TW201104371A - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Lithographic apparatus and device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TW201104371A
TW201104371A TW099129747A TW99129747A TW201104371A TW 201104371 A TW201104371 A TW 201104371A TW 099129747 A TW099129747 A TW 099129747A TW 99129747 A TW99129747 A TW 99129747A TW 201104371 A TW201104371 A TW 201104371A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
cross
space
projection system
liquid
Prior art date
Application number
TW099129747A
Other languages
English (en)
Inventor
Bob Streefkerk
Sjoerd Nicolaas Lambertus Donders
Graaf Roelof Frederik De
Christiaan Alexander Hoogendam
Hans Jansen
Martinus Hendrikus Antonius Leenders
Paulus Martinus Maria Liebregts
Jeroen Johannes Sophia Maria Mertens
Der Toorn Jan-Gerard Cornelis Van
Michel Riepen
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW201104371A publication Critical patent/TW201104371A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3085—Imagewise removal using liquid means from plates or webs transported vertically; from plates suspended or immersed vertically in the processing unit
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

201104371 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種微影裝置及一種製造器件的方法。 【先前技術】 微影裝i是-種將一期望圖案施加於—基板且通常是施 加於基板之一目標部分上的機器。微影裝置可被用於譬如 積體電路（ICs)的製程中。在此例中，—圖案化器件（其或 被稱為一光罩或是一標線片）可被用於產生一待形成在IC • 之一個別層上的電路圖案。此圖案可被轉移到一基板（例 如一矽晶圓）之一目標部分（例如包括局部晶粒、一個晶 粒、或數個晶粒）上。圖案的轉移通常是經由成像在被提 供於基板上之一輻射敏感材料（抗蝕劑）層上的方式進行。 大體而s ’單一基板會含有相繼被圖案化之相鄰目標部分 的網絡。習知微影裝置包含俗稱之步進機及俗稱之掃描 機在步進機中每一目標部分是藉由一次將一整個圖案曝 照於目標部分上的方式接受輻照，而在掃描機中每一目標 鲁 邛分疋藉由用一輻射束以一給定方向Γ掃描"方向）掃描圖 案且同時同步地平行或反向平行於該方向掃描基板的方式 接受輕照。亦有可能藉由將圖案壓印於基板上的方式將圖 案從圖案化器件轉移到基板。 過去已提出將微影投影裝置中之基板浸潰在一具有一相 對車交高折射係數之液體（例如水）内以便填滿投影系統最終 兀*件（例如一透鏡、另一光學元件、或其他結構物）與基板 F曰1之~空間。此技術的重點在於促成較小特徵部的成像， 150537.doc 201104371 因為曝光輻射會在液體中有一較短波長。（液體的效應亦 可被視為是加大系統之有效NA並且也加大焦距。）過去亦 已提出其他浸潰液，其令包含内有固態顆粒物（例如石英） 懸浮的水。 但是，將基板或是基板與基板臺泡在一液體浴中（舉例 來說參見美國專利第4,509,852號’言亥專利之内容以y用的 方式併入本文中）意味著在一掃描曝照作業期間會有大量 液體必須加速》這要求額外或更強力的馬達，且液體内的 紊流可能導致不想要且不可預期的效果。 頃已提出之解決方案之一是使一液體供應系統利用一液_ 體約束系統僅在基板之一局域面積上及投影系統最終元件 與基板之間提供液體（基板通常具有一大於投影系統最終 元件的較大表面積）。過去已提出為此安排的一種方式見 於PCT專利申請案公告號W〇 99/49504案，該案之内容以 引用的方式併入本文中。如圖2和3所示，液體經由至少一 入口 IN供應到基板上、較佳是沿著基板相對於最終元件之 移動方向供應，且在已通過投影系統底下之後藉由至少一籲 出口 OUT移除。也就是說，當基板被以一 _χ方向在元件底 下掃描時，液體在元件之+X側供應且在_χ側收回。圖2概 略不出此排列，其中液體經由入口 ΙΝ供應且在元件之另一 側由連接到一低壓源的出口 ουτ收回。在圖2中液體沿 著基板相對於最終元件之移動方向供應’然並非全都必然 如此有夕種圍繞著最終元件定位之入口和出口取向及數 量可行，其一實例示於圖3，其中在任一側上有四組一入 150537.doc 201104371 口加一出口的組合被以一規律圖案圍繞著最終元件提供。 【發明内容】 ° 一濕浸式微影裝置之浸潰液中之氣泡的存在可能對於成 像品質以及可能導致覆蓋誤差、聚焦控制有問題和乾污潰 的浸潰液從基板蒸發現象造成負面影響。 因此’舉例來說’減少浸潰液中之氣泡生成和浸潰液蒸 發會有利。 ‘ 依據本發明之一觀點，提出一種微影裝置包括： 一基板臺，其被建構為固持一基板；及 -投影系統’其被建構為將—已圖案化韓射束投射到該 基板之-目標部分上且有一緊鄰該基板的元件，該元件在 一大致平行於該基板之平面内且有— I、负罝線性的橫截面形 依據本發明之-觀點，提出一種微影裝置包括： 一基板臺，其被建構為固持一基板； 又&系义其被建構為將_已圖案化輕射束投射到該 基板之一目標部分上；及 —液體約束結構’其有—至少局部地界定被建構為在該 投影系統與該基板間容納液體之一空間的表面，其中在一 大致平行於該基板的平面内一异垃 < 兮甘』 ^ ^最接近该基板的位置處，該 空間具有一在形狀、面接+工 積或兩方面與該目標部分之橫截面 相符的橫截面。 、 依據本發明之一觀fj. M點’提出—種微影裝置包括： —基板臺，其被建構為固持一基板； 150537.doc 201104371 一投影系統，其被建構為將一已圖案化輻射束投射到該 基板之一目標部分上；及 一液體約束結構，其有一至少局部地界定被建構為在該 基板與該投影系統緊鄰該基板之一元件間容納液體之一空 門的表面，其中在一大致平行於該基板的平面内，該元 件、4空間或二者之橫截面之一面積、一形狀或二者與該 目才示部分之橫截面大致相符。 依據本發明之-觀點’提出一種器件製造方法包括利用 杈影系統將一已圖案化輻射束投射到一基板之一目標部 分上，其中該投影系統緊鄰該基板之一元件在一大致平行 於。玄基板之平面内具有一直線性的橫戴面形狀。 依據本發明之-觀點’提出—種器件製造方法包括利用 一投影系統將一已圖案化輻射束投射到一基板之一目標部 刀上，其中一被建構為在該投影系統與該基板間欲被液體 填滿的空間係至少局部地由一液體約束結構之一表面界 定，且其中在一大致平行於該基板的平面内一最接近該基 板的位置處，肖空間具有一在形狀、面積或兩方面與該目 標部分之橫截面相符的橫截面。 依據本發明之—觀點，提出—種器件製造方法包括利用 一投影系統將一已圖案化輻射束投射到一基板之一目標部 分上，其中一液體被提供在該投影系統與該基板間之一空 =内且該空間係至少局部地由一液體約束結構之一表面界 定，且該空@、該投影系統緊㈣基板之一元件或二者在 一大致平行於該基板之平面内具有一在大小、形狀或兩方 150537.doc 201104371 面與β亥目標部分之橫截面密切相符的橫截面。 【實施方式】 以下參照隨附圖式僅以舉例方式說明本發明之實施例， 其中以對應參考符號標示對應部件。 圖1簡要示出一依據本發明一實施例的微影裝置。該裝 置包括： 照明系統（照明器）IL，其被建構為調節一輻射束 B(例如UV輻射或DUV輻射）； • 一支撐結構（例如一光罩臺）MT，其被建構為支撐一圖 案化器件（例如-光罩）MAJ_連接到一第一***，該 第***被建構為依據某些參數精確地定位該圖案化器 件； -一基板臺（例如一晶圓臺）WT，其被建構為固持一基板 (广如一塗有抗蝕劑的晶圓)〜且連接到一第二***—，該 第二***被建構為依據某些參數精確地定位該基板；及 _ 一投影系統（例如一折射式投影透鏡系統）ps，其被建 構為將-經由圖案化器件财加諸於輻射束B的圖案投射到 基板W之-目標部分叫列如包括一或多個晶粒）上。 該照明系統可包含各種光學組件譬如折射型、反射型、 磁力型、電磁型、靜電型或他種光學組件或是以上之任何 組合以供導引、整形或控制輻射》 該支撐結構以-取決於圖案化器件之取向、微影裝置之 :計及其他條件、譬如該圖案化器件是否被固持於一真空 %境中的方式固持該圖案化器件。該支撐結構可採用機 150537.doc 201104371 二:真空、靜電或其他夹鉗技 撐結構舉例來說可為―機架或一喜，甘圖案化器件。該支 或可動的。兮去 一 、視需要可為固定的 置韻該圖㈣11件處^期望位 置例如相對於投影系、統的期望 線片”或|，弁罢H 說明書中關於，，標 先罩的術语使用可被視為與 化器件"同義。 叙注用《。圖案 本說明書中所用"圆案化器件"一 指任何能祜用*机认, 饮廣我解釋為思 便在其把 在其橫截面内賦予一圖案以 ^板之-目標部分中創造一圖案的器件。應理解到舉 果加諸於輻射束的圖案包括相移特徵或俗稱輔助 特徵，則該圖案不可能精確對應於基板目標部分令之期望 圖案。—般而言’加諸於輕射束的圖案會對應於正在目標 部分中產生之一器件譬如一積體電路之一特定功能層。 該圖案化器件可為透射型或反射型。圖案化器件之實例 包括光罩類、可程式反射鏡陣列類、及可程式[CD面板 類光罩在微影技術當中廣為人知，且包括諸如二值型、 交替相移型及衰減相移型以及各種混合式光罩類型。可程 式鏡片陣列之一實例運用小反射鏡之一矩陣排列，每一小 反射鏡可被單獨傾斜以便以不同方向反射一入射輕射。斜 反射鏡在一被反射鏡陣列反射的輻射束中賦予一圖案。 本說明書中所用"投影系統"一辭應當被廣義解釋為涵蓋 任何類型的投影系統’包含折射型、反射型、折反射型、 磁力型、電磁型及靜電型光學系統或以上之任何组合，依 合乎所用曝光輪射或是其他因子譬如一浸潰液之使用或一 150537.doc 201104371 真空之使用而定。說明書中關於”投影透鏡”一辭的任何使 用可被視為與較一般性用語，，投影系統"同義。 如本文所述，該裝置為透射型（例如使用一透射光罩）。 另一選擇’該裝置可為反射型（例如使用如前所述一類型 之可程式反射鏡陣列或是使用一反射光罩）。 該微影裝置可為具有二個（雙平台）或更多基板臺（及/或 二或更多光罩臺）的類型。在此等"多平台"機器中，額外的 臺可為平行使用，或者可為在一或多個臺正被用於曝照的 同時在一或多個其他臺上進行準備步驟。 參照圖1，照明器IL從一輻射源SO接收一輻射束。該源 和該微影裝置可為獨立實體，例如該源是一準分子雷射的 情況。在此等情況中，該源不被視為構成微影裝置的一部 为，且輻射束從源SO在一包括譬如合適導向反射鏡及/或 一射束擴張器之射束傳送系統B D的協助下被傳送到照明 器IL。在其他情況中，該源可為微影裝置之一體部件，例 如該源是一水銀燈的情況。源8〇和照明器化且必要時連同 射束傳送系統BD可被稱為一輻射系統。 照明器IL可包括一調整器AD以供調整輻射束之角強度 分佈。一般而言，照明器之一光瞳平面中至少強度分佈之 外及/或内徑向範圍（通常分別被稱為σ _外和σ _内）可被調 整。此外，照明器IL可包括多種其他組件，譬如一積光器 IN和-聚光器C0。照明器可被用於調節輕射束以在其橫 截面内具有一期望一致性和強度分佈。 輻射束B入射於被固持在支撐結構（例如光罩臺mt)上的 J50537.doc 0 201104371 圖案化器件（例如光罩μα)上，且被該圖案化器件圖案化。 在穿越光罩ΜΑ後，輻射束β通過投影系統ps，該投影系統 將該射束聚焦在基板W之一目標部分匚上。在第二*** PW及位置感測器IF(例如一干涉儀器件、線性編碼器或電 容感測器）的協助下，基板臺WT可被準確移動，例如以便 於將不同目標部分C定位在輻射束B的路徑内。相似地， 第一***PM及另一位置感測器（其未明確示於圖丨中）可 被用來譬如在從一光罩庫機械地取出光罩MA之後或是在 一掃描期間使光罩Μ A相對於輻射束B之路徑準確地定位。 整體而言’光罩臺MT之移動可在一長行程模組（粗定位）和 一短行程模組（細定位）的協助下實現，這些模組構成第一 ***PM的一部》。相㈣，基才反臺资之移動可利用一 長行程模組和一短行程模組實現。在一步進機（相反於掃 描機）的情況令，光罩臺MT可為僅被連接到一短行程致動 器或者可為被固定住。光罩MA和基板貿可利用光罩準直 記號Μ,、M2及基板準直記ΕΡι、p2使其對準。儘f如圖所 示之基板準直記號佔用了專屬目標部分’其亦可被定位在 目標部分之間的空間内（這些被稱為劃線道準直記號）。相 似地，在光罩MA上提供一以上之晶粒的情況中，光罩準 直記號可為位在晶粒之間。 所述裝置可被以下述模式之至少一者使用： 1.在步進模式中，料臺Μτ和基板臺资被保持為大致 靜止，同時-加諸於輻射束的完整圖案被一次投射(亦即 一單次靜態曝光）到-目標部分cjl。然後基板臺WT被以x I50537.doc -10- 201104371 或Y方向移位使得—不同目標部分c可被曝照。在步進 杈式中，曝光場的最大大小限制了在一單次靜態曝光中成 像之目標部分c的大小。 ―2·在掃描模式中，在一加諸於輻射束之圖案被投射到 —Μ票部分C的同時光罩臺Μτ和基板臺资被同步掃描（亦 即一單次動態曝光）。基板臺WT相對於光罩臺河丁之速度及 =向可藉由投影系統PS之放大（縮小）和影像翻轉特性決 疋在掃為模式中，曝光場的最大大小限制了在-單次動 #態曝光中之目標部分的寬度（處於非掃描方向中），而掃摇 運動的長度決定了目標部分的長度（處於掃描方向中卜 3.在另一模式中，光罩臺厘丁被保持為大致靜止固持著 一可程式圖案化器件，且在一加諸於輻射束之圖案被投射 到一目標部分c上的同時基板臺WT被移動或掃描。在此模 式中，通常使用一脈動輻射源，且該可程式圖案化器件視 需要在基板臺WT每次移動之後或是在一掃描期間相繼輻 籲 射脈衝之間被更新。此作業模式可輕易應用於使用可程式 圖案化器件（譬如前文所述一種可程式反射鏡陣列）之無光 罩微影術中。 上述使用模式之組合及/或變異或是完全不同的使用模 式亦可能被採用。 另一種具備一局域液體供應系統的濕浸式微影術解決方 案不於圖4。液體係由位在投影系統PL任一側上的二個凹 槽入口 IN供應，且由位在入口 IN之徑向外側的複數個不連 續出口 OUT移除。入口 IN和出口 out可被安排在一板内， 150537.doc 201104371 «亥板在其中央有-孔且投影射束穿過此孔投射。液體由位 在H統PL-側上之一凹槽入σ IN供應且由位在投影 系、先PL另側上之複數個不連續出口㈤τ移除導致一股 液體薄膜流在投影系統孔與基板w間流動。入口in和出口 OUT知用哪種組合的選擇可取決於基板w之移動方向（入口 IN和出口 0UT之其他組合停用）。 頃已提出《另一帛具備—局域液體供應***#濕浸式微 〜術解決方案是使液體供應系統具備一液體約束結構，該 液體約束結構沿著投影系統最終元件與基板臺間之空間之 邊界的至少一部分延伸。此一解決方案例示於圖5。液 體約束結構在χγ平面中相對於投影系統大致靜止，但其 可在Z方向（光軸方向）中有一些相對移動。在一實施例 中’一密封形成於液體約束結構與基板表面之間。在一實 施例中’該密封是一非接觸密封譬如氣體密封。此一系統 揭示於美國專利申請案公告US 2004-0207824號及歐洲專 利申請案公告EP 1420298號，二者之内容均以引用的方式 併入本文中，且例示於圖5。 目標部分C的大小和形狀（有時被稱為狹縫大小）可由照 明光學件決定’此等照明光學件譬如是一身為光混合器的 石英棒及/或一被定位在此棒射出端附近的遮罩單元。 氣泡可能因為基板W和基板臺WT在投影系統PL和大致 靜止液體約束系統（譬如圖4或5所示）底下的移動而形成於 浸潰液内。特定言之，當基板W之一邊緣經過浸漬液11所 佔用的空間底下時，氣泡可能形成於浸潰液内且因而減低 I50537.doc 12 201104371 裝置之成像品質。 液體約束系統傳統上已被設計為搭配習知投影系統PL使 用在此寺系統中，最終元件傾向在一大致垂直於投影系 統光軸之平面（其與一大致平行於基板w之平面相同）内具 有圓升v ;^截面。為了讓液體約束系統運作，被液體填滿 之空間的橫截面區域會密切相符於投影系統最終元件在同 一平面内的形狀。這是為了使需要在一小容積中有許多組 件之液體供應系統的可用空間最大化而設計。過去已提出 _ 幾種不同的液體約束系統設計。本發明之一或多個實施例 係可應用於所有此等不同設計，其中非侷限性包括揭示於 以下申請案者：美國專利申請案公告us 2〇〇4_〇2638〇9 號’ PCT專利申請案公告WO 2004-090634號，歐洲專利申 請案公告 EP 1420298 號、EP 1494079 號和 EP 1477856 號， 及2005年4月5日申請之美國專利申請案uS 1 1/098,615號， 上述各案之内容均以引用的方式併入本文中。 籲 以下詳細說明圖5所示液體約束結構。然本發明之一或 多個實施例並不侷限於應用此類液體約束結構。 圖5示出一介於投影系統與基板臺之間的儲液槽或空間 10。空間10被一經由入口 /出口導管13供應之具有一相對 較尚折射係數的液體Η (例如水）填滿。該液體具有使投影 輻射束在該液體中的波長短於該輻射束在空氣或真空中的 波長，允許解析出較小特徵部。頃已知一投影系統的解析 極限特別係由投影射束之波長及系統之數值孔徑決定。該 液體的存在亦可被視為加大有效數值孔徑。此外，在固定 150537.doc 13 201104371 數值孔徑條件下，該液體有效於加大景深。 一圍繞著投影系統成像場之對於基板的非接觸密封被形 成’使得液體被約束在基板表面與投影系統最終元件間之 空間10内。該空間係由一被定位在投影系統PL最終元件底 下並包圍該最終元件的液體約束結構丨2形成或界定。液體 被帶到位於投射系統底下且在液體約束結構12内的空間1〇 内。液體約束空間12延伸至高於投影系統最終元件一些些 且液面升到最終元件以上藉以提供一液體緩衝。液體約束 結構12具有一内周，在一實施例中，該内周之上端密切相 符於投影系統或其最終元件的段差且舉例來說可為圓的。 該液體由液體約束結構12底部與基板…表面間之一氣體 密封16約束在空間1〇内。該氣體密封係由在壓力下經由入 口 1 5 k供到液體約束結構12與基板間之間隙且經由第一出 口 14抽出的氣體（例如空氣、合成空氣、、或一鈍氣）構 成。氣體入口 15上的超壓、第一出口 14上的真空級和該間 隙的幾何形狀被安排為會造成一約束該液體的向内高速氣 流。 亦可能採用他種液體約束結構12。舉例來說，氣體密封 可被換成如2005年4月5日申請之美國專利申請案公sus 11/〇98’615號所述之一單相提取器、一凹穴和—氣刀之一 組合’該專利申請案之内容以引用的方式併入本文中。另 -選擇’-氣體密封可被換成如如美國專利申請案公續 ⑽號料之-㈣料^㈣力料，料 利申請案之内容以引用的方式併入本文中。 150537.doc 14 201104371 為了減小或最小化被液體佔據之空間1G在掃描期間耗費 於基板w-邊緣的時間量並且減小或最小化可讓浸潰液蒸 發之基板頂部表面的面積，空間1〇在一平行於基板％頂部 表面最接近基板之-位置處之平面内的橫截面被造型為密 切相符於目標部分TP(有時稱為照明狹縫區域）之形狀。這 例示於圖6中。如圖6之液體約束結構12平面圖可見，該* 間10係由在該液體約束結構12之該下表面内之該空間^二 一下部開口 40與該液體约束結構12之該上表面内之一上部 • % 口 6。間延伸的數個壁20界定。在圖6中，該上部開口的 是圓形以使該液體約束結構12可搭配該投影系統之最線元 件是徑向對稱的一習知投影系統PL使用，且最接近該基板 W的該底部開口 40是矩形且其形狀密切相符 TP之該形狀。此外，該下部開口 40的大小也密切相= 目標部分TP之大小，然其理所當然不可小於該目標部分 TP。在-實施例中，該下部開σ4()或是該空間在_大致平 行於基板最接近該基板w之一位置處之平面内之該橫截面的 面積會小於該目標部分TP之面積的15倍，且在一實施例中 會小於該目標部分TP之面積的ι_4倍、13倍、i 2倍、或j工 倍。此差異係考慮到在有”游隙”之情況該液體供應系統相對 於該最終元件的相對移動或者是使該移動可被謹慎進行。 s亥液體約束結構12界定約束著液體之該空間丨〇的該表面 2 0被造型為從该上部開口 6 0之形狀順暢地過渡至該下部開 口 40且配合投影系統最終元件之形狀且允許如歐洲專利申 請案公告EP 1477856號所述之約束系統的一些相對移動， 150537.doc •15· 201104371 該申請案之内容以引用的方式併入本文中。但此過渡可在 流動條件中造成某些難處，故在一實施例中，該上部和該 下部開口 4G、6G的形狀是相似的’至少二者均為直線性。 廷·在該投影系統靠近該基板的情況特別易於安排。該投影 系統離基板越遠’會因為有更大角度而使該投影系統底部 必須更圓（傾向於更像曈孔形狀）…直線性情況例示於圖 7，其中該上部開口 60是方形且該下部開口 4〇是矩形。在 此佈置中，應當很容易達成浸潰液橫越該目標部分之平 行流而沒有浸潰液再循環。浸潰液之再循環是必須避免馨 的’因為再循環浸潰液可能被投影射束叩加熱成比未再循 環浸潰液熱，且該溫度之變動可導致該空間内之浸潰液的 折射係數變動。 若該液體約束結構12中該空間之該下部開口4〇的大小如 圖6和7所示因為將其橫截面形狀及/或大小製作成密切相 符於或相似於該目標部分τρ而被減小或最小化則在一整 片基板W的掃描過程中’該開口4〇經過該基板之一邊緣的 掃描次數會大幅減少。因此，因為經過該基板邊緣而在該籲 空間10浸潰液内生成氣泡的機會減低，故能讓浸潰液蒸發 的面積也減小。 圖8-10例示本發明之-實施例，其中投影系統最終元件 和液體約束結構12二者均已就形狀和幾何方面最佳化，使 得下。ρ Ρ4 α 40之大小可被製作成密切相符於目標部分τρ之 形狀及/或大小而不會對於其他作業條件譬如產生橫越目 仏部分ΤΡ之浸潰液平行流的能力造成負面影響或是減小液 150537.doc -16- 201104371 體供應系統之可用容積。事實上，此實施例可使液體供應 系統之可用容積比起習知系統加大。 在圖8中’使用一與圖7所示相似的液體約束結構12。因 此’空間下部開口 4〇在一大致平行於基板W且鄰近基板 W、譬如最接近基板W之一位置處的平面PL2内具備與目標 刀TP相似的形狀和尺寸。如圖所示’液體約束結構丨2部 分地包圍投影系統PL最終元件。因此，存在著一平面 PLi ’其大致平行於基板％之頂部表面之平面且亦與液體 _ 約束結構12界定之空間10及投影系統PL最終元件之下部端 —者父會。在此平面内，該空間之橫截面形狀和大小與投 影系統PL最終元件之橫截面形狀和大小相似。因此，迥異 於搭配圖6液體約束結構12使用之投影系統最終元件，投 影系統P L之最終元件被造型為致使其在亦在該平面内具有 矩形或方形橫截面，使得液體約束結構12界定該空間的 内表面有可能形狀從下部開口 40過渡成上部開口 60而不需 φ 要將直線轉變成曲線。這有助於橫越目標部分TP之浸潰液 平打流的建立而且簡化壁2〇之造型作業。隨著投影系統與 基板間之距離加大，一均勻浸潰液的重要性提高使得平 仃流更被需要。壁20全都是大致平坦。在一實施例中，下 15開口和上部開口的形狀還有投影系統PL最終元件之橫截 面的形狀相似於目標部分的形狀。 圖8不出—空間1〇，其在一大致平行於基板％的平面内 具有—隨著接近基板w而減小的橫截面。這並非必然如 此，且有可能是上部和下部開口 4〇、60具有相同或大致相 150537.doc -17- 201104371 同的大小，使得由液體約束結構12界定之空間的側壁在橫 截面中為平行。如圖8所示，橫截面積隨著遠離化近基板 W而加大/減小的比率未必是恆定的，且提供一具備兩種内 側壁2 0梯度的空間i G :一介於基板w與投影系統底部附近 間的陡峭梯度及其上方之另一較和緩梯度。 圖9例示投影系統之一最終元件。虛線顯示一投影系統 之一典型最終元件的形狀，且可看出最終元件的這些部分 可被移除而不致影響該最終元件在使用中的光學特質。將 虛線所示區域車掉是製造此一元件的一種方式。因此，最 終元件之底部表面呈一讓液體約束結構12之空間能夠無須 使用一曲線形上部開口 60就密切配合的形狀。該最終元件 之最底部被例示為有一塗層100(或一石英板或俗稱之 abslUssp丨atte 100)施加於其上。塗層或石英板1〇〇被示為是 平坦的。但並非必然如此，且最終元件之最底部表面可為 曲線形且可有或沒有一塗層或石英板施加於其上。 圖10是投影系統最終元件的三維圖例，其中從一曲線形 上表面到一非曲線下表面的過渡被清楚示出。該元件的上 半部被依正常方式造型，且該元件的下半部具有以直緣70 相接的平坦側面，亦即在一大致平行於基板w的平面内具 有一直線性橫截面形狀。 本發明之一實施例亦可應用於離軸投影系統，其中投影 射束被安排為使目標部分在平面圖來看並非對正在投影系 統t間底下。 歐洲專利申請案公告EP 1420300號和美國專利申請案公 150537.doc -18- 201104371 告US 2004-0 136494號（二者之内容均以引用的方式併入本 文中）已揭示了雙平台濕浸式微影裝置的想法。此一裝置 2備兩個用於支撐基板的臺。用—處於—第—位置且^有 浸潰液的臺進行取水平測量作業，且用一處於一第二位置 且有浸潰液存在的臺進行曝光。另一選擇，該裝置僅有一 臺。 儘管本文可能專注於微影裝置在ICs之生產中的使用， 貞理解到本發明所賴景彡裝置可有其他應用，譬如積體光 • $系統、磁域記憶體之導引和偵測圖案、平板顯示器、液 晶顯示器（LCDs)、薄膜磁頭等的生產。熟習此技藝者會理 解到就此等替代應用來說，文中”晶圓”或,,晶粒"術語的任 何使用可分別被視為與較一般性用語"基板”或"目標部分” 同義。本說明書所述基板可能在曝·光之前或之後經過處 理，例如在一轨道機（track)( 一種通常將一層抗蝕劑施加於 基板並顯影已曝光抗蝕劑的工具）、一度量工具及/或一 檢查工具内被處理。在可應用的情況中’本說明書所述可 被應用在此等及其他基板處理工具。再者，基板可被處理 一次以上，舉例來說以便創造出一多層IC，故文中所述基 板一辭亦可能是指一已經含有多個已處理層的基板。 儘管以上可能已特定針對本發明之實施例在光學微影術 方面的使用作說明，應理解到本發明可被用在其他應用譬 如壓印锨衫術中，且在意涵允許的情況下並不侷限於光學 微影術。在壓印微影術中，一圖案化器件中之一形貌界定 了要在一基板上產生的圖案。圖案化器件之形貌可被壓入 150537.doc -19· 201104371 -施加於基板的抗敍劑層内，然後該抗編由施加電磁 輻射、熱、壓力”戈以上之-組合而固化。圖案化器件在 該抗餘劑固化後移離，在該抗姓劑中留下-圖案。 文中所述輻射# #束"術語涵蓋所有類型的電磁輻 射，包括紫外線（UV)輕射（例如具有365 nm、248 nm、⑼ nm、157 nm或 126 nm或发#7、1/士 , -，、近似值之一波長）及極端紫外線 (EUV)輻射(例如具有5·2〇⑽範圍内之一波長)，還有粒子 射束譬如離子束或電子束。 "透鏡"-辭在意涵允許的情況中可為意指多種光學組件 之任一者或組合’包括折射型、反射型、磁力Μ、電磁型 和靜電型光學組件。 儘管以上已說明本發明之特^實施例，應理解到本發明 可被以文中未㈣方式實施。舉例來說，本發明可採取一 含有描述如前所述—方法之-或多個機器可讀取指令序列 之電腦程式或是-内部儲存了此—電腦程式之資料儲存媒 體（例如半導體記憶體、磁碟或光碟）的形式。 本發明之-或多個實施例可應用於任何濕浸式微影裝 置，特；t但不排他㈣係可應用於前文所述裝置類型且不 論浸潰液係以〆浴之形式提供或是僅被提供在基板之一局 域表面上。文中提及之液體供應系、統應被廣義解釋。在某 些實施例中’其可為將—液體提供到投影系統與基板及/ 或基板臺間之一空間的一種機構或結構物組合。其可包括 -或多個結構物' 1多個液體人σ、—或多個氣體入 口、一或多個Ιι體出口、及/或提供液體到空間之一或多 150537.doc 201104371 個液體出口的一種組合。在一實施例中，該空間之一表面 可為基板及/或基板臺之一部分，或者該空間之一表面可 完全覆蓋基板及/或基板臺之一表面，或者該空間可包住 基板及/或基板臺。液體供應系統視需要可進一步包含一 或多個元件以控制液體之位置、量、品質、形狀、流率、 或任何其他特徵。 希望以上說明被視為範例說明而非限制。故熟習此技藝 者會理解到可不脫離下文提出之請求項的範圍對於前文所 9 述本發明作修改。 【圖式簡單說明】 圖1示出一依據本發明一實施例之微影裝置； 圖2和3不出一用於一微影投影裝置中之液體供應系繞； 圖4不出另一用於一微影投影裝置中之液體供應系統； 圖5不出再一用於一微影投影裝置中之液體供應系統； 圖6以平面圖簡要示出一依據本發明一實施例之一唳 約束結構的空間； 圖7以平面圖簡要示出一依據本發明—實施例之另〜夜 體約束結構的空間； 圖8以剖面圖示出依據本發明之一液體約束結構及1 影系統最終元件； & 圖9以剖面圖示出—投影系統最終元件；且 圖10簡要示出圖9之最終元件。 【主要元件符號說明】 10 儲液空間 150537.doc -21 - 201104371 11 浸潰液 12 液體約束結構 13 入口 /出口導管 14 第一出口 15 氣體入口 16 氣體密封 20 壁 40 下部開口 60 上部開口 70 直緣 100 塗層 B 輻射束 BD 射束傳送系統 C 目標部分 CO 聚光器 IF 位置感測器 IL 照明系統 IN 積光器（圖1); Mj 光罩準直記號 m2 光罩準直記號 MA 圖案化器件 MT 支撐結構 OUT 出口 Pi 基板準直記號
150537.doc -22- 201104371 p2 基板準直記號 PB 投影射束 PL 投影系統 PM 第一*** PS 投影系統 PW 第二*** SO 輻射源 TP 目標部分 W 基板 WT 基板臺 150537.doc -23-

Claims (1)

  1. 201104371 七、申請專利範圍： 1 · 一種微影裝置，包括·· 一基板臺’其被建構為固持—基板；及 :投影系統，其被建構為將—已圖案化輻射束投射到 該基板之一目標部分上；及 一液體約束結構’其有—至少局部地界定被建構為在 該投影系統與該基板間容納液體之—空間的表面’其中 在一大致平行於該基板的平_，在—最接近該基板的 :置：該空間具有一在形狀、面積或兩方面與該目標部 为之k截面大致相符的橫截面。 2.如請求項1之裝置，其申該空間之橫截面具有一小於該 目標部分之面積之L5倍的面積。 3·如請求項1或2之裝置，其中在—大致平行於該基板且與 該工間及该投影系統—最終元件相交的平面内，該最終 元件之橫截面的周圍被該空間之橫截面的周圍大致均勾 地包圍。 4.如清求項i或2之裝置，其中該投影系統一最終元件在一 大致平行於該基板之平面内具有一在形狀方面大致相符 於。玄目標部分之形狀、該空間之橫截面或二者的橫 面。 、 5. 如請求項1或2之裝置，其中該目標部分是大致矩形。 6. 如凊求項1或2之裝置，其中該投影系·统具有—緊鄰該基 板的元件，该元件在一大致平行於該基板之平面内具有 直線性的橫截面形狀。 150537.doc 201104371 二长項6之裝置’其中該投影系統之該橫截面形狀相 似於該目標部分之形狀。 月托項6之裝置’其中該元件最接近該基板之一底部 表面是曲線形。 9. 如::求項6之裝置’其中該元件在-大致平行於該基板 之平面内的橫截面形狀具有—小於該目標部分之面積之 1.5倍的面積。 10. 如凊求項6之裝置’其中該液體約束結構之表面延伸超 =該元件最接近該基板之—底部表面以外，且在一與該 m及該元件二者相交且大致平行於該基板的平面内， 門和元件的橫戴面形狀及面積視需要密切相符。 11. 一種微影裝置，包括： 一基板臺，其被建構為固持一基板；及 -投影系統，其被建構為將一已圖案化輻射束投射到 該基板之一目標部分上；及 一液體約束結構’其有—至少局部地界定被建構為在 該基板與該投影㈣緊鄰該基板之—元件間容納液體之 一空間的表面，其中在-大致平行於該基板的平面内， 該元件、該空間或二者之橫戴面之面積、形狀或兩方面 大致相符於該目標部分之橫截面。 12. 如請求項11之裝置’其中該空間呈錐形，致使該空間在 -大致平行於該基板之平面内的橫截面積隨著接近該基 板而減小。 13. 如請求項11或12之裝置，其中該空間在—大致平行於該 150537.doc 201104371 基板之平面内的橫截面形狀從一離該基板最遠的位置到 一最接近該基板的位置有變化，其中在該最接近該基板 的位置’該橫截面形狀大致同於該目標部分的形狀。 14 _ 種器件製造方法’包括利用一投影系統將一已圖案化 輻射束投射到一基板之一目標部分上，其中一被建構為 在该投影系統與該基板間欲被液體填滿的空間係至少局 部地由一液體約束結構之一表面界定，且其中在一大致 平行於該基板的平面内一最接近該基板的位置處，該空 間具有一在形狀、面積或兩方面與該目標部分之橫截面 相符的橫截面。 15. —種器件製造方法，包括利用一投影系統將一已圖案化 輻射束投射到一基板之一目標部分上，其中一液體被提 供在忒杈影系統與該基板間之一空間内且該空間係至少 局部地由一液體約束結構之一表面界定，且該空間、該 投影系統緊鄰該基板之—元件或二者在―大致平行於該 基板之平面内具有—在大小、形狀或兩方面與該目標部 分之橫載面密切相符的橫截面。 150537.doc
TW099129747A 2005-05-03 2006-04-20 Lithographic apparatus and device manufacturing method TW201104371A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/120,186 US8248577B2 (en) 2005-05-03 2005-05-03 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201104371A true TW201104371A (en) 2011-02-01

Family

ID=36754253

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095114176A TWI349839B (en) 2005-05-03 2006-04-20 Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW099129747A TW201104371A (en) 2005-05-03 2006-04-20 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095114176A TWI349839B (en) 2005-05-03 2006-04-20 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Country Status (8)

Country Link
US (5) US8248577B2 (zh)
EP (2) EP1837705A3 (zh)
JP (2) JP4749933B2 (zh)
KR (1) KR100768945B1 (zh)
CN (2) CN1858657B (zh)
DE (1) DE602006009174D1 (zh)
SG (2) SG147422A1 (zh)
TW (2) TWI349839B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1881521B1 (en) * 2005-05-12 2014-07-23 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus and exposure method
EP2131241B1 (en) * 2008-05-08 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
US9385089B2 (en) 2013-01-30 2016-07-05 Seagate Technology Llc Alignment mark recovery with reduced topography
US9343089B2 (en) * 2013-03-08 2016-05-17 Seagate Technology Llc Nanoimprint lithography for thin film heads
CN104950586B (zh) * 2014-03-25 2017-06-06 上海微电子装备有限公司 一种浸液限制机构

Family Cites Families (270)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE242880C (zh)
DE221563C (zh)
DE224448C (zh)
DE206607C (zh)
US1954755A (en) 1931-12-05 1934-04-10 Firm Ernst Leitz Microscope
GB669921A (en) 1949-05-26 1952-04-09 D & P Studios Ltd Improvements in and relating to optical projection apparatus
GB1242527A (en) * 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) * 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) * 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4390273A (en) * 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
US4405701A (en) 1981-07-29 1983-09-20 Western Electric Co. Methods of fabricating a photomask
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6187125A (ja) 1984-09-20 1986-05-02 Canon Inc スリツト露光投影装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS62121417U (zh) 1986-01-24 1987-08-01
US4747678A (en) 1986-12-17 1988-05-31 The Perkin-Elmer Corporation Optical relay system with magnification
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPS63157419U (zh) 1987-03-31 1988-10-14
US5040020A (en) * 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
US4953960A (en) 1988-07-15 1990-09-04 Williamson David M Optical reduction system
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
JPH04130710A (ja) 1990-09-21 1992-05-01 Hitachi Ltd 露光装置
JPH04133414A (ja) 1990-09-26 1992-05-07 Nec Yamaguchi Ltd 縮小投影露光装置
JP3084760B2 (ja) 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置
US5121256A (en) * 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04211110A (ja) 1991-03-20 1992-08-03 Hitachi Ltd 投影式露光方法
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0545886A (ja) 1991-08-12 1993-02-26 Nikon Corp 角形基板の露光装置
US5298939A (en) * 1991-11-04 1994-03-29 Swanson Paul A Method and apparatus for transfer of a reticle pattern onto a substrate by scanning
US5212593A (en) 1992-02-06 1993-05-18 Svg Lithography Systems, Inc. Broad band optical reduction system using matched multiple refractive element materials
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
DE4344908A1 (de) 1993-01-08 1994-07-14 Nikon Corp Kondensorlinsensystem
US5537260A (en) 1993-01-26 1996-07-16 Svg Lithography Systems, Inc. Catadioptric optical reduction system with high numerical aperture
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JPH07122469A (ja) 1993-10-20 1995-05-12 Nikon Corp 投影露光装置
JP3339144B2 (ja) 1993-11-11 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置及び露光方法
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH0982626A (ja) 1995-09-12 1997-03-28 Nikon Corp 投影露光装置
DE19535392A1 (de) 1995-09-23 1997-03-27 Zeiss Carl Fa Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit
US6270696B1 (en) 1996-06-03 2001-08-07 Terastor Corporation Method of fabricating and integrating an optical assembly into a flying head
JPH103039A (ja) 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1055713A (ja) 1996-08-08 1998-02-24 Ushio Inc 紫外線照射装置
WO1998009278A1 (en) * 1996-08-26 1998-03-05 Digital Papyrus Technologies Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
JPH1092735A (ja) 1996-09-13 1998-04-10 Nikon Corp 露光装置
JP2914315B2 (ja) 1996-09-20 1999-06-28 日本電気株式会社 走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3991166B2 (ja) 1996-10-25 2007-10-17 株式会社ニコン 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) * 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH11283903A (ja) 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
WO1999027568A1 (fr) 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
JPH11162831A (ja) 1997-11-21 1999-06-18 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
EP1039511A4 (en) 1997-12-12 2005-03-02 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
US6407884B1 (en) 1998-04-28 2002-06-18 Terastor Corporation Optical head with solid immersion lens and varying cross section coil
JP2000012453A (ja) 1998-06-18 2000-01-14 Nikon Corp 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2000065929A (ja) 1998-08-21 2000-03-03 Olympus Optical Co Ltd 距離測定方法及び距離測定装置
JP4065923B2 (ja) 1998-09-29 2008-03-26 株式会社ニコン 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法
KR20010041257A (ko) 1998-12-25 2001-05-15 오노 시게오 반사굴절 결상 광학계 및 그 광학계를 구비한 투영 노광장치
JP2000276805A (ja) 1999-03-19 2000-10-06 Fujitsu Ltd 光学ヘッドおよびこれに用いるコイル組立体
TWI242111B (en) * 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
US6671246B1 (en) 1999-04-28 2003-12-30 Olympus Optical Co., Ltd. Optical pickup
JP2000003874A (ja) 1999-06-15 2000-01-07 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
JP2001110707A (ja) 1999-10-08 2001-04-20 Orc Mfg Co Ltd 周辺露光装置の光学系
US6600608B1 (en) 1999-11-05 2003-07-29 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric objective comprising two intermediate images
JP2002118058A (ja) 2000-01-13 2002-04-19 Nikon Corp 投影露光装置及び方法
TWI283798B (en) 2000-01-20 2007-07-11 Asml Netherlands Bv A microlithography projection apparatus
JP2005233979A (ja) 2000-02-09 2005-09-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP2001228401A (ja) 2000-02-16 2001-08-24 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
JP2002100561A (ja) 2000-07-19 2002-04-05 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
JP3514439B2 (ja) 2000-04-20 2004-03-31 キヤノン株式会社 光学要素の支持構造、および該支持構造を用いて構成された露光装置と、該装置によるデバイス等の製造方法
US6556364B2 (en) 2000-04-25 2003-04-29 Michael F. Meehan Apparatus, system, and method for precision positioning and alignment of a lens in an optical system
EP1277073B1 (en) 2000-04-25 2006-11-15 ASML Holding N.V. Optical reduction system with control of illumination polarization
AU2001257191A1 (en) 2000-04-25 2001-11-07 Silicon Valley Group Inc Optical reduction system with elimination of reticle diffraction induced bias
US6411426B1 (en) 2000-04-25 2002-06-25 Asml, Us, Inc. Apparatus, system, and method for active compensation of aberrations in an optical system
JP4258596B2 (ja) 2000-05-30 2009-04-30 株式会社 畠中醤油 海水を用いた酒類の製造方法
JP2002057097A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Nikon Corp 露光装置、及びマイクロデバイス並びにその製造方法
JP2001356263A (ja) 2000-06-12 2001-12-26 Pioneer Electronic Corp 組み合わせ対物レンズ、光ピックアップ装置、光学式記録再生装置及び組み合わせ対物レンズ製造方法
US7097111B2 (en) 2000-07-21 2006-08-29 Gun Valley Temperature Controls Llc Environmental control system and method for storage buildings
US6486940B1 (en) 2000-07-21 2002-11-26 Svg Lithography Systems, Inc. High numerical aperture catadioptric lens
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
JP2002093690A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP4245286B2 (ja) 2000-10-23 2009-03-25 株式会社ニコン 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
US20020089758A1 (en) 2001-01-05 2002-07-11 Nikon Corporation Optical component thickness adjustment method, optical component, and position adjustment method for optical component
JP2002236242A (ja) 2001-02-09 2002-08-23 Nikon Corp 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法
DE10113612A1 (de) 2001-02-23 2002-09-05 Zeiss Carl Teilobjektiv in einem Beleuchtungssystem
CN1244196C (zh) 2001-04-24 2006-03-01 三菱电机株式会社 同步电动机的控制装置
WO2002091078A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
DE10124566A1 (de) 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Optisches Abbildungssystem mit Polarisationsmitteln und Quarzkristallplatte hierfür
DE10128272A1 (de) 2001-06-12 2002-12-19 Perkin Elmer Bodenseewerk Zwei Ofen
JP2002373849A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
EP1280007B1 (en) 2001-07-24 2008-06-18 ASML Netherlands B.V. Imaging apparatus
JP2003059803A (ja) 2001-08-14 2003-02-28 Canon Inc 露光装置
US6600547B2 (en) * 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
JP2003114387A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置
EP1446703A2 (en) * 2001-11-07 2004-08-18 Applied Materials, Inc. Optical spot grid array printer
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
JP2003303751A (ja) 2002-04-05 2003-10-24 Canon Inc 投影光学系、該投影光学系を有する露光装置及び方法
WO2003085708A1 (fr) 2002-04-09 2003-10-16 Nikon Corporation Procede d'exposition, dispositif d'exposition et procede de fabrication dudit dispositif
JP4292497B2 (ja) 2002-04-17 2009-07-08 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置および露光方法
EP1536577A1 (en) 2002-07-19 2005-06-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Burst signal extinction ratio control circuit, integrated circuit thereof, burst signal extinction ratio control method, computer program, and laser diode drive circuit
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
JP2004145269A (ja) 2002-08-30 2004-05-20 Nikon Corp 投影光学系、反射屈折型投影光学系、走査型露光装置及び露光方法
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
US7372541B2 (en) 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI232357B (en) * 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN101424881B (zh) * 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
EP2495613B1 (en) 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121819A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
AU2003297669A1 (en) 2002-12-06 2004-06-30 Newport Corporation High resolution objective lens assembly
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
EP1571696A4 (en) 2002-12-10 2008-03-26 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE
EP1571700A4 (en) 2002-12-10 2007-09-12 Nikon Corp OPTICAL DEVICE AND PROJECTION EXPOSURE DEVICE USING THE OPTICAL DEVICE
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
KR20130010039A (ko) 2002-12-10 2013-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP1571694A4 (en) 2002-12-10 2008-10-15 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR20050085236A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4595320B2 (ja) 2002-12-10 2010-12-08 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
KR20120127755A (ko) 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
EP1571698A4 (en) 2002-12-10 2006-06-21 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
JP4184346B2 (ja) 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
DE60307322T2 (de) 2002-12-19 2007-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
USRE48515E1 (en) 2002-12-19 2021-04-13 Asml Netherlands B.V. Method and device for irradiating spots on a layer
JP2004205698A (ja) 2002-12-24 2004-07-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
JP2004228497A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Nikon Corp 露光装置及び電子デバイスの製造方法
JP4604452B2 (ja) 2003-02-26 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
EP3301511A1 (en) 2003-02-26 2018-04-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4353179B2 (ja) 2003-03-25 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4129002B2 (ja) 2003-03-28 2008-07-30 富士通株式会社 光照射ヘッドおよび情報記憶装置
JP4265257B2 (ja) 2003-03-28 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、フィルム構造体
ATE426914T1 (de) 2003-04-07 2009-04-15 Nikon Corp Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
SG10201604762UA (en) 2003-04-10 2016-08-30 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
KR101409565B1 (ko) 2003-04-10 2014-06-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
WO2004090577A2 (en) 2003-04-11 2004-10-21 Nikon Corporation Maintaining immersion fluid under a lithographic projection lens
SG10201803122UA (en) 2003-04-11 2018-06-28 Nikon Corp Immersion lithography apparatus and device manufacturing method
ATE542167T1 (de) 2003-04-17 2012-02-15 Nikon Corp Lithographisches immersionsgerät
TWI237307B (en) 2003-05-01 2005-08-01 Nikon Corp Optical projection system, light exposing apparatus and light exposing method
JP2004333761A (ja) 2003-05-06 2004-11-25 Nikon Corp 反射屈折型の投影光学系、露光装置、および露光方法
EP2672307A3 (en) 2003-05-06 2014-07-23 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
JP2005115127A (ja) 2003-10-09 2005-04-28 Nikon Corp 反射屈折投影光学系、露光装置及び露光方法
EP2282233A1 (en) 2003-05-13 2011-02-09 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI614794B (zh) 2003-05-23 2018-02-11 Nikon Corp 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
TWI518742B (zh) 2003-05-23 2016-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
EP1480065A3 (en) 2003-05-23 2006-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2004356205A (ja) 2003-05-27 2004-12-16 Tadahiro Omi スキャン型露光装置および露光方法
US7274472B2 (en) * 2003-05-28 2007-09-25 Timbre Technologies, Inc. Resolution enhanced optical metrology
KR20060009956A (ko) 2003-05-28 2006-02-01 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
DE10324477A1 (de) 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
US7684008B2 (en) * 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101436003B (zh) 2003-06-19 2011-08-17 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4343597B2 (ja) * 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1498778A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6809794B1 (en) * 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1494079B1 (en) 2003-06-27 2008-01-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic Apparatus
EP2853943B1 (en) 2003-07-08 2016-11-16 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
WO2005006417A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1646075B1 (en) 2003-07-09 2011-06-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
SG109000A1 (en) * 2003-07-16 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4492600B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
EP2278402B1 (en) 2003-08-26 2013-03-06 Nikon Corporation Exposure apparatus
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261740B1 (en) 2003-08-29 2014-07-09 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101477850B1 (ko) 2003-08-29 2014-12-30 가부시키가이샤 니콘 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
JP4288426B2 (ja) 2003-09-03 2009-07-01 株式会社ニコン 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法
JP4378136B2 (ja) * 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3870182B2 (ja) * 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4218475B2 (ja) 2003-09-11 2009-02-04 株式会社ニコン 極端紫外線光学系及び露光装置
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
EP1519230A1 (en) * 2003-09-29 2005-03-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4470433B2 (ja) 2003-10-02 2010-06-02 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4605014B2 (ja) 2003-10-28 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
JP2005159322A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
JP3984950B2 (ja) * 2003-11-12 2007-10-03 キヤノン株式会社 照明光学系及びそれを有する露光装置
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005175016A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005175034A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
JP2005175176A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
JP2005191381A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2005191393A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
US7088422B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
DE602004027162D1 (de) 2004-01-05 2010-06-24 Nippon Kogaku Kk Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005209769A (ja) 2004-01-21 2005-08-04 Canon Inc 露光装置
JP4018647B2 (ja) * 2004-02-09 2007-12-05 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
CN100592210C (zh) 2004-02-13 2010-02-24 卡尔蔡司Smt股份公司 微平版印刷投影曝光装置的投影物镜
JP4370992B2 (ja) 2004-02-18 2009-11-25 株式会社ニコン 光学素子及び露光装置
JP2005257740A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP4577023B2 (ja) 2004-03-15 2010-11-10 ソニー株式会社 ソリッドイマージョンレンズ、集光レンズ、光学ピックアップ装置、光記録再生装置及びソリッドイマージョンレンズの形成方法
JP2005268700A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP4510494B2 (ja) * 2004-03-29 2010-07-21 キヤノン株式会社 露光装置
JP2005286068A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Canon Inc 露光装置及び方法
DE102004018659A1 (de) 2004-04-13 2005-11-03 Carl Zeiss Smt Ag Abschlussmodul für eine optische Anordnung
JP4474979B2 (ja) 2004-04-15 2010-06-09 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
US8488099B2 (en) 2004-04-19 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US20060244938A1 (en) * 2004-05-04 2006-11-02 Karl-Heinz Schuster Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
JP4444743B2 (ja) 2004-07-07 2010-03-31 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006024819A (ja) 2004-07-09 2006-01-26 Renesas Technology Corp 液浸露光装置、及び電子デバイスの製造方法
JP2006032750A (ja) 2004-07-20 2006-02-02 Canon Inc 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法
JP4599936B2 (ja) 2004-08-17 2010-12-15 株式会社ニコン 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法
KR101187611B1 (ko) 2004-09-01 2012-10-08 가부시키가이샤 니콘 기판 홀더, 스테이지 장치, 및 노광 장치
JP2006114196A (ja) 2004-09-14 2006-04-27 Sony Corp ソリッドイマージョンレンズとこれを用いた集光レンズ、光学ピックアップ装置、光記録再生装置及びソリッドイマージョンレンズの形成方法
JP2006114195A (ja) 2004-09-14 2006-04-27 Sony Corp レンズ保持体とこれを用いた集光レンズ、光学ピックアップ装置及び光記録再生装置
CN100477083C (zh) 2004-10-13 2009-04-08 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法及组件制造方法
JP4961709B2 (ja) 2004-10-13 2012-06-27 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2006114839A (ja) 2004-10-18 2006-04-27 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2006128192A (ja) 2004-10-26 2006-05-18 Nikon Corp 保持装置、鏡筒、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7423720B2 (en) 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7623218B2 (en) 2004-11-24 2009-11-24 Carl Zeiss Smt Ag Method of manufacturing a miniaturized device
JP2006222222A (ja) 2005-02-09 2006-08-24 Canon Inc 投影光学系及びそれを有する露光装置
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007019463A (ja) 2005-03-31 2007-01-25 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) * 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1881521B1 (en) 2005-05-12 2014-07-23 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus and exposure method
KR20080068013A (ko) 2005-11-14 2008-07-22 가부시키가이샤 니콘 액체 회수 부재, 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조방법
JPWO2007132862A1 (ja) 2006-05-16 2009-09-24 株式会社ニコン 投影光学系、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
EP2062098B1 (en) 2006-09-12 2014-11-19 Carl Zeiss SMT GmbH Optical arrangement for immersion lithography
KR100968459B1 (ko) 2008-11-10 2010-07-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치
US8864601B1 (en) 2013-03-08 2014-10-21 Callaway Golf Company Golf club head with improved aerodynamic characteristics

Also Published As

Publication number Publication date
KR100768945B1 (ko) 2007-10-19
US20130070219A1 (en) 2013-03-21
DE602006009174D1 (de) 2009-10-29
US10451973B2 (en) 2019-10-22
US20140375973A1 (en) 2014-12-25
JP5155277B2 (ja) 2013-03-06
KR20060115343A (ko) 2006-11-08
CN1858657B (zh) 2010-08-11
CN101281377A (zh) 2008-10-08
US9477153B2 (en) 2016-10-25
TW200702938A (en) 2007-01-16
US8248577B2 (en) 2012-08-21
SG126922A1 (en) 2006-11-29
US20170212422A1 (en) 2017-07-27
SG147422A1 (en) 2008-11-28
JP2006313904A (ja) 2006-11-16
EP1837705A3 (en) 2007-12-19
JP4749933B2 (ja) 2011-08-17
EP1720071B1 (en) 2009-09-16
EP1720071A3 (en) 2007-05-16
EP1720071A2 (en) 2006-11-08
US10488759B2 (en) 2019-11-26
EP1837705A2 (en) 2007-09-26
US20160026085A1 (en) 2016-01-28
JP2010050478A (ja) 2010-03-04
CN101281377B (zh) 2011-02-09
US8860924B2 (en) 2014-10-14
TWI349839B (en) 2011-10-01
CN1858657A (zh) 2006-11-08
US20060250601A1 (en) 2006-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4741372B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4679339B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4848003B2 (ja) 傾斜したシャワーヘッドを備える液浸リソグラフィシステムおよび液浸リソグラフィ方法
US20170219938A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
JP5161197B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2008219017A (ja) リソグラフィック装置、位置合せ装置、デバイス製造方法、位置合せ方法及び装置を変換する方法
US10488759B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008078648A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TWI311241B (en) Lithographic apparatus
JP2007052425A (ja) レンズ素子、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法