明的顯示裝置，其特徵在 於丄配置多數電光元件，前述各電光元件具備記憶機構， Μ述電光元件的電源線和前述記憶機構的電 配線者。 β π力 為了達成上述目的，關於本發明的攜帶機器，其 於：具備上述顯示裝置者。 、 ^ 為了達成上述目的，關於本發明的基板，其特徵在於·· 具備多數電極，前述各電極具備記憶機構和電位保持機 構’具備使用前述記憶機構和前述電位保持機構的輸出控 -11 - 制施加於前述電極的電壓或電流的機構者。 所以藉由使用使像素具有記憶機構（記憶體）和電位保持 機構（電容器）的結構，可進行像素配置的記憶體個數以上 的灰度顯示。此外，藉由切換配置於像素的多數記憶體顧 示’即使不重新從外部得到資料，亦可切換多數圖像顯 π。此外，使與最大灰度的資料對應的電壓保持於第一記 憶元件，分割對於其資料的電壓施加時間而施加電壓，^ 緩和動畫假輪廓。 本發明之另外其他目的、特徵及優點根據以下所示之記 載當可无分理解。此外，本發明之利益根據參照附圖的其 次的說明當可明白。 ^ 附圖之簡單說明 圖1為顯不在實施形態1使用的像素電路結構的電路圖。 圖2為顯示在實施形態2使用的像素電路結構的等效雷路 圖。 ^ 圖3為顯不在實施形態3使用的像素電路結構的等效電路 圖。 ^ 圖4為在實施形態3使用的分時灰度掃描方法的定時圖。 圖5為顯示在實施形態3所示的電壓變換電路的電路結構 的等效電路圖。 圖6為顯示在實施形態4使用的像素電路結構的等效電路 圖。 圖7為顯示在實施形態5使用的像素電路結構的電路圖。 圖8為顯示在實施形態使用的有機El的施加電壓vs有機 536689 A7 B7 五、發明説明（1〇 EL發光電流的圖表。 圖9 (a)及圖9(b)顯示在實施形態使用的有機EL的概念， 圖9(a)為顯示層疊構造的說明圖，圖9(b)為顯示化學構造 的說明圖。 圖1 0為顯示在實施形態1使用的有機EL驅動用TFT的問極 電壓vs有機EL發光電流的圖表。 圖1 1為顯在貫施形悲5使用的本發明的動書假輪廓效果 的說明圖。 圖1 2為顯示在實施形態5使用的各像素具有記憶體的顯示 裝置的系統結構的方塊圖。 圖1 3為顯示圖1 2的SRAM的電路結構的方塊圖。 圖14為顯示在實施形態6使用的各像素具有記憶體的顯示 裝置的系統結構的方塊圖。 圖1 5為顯不在實施形態6使用的像素電路結構的等效電路 圖。 ％ 圖16為顯示在實施形態6使用的記憶胞電路結構的等效電 路圖。 圖17為在實施形態6使用的分時灰度掃描方法的定時圖。 圖18為在實施形態6使用的圖像切換掃描方法的定時^。 圖19為顯示在實施形態7使用的像素電路結構的電路二: 圖20為顯示在實施形態7使用的本發明的分時掃描二沾 說明圖。 云的 圖2!為顯示在實施形態7所示的像素電路結構的等效電路 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 536689 ί7 Α7 ____Β7 r5^兑明(~νΓ) "~" ~〜 圖2 2為顯π在實施形態8使用的像素電路結構的電路圖。 圖23為顯示在實施形態8使用的本發明的分時掃二方二的 定時導出的說明圖。 田万/ ， 圖2 4為顯示在實施形態8使用的本發明的分時掃描方法另 外的定時導出的說明圖。 田 / 圖2 5為顯π在實施形態8使用的本發明的分時掃描方法另 外的定時導出的說明圖。 圖2 6為顯示習知各像素具有記憶體的有機e l顯示裝置的 像素電路結構的電路圖。 圖2 7為顯tf圖2 6的像素記憶胞電路結構的電路圖。 圖28為顯示習知各像素具有記憶體的液晶顯示裝置的系 統結構的說明圖。 > 圖2 9為顯示圖2 8的像素記憶體電路結構的電路圖。 圖3 0為顯示習知各像素具有記憶體的液晶顯示裝置的系 統結構的說明圖。 圖3 1為顯示圖3 〇的像素記憶體電路結構的電路圖。 圖3 2為顯示圖30的像素記憶體另外電路結構的電路圖。 圖3 3為顯示習知電路結構的電路圖。 圖34為顯示習知分時灰度顯示方法的說明圖。 圖3 5為顯示動畫假輪廓產生原理的說明圖。 較佳具體實例之詳細說明 [實施形態1 ] 茲就本發明實施一形態根據圖1說明如下。 圖1所不的疋本發明第—方法的為第一結構的像素八^的 張尺度適用中3 _準(。兩M規格(2igx29·^~—- 536689 A7 B7 五、發明説明（12 ) 等效電路。此等效電路係下述結構：在為第一開關機構的 TFT(薄膜電晶體）6的源極端子連接作為信號線的資料配線 S.j，在TFT6的汲極端子連接為第二開關元件的TFT2 1的源 極端子和兼作電位保持機構的液晶元件（電光元件）2 3的像 素電極。在此TFT2 1的汲極端子連接作為靜態型記憶元件 的記憶電路9 (第一記憶元件）。 又，之所以需要上述TFT6，是因為資料配線Sj和電光元 件未一對一對應。將資料配線Sj如和電光元件一對一對應 般地配線時，上述TFT6不要。 為了形成這種記憶電路9，在本實施形態使用CGS (連續 晶粒矽）TFT製作製程。又，同製程的說明詳細記載於日本 國特開平8-250749號公報等，所以此處其詳細說明省略。 為了控制此液晶元件的顯示狀態，在以液晶元件2 3的對 向電極的電位Vref為GND電位之間，以TFT6和TFT21，即 其源極、沒極間為導通狀態，施加最高有效位元（bit)的資 料給此液晶元件2 3的像素電極及記憶電路9。這種情況， 最高有效位元的資料為VDD或GND的二進制資料。又，為 了以TFT6為導通狀態，施加選擇電壓給連接於TFT6的閘極 端子的掃描線。為了以TFT2 1為導通狀態，施加選擇電壓 給連接於TFT21的閘極端子的控制Cibit2。 又，本實施形態在TFT的源極端子和汲極端子之間無嚴格 區別’所以顛倒上述源極端子和沒極端子也沒有問題。 其次，在以TFT6為導通狀態，以TFT21為不導通狀態之 間，施加相當低位位元灰度的電壓給液晶元件2 3的像素電 ___-15-___ 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 536689

極。 其後’以TFT6為不導通狀態，以TFT21為導通狀態，施 加儲存於此兄憶電路9的最高有效位元的資料給液晶元件 23 ° 藉由如此驅動，若先將最高有效位元的資料一度保持於 Z It私路9 ’貝ij在-巾貞内多數;欠，中途隔著其他位元顯示， 可施加最高有效位元的資料給液晶元件2 3。 又在和上述顯不期間不同的幀期間，施加VDD電位作 為電位Vref，藉由在VDD和GND之間更換通過TF丁6或 TFT2 1施加於液晶元件23的電壓的選擇，可施加交流電位 給液晶元件2 3 〇 此外，在靜止圖像顯示時也是不能配置於像素的位元資 料從像素外部供應給為上述電位保持機構的液晶。藉此有 下述效果：配置於像素的記憶機構即使只有1位元分，亦可 貫現2位元分以上的灰度顯示。 此外，藉由如此驅動，即使液晶亦可實現分時灰度，但 液晶的回應速度極慢，所以（若是鐵電性液晶之類的高速液 晶則顯眼)但動畫假輪廓顯眼很少。然而，使用高速液晶 時，如此驅動有抑制動畫假輪廓的效果。 又’在圖1 ’和液晶顯示元件2 3平行輸入的為第六開關元 件的TFT2 4及開關其的控制線Cibiu的作用係為了使施加於 上述液晶兀件2 3的電壓成為〇 ,係為了調整上述灰度顯示 期間的長度，改善灰度直線性。 又’在圖1 ’ 1己憶電路9採取靜態記憶結構：由p型TFT}丄 ____ -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210x 297公复y 536689 A7 B7 五、發明説明（14 ) 和η型TFT1 2構成的第一反相電路與由p型TFT1 3和η型 TFT 14構成的第二反相電路互相以其輸出為輸入。 因此，作為記憶電路9，具有控制和VDD電位之間的導 通、不導通爿大態的TFT1 3與控制和GND電位之間的導通、 不導通狀態的TFT14。 又，也可以在第二反相電路的輸出端子和第一反相電路 的輸入端子之間新配置p型TFTx (如源極端子連接於第二反 相電路的輸出端子，汲極端子連接於第一反相電路的输入 端子），使該p型TFT的閘極端子連接於掃描配線Ci。 這種情況，以TFT6為導通狀態，將資料配線Sj的資料取 入記憶電路9時，p型TFTx成為不導通狀態，第二反相電路 的輸出不給與第一反相電路的輸入端子影響，所以對記憶 電路9的資料設定容易。此外，以TFT6為不導通狀態時，p 型TFTx成為導通狀態，將第二反相電路的輸出輸入到第一 反相電路的輸入端子，記憶電路9的資料被保持。 又，上述VDD電位和GND電位的任一電位為接通亮度設 定電位，任一電位為斷開亮度設定電位取決於液晶元件2 3 為通常白色模式、通常黑色模式、以透過狀態為接通或以 不透過狀態為接通，設定於哪個都可以。 [實施形態2 ] 圖2所示的是本發明第一方法的為第二結構的像素Aij的 等效電路。此等效電路具有為第一開關機構的TFT6 3，在 該TFT6 3的源極端子連接作為信號線的資料配線S j，在 TFT6 3的汲極端子連接為電位保持機構的電容器6 5。此 -17 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 536689 A7 B7 五、發明説明（15 ) 夕卜，具有為第四開關機構的TFT6 4，在該TFT6 4的源極端 子連接作為信號線的資料配線Sj，在TFT6 4的汲極端子連 接為記憶機構的記憶元件9的輸入端子。此外，在TFT6 3的 閘極端子連接掃描線Cia，在TFT6 4的閘極端子連接掃描線 Cib 0 此記憶元件9和圖1的記憶元件9相同，採取靜態記憶結 構：由P型TFT1 1和η型TFT1 2構成的反相器與由p型TFT1 3 和η型TFT1 4構成的反相器互相使自己的輸入端子連接於對 方的輸出端子。 而且，在此記憶元件9的輸出端子（在圖2兼作輸入端子） 連接電容器6 6。 在此電容器65和66的另外一方端子共同連接為電光元件 的液晶元件，在該液晶元件的另外一方端子連接對向電極 的電位Vref。

為了簡化施加於此液晶的電壓：，顯示作為Vref = GND。假 設電容器65的電容為C65、電容器66的電容為C66、液晶 的電容為C1 c，則記憶機構9的輸出為GND電位時，若從資 料配線Sj施加給電容器6 5的電壓為GND電位，則施加0 [ V ] 的電壓給液晶。此外，若從資料配線Sj施加給電容器6 5的 電壓為 VDD，則施加 VDDxC65/(Clc + C66 + C65)[V]的電壓 給液晶。此外，記憶機構9的輸出為VDD電位時，若從資 料配線Sj施加給電容器6 5的電壓為GND電位，則施加 VDDxC66/(Clc + C66 + C65)[V]的電壓給液晶。此外，若從 資料配線Sj施加給電容器6 5的電壓為VDD，則施加VDD _-18-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 536689 A7

x(C65 + C66)/(Clc + C66 + C65)[v]的電壓給液晶。 於是，與Clc相比盡量大地採取C65、C66，適當設定電 源電壓VDD，則可使用此液晶67進行多灰度顯示。即，本 實施形態相當於下述情況：使與儲存於記憶機構或電位保 t機構的資料權重對應的電壓產生，顯示電光元件。這種 情況也是，若上述資料配線Sj和記憶機構9及電位保持機構 65—對一對應，則上述„丁63、64不要。這種情況也是， =能配置於像素的位元資料從像素外部分時供應給為上述 %位保持機構的液晶6 5。藉此，配置於像素的記憶機構即 使只有記憶電路9的1位元分，亦可實現2位元分以上的灰 度顯示的效果（本發明之第二目的）。 [實施形態3] 圖3所tf的本發明第一方法的為第二結構的像素八幻的等 效電路。此等效電路在為第一開關機構的TFT63的源極端 子連接作為#號線的資料配線y，在TFT6 3的汲極端子連 接為電位保持機構的靜態記憶體6 8的輸入端子。此外，在 為第四開關機構的TFT64的源極端子連接作為信號線的資 料配線Sj ’在TFT6 4的汲極端子連接為記憶機構的靜態記 憶體6 9的輸入端子。此外，在TFT6 3的閘極端子連接掃描 線Cia ’在TFT64的閘極端子連接掃描線Cib。 此外’電位保持機構6 8的輸出端子連接於為第五開關元 件的P型TFT7 0的汲極端子，TFT7 0的汲極端子和有機EL 8 共同連接於形成電光元件的TFT7的閘極端子。此外，記憶 機構6 9的輸出端子連接於為第五開關元件的n型tft7 1的 _-19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 536689 A7 B7 五、發明説明（17 ) 汲極端子’ TFT7 1的汲極端子和有機EL 8 (此有機EL結構的 說明之後進行）共同連接於形成電光元件的TFT7的閘極端 子。 此TFT7 0和71—方為n型TFT，他方為p型TFT，所以使其 閘極端子連接於共同的控制線Cibit 1，若控制線Cibit 1的電 位為高電位（high電位），則丁FT7 1成為導通狀態，若控制 線Cibit 1的電位為低電位（i〇w電位），則TFT7 0成為導通狀 態般地被控制。 又，圖3的TFT7 0和TFT7 1都以η型丁 FT構成時，連接於 TFT7 1的閘極端子的控制線和連接於TFT7 〇的閘極端子的 控制線Cibit 1成為不同的配線。 因此’前者（圖3之例）的情況有控制線的配線數少的優 點，但另一方面有因丁FT70、7 1的臨界值特性偏差而兩方 的TFT導通的危險性。 後者的情況相反，因可獨立控制TFT7〇、7 }而即使 TFT7 0、7 1的臨界值特性偏差，亦可控制成兩方的不 同時導通。 此外，這種情況，電光元件係由p型TFT7和有機EL 8所 形成’ TFT7的源極端子連接於電源線vdd，TFT7的汲極 端子連接於有機EL 8 (此有機EL結構的說明之後進行）的陽 極。此外，此有機EL8的陰極連接sGNI)。 於疋，進行如圖4所示的掃描。又，在圖4中（3 )到（丨6 )相 當於掃描線，以實現所示的掃描為來自資料配線sj的資料 取入，以虛線所示的掃描為來自記憶機構的資料取入。 _ 20 · 本紙張尺度適用中ϋ g家鮮(CNS) A4規格(21G X 297公董）— - 536689 A7 B7 五、發明説明（ 18 即，將一蛸期間T f分割成多數掃描期間τ s，最初將最高 有效位元的資料寫入到記憶機構6 9，以控制線Cibiu為高 包位，以TFT為導通狀態，供應記憶機構6 9的輸出給丁^ 的閘極。其結果，在有機EL8，此期間與最高有效位元的 資料一致的電流流動。 其次，將低位位元的資料寫入到電位保持機構68，以控 制線Cibitl為低電位，以TFT70為導通狀態，供應電位保持 機構68的輸出給TFT7的閘極。其結果，在有機EL8，此期 間與低位位元的資料一致的電流流動。 然而，在低位位元有時低位位元的顯示期間長度會比上 述掃描期間Ts短。於是，在其餘剩的時間以控制線曰 為高電位，以TFT71為導通狀態，供應記憶機構⑼的輸出 給TFT7的閘極。 其結果’在有機EL8 ’此期間按照最高有效位元的資料 而電，流動的期間被分成幾個。使此被分割的期間總 與此最高有效位元的權重成比例。 藉由如此驅動，可發揮下述效果：抑制分時灰度顯示 機EL 8時所見到的動畫假輪廓。 ’ 一又，本實施形態相當於下述情況··肖儲存於記 前述電純持機構的資料權重對應的期間，給料述電= 兀件圮憶機構或前述電位保持機構的輸出。 此外，藉由從像素外部供應位元資料給為上 機構的靜態記憶體6 8，有下述效田. 、持 構69即使只有-元分二L:置:像素的記憶 』⑤現2位兀分以上的灰度 和 有 機 顯 本紙張尺㈣環_鮮卿）織格 19 五、發明説明（ 人 -不貫施形態，將資料作為 比將類比電壓傳送到像素時，有下述門；枓！送到像素時 元數倍增加。 彳場·為料傳送次數 然而，將類比電壓傳送到像素時 所需的電壓傳送到户％ s 要將驅動笔光元件 幅。 Hs喊配線S”此需要例如1。ν的電壓振 /置；t二：二進制數位資料傳送到像素時，可在像素 =二 準變換電路。此意味著即使施加例如!〇 丫的廷壓振幅給電光元件時，亦可 電壓抑制在3 v程度/ “。唬配、.泉。的 消耗電力與電壓的平方成比例，所以設在類比灰度傳幻 次10 V的電壓時的消耗電力為10χ1〇χ卜1〇〇，則在數位 灰度傳送8次3 ν的電壓時的消耗電力可抑制在3 X 3 χ8 = 72 〇 圖5所示的是這種電壓變換電路之例。在圖5電壓變換電 路9 7使用靜怨έ己憶結構：具有由ρ型丁ftq 和η型丁fTq工5 構成的第一反相器與由ρ型TFTQ16和η型TFTQ17構成的第 一反相器，從由#號配線Sj所輸入的資料製作其正極性資 料和反轉極性資料。給與由P型丁FTQ18和η型TFTQ19構成 的第三反相器的η型丁FTQ19的閘極其一方的資料，給與由 Ρ型丁FTQ20和η型丁FTQ21構成的第四反相器的η型TFTQ21 的閘極他方的資料。Ρ型TFT1 8和20連接成將彼此的輸出輸 入到閘極。 536689 A7 B7 五 發明説明 於是，η型TFTQ19或2 1的閘極的任一閘極成為電壓vcc 而成為導通狀態，則其導通側的反相器的輸出成為gnd電 位。其結果，Ρ型TFT1842〇的任一閘極端子成為 位，所以為不導通狀態的n型TFT側的p型TFT成為導通狀 態，該側的反相器的輸出成為VDD。於是，完成從此vcc 到VDD的電壓變換。 此所電壓變換的資料係掃描配線Ci為選擇狀態，控制配 線Cibitl為高電位時被寫入到記憶體9。此外，此電壓變換 電路97也起作用作為電位保持機構。這是因為若不使其通 過此電壓變換電路9 7，則不能將新的資料寫入到記憶電路 9 ,所以認為此電壓變換電路9 7看作記憶機構不如應看作 電位保持機構。又，掃描配線Ci為非選擇狀態，控制配線 Cibitl為低電位時，施加為電位保持機構的此電壓變換電路 97的輸出給為電光元件的TFT1 5。此外，控制配線Cibiu 為高電位時，施加為記憶機構的記憶電路9的輸出給為電光 元件白勺TFT15 〇 如此，各像素設置電壓變換電路，可實現降低分時灰度 顯示時的耗電的效果。 [實施形態4 ] 圖ό所示的是本發明第一方法的第二結構的像素Aij的等 效電路。此等效電路在為第一開關機構的TFT6 3的源極端 子連接作為信號線的資料配線Sj，在TFT6 3的汲極端子連 接為電位保持機構的電容器7 4和形成電光元件的TFT7 2的 閘極端子。此外，在為第四開關機構的TFT6 4的源極端子 _______-23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 装 訂

536689 A7 ____ _B7__ 五、發明説明（21 ) 連接作為信號線的資料配線Sj，在TFT6 4的汲極端子連接 為記憶機構的靜態記憶體9的輸入端子。此外，在TFT6 3的 閘極端子連接掃描線Cia，在TFT64的閘極端子連接掃描線 Cib 〇 此外’記憶機構9的輸出端子連接於形成電光元件的 TFT7 3的閘極端子。這種情況，電光元件係由p型TFt7 2、 73和有機EL8所形成，TFT72、73的源極端子連接於電源 線VDD，TFT72、73的汲極端子連接於有機EL8(此有機 EL結構的說明之後進行）的陽極。此外，此有機el 8的陰極 連接於GND。 於是’在供應像素Aij的最高有效位元的資料給圖6的信 號線Sj之間，以掃描線Cib為選擇狀態，將此資料取入記憶 機構9。此外’像素Aij的低位位元的資料分時地供應給信 號線sj ,其間以掃描線Cia為選擇狀態，將此資料取入電容 器74 〇 TFT7 2於電容器74的電位為高電位時成為不導通，於低 電位時成為導通。此外，TFT7 3於記憶機構9的電位為高電 位時成為不導通，於低電位時成為導通。此TFT72、73以 同一結構（尺寸）製作，所以兩方全都導通狀態時，僅一方 導通狀態時的兩倍電流流動。 於是，配合其位元的權重控制給與電容器74像素人幻的低 位資料的間隔，可進行多灰度顯示。這種情況，本實施形 態相當於下述情況：使與儲存於記憶機構或電位保持機構 的資料權重對應的電流產生，顯示電光元件。這種情況也 本紙張尺度適用中國國家標準(CN^i^210x 297公t 536689 A7

疋，右上述資料配線Sj·和記憶機構9及電位保持機構“— 對-對應，則上述TFT63、64不要。這種情況也是，不能 配置於像素的位元資料從像料部供應給為上述電位保持 機構的電容器74,配置於像素的記憶機構即使只有i位元 分，亦有可實現2位元分以上的灰度顯示的效果。 [實施形態5 ] 圖7所示的是本發明第一方法的為第—結構的像素約的 寺效電路。此外，圖12所示的是使為本發明第二方法的顯 不區域（像素）外具有第二記憶元件（記憶體陣列）的方塊電 路結構。又，為了說明方便起見，在具有和前述實施形態 的圖面所示的構件同一功能的構件附註同一符號而省略其 說明。 此處使用有機EL之類的自發光元件，所以其自發光元件 驅動J^TFT以電荷移動率大的矽製程製作。即，為了製作 在本實施形態使用的TFT，和實施形態卜4同樣，使用 CGSTFT製作製程。 圖7所示的疋像素Aij的等效電路。此等效電路係下述結 構在為第一開關元件的TFT6的源極端子連接資料配線 Sj在的；及極端子連接為第二開關元件的tFT2丨的源 極端子、為第三開關元件的TFT2〇的源極端子及構成電光 疋件的TFT7的閘極端子。又，在此TFT2丨的汲極端子連接 為記憶機構的靜態記憶電路9 ,在TFT20的汲極端子連接電 容器22(電位保持機構）。 又’在圖7的結構，為第三開關元件的TFT2 0未必需要。 536689 A7 B7 五、發明説明（23 ) 此丁FT2 0係給與TFT7的閘極記憶元件9的輸出時，為了保 持電容器2.2的電位所設。此外，此TFT2 0係給與TFT7的閘 極端子記憶元件9的輸出時，為了不因電容器2 2的電荷而 記憶元件9的記憶狀態變化所設。藉此，可保持儲存於電容 器2 2的資訊，所以宛如電容器2 2起作用作為使用動態記憶 體的記憶機構，有機TFT7的閘極的雜散電容如電位保持機 構般地起作用。 因此，有此TFT20時，電容器22在嚴格的意義上未成為 本發明機構一的電位保持機構。 然而，考慮只是TFT7的閘極的雜散電容會受到周邊配線 影響，電位變動，不好；將為電位保持機構的電容器22從 記憶機構充電時也會更換電容器22的電荷，而產生耗電； 為了不產生這種課題，將為第三開關元件的TFT2 0串聯插 入作為電位保持機構的電容器22，作為本發明的電位保持 機構。 由此目的來看，此第三開關元件的位置如圖7，可以在 TFT7的閘極和電容器2 2之間，也可以在電容器2 2和GND 電位之間。任一情況都是以TFT2 0為不導通狀態時，電容 器22的電荷不變動。 此外，在TFT20的閘極端子連接控制線Cibitl，在TFT21 的閘極端子連接控制線Cibit2。 作為以此有機TFT7驅動的電光元件，在本實施形態使用 圖8顯示其施加電壓V-電流I特性的有機EL。圖8為有機EL 元件的I - V靜態特性（線性）。又，同有機EL的一般構造採 _ -26-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 536689 A7 B7

五、發明説明（24 取如圖9 ( a)所示的構造。 即，如圖9(a)所示，使用層結構39 :在基板31上形成陽 極32，在其上形成有機多層膜34(帶電洞的層35、電洞輸 送層36、發光層37、電子輸送層38),在其上層叠陰極 33 〇 又，發光層37的構造圖使用圖9(b)所示的聯苯（biphenyi) (出光興產的DPVBi)等。 又，在本實施形態以較佳的組合說明，所以也是以本發 明的電光元件的電源線和記憶機構的電源線為另外配線白^ 情況的實施形態。即，在圖7作為記憶電路9 ,以閘極接通 電源配線（電壓Von)和閘極斷開電源配線（電壓v〇ff)為電源 配線’形成和有機EL驅動用電源VDD可獨立設定電壓的妙 構。 以下’就本實施形態的電壓設定看一看。本發明的灰度 顯示方法取好使用各像素具有靜態記憶體的結構或在像素 外具有SRAM (靜態隨機存取記憶體）的結構。 作為此像素外具有SRAM的結構，有習知例所示的特開 2000-227608號公報。此公報所揭示的圖3〇的TFT基板結構 如已述，係下述結構：在顯示部310外面具有以SRAM構成 的圖像記憶體308，在顯示部3 1 〇具有以圖3 1或圖3 2的電容 器構成的像素記憶體，以儲存於此像素記憶體的二進制資 料進行顯示。 在如上述的各像素具有記憶體的結構，雖然施加其記憶 體的輸出電壓給為了驅動有機EL的TFT的閘極，但為了使 _________-27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 536689 A7 B7 五、發明説明（25 ) 其顯示穩定，將就需要什麼樣的閘極電壓加以敘述。 圖1 0為串聯連接圖8顯示其施加電壓-電流特性的有機EL 和對該有機EL驅動用TFT的結構，係模擬驅動用TFT的閘 極電壓V gate和流經有機EL的電流特性I oled之關係的結 如從圖1 0得知，有機EL之類的自發光元件根據驅動用 TFT的閘極電壓為-5 V或-2 V，流經有機EL的電流值變 即，得知即使從上述記憶體輸出通常的邏輯輸出電壓 (VDD和GND)，作為施加於為了驅動上述有機EL的TFT的 閘極的電壓也不足。 得知更何況特開2000-227608號公報所示的圖3 1的電路結 構，儲存於電容器406的電荷變化，則因其變化而驅動用 TFT407的閘極電壓變化，發生發光亮度變化的問題。此在 圖32也同樣。 此外，作為各像素具有靜態記憶體的結構，有習知例所 示的特開平8 - 194205號公報。如已述，此公報所揭示的圖 2 9的TFT基板結構係下述結構：各像素具有靜態記憶體 206，以儲存於此像素記憶體的資料進行二進制顯示。此結 構也是形成直接使用邏輯電路的電源電壓VDD或GND電壓 作為驅動用TFT214的閘極電壓的結構。驅動有機EL之類的 自發光元件時，在圖1 0所示的驅動用TFT的閘極電壓V和流 經有機EL的電流特性I之關係，最妤使用V -1特性變化少之 -28 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 536689 A7 _ B7 五、發明説明（~^7) 一 — 這疋因為有機EL之類的自發光元件的驅動用TFT ,閘極 電塵變動成為發光亮度變化。然而，直接使用上述電源電 壓VDD或GND電壓的結構，不能進行這種適當電壓的選 對此，根據本實施形態的結構，無下所述，可得到適於 各像素具有記憶體的顯示裝置，以有機EL之類的自發光元 件顯示穩定亮度特性的像素記憶電路。 在圖7所示的作為有機EL驅動用的p型TFT7和圖8顯示其 V -1特性的有機EL 8的組合’以模擬求出電源電壓vdd与6 V時的p型TFT7的閘極電壓V和流經有機EL 8的電流工之關 係的是圖1 0的V -1特性。 如從圖1 0得知，p型TFT7的閘極斷開電壓有約4 v以 上，則為大約0 #A，良好，但閘極接通電壓即使〇 v也不 足，在約-5 V以下為大約〇 · 8 // A，穩定。 例如閘極斷開電壓：Voff== 5 V，閘極接通電壓：以v〇n 的變動幅度為（閘極接通電壓：Von-閘極斷開電壓： Voff) X (1 土 〇·1) ’則閘極接通電壓若是〇 v，則亮度偏差 為約±3%，但閘極接通電壓若是_5 ν，則亮度偏差為約土 1 %，變小。 有機EL驅動用TFT的閘極電壓因和周邊配線之間的雜散 電容等而變動，所以如此設定亮度偏差變少的電壓作為有 機EL驅動用TFT的閘極接通電壓，則有效果。 如此將為本發明方法二的為各像素所配置的靜態記憶元 件輸出端的反相電路一方的TFT(電晶體）的源極端子連接於 ___-29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 536689

接通党度設定配線，將另外一方的TFT(電晶體）的沒極端子 連接於斷開亮度設^配線，τ以靜態記憶元件的輸出電位 為適當的接通電位或斷開電位。 這種結構不僅在本發明方法一有效，而且在一般各像素 具有靜態？己憶元件的結構有效。 於疋在本實施形怨使用+ 6 V作為有機EL·驅動電壓，使 用-5 V作為閘極接通電壓ν〇η，使用+ 5 ν作為閘極斷開電 壓 Voff。 即，在圖7，閘極斷開電源配線（電壓v〇ff)為約5 v的電 源配線，閘極接通電源配線（電壓V〇n)為約_ 5 v的電源配 線。使用p型TFT 1 3接合此閘極斷開電壓配線（電壓v〇ff)和 驅動用TFT7的閘極配線，使用η型TFT1 4接合閘極接通電 壓配線（電壓Von)和驅動用TFT7的閘極配線。 使用這種電路結構，可供應適當的接通電壓和斷開電壓 給有機EL驅動用TFT的閘極配線。又，圖7的ρ型TFT1 3和 η型TFT1 4構成反相電路。於是，另外一級以p型TFT1 1和η 型TFT 1 2構成反相電路，結合彼此的閘極和輸出電極，就 可以記憶電路9構成靜態記憶體。 圖1 1顯示控制此有機EL元件8顯示狀態的方法。 即，在一幀期間TF的最初期間TO之間以電源VDD為 GND電位（或GND電位以下的-6 V等），以控制線Cibit2為 選擇狀態，藉此使TFT2 1成為導通狀態，使TFT6(的源 極、汲極間）每一掃描線依次成為導通狀態，將最高有效位 元的資料記錄全部掃描線上的像素的記憶電路。 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱) 536689 A7 B7

其後，在期間16T1之間以電源VDD為+6 v ,施加與記憶 於記憶電路9的資料對應的電壓v〇n或電壓v〇ff給此有機^^ 驅動用TFT7的閘極。 其後，以控制線Cibit2為非選擇狀態，藉此使打721成為 不導通狀態，控制線cibiti為選擇狀態，藉此使汀丁2〇成為 導通狀態。 其間’在期間丁0之間以抓6的（源極、沒極間）依次成為 導通狀態，以電源VDD為GND電位，將相當低位位元的電 位儲存於電容器22 ,其後僅與位元權重對應的期間以電源 VDD為+6 V，」施加與儲存於電容器22的資料對應的電壓 Voti或電壓Voff給有機EL驅動用TFT7的閘極。 而且，最後相當低位位元的顯示結束後，以控制線 為非選擇狀態，藉此使TFT20成為不導通狀態，以控制線 Cibit2為選擇狀態，藉此使叮了21成為導通狀態，施加與記 錄於記憶電路9的最高有效位元的資料對應的電壓v〇n或電 壓Voff給有機EL驅動用TFT7的閘極。 如此掃描，如圖11所示，灰度位準32的圖案在灰度位準 3 1的背景移動時，即使視線如圖} }的虛線（a)〜（d )移動， 其視線移動上的像素的視線移動時的灰度圖案錯誤和圖3 5 的習知例相比也減少。 例如在虛線（a)視線如灰度1、2、4及3 2/2的點亮定時模 糊而看得見灰度位準23 (= 1 +2 + 4 + 32/2)。在虛線（d)灰度 32/2、8、1 6的點亮度時模糊而看得見灰度位準4〇( = 32/2 + 8 + 16)。這些值對於本來灰度位準3丨或32的錯誤比圖35 ___-31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 536689 A7 _____B7 五、發明説明（29 ) 的情況，變成一半程度。 如此二各像素具有記憶體和與其記憶值被獨立控制的電 容器’藉此本實施形態的驅動方法成為可能。根據本實施 形態’即使不改變和習知例的圖35必需的掃描次數，也如 圖1 1所示，有抑制動畫假輪廓效果。 又，圖7的像素記憶電路9的動作係 (1)更新記憶電路9的資料時，使用作為控制線的掃描線 Ci使TFT6成為導通狀態，使用控制線〇丨^2使7171：21成為 導通狀態，從作為信號線的資料配線Sj給與第一反相電路 (ρ型TFT1 1和η型TFT1 2的電路）的輸入端與資料對應的電 壓Von或電壓Voff，更新記憶電路9的值， (2 )保持記憶電路9的資料時，使用掃描線（控制線）c i或 控制線Cibit2使TFT6或TFT2 1成為不導通狀態，給與第一 反相電路的輸入端第二反相電路（ρ型TFT1 3和η型TFT1 4的 電路）的輸出，維持記憶電路9的值。 (3 )通過上述記憶電路9的資料更新時及資料保持時，以 控制線Cibit2為選擇狀態，藉此使TFT2 1成為導通狀態之 間，若第二反相電路的ρ型TFT1 3為導通狀態，則（不管 TFT2 0為導通、不導通狀態）有機EL驅動用ρ型TFT7的閘極 電壓成為Voff，有機EL 8成為不發光狀態。 (4)通過上述記憶電路9的資料更新時及資料保持時，以 控制線Cibit2為選擇狀態，藉此使TFT2 1成為導通狀態之 間，若第二反相電路的η型TFT1 4為導通狀態，則（不管 TFT2 0為導通、不導通狀態）有機EL驅動用Ρ型丁FT7的閘極 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） __-32-______ 536689 A7 B7 五、發明説明（ 電壓成為V0n，有機EL8成為發光狀態。 如此一來，從電容器22和記憶電路9都供應為了適當二進 制驅動有機EL的電壓Von或Voff給有機EL驅動用TFT7的閘 極端子。其結果，有上述動畫假輪廓對策的效果或可灰度 線性佳的顯示的效果。 又’在本實施形態使用本發明的第二方法，所以無需插 入習知技術的圖2 8所示的信號線驅動器之類的資料、電壓 變換電路。將存在於像素外的SRAM的資料照樣傳送到存 在於像素的靜態記憶體即可。於是，作為適於本實施形態 的像素TFT電路的系統結構，可提出圖！ 2所示的系統結 構。 即’圖1 2所示的是下述結構：使從CPU (中央運算處理 部）1到顯示裝置3寫入為了顯示的圖像（或文字）資料的 SRAM4(第二記憶元件）和顯示裝置一體化。此sraM4本身 使用上述CGSTFT製作製程加入顯示裝置亦可，將使用單晶 半導體製程製作的1C之後封裝於顯示裝置3亦可。此外， 之後封裝使用單晶半導體製程製作的1C時，直接封裝於顯 示裝置3上亦可，在以銅箔圖案配線的膠帶上利用tab (捲 帶式自動銲接）技術一旦封裝之後，再使其Tcp (帶載封裝） 和顯示基板結合亦可。 又’ 2為在顯示裝置外部的快閃記憶體，5為將SRAM4的 資料寫入到像素1 〇的控制器驅動電路。此外，像素丨〇的電 路結構為圖7所示的像素TFT電路結構。 此SRAM4如圖13所示，除了到cpul的串列輸出入埠（串 -33 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公袭：） 536689 A7 B7 五、發明説明（ 列進控制電路5 5和串列出控制電路5 4 )之外，還具有平行 輸出顯示裝置3的SEG(信號線驅動器）侧一行（像素Ail〜像 素Aim)分的資料的埠（平行出控制電路53)。其他和通常的 SRAM電路同樣’具有位址緩衝器5 〇、5 8、列解碼器5 1、 行解碼器5 7、選擇器5 6、記憶體陣列5 2。5 9、6 0為及 (AND)電路。 使用此SRAM將由外部所輸入的像素單位的資料變換成在 上述驅動方法所示的位元單位的資料，從SRAM直接窝入 到像素記憶體，藉此無需從SRAM串列傳送資料到SEg驅動 器，可節省為此的能量，可謀求顯示裝置全體的低耗電 化。此外，在使用側可無意識地使用採取了這種驅動方 法。 如此在像素配置記憶元件的顯示裝置，使為本發明第二 方法的像素（顯示區域）外面具有第二記憶元件（記憶體陣列） 的效果大。 又，圖7的像素TFT電路結構雖然閘極接通電壓配線（電壓 Von)和有機EL驅動用電源VDD為另外配線，但由圖1 〇的 V -1特性，Von若為4 V以上即可，也可以使用VDD的6 V。這種情況，閘極接通電壓配線（電壓v〇n)和有機驅 動用電源VDD可共用化。 [實施形態6 ] 圖1 4〜1 8顯示本發明方法一和方法二的另外實施形態。 圖1 4與下述情況對應：和習知液晶顯示裝置同樣，以一 線路單位傳來像素的位元資料。這種情況，在基板7 5上形

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536689 A7 B7 五、發明説明（32 ) 成串並列變換電路7 6、控制器7 7、配置於顯示區域7 9的像 素8 1、配置於像素外記憶區域7 8的記憶胞8 〇。 此外，顯示顯示像素等效電路結構之例則如圖1 5，顯示 記憶胞等效電路結構之例則如圖1 6。 即’圖1 5為本發明第一方法的第一結構的實施形態，在 像素8 1配置為第一開關元件的TFT6、為電光元件的有機 EL 8、驅動該有機EL 8的TFT7、為電位保持機構的電容器 9 2及為記憶機構的記憶體8 3〜8 5。TFT6係源極連接於信號 配線S j ’閘極連接於评描配線C i ’沒極連接於配線a。此 外，其閘極連接於控制線Cibitl、Cibit2的為第二開關元件 的T F T 8 6〜9 1介於各1己憶8 3〜8 5和配線A之間。 這種情況，TFT6為不導通狀態時，在記憶體83連接p型 TFT86和η型TFT87，所以控制線Cibitl為低電位、控制線 Cibit2為高電位時，輸出記憶體8 3的資料到配線A。此外， 在記憶體8 4連接η型TFT8 8和p型TFT8 9，所以控制線 Cibitl為高電位、控制線Cibit2為低電位時，輸出記憶體8 4 的資料到配線A。此外，在記憶體8 5連接η型TFT9 0和η型 TFT91，所以控制線Cibitl和Cibit2均為高電位時，輸出記 憶體85的資料到配線A。 此外，TFT6為導通狀態時，控制線Cibitl為低電位、控 制線Cibit2為高電位時，寫入信號配線S j的資料到記憶體 83。此外，控制線Cibitl為高電位、控制線Cibit2為低電位 時’寫入信號配線S j的資料到記憶體8 4 ^此外，控制線 Cibitl和Cibit2均為高電位時，寫入信號配線Sj的資料到記 _______— 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 536689

憶體85。 此外，在電容器9 2和配線A之間連接丁FTq〗，在其閘極 連接控制線CiC。於是，此TFTQ1為導通狀態時，電容器 9 2的黾位成為給與配線a的電位。此外，此丁ρ丁q 1為不導 通狀怨時，電容器92的電位被保持。有機EL8驅動用TFT7 以此電容器92的電位控制。 圖1 6為本發明第一方法的另外實施形態的記憶胞8 〇，在 記憶胞8 0配置為第一開關元件的TFTQ1 〇和為記憶機構的 圯憶體9 3〜9 6。TFTQ10係源極連接於信號配線D j ,閘極連 接於閘極配線Gi，汲極連接於配線B。此外，記憶體 9 4〜96係連接其閘極的為第二開關元件的丁1?丁^4〜(^9連接 於控制線Cibitl、Cibit2。 這種情況，TFTQ1為導通狀態，從串並列變換電路76無 輸出時，在記憶體94連接p型TFTQ4和η型TFTQ5 ,所以控 制線Cibitl為低電位、控制線cibit2為高電位時，輸出記憶 體9 4的資料到配線B。此外，在記憶體9 5連接n型TFTq6 和p型TFTQ7 ’所以控制線Cibitl為高電位、控制線cibit2 為低電位時，輸出記憶體9 5的資料到配線B。此外，在記 憶體96連接η型TFTQ8和n型TFTQ9，所以控制線Cibitl和 Cibit2均為高電位時，輸出記憶體9 6的資料到配線B。 此外，TFTQ1為導通狀態，從串並列變換電路7 6輸出 時’控制線Cibitl為低電位、控制線Cibit2為高電位時，寫 入信號配線Dj的資料到記憶體9 4。此外，控制線Cibitl為 高電位、控制線Cibit2為低電位時，寫入信號配線D j的資 ______ -36- ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 536689 A7 B7 五、發明説明（ 料到記憶體9 5。此外，控制線cibitl和Cibit2均為高電位 時’寫入信號配線Dj的資料到記憶體9 6。 此外，在記憶體93的輸入端子和配線B之間連接p型 TFTQ2 ’在其閘極連接控制線GiRW。在為此記憶體9 3輸 出端子的第二反相器輸出端子和為輸入端子的第一反相器 輸入端子之間連接n型TFTq3，在其閘極連接控制線 GiRW。此外，在第二反相器輸出端子和配線b之間連接卩 型TFTQ26 ’在其閘極連接於閘極配線⑴。 此結果’閘極配線Gi為高電位、控制線GiRW為低電位 時，寫入信號線Dj的資料到記憶體93。此外，閘極配線⑴ 為兩電位、控制線GiRW為高電位時，記憶9 3的資料被保 持此外，閘極配線G1為低電位時，輸出記憶體9 3的資料 到配線B。 此記憶體93比其他記憶體94〜96低地設定輸出阻抗，所 以閘極配線Gx為低電位時，其他記憶體94〜96和配線6成 為導通狀態，則其記憶體的資料被換成記憶體93的資料。 在圖14，所輸入的位元資料82一度儲存於串並列變換電 路76的未圖示移位暫存器，其後儲存於未圖示的保持一線 路分資料的鎖存器。 從此鎖存器各位元順序輸出一線路分資科。例如6位元灰 度的情況，如圖17的（1)所示，如第6位元、第5位 元、…、第1位元般地各位元以一線路單位輸出。 此所輸出的位元資料藉由控制電路77的控制，一部分被 取入配置於顯示區域79的像素81的記憶體，剩餘被取入配 *-—-— _- _ 本紙張尺度適财_家標準(CNS) A4規格⑽χ 297公董了

裝 訂

536689 A7 B7 五、發明説明（35 置於像素（顯示區域）外7 8的記憶胞8 0的記憶體。 例如如圖17的（2)所示，寫入第3位元〜第1位元的資料到 像素外的記憶體（圖1 6的記憶體9 4〜9 6 )，如圖1 7的（3 )〜（5 ) 所示，寫入第6位元〜第4位元的資料到像素内的記憶體 M3〜Ml(圖15的記憶體83〜85)。 又，第4位元的資料也被寫入到控制為了同時驅動有機 EL8的TFT7的電容器92。 顯示為此的控制信號的動作的是圖17的（14)〜（22)。 即，在各配線和通過其的信號附上同一符號，例如以卜i 的情況而言，圖17的（19)掃描信號(：1為高電位時，從像素 外寫入資料到像素的記憶體或電容器。控制寫入到哪個記 憶體的是（20)控制信號Cibitl、（21)控制信號cibh2，控制 寫入到電容器的是（22)控制信號C1C。圖17的（14)閘極信 號G1為高電位時，寫人資料到像素外的記憶體。 : 到哪個記憶體的是（15)控制信號、（1叫空制信號 Gibi2 〇 在圖17以（23)所示的通過時間而言，第4位元的資料顯 示’係從第3選擇期間到第10選擇期間的8 選擇期間。其後，從像素内的記憶體使第6位“資料傳送 吏第11選擇期間到第17選擇期間的7選擇期 間顯τπ。其後，從像素外的記憶 電容器92，使第18選擇期間的i選擇期心：貝 體使第5位元的資料傳送到電容器92,使從 弟19選擇期間到第25選擇期間的7選擇期間顯示。其後， 本紙張尺度適财_家鮮(CNS) Α4規格(21〇: :為- 536689 A7 ----------- B7 五、發明説明（Γ — ，像素外的|己憶體使第2位元的資料傳送到電容器92，使 6選擇期間到第2 7選擇期間的2選擇期間顯#。其後， :文：素内的圮憶體使第6位元的資料傳送到電容器Μ，使 從第28選擇期間到第35選擇期間的8選擇期間顯示。其 後’從像：内的記憶體使第5位元的資料傳送到電容器 一使從第3 6選擇期間到第4 4選擇期間的9選擇期間顯 ^其後從像素内的記憶體使第6位元的資料傳送到電容 器9 2使從第4 5選擇期間到第5 1選擇期間的7選擇期間顯 不。其後，從像素外的記憶體使第3位元的資料傳送到電容 器92，使第52選擇期間到第55選擇期間的$選擇期間顯 不。其後，從像素内的記憶體使第6位元的資料傳送到電容 器92，使從第56選擇期間到第68選擇期間的…選擇期間 顯示。 此結果，第6位元的資料的顯示期間成為7 + 8 + 7+1〇 = 32 選擇期間，第5位元的資料的顯示期間成為7 + 9 = 16選擇期 間。如此，使用本發明方法二，則配置於像素81的3位元 的記憶體之外，配置於像素外的區域8〇的3位元的記憶體 亦可用於顯示，所以合計6位元灰度顯示成為可能。此產生 下述效果：即使配置於像素的記憶體數少，亦可顯示更多 的灰度。此外，配置於像素的記憶體分使配置於像素外的 記憶體數減少，所以減少像素外的記憶體區域面積，增加 由同一玻璃基板取得的面板片數，產生可低成本化的效果 或可使具有同一顯示面積的顯示器更小、型化的效果。 又，將記憶體配置於此顯示基板時的最大效果為低耗電 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐） 536689 A7 —__B7 五、發明 1 一~) " --—- 化，這種效果特別在攜帶機器市場有用。 而且，使用自發光元件作為電光元件時，使用發光效率 佳的有機EL因這種低耗電化效果明顯而良好。 將兄憶體配置於此顯示基板的效果不僅靜止圖像，而且 進行簡單（配置於基板的記憶體數以内的）圖像切換顯示時 也使其顯示。 圖ί 5係在像素配置3位元的記憶體，圖i 6係在像素（顯示 區域）外配置4位元的記憶體。使用此結構，可兩畫面切換 顯示3位元灰度的圖像。圖丨8顯示其情況，在圖丨7的顯示 定時，將分配成第1位元〜第3位元的期間重新分配成為配 置於像素的έ己憶體的第4位元〜第6位元，進行3位元灰度的 顯示。 這是因為只用配置於像素内的記憶體進行顯示，可更低 耗電化。此外，若是兩畫面程度的圖像切換，則認為一秒 只能切換顯示1〜2次程度，所以一秒顯示6 4幀時，則認為 一個圖像顯示繼續3 0幀程度。其間只用配置於像素的記憶 體顯示，其後只是切換圖像時如圖1 8所示，更換配置於像 素外的3位元的記憶體和配置於像素的3位元的記憶體的内 容即可。 又’圖1 8在第3選擇期間，從配置於像素的記憶體8 4將 第4位元（圖像丨的第！位元）的資料取入配置於像素外的記 憶體9 3。在第4選擇期間，從像素外的記憶體9 5將第1位元 (圖像2的第1位元）的資料取入配置於像素的記憶體8 4。在 第7選擇期間，從像素外的記憶體9 3將第4位元（圖像1的第 -40 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 536689 A7 B7 五、發明説明（ 1位元）的資料取入像素外的記憶體9 5。這種情況，像素外 的記憶體9 4〜9 6的輪出阻抗比配置於像素的記憶體8 3〜8 5 的輸出阻抗低地設定。 此外’在第3 7選擇期間，從配置於像素的記憶體8 3將第 5位元（圖像1的第2位元）的資料取入配置於像素外的記憶 體9 3 °在第3 8選擇期間，從像素外的記憶體9 4將第2位元 (圖像2的第2位元）的資料取入配置於像素的記憶體8 3。在 第44選擇期間，從像素外的記憶體9 3將第5位元（圖像1的 第2位兀）的資料取入像素外的記憶體9 4。 此外’在第5 9選擇期間，從配置於像素的記憶體8 5將第 6位兀（圖像1的第3位元）的資料取入配置於像素外的記憶 體9 3。在第6 0選擇期間，從像素外的記憶體9 6將第3位元 (圖像2的第3位元）的資料取入配置於像素的記憶體8 5。在 第6 3選擇期間’從像素外的記憶體9 3將第6位元（圖像1的 第3位元）的資料取入像素外的記憶體96。 如此更換配置於像素的3位元的記憶體的資料和配置於像 素外的3位元的兒憶體的資料。 如此一來’若使用本發明的第一方法和第二方法，則可 不給CPU等外部資訊源電源而顯示切換多數圖像，所以本 發明的低耗電化效果大。 [實施形態7] 兹就本發明的另外其他實施形態根據圖1 9及圖2 〇說明如 下。又’為了說明方便起見，在具有和前述實施形態的圖 面所示的構件同一功能的構件附註同一符號而省略其說 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公董) 536689 A7 B7 五、發明説明（ 明。 本實施形態為使用本發明方法的一的第一結構的像素電 路的驅動方法例。 圖1 9所示的是在本實施形態使用的像素Aij的等效電路結 構。此等效電路係下述結構··在TFT6的源極端子連接資料 配線Sj，在為第一開關元件的TFT6的汲極端子連接為第二 開關元件的TFT2 1的源極端子、為第三開關元件的TFT2 0 的源極端子及構成電光元件的TFT 1 5的閘極端子。又，在 此TFT2 1的汲極端子連接為靜態記憶體的記憶電路9 ,在 TFT2 0的汲極端子連接電容器2 2。· 又，無此TFT20時，電容器22起作用作為純電位保持機 構，但有TFT20時，電容器22亦可起作用作為記憶機構。 後者的情況，電位保持機構成為TFT 1 5的閘極的雜散電 容。此外，在TFT1 5的閘極端子連接為第六開關元件的 TFT25 ° 即，如已述，圖7的有機EL 8如圖9 ( a)所示，按基板3 1、 陽極32、帶電洞的層35、電洞輸送層36、發光層37、電 子輸送層3 8、陰極3 3的順序層疊，以有機EL驅動用TFT7 為p型，將有機EL8***TFT7和GND之間。 對此，本實施形態的圖1 9的有機EL (電光元件）2 6和此相 反，如基板31、陰極33、電子輸送層38、發光層37、電 洞輸送層3 6、帶電洞的層3 5、陽極3 2按順序層疊，以有機 EL驅動用TFT15為η型，將有機EL8***TFT15和電源 VDD之間。 --42 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公董） 536689

此圖19的像素電路結構的情況，v〇ff成為〇 v，v⑽成為 、’勺1 〇 V又，圖1 9的像素TF丁電路結構雖然以閘極接通電 壓配線（電壓v〇ff)和GND配線為另外配線，但因v〇ff=〇 v 而閘極斷開電壓配線（電壓v〇ff)*GNE^s線可共用化。 、圖20顯示使用此圖19的像素電路結構控制顯示狀態的方 在圖2 0為了說明，作為面板的掃描線數❿條，係 12條，作為在各像素顯*的灰度位元數κ，係*位元^灰 度。又，C1〜C12表示掃描線。 首先將幀期間按掃描線數1 2分配，作為單位期間（將 此在圖20顯示為時間Α)。其次，將各單位期間按灰度位元 數1刀=’、作為選擇期間(將此在圖20以時間β顯示）。以下 將第X單位期間的第Υ選擇期間記作時間Χ-Υ。 因此

裝 1物設…以上Κ以下的整數，則某單位期間Ν( 内⑴號的選擇期間表示成「Ν⑴-ρ⑴」。 k種凊況’ 一幀期間TF係由ΐ2 X 4 = 48選擇期間所书 成，所以每-灰度的時間成為48/ΐ5 = 3·2。於是 度分配3選擇期間。 + :先”’二圖2〇:Cl所示，以將和第1號掃描線連接的 ，、罘""70的資料送出到資料配線的 定時為時間4 - 4。 2將和第1號掃描線連接的像㈣ 資料配線的定時虑A 1* 為3選擇期間後的時間5-3。再者，將 弟1號掃描線連接的傻音 像素的罘3位元的資料送出到資料配 、寺成為3X2選擇期間後的時間7-1。 在此階段之前，若夂户—^ 谷仏70的選擇期間X - Y的Y部分重

五、發明説明（ (J同匕4出現）’則碉整每一灰度的選擇期間t，以免重 璺’使則述γ的部分不重疊。在上述例因前述Y的部分未重 疊而進到其次。 π ^7 即，此處「時間Χ-Υ」意味著X單位選擇期間的第γ選擇 期間。在此驅動方法德 、 、 犯勒万法，知描線Α+1的足時是掃描線a的定 時k 1單位選擇期間的金去 俘瑚間的疋時，所以若此γ的部分重疊，就會 在兩條掃描線同時產生選擇期間。例如在圖2〇，若「4 的選擇期間在於Y==1，斗I n t、 」 「 、 1攻會同時產生C 1的「4」和c7的 3」。然而，不能同時供應不同的資料給一條信號線，所 :不能顯示。因此’如上述，使Y的部分不重疊。即，Y重 兄系刀配'口 4灰度的選擇期間數不適當，因此調整其即 .口j—1 〇 其次，決定寫人資料和第丨號掃描線連接的像素的記憶體 (記憶電路9)的定時。卵，产固，η、， f即，在圖19記憶體只位元，所以 將弟4位元的資料送出到資料配線的定時為上述Y剩餘的值 ^送出此第4位元的資料的定時調整成從將第！位元的資 科运出到資料配線的定時大致成為（分配給每—灰度的選擇 期間數）3 X (第4位元豐γ ' (币U7C對於罘i位兀的權重比）8 + (想要大約 二：割)2選擇期間’係時間1-2。如此，一面寫入第4位元 :資料到記憶體面顯示’其後顯示第卜第3位元的資 料，其後從記憶體讀出第4位元的資料而顯示。 上各位元資料的送出定時被決定。如此所作的定時成 為知描線C 1的定時。剩發搞j+A始广 + 〜餘卸描線C2〜C12的定時可將此定 時依次延遲單位期間分製作。 536689 A7 B7 五、發明説明（ 圖1 9的控制線cibitl被控制成從第1位元的資料送出定時 到第3位元的顯示結束定時，TFT2 0成為導通狀態。 控制線Cibit2被控制成配合儲存於記憶體的第4位元 (MSB)的資料的顯示定時，TFT21成為導通狀態。 又’在圖2 0的定時，1位元的權重3選擇期間乘以灰度數 (2的4乘方- i) = (1+2 + 4 + 8)的45選擇期間和掃描線數12條 乘以位元數4的4 8不一致，所以導入圖1 9所示的TFT2 5及 開關其的控制線Cibit3。反過來說，掃描線數^條父位元數 K位元和每一位元的選擇期間X (2的κ乘方-丨）一致時，無 需導入上述TFT25。 上述TFT25為了流經有機EL26的電流成為〇 ,源極連接 於TFT 1 5的閘極，沒極連接於GND。而且，TFT2 5如圖2 0 所示’在上述TFT2 0、21為不導通狀態時成為導通狀態。 如上述掃描的結果，顯示連接於各掃描線的像素在什麼 樣的定時作哪個位元的顯示的是在圖2 〇的C丨〜c 1 2以四角 框包圍顯示的圖案。 如此，各像素具有記憶體、可和記憶於其記憶體的資料 獨立控制的笔谷器及重設機構，比圖1 1所示的分時灰度控 制有以下優點·· (1) 無需控制電源VDD， (2) 發光時間可佔一幀期間的九成以上。 此外，就動畫假輪廓對策而言·，有和圖i i同樣的效果。 又，在圖19雖然和電容器22串聯***TFT2()，但也可以 沒有此TFT20。即，若記憶電路9的靜態記憶電路，則判斷 43 五、發明説明（ 儲存於電容器22的電荷在丁^^成為接通時，哪種程度給 與靜態記憶電路的輸出電壓影響，為了無影響，縮小電容 器22的電容，或者在丁打21和靜態記憶體之間加入比上述 電谷器22電容大的電容器，則未必需要上述τρτ2 〇。 此外，也可以使用電容器取代靜態記德體。 圖21為其例，係由TFTQ23和電容器1〇〇構成本發明的記 憶機構98，由TFTQ24和電容器101構成電位保持機構99之 例0 因此，此圖2 1的結構亦可實現圖j 9同樣的驅動方法。 [實施形態8 ] 兹就使用纟發明|素電路的驅動方法的其他實施形態根 據圖22至圖25說明如下。又，為了說明方便起見，在具有 和則述貫施形態的圖面所示的構件同一功能的構件附註同 一附號而省略其說明。 圖22所示的是在本實施形態使用的像素的電路結構。 即，由圖1 9的靜態記憶體構成的記憶電路9為ι位元結 構，對此相當於其的由圖22的靜態記憶體構成的記憶電路 18為（圖22因描緣的關係而為2位元結構）多數位元的記憶 電路結構例，分別在由靜態記憶體構成的記憶電路Μ及記 憶電路（第一記憶元件）丨7和有機E L驅動T F τ丨5的閘極之間 配置位元控制用TFT6 1、6 2。 此處係1算為了不用圖19已有的TFT25的條件而適用。 首先，搜尋分配給各位元的時間1丫的丫在低位的灰度不 互相重疊的條件。 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS) A4規格(210X 297^^0 ·" ' --------------------------------------- - 536689 五、發明説明（ 調查一看的結果，具有2位元的記憶體時，到5位元 被簡單求得。 & 即，若是4位元灰度，則如圖23的（2)〜（6),每一灰度 1 2 3 5 6…選擇期間除了 4的倍數以外，什麼都可 以。且說圖23的⑴所示的是在圖2〇以時間a、時間β顯示 的第X單位期間（以卜以所示）的第丫選擇期間（以卜^所 示）。其次，因已知道每一灰度的選擇期間數而調查多少掃 描電極數可顯示？ 圖23的⑺的情況’ 16灰度顯示所需的選擇期間數為（μ 灰度-υχ卜15選擇期間，但因其不是位元數4的倍數而如 圖19，若不用TFT25就不能實現。於是，得知為了灰度數-1成為4的倍數，作為丨3灰度顯示，必要的選擇期間數成為 (13灰度擇期間，掃描線為12/4 = 3條，則成 功。此時，為大灰度位元的權重為5灰度。 圖23的（3)的情況，16灰度顯示所需的選擇期間數為 灰度-1)X 2 = 3 0選擇期間，但因其不是位元數4的倍數而同 樣地得知為了灰度數U成為4的倍數，作為15灰度顯示， 必要的選擇期間數成為（15灰度])X2 = 28選擇期間;掃描 線為28/4=12條，則成功。此時，最大灰度位元的權重為= 灰度。 圖23的（4)的情況，16灰度顯示所需的選擇期間數為（16 灰度-1)X 3 = 45選擇期間，但因其不是位元數4的倍數而同 樣地得知為了灰度數-丨成為4的倍數，作為丨3灰度顯示， 必要的選擇期間數成為（13灰度-1)\3==36選擇期間，掃描 ___ - 47 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 536689 A7 B7

線為3 6 / 4 = 9條 灰度。 則成功。此時， 最大灰度位元的權重為5 圖23的（5)的情況，16灰度顯示所需的選擇期間數為16 灰度-1)X 5 = 75選擇期間，但因其不是位元數4的倍數而同 樣地得知為了灰度數U成為4的倍數，作為13灰度顯示1 必要的選擇期間數成為（13灰度])><5 = 6〇選擇期間，=描 線為60/4= 15條，則成功。此時，最大灰度位元的權重為5 灰度。 圖2 3的（6)的情況，1 6灰度顯示所需的選擇期間數為（j 6 灰度-1)X6 = 90選擇期間，但因其不是位元數4的倍數而同 樣地得知為了灰度數-1成為4的倍數，作為丨5灰度顯示， 必要的選擇期間數成為（1 5灰度-1) X 6 = 8 4選擇期間，掃描 線為84/4 = 2 1條，則成功。此時，最大灰度位元的權重為7 灰度。 結果，對於每一單位期間的選擇期間數4，+1(1灰度y 選擇期間，1灰度=5選擇期間），+ 2 (1灰度=2選擇期間，1 灰度=6選擇期間）可以，則-丨（丨灰度=3選擇期間）、_ 2 (丨灰 度=2選擇期間，1灰度=6選擇期間）也成功9 此外，所得到的灰度數也如在+ 1、- i為丨2灰度，在+ 2為 15灰度般地定下來。 如此，第1位元〜第2位元所分配的時間X - γ的Y的定時決 定，掃描線數決定，則剩餘第3位元〜第4位元所分配的時 間X - Y的Y的定時可設定對應灰度顯示期間的適當（Y不互 相重叠）定時。 -- -48- 本纸張尺度適用_國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱)

裝 訂

線 46536689 、發明説明（ 口此设疋疋時後’以單位期間單位在幀期間的最初具有 分配給為最大位元的第4位元的期間（包含第4位元的資料重 寫期間）6勺大約一半而形成動畫假輪廓對策。 上外如圖2 3的（3 )，第3位元的資料重寫期間不在分配 、…位元的期間前頭時，從其重寫期間以單位期間單位切 ^時，使其移動到分配給為最大位元的“位元的前半期 如此重窝圖23的是圖24。 線==定！成為圖2。的掃描線ci的定時。剩餘掃描 、.泉C2〜C12収時可將此定時依次延遲單位期間 二地，若是5位元灰度，則如圖25的(2)〜(5)， 度1、2、3、4...選擇期間除了5的倍數以外， 二=可=道每一灰度的選擇期間數 灰 如 5 圖”，若不用一不能實現:於 灰 此 二數，作為31灰度顯示，必要的選擇期間數=為 度-乂X卜30選擇期間，掃描線為3〇/5 = 6條 = 時，最大灰度位元的權重為15灰度。 ' 圖25的(3)的情況，32灰度顯示所需的選擇 灰度-1)X2 = 62選擇期間，但因其 ' 為(32 樣地得知為了灰度數]成為5的倍數，作倍數而同 必要的選擇期間數成為⑴灰度…χ2==6〇選擇=顯:描 本紙張尺度制中國國家標準(cW)' A4規格(21GX 297^y 47 五、發明説明（ 最大灰度位元的權重為 線為60/5 = 12條，則成功。此時 15灰度。， :、4的情況，32灰度顯示所需的選擇㈣數為（3 樣地仔知為了灰度數_丨成為5的倍數， :要的選擇期間數成為⑴灰度·1)Χ3 二 =…條，則成功。此時，最大灰度位元二= _ 25的（5)的情 ，32灰度顯示所需的選擇期間數為（3 2 二二Τ 4 , 124選擇期間’但因其不是位元數5的倍數而 口 7仔知為了灰度數]成為5的倍數，作為Η灰度顯 …要的選擇期間數成為⑴灰度_1)χ4=ΐ2〇選擇期 間，掃描線為12〇/5 = 24條，則成功。此時，最大灰度位元 的權重為1 5灰度。 此5位=灰度顯示的情況也和4位元灰度顯示的情況同 樣，如此第1位元〜第3位元所分配的時間χ_γ的γ的定時決 定’掃描線數決定，則剩餘第4位元〜第5位元所分配的時 門X Υ的γ的足時可设定對應灰度顯示期間的適當（Υ不互 相重疊）定時。 此外，以單位期間單位在幀期間的最初具有分配給為最 八位元的第5位元的期間（包含第5位元的資料重寫期間）的 大約一半，則成為動畫假輪廓對策。 又’關於本發明的基板也可以構成如下：具有第一配 線；第一開關元件··連接前述第一配線和第一端子；第一 50- 536689

°己隐2件·和可述第一開關元件的第二端子電氣連接； 及，電光70件：和前述第一開關元件的第二端子電氣連 接。 $此^ ’關於本發明的基板也可以構成如下：I有第-配 f，第—開關元件：電氣連接前述第一配線和第一端子； 罘一記憶元件：和前述第一開關元件的第二端子電氣連 接·:電位保持機構：和前述第一開關元件的第二端子電氣 連接，及，電光TL件：和前述第一開關元件的第二端子電 氣連接。 此外，關於本發明的基板在上述結構，也可以構成如 下·由第二開關元件和為了記憶丨位元分的資料的記憶元件 構成上述第一記憶元件。 作為與上述結構對應的結構，可舉以下的（1)〜（2)。即， (1)形成下逑結構的基板：各電光元件設置第一開關元 件，將該第一開關元件的源極端子和資料配線連接，電氣 連接前述第一開關元件的汲極端子和第一記憶元件，電氣 連接前述第一開關元件的汲極端子和像素電極。 此外，形成下述結構的基板：‘記憶機構設置第一開關 兀件，各電位保持機構設置第四開關元件，將這些開關元 件的源極端子連接於資料配線，將汲極端子連接於前述記 憶機構或電位保持機構，將這些記憶機構或電位保持機構 的輸出電氣連接於像素電極 此外，在上述基板的上述像素電極連接兼作電位保持機 構的液晶顯示元件等電光元件，作為顯示基板或顯示裝 ------- - -51 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 536689 A7 ___ B7 五7發明説明（~^7)~~" ^— 置。 又’此處記作「電氣連接」的是意味著直接或使用開關 元件間接連接。 (2 )形成下述結構的基板：、各電光元件設置第一開關元 件’將該第一開關元件的源極端子和資料配線連接，電氣 連接前述第一開關元件的汲極端子和第一記憶元件，電氣 連接前述第一開關元件的汲極端子和電容器元件等電位保 持機構，將前述第一開關元件的汲極端子連接於驅動電光 元件的活性元件的閘極。 此外，形成下述結構的基板：各記憶機構設置第一開關 元件，各電位保持機構設置第四開關元件，將這些開關元 件的源極端子連接於資料配線，將汲極端子連接於前述記 憶機構或電位保持機構，這些記憶機構或電位保持機構的 輸出連接於驅動電光元件的活性元件的閘極。 又，取好上述基板在記憶機構或電位保持機構和上述活 性元件的閘極之間配置第五開關元件。/ 此外，將有機EL等電光元件連接於上述基板的活性元件 的源極端子或汲極端子，形成顯示基板或顯示裝置。 又，上述所謂電容器元件，最好由電容器和第三開關元 件所構成或以電容器單體構成。 以電容器單體構成上述電容器元件時，即使不特別準備 電容器，也可以用活性元件的閘極電容等代替。 藉由上述（1)〜（2 )的結構’可以低耗電實現配置於像素的 元憶體數以上的多灰度顯示。此外，可得到適於分時顯 ______-52- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 536689 A7

示、動畫假輪廓對策容易施行的基板，其效果顯著。 在上述（υ〜（2)的結構，就上述第一記憶元件而言， 由第三開關元件和為記憶】位元 好 点。 J貝杆的1己憶元件構 在本發明的上述〜（2) 稱進行分時灰度顯示 和’可使用驅動方法··具有施加—連串電壓給上述液晶劈 μ件或電位保持機構的第n將資料保持於上述第 -¾憶元件的第二期間及使用上述第—記憶元件的資料施 加電壓給前述液晶顯示元件或電位保持機構的第三期間。. 其中，上述第三期間在一定周期之間出現多數次，具有 減少為本發明第一課題的動晝假輪廓的效果。 大即，在PDP等所作的動畫假輪廓對策係將位元權重大的 資料分成多數次，在位元權重少的資料前後顯示，減低動 畫假=廓。然而，在PDP等為了多數次顯示上述位元權重 大的資料’每一次顯示都需要顯示掃描。 對此’若是在本發明的像素具有記憶體的結構，則將其 位2權重大的資料在上述第二期間各像素保持位元權重大 的資料’不必顯示掃描可實現多數顯示在上述第三期間進 行的位元權重大的資料的動作。 此外’關於本發明的顯示裝置係使用上述基板的顯示裝 置，作為上述第一〜第三期間的掃描方法，可如以下的 (3)。即，可構成如下·· (3 )以掃描電極數為m條以下，以為了顯示於各像素的灰 度數為K位元以下。 本纸張尺度適财國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公士

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將1周期分割成m個單位期間，將各單位期間分割成κ個 選擇期間，. 在第Α號單位期間的第ρ號選擇期間將第1位元的資料供 應給資料電極， / 、在第Β號單位期間的第q號（q关ρ)選擇期間將第2位元的 資料供應給資料電極， 在構成第S號選擇期間的單位期間的κ個選擇期間中在其 他位兀未使用的選擇期間將第&位元的資料供應給資料電 極（m為正整數，尺為2以上的整數，a、B、p、q、§為〇以 上的整數）。 即，顯示面板的掃描線數為111條以下，灰度顯示數為尺位 元以下時，將一賴（或場）期間分割成m個單位期間，將各 單位期間分割成K個選擇期間， 如將某掃描線的像素的電光元件或電位保持機構在第A號 單位期間的第P號選擇期間使用第1位元的資料重窝，在第 B唬（B = A或B孕A)單位期間的第q號（q共p)選擇期間使用 第2位元的資料重寫，在第c號（c妾B、c共A)單位期間的 第r號（r关q、r#p)選擇期間使用第3位元的資料重寫··般 地反覆下去， 可將其掃描線上的像素的第一記憶元件在構成第s號 (s<r、S<q、s<p)選擇期間的單位期間的κ個選擇期間中 在其他位元未使用的選擇期間使用K位元（最大權重的位元） 重寫。 此時，給與像素的電光元件或電位保持機構上述第丨位元 _ _____- 54 _ 本紙張尺度適财國S賴準(CNS) A4規格(2l〇x 297公着)一 -~~ ----

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件戋電位{1:=1位兀的權重成幻列，給與像素的電光7 述::二Ϊ大：元的資料從第一記憶… 重窝機構獨立:機構\二保持機構

了、=此獨1機構，給與像素的電光元件或電位彳呆持機構 述最大位元的資料的時間與最大位元的權重大致成比 根據上述掃描方法，可提高分時灰度顯示的一幀期間内 的顯不期間比率，可高亮度化或高效率化，其效果顯著。 在上述（1)〜（2)的結構，最好在電位保持機構和斷開亮度 設定配線之間設置第六開關元件。藉由此結構，如在實= 形態7所示，比不具此結構的實施形態8可自由度大的顯示 控制。 此外，關於本發明的基板係各電光元件具有第一記憶元 件的基板，也可以構成如下：分離設置前述電光元件的電 源配線和前述第一記憶元件的電源配線。 就上述結構而言，可舉以下的（4)〜（5 )。即， (4)係具有和液晶顯示元件等電光元件連接的像素電極與 施加電壓給其像素電極的第一記憶元件的基板， 可形成下述基板：上述第一記憶元件具備控制和接通亮 度設定配線間的導通、不導通狀態的接通控制TFT(電晶體） 與控制和斷開亮度設定配線間的導通、不導通狀態的斷開 _____- 55 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 536689

控制用TFT(電晶體）。 此外，可在上述基板的上述像素電極連接液晶顯示元件 等電光元件，形成顯示基板或顯示裝置。 取好上述接通亮度設定配線、斷開亮度設定配線的電壓 和上述電光元件的電源電壓可個別、獨立設定。 (5 )係具有為了驅動有機El等電光元件的活性元件（驅動 用TFT(電晶體））與和其活性元件（驅動用TFT(電晶體））的閘 極連接的第一記憶元件的基板， 可形成下述基板：上述第一記憶元件具備控制其驅動用 TFT(電晶體）的閘極和接通亮度設定配線間的導通、不導通 狀怨的接通控制TFT(電晶體）與控制其驅動用TFT (電晶體） 的閘極和斷開亮度設定配線間的導通、不導通狀態的斷開 控制用TFT(電晶體）。 此外，可將有機EL等電光元件連接於上述基板的上述活 性7C件的源極端子或汲極端子，形成顯示基板或顯示裝 置。 最好上述接通亮度設定配線、斷開亮度設定配線的電壓 和上述電光元件的電源電壓可個別、獨立設定。 特別是在上述結構（1 )〜（2)的基板驅動方面，設顯示灰度 數為K位元，則各像素在一幀（或場）期間被重寫κ次。於 是’最好降低傳送到信號配線的電壓，在像素設置電壓變 換電路。 此外’所輸入的資料為像素單位的資料，所以為了可將 其以位元單位傳送資料，具有從CPU等寫入為了顯示於顯 _______-56- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 536689 A7

不裝置的圖像（或文字）資料的像素外的SRAM(靜態隨機存 取記憶體）.； 為了從其SRAM同時輸出一線路分的顯示資料的配線；及 為了各像素記憶由同配線所得到的資料的像素内的記憶 體（像素記憶體）的顯示基板或顯示裝置較佳。 此外’如以往以線路單位輸入像素資料的情況，最好使 用移位暫存器和鎖存器在一線路期間以位元單位輸出像素 貝料’將其位元資料取入配置於像素的記憶體和配置於像 素（顯示區域）外的記憶體（SRAM)。特別是最好在像素配置 必要圮憶體的一部分，在像素外配置剩餘，以配置於像素 的電位保持機構取入配置於像素外的記憶體的資料。根據 此結構’只是將顯示所需的位元的一部分配置於像素，可 以必要顯不品質的多灰度顯示。此外，在像素配置記憶體 的部分使配置於像素外的記憶體數減少，可縮小像素（顯示 區域）外的區域，很理想。 此外，上述結構（1)〜（2)的第一記憶元件直接和電光元件 或為了驅動電光元件的開關元件（TFT、電晶體）連接，所以 在上述方法4〜5的結構，最好可將上述第一記憶元件的輸 出電壓和上述電光元件的電源電壓獨立設定。 此外，上述SRAM雖然也可以在和上述像素記憶體及上述 TF丁相同的製程形成，但也可以將在不同的製程形成= 後連接。 ^ 即’也可以在相同多晶矽TFT製程或CGSTFT製程來成上 述SRAM和上述像素記憶體及上述TFT，或者也 u j以只是上 -57-

裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 536689 A7 B7 五、發明説明（55 ) 述像素記憶體及上述TFT在多晶矽TFT製程或CGSTFT製程 形成，上述SRAM將在單晶半導體製程形成者隨後連接。 此外，上述CPU也可以和上述SRAM個別製作，但也可以 一體形成CPU和SRAM。 如上述，在各像素具有像素記憶體，施加其像素記憶體 的輸出給驅動用TFT的閘極電壓，以其驅動用TFT驅動自發 光元件的顯示裝置，最好具備像素記憶體的輸出電壓不變 動之類的電路結構或為了將來自其像素記憶體的輸出電壓 變換成適當的接通電位（若是圖8則ο V以下）和斷開電位 (若是圖8則5 V以上）的電路結構。 於是，透過開關元件切換此驅動用TFT的閘極、給與為了 施加給此閘極的適當接通電位的接通電極及給與為了施加 給此閘極的適當斷開電位的斷開電極的電路結構有效。 為了施加給此驅動用TFT的閘極的電位為接通電位或斷開 電位以各像素所設的記憶電路設定即可。 特別是最好此記憶電路的輸出端成為給與上述接通/斷開 電位的電路結構。 根據上述結構，各像素具有記憶體的電光元件的顯示穩 定，可抑制亮度偏差的影響，其效果顯著。 此外，關於本發明的基板在上述結構也可以構成如下： 各像素（像點）具有記憶功能，具有為了將記錄於和前述像 素（像點）記憶體不同的第二記憶元件的顯示資料同時傳送 到多數不同的像素（像點）記憶體的配線。 此外，關於本發明的基板在上述結構也可以構成如下： _-58-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 536689 A7 ______ _B7 五、發明説明（) 各像素（像點）具有記憶功能，具有和前述像素（像點）記憶 體不同的第二記憶元件。 在上述結構（1)〜（2)，各像素所設的記憶體的重寫傳送儲 存於設於像素外部的SRAM的資料有效。這種情況也是， 最好如上述的像素記憶體的輸出電壓不變動之類的電路結 構是使用上述結構的靜態記憶體的電路結構，而不是使用 如圖31或圖32的電容器的電路結構。 此外’也可以將必要記憶體（SRam)的二部份配置於像 素，將剩餘配置於像素外。 此SRAM也可以是在單晶矽製程形成的j c或在多晶矽丁ft 製程形成的電路。此SRAM具有將顯示裝置的像點數與橫 m X縱n (在黑白像素數==像點數，但在彩色1像素由rGB3像 點構成，算作1像素=3像點）對應的記憶體，具有與顯示裝 置的一線路分的像點數對應的輸出配線以取代S E G側驅動 電路（driver circuit)。 如此一來，可將由外部以像素單位所輸入的資料配合上 述驅動方法，以位元單位從SRAM直接對於一行分的資料 並仃傳迗到像素記憶體，所以如圖2 8，和通過信號線驅動 器的情況相比，可消除為了從伙倾傳送資料到信號線驅 動電路的工夫和電力，特別是在本發明的方法一〜二可實現 低耗電化。 根據上述結構，可從為了顯示的圖像資料形成的sram將 為了顯示的一線路分的圖像資料直接傳送到像素記憶體， 可消除為了傳送資料到SEG側驅動電路（加馈)的耗 59- 本紙張尺度轉準(CNS)规购⑽撕公董)- JJOOoy

發明説明（ 電，’可實現低耗電化，其效果顯著。 為了使上述第—目的實現的本發明第 灰度顯不的顯不裝置，可形成下述結構：纟 、己 憶機構和電位保持機構對應，使 = 二 位保持機構的輸出控制前述電光元件的顯7機構和則述电 在此結構為了抑制在為上述第一 數電光元件而進杆 ，員不旦面配JL ^ 使且有大㈣ί 顯示時的動畫假輪廓產生量， 元；配ί的ΐί:位元資料(1位元、多數位元都是各電光 使用電位保個數以内的位元數）記憶於記憶機構，在 分^于计於構進行分時灰度顯示剩餘位元資料的間隙 r灰度資料最大長度變短，可抑制動畫:輪:產: 、分割顯示記憶於前述記憶機構的位元資 圮憶機構的輸出控制前· 以 位㈣保持機構的電位，使用其電 ==二控制前述電光元件的情況和使用開關元 k%k保持機構和Μ記憶機構的心吏用並 "有在7夜日日顯不器等所使用的TFT元件等。 有多數此記憶機構時，除了進行上述灰度顯示之外，使 開關兀件切換此多數記憶機構或電位保 g光元：其輸出，可切換顯示多數圖像。此功能因即;:；： h裝置外部的CPU等信號源電源亦可實 ； 的低耗電化有效。 了 •肩不哀置 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇x 297公釐） 536689 A7 B7

五、發明説明（ 為了使上述第二目的的實現的本發明第二方法可开3成 述結構：各電光元件使記憶機構和電位保持機構對康，下 用前述記憶機構和前述電位保持機構的輸出控制前述電$ 元件的顯示。 此結構為了實現比為上述第二目的的各電光元件配置的 記憶體數大的多灰度顯示，各電光元件除了記憶體之外（即 使削減1個記憶體），還設置電位保持機構。而且，將多數 位元資料分時取入此電位保持機構，可得到（前述記憶體數 + 1)位元灰度以上的顯示。 並用這種情況的上述記憶機構和電位保持機構的灰度顯 π方法有上述分時灰度顯示方法和以下所示的類比灰度顯 示方法。類比灰度顯示方法係同時使用前述記憶機構和前 述電位保持機構使電壓或電流產生，給與前述電光元件， 進行灰度顯示。 這種情況，為了多灰度顯示，沒有配置為了切換以顯示 於則述電光元件的資料為前述記憶機構或為前述電位保持 機構的開關元件的必然性。然而，為了可切換顯示多數圖 像’最好配置開關元件。 此外’這種情況有從配置於像素（顯示區域）外的記憶體 取入給與以下的前述電位保持機構的位元資料的情沉和從 其以外的CPU等外部信號產生器取入的情況。 為了使上述第三目的實現的本發明第一方法在將記憶體 配置於像素（顯示區域）外的顯示裝置，可形成下述結構： 各電光元件使記憶機構和電位保持機構對應，使用前述記 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4«^2l〇7i^i7 536689 A7 _____ B7___：__ 五、發明説明（59 ) 憶機構和前述電位保持機構的輸出控制前述電光元件的顯 示。 ·

此結構係為了減少為上述第三目的的配置於像素（顯示區 域）外的記憶體量而將一部分記憶體配置於像素。為了同時 使用此像素外的記憶體和配置於像素的記憶體進行灰度顯 示，在像素設置電位保持機構，分時取入像素外的記憶資 料，使灰度顯示進行。 這種情沉，特別是即使不給顯示裝置外部的CPU等信號 源電源亦可進行多灰度的多數圖像顯示切換，所以對顯示 裝置的低耗電化有效。 裝 因此，就上述記憶機構而言，可適用即使切斷電源資料 也不消失的FRAM之類的非揮發性記憶體或打開電源之間 >料不消失（使C Μ 0 S反相器兩個彼此的輸出回到輸入）的 SRAM之類的靜態記憶體、幾幀期間資料不消失的電容器 之類的動態記憶體結構。 特別是為了達成上述第一目的，作為上述記憶機構，也 可以是使用簡單電容器的動態記憶體結構。 此外，上述電位保持機構考慮暫時保持來自外部的資料 的記憶體’所以也可以適用上述非揮發性記憶體或靜態記 憶體。但是，實際保持資料的期間短，所以最好使用：構 簡單的電容器。 口 在本發明所用的電光元件有液晶元件或在自發光元件設 有為了驅動其自發光元件的活性元件的元件等。 汉 特別是使用液晶作為電光元件時，因液晶本身為電容器 本紙張尺度適用中ϋ s家標準(CNS) A4規格(21QX 29_7ϋ —------ 五、發明説明（ 而可录作上述電位保持機構。這種情況，並不看得 電位保持機構。 1 乍為私光兀件，使用在自發光元件設有為了驅動 光元件的活性元件的結構時，因在活性元件和上逑 =位保持機構間也有雜散電容而也要考慮上述電位保持機 構本身為雜散電容的情況。這種情況，並不—定看得見泰 位保持機構β 一乍為、舌陳元件也使用在液晶顯示器等所使用的TFT元件 等。 14種結構在成為顯示裝置前的τρτ基板階段得知。將電光 兀件加入此基板的預定電極而成為顯示基板。 上返本發明的第—方法在將多數電光元件配置於顯示基 板上的結構有效。從顯示基板外部將資料送到與此多數電 光元件對應的$己憶機構或電位保持機構的結構有各記憶機 構各笔位保持機構设置配線的方法和在一條配線配置多 數記憶機構或電位保持機構的方法。 後者的方法在前述配線和前述記憶機構或電位保持機構 間需要新的開關元件。作為這種結構的代表，有矩陣处 構。 、、口 即’在顯示基板形成多數第一配線（資料線或源極線）和 配置於與此第一配線交又的方向的多數第二配線（掃描線或 閘極線），使前述電光元件、記憶機構及電位保持機構配置 於此第一配線和第二配線交叉的附近，在其第一配線和記 憶機構及電位保持機構間配置第一開關元件。 丨· 丨· _ - n〇 - 本紙^•尺度適用中s s *標準(CNS)八4規格(21QX297公爱） 536689 發明説明（ 此第開關7C件採取TFT之類的三端子結構，採取下述結 其第端子（源極端子）和前述第—配線連接，其第二 :子(汲極 '子)和則述電光元件、記憶機構及電位保持機 直接或間接連接，其第三端子（閘極端子前述第二配 線連接。 、上m文照第一開關兀件的第二端子(汲極端子)和前 述電光元件、記憶機構及電位保持機構以什麼樣的關係連 接，可提出許多結構。 即’可提出作為其第一結構的是各電光元件設置第一開 件^構n將其第_開關元件的第—端子（源極 场子）和第配、，泉（:貝料線）連接，電氣連接前述第一開關元 件的第二端子(汲極端子)和記憶元件等記憶機構。此外， 電氣連接其第-開關元件的第二端子〇及極端子）和電容器 兀件等電位保持機構’將前述第一開關元件的第二 汲 極端子）連接於電光元件。 此處所謂電氣連接第一開關元件的第二端子（汉極端子） 和記憶元件等記憶機構，㈣聯連接記憶元件等記憶機構 和第二開關元件，連接於上述第一開關元件的第二端子（汲 極端子）/這種情況，上述記憶機構為靜態記憶元件時，最 好上述第二開關元件介於第一開關元件的第二端子（汲極端 子）和記憶機構之間。此外，上述記憶機構為包含鐵電記憶 體的電容器時，_L述記憶機構也可以介於第一開關元件^ 第二開關元件之間。 此外，所謂電氣連接上述第一開關元件的第二端子（汲極 ^__- _ * 0/| — 本纸張尺度適用中目@家鮮(CNS) A4規格(21GX297)iT着) ' -----— m 裝 訂 62 發明説明（ ::)和电谷器元件等電位保持機構，有和上 樣串聯連私筮—Z fc機構同 時)不用：情況和(電位保持機構為電容器 宁^不用弟三開關而直接連接的情況。 -μ 則者的結構不會因記憶機構 電位充電，所以對低耗電化有效果：二保持機構的 第三開關元件，㈣八^有效$後者的情況無需配置 果Q ^ 口刀W ^成配置其他元件的空間的效 上述結構係以上述記憶元件 礎使電壓戋雷、、云“ ^ -位保持機構的輸出為基 、含餘比 前述電光元件，進行顯示。 換“兄4吏用’述第二開關元件或第三開關元件等切 元=，構或電位保持機構的輸出，使給與前述電光 示的切換。 進仃夕灰度顯不或多數圖像顯 這：：：要進行多灰度顯示’可採取分時灰度顯示方 =舌f呆持於前述記憶機構或電位保持機構的資料的位元 二、比例的期間’給與前述電光元件前述記憶機構或電 位保持機構的輸出。 / 的 寸，、P使不用上述分時灰度顯示’也可以使與保持於 ::口己IS機構或電位保持機構的資料的位元權重成比例、 電壓或電流產生，給與前述電光元件。 可k出作為其第二結構的是與記憶機構對應設置第一 5 關70件’與電位S持機構對應設置第四開關元件的結構。 而且’將其第_開關元件的第一端子。原極端子)和第一酉I 線（資料線）連接，和前述第一開關元件的第二端子（沒極為 536689 A7

T)連接於記憶元件等記憶機構。將其第四開關元件的第一 端子（源極端子）和第一配線（資料線）連接，和前述第四開 關兀件的第二端子（汲極端子）連接於電容器元件㊉ 持機構。 τ %仅保 上述結構也是以上述記憶元件和電位保持機構的輸出為 基礎使電壓或電流產生，給與前述電光元件，進行顯示。、 k種情況，為了切換前述記憶機構或電位保持機構的輸 出，使給與前述電光元件的電壓或電流產生，進行多灰^ 顯示或多圖像顯示，在上述記憶機構或電位保持機構和= 光元件之間需要第五開關元件。 這種情況要進行多灰度顯示，可採取分時灰度顯示方 j :與保持於前述記憶機構或電位保持機構的資料的位元 權重成比例的期間，給與前述電光元件前述記憶機構或電 位保持機構的輸出。 此外，即使不用上述分時灰度顯示，也可以使與保持於 前述記憶機構或電位保持機構的資料的位元權重成比例的 電壓或電流產生，給與前述電光元件。 就上述電光元件而言，考慮液晶元件或在電源和接地間 串聯加入自發光元件和活性元件（τρτ元件）的結構。 个上述本發明的第_方法在使用記憶元件顯示裝置的低耗 私化效果大所以忒自發光元件而言，最好用於有機EL之 類的發光效率佳的元件。 如此，為了使用本發明第一方法使第一目的實現，本發 明之顯不裝置在具有藉由各幀期間僅與為了顯示的資料的

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灰度相應的時間在水平掃描期間内施加電壓給各掃描線排 列的像素，引起與其灰度相應量的電光變化，顯示 幢期間的資料的電光元件之顯示裝置之驅動方法，可形成 下述結構：在一幀期間内依次設置第一、第二及第三期 間同時在一幀期間内，比上述第三期間前面設置資料保 !!期間，在上述第一期間僅與最大灰度（最大權重位元）的 貝料對應的時間施加電壓給上述電光元件，在上述資料保 持、月間使上述最大灰度的資料保持於第一記憶元件，在上 :第：期間僅與小於最大灰度的資料對應的時間施加電壓 給上述電光元件，在上述第三期間僅與保持於上述第一記 憶元件的最大灰度的資料的剩餘時間對應的時間施加電壓 給上述電光元件。 根據上述結構，對於最大灰度的資料的電壓施加係在一 t、，間内隔著對於小於最大灰度的資料的電壓施加期間分 =多數次所進^。而且，當時先使施加於對於最大灰度的 f料的電光元件的第一次電壓保持於第一記憶元件，第二 次以後從其第一記憶元件取出電壓，而不是再由外部輸 入0 . 因此，在第二期間各像素保持位元權重大的資料，藉此 不必顯示掃描就可實現多數顯示在第三期間進行的位元權 1大的:貝料的動作。因此，不必每一次的顯示都進行顯示 掃描，可抑制動畫假輪廓的產生。 、顯示作為使用本發明第一方法的分時灰度顯示方法一例 之驅動方法在具有藉由各幀期間僅與為了顯示的資料的灰 本紙張尺度iiTt s s家鮮(cns)t^(21g x 29^愛) 536689 A7 ____ B7 五、發明説明（ec ) 度相應的時間在水平掃描期間内“電壓給各掃描線排列 的像素，引起與其灰度相應量的電光變化，顯示對於歸 期間的資料的Μ元件之顯示裝置之驅動方法，可形成; 述結構^掃描線數_條，以在各像素顯示的灰度位元 數為κ，將-㈣間分割成m個單位期間，將各單位期間分 割成κ個選擇期間，在水平掃描期間内重寫某掃描線上的 像素的電光元件内的資料线’以…以上以下的整 數，以P⑴(但j =卜2、3'...、K])及ρ(κ)分別為i以上 K以下的互柑不同的整數，對於全部j，在某單位期間N⑴ 内的第P⑴號選擇期間較時供應第』位元的資料給電光元 件’在某單位期間N(K)内的第ρ(κ)號選擇期間的定時供 應第Κ位元的資料給第一記憶元件，錢從該第一記憶元 件供應給電光元件。 根據上述結構，在一幀期間内的某單位期間内的某選擇 期間的定時供應最大灰度（最大權重位元）的資料給第一記 憶兀件，其後施加在第一記憶元件保持的對於此最大灰度 的資料的電壓給電光元件。即，先使對於最大灰度的資料 的電壓保持於第一記憶元件，施加電壓給電光元件之際， 從其第一記憶元件取出電壓，而不是由外部輸入。 因此，各像素保持位元權重大的資料，藉此不必顯示掃 描就可實現多數顯示位元權重大的資料的動作。因此，不 必每一次的顯示都進行顯示掃描，可抑制動畫假輪廓的產 生。 此外，使用本發明第一方法的分時灰度顯示方法最好是 本紙痕尺度適用中國國豕標準(CNS) Α4規格(210X297公袭) 536689

下述結構··在上述電位保持機構和斷開亮度設定配線之間 设置第六開關元件。 電位保2機構直接連接於電光元件（不透過開關元件） =，上述第一結構因由上述記憶機構所讀出的電壓而上述 電位保持機構變化，利用其電位保持機構控制施加於電光 =件的電壓或電流。於^，使用上述第六開關元件使前述 電位保持機構的電位設定到斷開亮度電位。 此外，電位保持機構透過開關元件連接於電光元件時也 有雜散電容，所以最好同樣地使用上述第六開關元件使前 述雜散電容的電位設定到斷開亮度電位。 如此’使保持於電位保持機構或雜散電容的電荷使用上 述第六開關元件放電，可配合最大灰度的權重調整施加與 上述最大灰度的資料對應的電壓給電光元件的時間。 在上述說明雖然說明了只使最大位元的資料記憶於配置 於像素的記憶體的驅動方法，但動畫假輪廓的產生量與其 未被分割的最大位元的權重成比例。因此，即使只分割最 大位元也會產生下一位元的權重分的動畫假輪廓。 於是’在本發明最好盡量多使用配置於像素的記憶體進 行上述分時灰度顯示。 此外，本發明的第一方法不是只對上述分時灰度有效。 本發明的第一方法也可以實現為本發明第二目的的比配置 於像素的記憶體個數多的位元數的灰度顯示。 作為這種多灰度顯示方法的第一結構可形成下述結構·· 使用多數電容器，將給與這些電容器一方端子的電壓利用 L ___-69- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

裝 訂

線 67 A7 B7 五、發明説明（ 上述圮憶兀件或電位保持機構進行電源電壓或接地電位等 一進制控制，藉此施加多級電壓給作為目的的電光元件。 例如下述方法：電光元件為液晶元件時，將其一方端子 連接於對向電極，將多數電容器連接於另一方端子，控制 使給與其多數電客器另一方端子的電壓使用上述記憶機構 或％位保持機構的輸出成為和對向電壓相同或成為不同電 壓，使施加於液晶的電壓多級變化。 如此驅動液晶時，因液晶回應速度慢而即使是分時施加 的兒壓也成為與其平均電壓對應的顯示狀態，所以本來就 不產生動畫假輪廓。即，在液晶適用本發明方法一時，其 目的在於活用配置於像素的有限數量的記憶體，得到更多 灰度顯示’而不是抑制動畫假輪廓。 此外，例如配置電容器取代上述液晶元件，給與為了供 應電流給自發光元件（有機EL)的TFT(活性元件）上述電 壓’也可以控制流經電光元件的電流。 此外，设置多數為了供應電流給自發光元件（有機el)的 TFT(活性元件），使用上述記憶機構或電位保持機構的輸出 二進制控制各TFT，亦可使供應給自發光元件（有機EL)的 電流多級變化。 不這種情況，由於有機EL回應速度慢，所以因分時供應的 電流而產生動畫假輪廓，但這種情況也是除了第一抑制動 畫假輪廓的目的之外，還可第二活用配置於像素的有限數 量的記憶體，達到得到最多灰度顯示的目的。 此外，本發日月的方法可形成下述結構：係具有和液晶顯 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 536689 Μ件或自發光元件（有機EL)等電光元件連接的像素電極 人施加:壓給其像素電極的第一記憶元件的顯示裝置，以 上^ =光元件的電源電壓和施加給上述第一記憶元件作為 決疋她加％壓給上述電光元件的通斷時期的信號的通斷電 壓為個別電源。 —根據上述結構，電光元件的電源電壓和施加給第一記憶 兀=的通斷電壓成為個別電源。因此，即使電光元件的電 原私壓夂動施加給第一記憶元件的電壓以不變動。因 此，除二上述結構的效果之外，再加上在如驅動用tft驅 動j述第一記憶元件的元件的閘極電壓V和如有機EL·等自 發光元件流經上述電光元件的電流〗之關係，可抑制特 f生的又化，特別是在自發光元件可得到穩定的亮度特性。 、此外纟發明的顯示裝置係用於上述顯示裝置之驅動方 法的顯不裝置’最好具備為了將由外部所輸人的資料變換 成各行所掃描的上述像素的資料的第二記憶元件。 根據上述結構’可將以像素單位傳來的位元資料在上述 :動万去所必要的定時從第二記憶元件直接對於-行分的 二料f仃傳^到像素。此外，使其具備此資料變換所需的 二制包路，可放心使用上述驅動方法。此外，從SRAM等 第七隐兀件直接寫入到像素記憶體，無需從第二記憶元 件串列傳送資料到信號線驅動器（SEG驅動器）。因此，除 口込口構的效果之外，#加上和通過信i線驅動器的情 可除去為了從SRAM等傳送資料到信號線驅動器 々夫和屯力，可節省為其的能量，可謀求顯示裝置全體

536689 A7 B7 五、發明説明（69 ) 的低耗電化。 以如使其輸入到液晶顯示裝置等顯示器的圖像資料為類 比資料。也許因此，最近的數位資料也採取各像素一起輸 入相當於顯示灰度數的位元資料的結構。此結構在從cpu 傳送視頻RAM的資料也相同。另一方面，本發明第一目的 產生的分時灰度的情況，各位元被顯示保掃描。因此，此 各像素必須將傳來的輸入資料變換成各位元顯示的分時顯 示用資料。 〜 於是，本發明的方法二為了上述資料變換，可使顯示區 域（像素）外具有與顯示畫面的各電光元件配置對應的第二 記憶元件（記憶體陣列）。 從顯示裝置外部使用CPU隨機將一像素分的資料寫入到 上述第一記憶元件的結構，最好配置於上述記憶體陣列的 1己憶體數只與使其顯示於各電光元件的灰度數對應配置。 然而，從顯示裝置外部串列傳來一線路分資料的輸入信 號最好將前述資料保持於一線路分線路記憶體等，將與其 各像素對應的位元資料在使其配置於像素的第一記憶元件 和使其配置於像素（顯示區域）外的第二記憶元件間分配記 憶。 藉由上述結構，可實現本發明的第三目的。 即，僅使其配置於像素的第一記憶元件數減少配置於像 素（顯示區域）外的第二記憶元件數，可以更小基板尺寸實 現可顯示所輸入的灰度數分的資料的顯示裝置。 這種情況，配置於像素（顯示區域）外的第二記憶元件的 h _'··|· ' ---- - 本紙張尺度itifl中國國家標準(CNS) A4規格(21G x 297公爱) 536689 A7 B7

發明説明 資料分時地取入配置於像素的電位保持機構，藉此和配置 於像素的第一圮憶元件同樣使其反映於電光元件的顯示。 此外，上述結構在像素内配置A位元的記憶元件，在像素 外配置B位元的記憶元件，所以合計（A + B)位元的顯示資 料存在。全部記憶元件不一定可保持獨立的資料，但使用 這些顯示資料亦可記錄多數圖像。 例如上述（A + B)位元中，i位元分用於資料交換，即使不 能保持獨立的資料，若使用剩餘（A + B_丨）位元的資料，各 電光元件若是1位元的圖像資料，貝個圖像不從 外部新取入資料，亦可顯示切換。 此意味著不使顯示裝置外部的CPU等電路動作（不打開電 源）就可實現。此意味著若是上述（A + n)位元的範圍，則 在攜帶終端裝置等可動態圖像地顯示簡單的等待晝面等， 所以此結構在這種攜帶終端機器有效。 此外，使用自發光元件作為電光元件時，若使用這種低 耗電化機能，則在發光效率佳的有機EL使用有效。 如以上，使用本發明的使像素具有記憶機構（記憶體）和 電位保持機構（電容器）的結構，可進行像素配置的記憶體 個數以上的灰度顯示。此外，切換配置於像素的多數記憶 體顯示，即使不沿卜部新得到資料，亦可切換顯示多數圖 像。此外，使與最大灰度的資料對應的電壓保持於第一記 憶元件，分割對於其資料的電壓施加時間而施加電壓，^ 緩和動畫假輪廓。 此外，使用這種記憶元件，即使以往不能驅動的情況亦 ----- -73- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 536689 A7 五、發明説明（~~) ^ 可驅動，可開發新的驅動方法。 特別是在此像素具有記憶機構（記憶體）和電位保持機構 (包谷器）的結構的電位保持機構適於分時灰度顯示。 使用本發明的顯示裝置，可形成下述結構：在一幀期間 内依次設置第一、第二及第三期間，在一幀期間内，比上 述第三期間前面設置資料保持期間，在上述第一期間施加 與最大灰度（最大權重位元）的資料對應的電壓給上述電光 疋件’在上述資料保持期間使上述最大灰度的資料保持於 第一 C憶7G件’在上述第二期間僅與小於最大灰度的資料 對應的時間施加電壓給上述電光元件，在上述第三期間僅 與保持於上述第一記憶元件的最大灰度的資料的剩餘時間 對應的時間施加電壓給上述電光元件。 因此，在第二期間各像素保持位元權重大的資料，藉此 不必顯示掃描就可實現多數顯示在第三期間進行的位元權 重大的資料的動作。因此，不必每一次的顯示都進行顯示 掃描’可抑制動畫假輪廓的產生。. 此外’可以配置於像素的記憶體個數以上的灰度顯示， 所以可謀求顯示品質的提高。 此外，本發明的顯示裝置之驅動方法，可形成下述結 構以掃描線數為m條，以在各像素顯示的灰度位元數為 K ,將一 t貞期間分割成m個單位期間，將各單位期間分割成 K個選擇期間，在水平掃描期間内重寫某掃描線上的像素 的電光元件内的資料之際，以j為1以上K以下的整數，以 p(j)(4 j 1、2、3、…、K-1)及ρ(κ)分別為i以上κ以下 __ - 74 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNs) A4規格(210X297公釐) 536689 A7 B7 72 五、發明説明（ 的互相不同的整數，對於全部j，在某單位期間N(j)内的第 P (j)號選擇期間的定時供應第」·位元的資料給電光元件，在 某單位期間N(K)内的第p(K)號選擇期間的定時供應第K位 儿的資料給第一記憶元件，其後從該第一記憶元件供應給 電光元件。 因此’各像素保持位元權重大的資料，藉此不必顯示掃 描就了貫現多數顯示位元權重大的資料的動作。因此，不 必每一次的顯示都進行顯示掃描，可抑制動畫假輪廓的產 生。 此外本發明的顯示裝置可形成下述結構：在上述電位 保持機構和斷開亮度設定配線之間設置第六開關元件。

Xi種結構和除了上述結構之外，再加上可形成下述結 構：使與保持於上述第一記憶元件的最大灰度的資料對應 的電壓一旦保持於電位保持機構之後，施加給上述電光元 件。 、使保持於此電位保持機構的電荷使用上述第六開關元件 2¾，可配合取大灰度的權重調整施加與上述最大灰度的 資料對應的電壓給電光元件的時間。 此夕卜，本發明的顯示裝置可形成下述結構：具有和液晶 心元件等電光元件連接的像素電極與施加電壓給其 電極的第一記憶元件，以前述電光 .、 、％艽兀件的電源電壓和施加 、、’。上述第-記憶元件作為決定施加電壓給上述電光元件的 通斷時期的信號的通斷電壓為個別電源。 因此，即使電光元件的電源電壓變動，施加給第一記憶 -75- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 536689 A7

了上述結構的效果之外， 元件的電壓也不變動。因此，除 再加上可得到穩定的亮度特性。 /此夕卜本發明的顯示裝置除了上述結構之外，再加上可 形成下述結構：各行掃描上述像素而顯示資料，具備 行分的資料並行直接傳送到上述像素的第二記憶元件。 因此’從第二記憶元件直接窝人到像素記憶體，益需從 第，記憶元件串列傳送資料到信號線驅動器。因此，除了 上述結構的效果之外，再加上可除去為了傳送資料到信號 線驅動器的工夫和電力，可謀求顯示裝置全體的低耗電 此外，合併配置於像素的第一記憶元件和配置於像素（顯 示區域）外的第二記憶元件，可以必要的灰度記憶資料，所 以可以配置於像素的第一記憶元件個數以上的灰度顯示或 即使不從外部取入資料亦可進行圖像切換。 此外，在像素配置記憶體的一部分，所以使配置於像素 (顯示區域）外的第二記憶元件個數減少。其結果，減少配 置其€憶體區域的面積，可以更少基板尺寸實現必要數量 ;貝料的記憶。這有帶來每一片玻璃基板的面板取得數增 加，降低面板成本的效果。 此外，也有帶來具有同一尺寸顯示區域的面板小型化的 效果。再者，只用記憶於面板的資料進行圖像顯示，帶來 顯示裝置的低耗電化。特別是若是配置於面板的記憶體範 圍，則不必給CPU等外部裝置電源，亦可切換顯示多數圖 像，所以其低耗電化效果大。 ____-76- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

裝 k 536689 A7 B7 五、發明説明（74 ) 又，在發明之詳細說明項所作的具體實施形態或實施例 始終是要闡明本發明之技術内容的，不應只限於這種具體 例而被狹義解釋，在本發明之精神和下面所載之申請專利 事項範圍内可各種變更實施。 -77- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 536689 A7 B7 五、發明説明（ 75 ) 元件編號之說明 1 CPU 2 快閃記憶體 3 顯示裝置 4 SRAM(第二記憶元件） 5 控制器驅動電路 6 TFT 7 TFT 8 有機EL(電光元件） 9 記憶電路（第一記憶元件） 10 像素 11 TFT 12 TFT 13 TFT 14 TFT 15 TFT 17 記憶電路（第一記憶元件） 18 記憶電路（第一記憶元件） 20 TFT 2 1 TFT 22 電容器（電位保持機構） 23 液晶元件（電光元件） 24 TFT 25 TFT -78 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 536689 A7 B7 五、發明説明（ 76 ) 26 有機EL(電光元件） 3 1 基板 32 陽極 33 陰極 34 有機多層膜 3 5 帶電洞的層 36 電洞輸送層 37 發光層 3 8 電子輸送層 39 層結構 50 位址緩衝器 5 1 列解碼器 52 記憶體陣列 53 平行出控制電路 54 串列出控制電路 55 串列進控制電路 56 選擇器 57 行解碼器 58 位址緩衝器 59 > 60 及電路 61、62 位元控制用TFT 63、64 TFT 65 > 66 電容器 67 液晶元件 -79- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐) 536689 A7 B7 五、發明説明（ 77 ) 68、69 記憶體 70 〜73 TFT 74 電容器 75 基板 76 串並列變換電路 77 控制器 7 8 像素外記憶區域 79 顯示區域 80 記憶胞 8 1 顯示像素 82 輸入信號線 83 〜85 記憶體 86 〜91 TFT 92 電容器 93 〜96 記憶體 97 電壓變換電路 98 ^ 99 記憶體 100 、 101 電容器 Aij 像素 Ci 掃描線 Cia 、 Cib 掃描線 Cibitl 控制線 Cibit2 控制線 Cibit3 控制線 -80- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐） 536689 A7 B7 五、發明説明（ 78 ) CiC 第二掃描線 CiE 擦除線 Dj 資料線 Gi 閘極線 Cibitl〜Cibit2 控制線 GiRW 寫入線 Mij 記憶胞 Q1〜Q26 TFT Sj 資料配線 VCC 邏輯電源線 VDD 驅動用電源 Von 閘極接通電壓 Voff 閘極斷開電壓 -81 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐）

Claims (1)

1. •一種顯7^裝置，其特徵在於：具備 多數電光元件；及， 上述各電光元件所設的記憶機構和電位保持機構，使 用上述C憶機構和上述電位保持機構的輸出控制上述 光元件的顯示者。 2·如申請專利範圍第！項之顯示裝置，其中具備多數第一配 線和配^於與上述第—配線交又方向的多數第二配線， 在上述第一配線和第二配線交叉的附近配置上述電光元 件， 具備和述第一配線與第一端子連接的第一開關元件 及和上述第開關元件的第二端子串聯連接於上述記憶 機構的第：開關元件，f氣連接上述第—開關元件的^ 二端子和上述電位保持機構。 3. 如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中具備和上述電位 保持機構串聯連接的第三開關元件。 4. 如申請專利範圍第丨項之顯示裝置，其中具備多數第一配 線和配置於與上述第一配線交又方向的多數第二配缘， 在上述第一配線和第二配線交又的附近配置上述電光元 件， 兀 具備和上述第一配線與第一端子連接的第一開關元 件，電氣連接上述第一開關元件的第二端子和上述記憶 機構， 。思 具備和上述第一配線與第一端子連接的第四開關元 件，電氣連接上述第四開關元件的第二端子和上述電位 -82- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) 536689 A8 B8 ^--------- D8_ 六、申請專利^ "--- 保持機構。 5’ ：申請專利範圍第4項之顯示裝置，其中具備設於上述電 光疋件和上述記憶機構之間的第五開關元件。 6·，申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中使用連接於上述 5己憶機構的開關元件切換上述記憶機構的輸出和上述電 位保持機構的輸出。 7·如申請專利範圍^項之顯示裝置，其中與儲存於上述記 憶機楫或上述電位保持機構的資料㈣對應的期間，給 、上述％光元件上述記憶機構或上述電位保持機構的輸 出。 8.如申睛專利範圍第丨項之顯示裝置，其中使與儲存於上述 A憶機構或上述電位保持機構的資料權重對應的電壓產 生’顯示上述電光元件。 9·如申請專利範圍第〗項之顯示裝置，其中使與儲存於上述 记憶機構或上述電位保持機構的資料權重對應的電流產 生’顯示上述電光元件。 ι〇·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中具備設於上述電 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 位保持機構和電源配線或接地配線之間的第六開關元 件。 11· 一種顯示裝置，其特徵在於：具備 多數電光元件；及， 上述各電光元件所設的記憶機構， 上述電光元件的電源線和上述記憶機構的電源線係不 同配線者。 _ -83- 本紙張尺度適财關家鮮（€叫44胁（21(^297公釐)~一 " 536689 A8 B8 C8 D8 裝 構 機 裝 lAk 機 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 申請專利範圍 12.如申請專利範圍第項之顯示裝置，其中具備設於 像素區域外側、記憶為了顯示於上述電光元件的信號的 第二記憶機構。 Π.如申請專利泌圍第12項之顯示裝置，其中使用上述記憶 機構的信號和從上述第二記憶機構给與上述電位保持機 構的信號進行顯示。 14. 如申請專利範圍第12項之顯示裝置，其中使用上述記惊 機構的信號和從上述第二記憶機構給與上述電位保持機 構的信號切換顯示多數圖像。 15. 如申請專利範圍第項之顯示裝置，其中使用有機 EL元件作為上述電光元件。 16·-種攜帶機器，其特徵在於：具備顯示裝置，該顯示 置具備多數電光元件及上述各電光元件所設的記 和電位保持機構，使用上述記憶機構和上述電位保持 構的輸出控制上述電光元件的顯示者。 17. -種攜帶機器，其特徵在於：具備顯示裝置，該顯示 置具備多數電光元件及上述各電光元件所設的記憶 構，上述電光元件的電源線和上述記憶機構的電源 不同配線者。 18. —種基板，其特徵在於：具備 多數電極； 上述各電極所設的記憶機構和電位保持機構；及， 使用上述記憶機構和上述電位保持機構的輸出控制施 加給上述電極的電壓或電流的機構者。 J--.----------IT-------·線---··--Γ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -84-