KR100768945B1 - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

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Abstract

침지 리소그래피 장치에는, 적어도 부분적으로 투영시스템과 기판 사이에 액체를 한정하도록 구성되는 공간을 형성하는 액체한정구조체가 제공된다. 이미징되고 있는 기판 에지의 크로싱(crossing)(침지 액체내의 버블의 산입(inclusion)을 야기할 수 있음)을 저감시키기 위하여, 기판과 평행한 평면에서의 공간의 단면적은 가능한 한 작게 만들어진다. 최소의 이론적인 크기는 투영시스템에 의해 이미징되는 타겟부의 크기이다. 일 실시예에서, 투영시스템 최종 요소의 형상은, 상기 타겟부의 크기 및/또는 형상에 대해 기판과 평행한 단면의 유사 크기 및/또는 형상을 갖도록 변형된다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
이하, 대응되는 참조부호가 대응되는 부분들을 나타내는 개략적인 첨부도면을 참조하여, 예시의 방법으로 본 발명의 실시예들에 대해 기술될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
도 2 및 3은 리소그래피 투영장치에 사용하기 위한 액체공급시스템;
도 4는 리소그래피 투영장치에 사용하기 위한 또 다른 액체공급시스템;
도 5는 리소그래피 투영장치에 사용하기 위한 추가 액체공급시스템;
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 액체한정구조체의 공간을 나타내는 개략적 평면도;
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 또 다른 액체한정구조체를 나타내는 개략적 평면도;
도 8은 본 발명에 다른 투영시스템의 최종요소와 액체한정구조체의 단면도;
도 9는 투영시스템의 최종요소의 단면도;
도 10은 도 9의 최종요소를 개략적으로 나타낸 도이다.
본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판, 통상적으로는 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 대안적으로는 마스크 또는 레티클이라 지칭되는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층상에 형성될 회로 패턴을 생성시키는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘웨이퍼)상의 (예를 들어, 1 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상에 전사(transfer)될 수 있다. 통상적으로, 패턴의 전사(transfer)는 기판상에 제공되는 방사선 감응재(레지스트) 층상으로의 이미징(imaging)을 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 전체패턴을 한번에 타겟부상에 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 패턴을 기판상에 임프린팅(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사하는 것도 가능하다.
기판과 투영시스템의 최종요소(예를 들어, 렌즈, 다른 광학 요소 또는 여타 구조체) 사이의 공간을 채우기 위하여, 상대적으로 높은 굴절률을 갖는 액체, 예를 들어 물에 리소그래피 장치의 기판을 침지시키는 방법이 제안되어 왔다. 이것의 핵 심은 노광 방사선이 상기 액체에서 보다 짧은 파장을 갖기 때문에 보다 작은 피처들의 묘화를 가능하게 한다는 것이다. (액체의 효과는 또한 시스템의 유효 NA를 증가시키고, 초점 깊이 또한 증가시키는 것으로 간주될 수도 있다.) 솔리드 입자(예를 들어, 쿼츠(quartz))를 내포한 물을 포함하는 여타 침지 액체들이 제안되어 왔다.
하지만, 액체의 바스내에 기판 또는 기판과 기판테이블을 침지시키는 것(예를 들어 본 명세서에서 인용 참조되는 미국특허 US 4,509,852 참조)은, 스캐닝 노광중에 가속화되어야 하는 많은 양(largy body)의 액체가 있어야 한다는 것을 의미한다. 이는 추가적이거나 보다 강력한 모터를 필요로 하며, 액체내의 난류가 바람직하지 않거나 예측불가능한 효과들을 야기할 수도 있다.
제안된 해결책 중 하나는, 액체공급시스템이, 액체한정시스템(liquid confinement system)을 사용하여, 단지 기판의 국부적인 영역에 그리고 투영시스템의 최종요소와 기판 사이에 액체를 제공하도록 하는 것이다(일반적으로, 기판은 투영시스템의 최종요소보다 큰 표면적을 가진다). 이러한 구성을 위해 제안된 한가지 방법이 WO 99/49504호에 개시되어 있으며, 그 전문이 본 명세서에서 인용참조되고 있다. 도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이, 액체는 1이상의 유입구(IN)에 의하여, 바람직하게는 최종요소에 대한 기판의 이동방향을 따라 기판상으로 공급되며, 투영시스템 아래를 통과한 후에는 1이상의 유출구(OUT)에 의하여 제거된다. 즉, 기판이 -X 방향으로 요소의 밑에서 스캐닝되기 때문에, 액체는 상기 요소의 +X 쪽에서 공급되고 -X 쪽에서 흡수(take up)된다. 도 2는, 액체가 유입구(IN)를 통하여 공급되 고 저 압력 소스에 연결된 유출구(OUT)에 의하여 요소의 다른 측상에서 흡수되는 구성을 개략적으로 도시하고 있다. 도 2의 예시에서, 액체는 최종요소에 대한 기판의 이동방향을 따라 공급되나, 반드시 이와 같을 필요는 없다. 최종요소 주위에 위치된 유입구들 및 유출구들의 방위 및 개수는 다양할 수 있으며, 도 3에는 양쪽에 유출구를 갖는 유입구의 4개의 세트들이 최종요소 주위에 규칙적인 패턴으로 제공되는 일례가 예시되어 있다.
침지 리소그래피 장치의 침지 액체내의 버블들의 존재는 묘화 품질에 악영향을 미치고, 침지 액체의 증발은 오버레이 오차를 야기할 수 있으며, 초점 제어 및 건조 스테인(drying stain)의 문제를 야기할 수 있다.
따라서, 예를 들어, 침지 액체내의 버블 형성 및 침지 액체의 증발을 저감시키는 것이 유리하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 기판을 잡아주도록 구성되는 기판테이블; 및
상기 기판의 타겟부상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성되고, 상기 기판에 바로 인접한 곳에, 기판과 실질적으로 평행한 평면에서 직선으로 이루어지는(rectilinear) 단면 형상을 갖는 요소를 갖는 투영시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 기판을 잡아주도록 구성된 기판테이블;
상기 기판의 타겟부상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영시스템; 및
상기 투영시스템과 상기 기판 사이에 액체를 포함하도록 구성된 공간을 적어도 부분적으로 형성하는 표면을 갖는 액체한정구조체를 포함하는 리소그래피 장치가 제공되며,
상기 기판에 가장 가까운 위치의, 기판과 실질적으로 평행한 평면에서, 상기 공간은 타겟부의 형상, 영역 또는 둘 모두에 실질적으로 일치하는(conform) 단면을 갖는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면,
기판을 잡아주도록 구성된 기판테이블;
패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하도록 구성된 투영시스템; 및
상기 기판과 상기 기판에 바로 인접한 투영시스템의 요소 사이에 액체를 포함하도록 구성된 공간을 적어도 부분적으로 형성하는 표면을 갖는 액체한정구조체를 포함하는 리소그래피 장치가 제공되며,
상기 기판과 실질적으로 평행한 평면에서, 상기 요소, 상기 공간 또는 둘 모두의 단면의 영역, 형상 또는 둘 모두는 상기 타겟부의 영역, 형상 또는 둘 모두와 실질적으로 일치한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 투영시스템을 사용하여 기판의 타겟부상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법이 제공되며, 상기 기판에 바로 인접한 상기 투영시스템의 요소는 직선을 이루는 기판과 실질적으로 평행한 평면에서 소정 단면형상을 갖는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 투영시스템을 사용하여 기판의 타겟부상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법이 제공되며, 적어도 부분적으로, 액체한정구조체의 표면에 의하여 상기 투영시스템과 상기 기판 사이에서 액체로 채워지도록 구성되는 공간이 형성되고, 상기 기판에 가장 가까운 위치의 상기 기판과 실질적으로 평행한 평면에서 상기 공간은 타겟부의 형상, 영역 또는 둘 모두와 실질적으로 일치하는 단면을 갖는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 투영시스템을 사용하여 기판의 타겟부상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법이 제공되며, 상기 투영시스템과 상기 기판 사이의 공간에 액체가 제공되고, 상기 공간은 적어도 부분적으로, 상기 액체한정구조체에 의하여 형성되며, 상기 공간, 상기 기판에 바로 인접한 투영시스템의 요소 또는 둘 모두는, 상기 타겟부의 크기, 형상 또는 둘 모두와 밀접하게 일치하는 기판과 실질적으로 평행한 평면에서 소정의 단면을 갖는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피장치를 개략적으로 나타내고 있다. 상기 장치는:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 콘디셔닝하도록 구성된 조명시스템(일루미네이터)(IL),
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 특정 파 라미터에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제1위치설정장치(PM)에 연결되는 지지구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 잡아주도록 구성되고, 특정 파라미터에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제2위치설정장치에 연결되는 기판테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 1이상의 다이를 포함)상으로 투영하도록 구성된 투영시스템(예를 들어, 굴절형 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소, 또는 그들의 조합과 같은 다양한 종류의 광학 구성요소를 포함할 수도 있다.
지지구조체는, 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 여타 조건들에 따르는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지시킨다. 상기 지지구조체는 패터닝 디바이스를 잡아주기 위하여 기계적 클램핑, 진공 클램핑, 정전기적 클램핑 또는 여타 클램핑 기술들을 사용할 수 있다. 지지구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지구조체는 패터닝 디바이스가, 예를 들어 투영시스템에 대해 원하는 위치에 자리할 수 있도록 할 수도 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
여기서 사용되는 "패터닝 디바이스(patterning device)"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 디바이스를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 예를 들어, 패턴이 위상-시프팅 피처들 또는 소위 어시스트 피처들을 포함한다면, 방사선 빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟부내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것에 유의해야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같이 타겟부에 생성되는 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례에서는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채용하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 상기 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의하여 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광방사선에 대해, 또는 침지 액체(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절하다면, 굴절광학시스템, 반사광학시스템 및 카타디옵트릭시스템, 자기광학시스템, 전자기광학시스템 및 정전기광학시스템 또는 그들의 조합을 포함하는 여하한의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서의 "투영렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과마스크를 채택하는) 투과형이다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그램가능한 거울 어레이를 채용하거나 반사형 마스크를 채용하는) 반사형으로 구성될 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼스테이지)이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광을 위해 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선소스(S0)로부터 방사선의 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체(entities)일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피장치의 부분을 형성하는 것으로 간주되지는 않으며, 상기 방사선은 예를 들어, 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스펜더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 상기 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 여타의 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요하다면 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라 칭해질 수도 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기구(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필평면내의 세기분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터(IL)는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 콘디셔닝하는데 사용될 수도 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지구조체(예를 들어, 마스크테이블(MT))상에서 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA))상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 마스크(MA)를 가로지른 상기 방사선 빔(B)은, 투영시스템(PS)을 통과하고, 상기 투영시스템(PS)은 기판(W)의 타겟부(C)상에 상기 빔을 투영한다. 제2위치설정장치(PW) 및 위치센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 선형 인코더(linear encoder) 또는 캐퍼서티 센서(capacitive sensor))의 도움으로, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정장치(PM) 및 또 다른 위치센서(도 1에 명확히 도시되지는 않았음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 제1위치설정장치(PM)의 일부를 형성한다. 이와 유사하게, 기판테이블(WT)의 이동은 제2위치설정장치(PW)의 일부를 형성하는 긴 행정 모듈 및 짧은 행정 모듈을 사용하여 실현될 수도 있다. (스캐너 와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 상기 마스크테이블(MT)은 단지 짧은 행정 액츄에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수도 있다. 예시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 할당된 타겟부를 점유하기는 하나, 그들은 타겟부들 사이의 공간들에 배치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있음). 이와 유사하게, 마스크(MA)상에 1이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 다이들 사이에 마스크 정렬 마크들이 배치될 수도 있다.
상술된 장치는 다음의 바람직한 모드들 중 1이상에서 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서, 마스크테이블(MT) 및 기판테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C)상에 투영된다{즉, 단일 정적 노광(single static exposure)}. 그런 후, 기판테이블(WT)은 X 및/또는 Y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 묘화되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크테이블(MT)과 기판테이블(WT)은 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다{즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)}. 마스크테이블(MT)에 대한 기판테이블(WT)의 속도 및 방향은 확대(축소) 및 투영시스템(PS)의 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수도 있다. 스캔 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 동적노광시 타켓부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스 캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안, 기판테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선펄스 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 종류의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
국부화된 액체공급시스템을 이용한 추가적인 침지 리소그래피 해법이 도 4에 도시되어 있다. 액체는 투영시스템(PL)의 어느 한 측상에 2개의 홈 유입구(IN)에 의하여 공급되며, 유입구(IN)의 반경방향 바깥쪽으로 배치되는 복수의 개별 유출구(OUT)에 의하여 제거된다. 유입구(IN 및 OUT)는, 중심에 홀이 있고 투영빔이 투영되는 플레이트에 배치될 수 있다. 액체는, 투영시스템(PL)의 일 측면상의 하나의 홈 유입구(IN)에 의하여 공급되고 투영시스템(PL)의 다른 일 측면상의 복수의 개별 유출부(OUT)에 의하여 제거되어, 투영시스템(PL)과 기판(W) 사이에 액체의 얇은 막의 유동을 야기한다. 유입구(IN)와 유출구(OUT)의 어떤 조합을 사용할 것인지에 대 한 선택은 기판(W)의 이동 방향에 달려 있을 수 있다(유입구(IN) 및 유출구(OUT)의 다른 조합은 비활성임(inactive)).
제안되어 온 국부화된 액체공급시스템의 해법을 갖는 또 다른 침지 리소그래피 해결책은, 액체공급시스템에 투영시스템의 최종요소와 기판테이블 사이의 공간 경계의 적어도 일부를 따라 연장되는 액체한정구조체를 제공하는 것이다. 도 5에 이러한 해법이 예시되어 있다. 액체한정구조체는, Z방향(광학 축선의 방향)으로 약간의 상대적인 움직임이 있을 수도 있으나, XY 평면에서의 투영시스템에 대해 실질적으로 정지해 있다. 일 실시예에서는, 액체한정구조체와 기판의 표면 사이에 시일(seal)이 형성된다. 일 실시예에서, 상기 시일은 가스 시일과 같은 무접촉 시일이다. 본 명세서에서 그 전문이 인용 참조되고 도 5에 예시된, 미국특허출원 US 2004-0207824 및 유럽특허출원 EP 1420298에 이러한 시스템이 개시되어 있다.
(때때로 슬릿 크기라 지칭되는) 타겟부(C)의 크기 및 형상은 광 믹서인 쿼츠 로드(quartz rod) 및/또는 상기 로드의 출구 부근에 위치되는 마스킹 유닛과 같은 조명 광학기들에 의해 결정될 수 있다.
도 4 또는 도 5에 예시된 것과 같은 실질적으로 정지된(stationary) 액체한정시스템 및 투영시스템(PL) 아래의 기판(W)과 기판테이블(WT)의 이동으로 인하여, 침지 액체상에 버블들이 형성될 수도 있다. 특히, 기판(W)의 에지가 침지 액체(11)에 의해 점유되는 공간 아래를 지날 때, 침지 액체내에 버블들이 형성되어, 장치의 이미징 품질을 저하시킨다.
통상적으로, 액체한정시스템들은 종래의 투영시스템(PL)과 함께 사용하도록 디자인되어 왔다. 이 시스템에서, 최종요소는 투영시스템의 광학 축선에 대해 실질적으로 수직한 평면(기판(W)과 실질적으로 평행한 평면과 동일)에서 원형 단면을 갖는 경향이 있다. 액체한정시스템을 작동시키기 위하여, 액체로 채워지는 공간의 단면적은 동일 평면에서 투영시스템 최종요소의 형상과 밀접하게 일치한다. 이는, 작은 볼륨내에 많은 구성요소들을 필요로 하는 액체공급시스템에 대한 가용 공간을 최대화시킬 수 있도록 디자인된다. 액체한정시스템의 몇몇 상이한 디자인들이 제안되어 왔다. 본 발명의 1이상의 실시예들은, 그들 각각의 전문이 본 명세서에서 인용 참조되는, 미국특허출원공보 US 2004-0263809, PCT 특허출원공보 WO 2004-090634, 유럽특허출원공보 EP 1420298, EP 1494079 EP 1477856, 그리고 2005년 4월 5일에 출원된, 미국특허출원 US 11/098,615를 포함하는 상이한 디자인들 모두에 적용가능하며, 이들로 제한되는 것은 아니다.
이하, 도 5에 예시된 액체한정구조체에 대해 상세히 기술된다. 하지만, 본 발명의 1이상의 실시예들은 이러한 타입의 액체한정구조체에 대한 적용으로만 제한되지 않는다.
도 5는, 투영시스템과 기판 스테이지 사이의 액체 저장소(liquid reservoir) 또는 공간(10)을 나타내고 있다. 상기 공간(10)은, 유입구/유출구 덕트(13)를 통해 제공되는, 상대적으로 높은 굴절률을 갖는 액체(11), 예를 들어 물로 채워진다. 상기 액체는, 투영빔의 방사선이 공기 또는 진공에서보다 짧은 액체내 파장을 갖는 효과가 있어, 보다 작은 피처들이 분해(resolve)될 수 있도록 한다. 본질적으로, 투영빔의 파장 및 시스템의 개구수에 의해 투영시스템의 분해능의 한계가 결정된다 는 것이 잘 알려져 있다. 액체의 존재는, 유효 개구수를 증가시키는 것으로도 간주될 수 있다. 나아가, 고정된 개구수에서, 액체는 필드의 깊이를 증가시키는데 효과적이다.
기판 표면과 투영시스템의 최종요소 사이의 공간(10)내에 액체가 한정되도록, 투영시스템의 이미지 필드 주위의 기판에 대해서 무접촉 시일이 일반적이다(formal). 상기 공간은 투영시스템(PL)의 최종요소 아래 및 그를 둘러싸도록 위치되는 액체한정구조체(12)에 의해 형성 또는 한정된다. 액체는 투영시스템의 아래 그리고 액체한정구조체(12)내의 공간(10)으로 옮겨진다. 액체한정구조체(12)는 투영시스템의 최종요소 약간 위에서 연장되고, 액체의 레벨은 액체의 버퍼가 제공되도록 상기 최종요소 위로 상승한다. 액체한정구조체(12)는, 일 실시예의 상단부에서 투영시스템의 스텝(step) 또는 그것의 최종요소와 밀접하게 일치하고, 예를 들어 둥글 수도 있는 내주부를 갖는다.
액체는, 액체한정구조체(12)의 저부와 기판(W)의 표면 사이의 가스 시일(16)에 의해 공간(10)내에 한정된다. 가스 시일은, 유입구(15)를 통해 액체한정구조체(12)와 기판 사이의 갭으로 가압되어 제공되는 가스, 예를 들어 공기, 합성 공기, N2 또는 불활성 가스에 의하여 형성된다. 가스 유입구(15)상의 과도압력(overpressure), 제 1 유출부(14)상의 진공 레벨 및 갭의 기하학적 형상은, 액체를 한정하는, 안쪽을 향하는 고속의 가스 유동이 존재하도록 구성된다.
다른 타입의 액체한정구조체(12)가 사용될 수도 있다. 예를 들어, 그 전문이 본 명세서에서 인용 참조되는, 2005년 4월 5일에 출원된 미국특허출원 US 11/098,615에 개시된 바와 같이, 단일 형상의 익스트랙터(extractor), 후퇴부 및 가스 나이프의 조합으로 대체될 수도 있다. 대안적으로, 가스 시일은, 그 전문이 본 명세서에서 인용 참조되는, 미국특허출원공보 US 2005-018155에 기술된 바와 같이, 유체정역학 또는 유체동역학적 베어링으로 대체될 수도 있다.
액체에 의해 점유되는 공간(10)이, 스캐닝시 기판(W)의 에지에 걸쳐 소진되는 시간의 양을 저감 또는 최소화시키고, 침지 액체가 증발할 수도 있는 기판의 최상부 표면의 영역을 저감 또는 최소화시키기 위하여, 기판과 가장 가까운 위치의 기판(W)의 최상부 표면과 평행한 표면에서, 공간(10)의 단면은 타겟부(TP)(때때로 조명 슬릿 영역이라 칭해짐)의 형상과 밀접하게 일치하도록 되어 있다. 이것이 도 6에 예시되어 있다. 액체한정구조체(12)의 평면도인 도 6으로부터 알 수 있듯이, 상기 공간(10)은, 액체한정구조체(12) 하부 표면에서의 공간의 하부 개구부(60)와 액체한정구조체(12) 상부 표면에서의 상부 개구부(60) 사이에서 연장되는 벽(20)에 의해 형성된다. 도 6에서, 상부 개구부(60)는, 액체한정구조체(12)가 투영시스템의 최종요소가 반경방향으로 대칭인 종래의 투영시스템(PL)과 함께 사용될 수 있도록 원형이며, 기판(W)과 가장 가까운 저부 개구부(40)는 직사각형이고 타겟부(TP)의 형상과 밀접한 형상으로 일치한다. 또한, 하부 개구부(40)는, 물론 그것이 타겟부(TP)보다 작을 수는 없으나, 타겟부(TP)의 크기에 대해 밀접한 크기로 일치한다. 일 실시예에서, 하부 개구부(40), 또는 기판(W)이 가장 가까운 위치에서 기판(W)과 실질적으로 평행한 평면에서의 공간의 단면의 영역은 타겟부(TP)의 1.5배보다 작 고, 일 실시예에서는 타겟부(TP) 영역의 1.4, 1.3, 1.2 또는 1.1보다 작다. 이러한 차이는, '작동(play)'의 경우, 또는 이동이 신중하게 수행될 수 있도록 하는 경우에 최종요소에 대한 액체공급시스템의 상대적인 움직임을 고려하기 위한 것이다.
액체가 한정되는 공간(10)을 형성하는 액체한정구조체(12)의 표면(20)은 상부 개구부(60)의 형상으로부터 하부 개구부(40)까지 원활하게 이전되도록(transfer) 형상화되고, 투영시스템의 최종요소의 형상을 수용하며, 한정시스템의 일부 상대적인 움직임을 허용하는데, 에에 대해서는 본 명세서에서 그 전문이 인용 참조되는 유럽특허출원공보 EP 1477856에 개시되어 있다. 하지만, 이러한 형상 이전은 유동 조건에서 어려움들을 초래할 수 있으며, 따라서, 일 실시예에서는 상부 및 하부 개구부(40, 60)의 형상들이, 예컨대 적어도 둘 모두 직선으로 이루어진, 유사한 형상이다. 특히, 이것은 투영시스템이 기판 가까이에 있는 경우 구성하기가 용이하다. 투영시스템이 기판으로부터 멀리 위치할 수록, 투영시스템의 저부는 보다 큰 각도로 인해 보다 원형을 이룰 필요가 있다(더욱 퓨필 형상이 되려는 경향이 존재함). 직선을 이루는 상황은, 상부 개구부(60)가 정사각형이고, 하부 개구부(40)가 직사각형인 도 7에 예시되어 있다. 이 구성에서는, 침지 액체의 재-순환(re-circulation) 없이 타겟부(TP)를 가로지르는 침지 액체의 평행 유동을 달성하기가 쉬워야 한다. 재순환되는 침지 액체는 재순환되지 않는 침지 액체보다 투영시스템에 의해 더 가열될 수 있고, 온도 변화가 공간내의 침지 액체의 굴절지수에 있어서의 변화를 야기할 수 있기 때문에, 침지 액체의 재순환은 회피되어야 한다.
액체한정구조체(12)내 공간의 하부 개구부(40)의 크기가, 그것의 단면 형상 및/또는 크기를 타겟부의 단면 형상 및/또는 크기와 밀접하게 일치시키거나 유사하게 구성함으로써, 도 6 및 7에 예시된 바와 같이 저감 또는 최소화된다면, 전체 기판(W)의 스캐닝시 개구부(40)가 기판의 에지에 걸쳐 지나가는(pass over) 스캔의 수가 크게 저감된다. 따라서, 기판 에지를 지남으로 인한 공간(10)내 침지 액체에서의 버블 형성에 대한 가능성이 저감되고, 따라서 침지 액체가 증발할 수 있는 영역이 저감된다.
도 8-10은, 다른 작동 조건, 예컨대 타겟부(TP)에 걸친 침지 액체의 평행 유동을 발생시키는 능력에 악영향을 미치거나 액체공급시스템에 대한 가용 볼륨을 저감시키지 않고, 하부 개구부(40)의 크기가 타겟부(TP)의 형상 및/또는 크기와 밀접하게 일치하게 만들어질 수 있도록, 투영시스템의 최종 요소와 액체한정시스템(12) 둘 모두가 최적화된 형상 및 기하학적 구조로 이루어진, 본 발명의 일 실시예를 예시하고 있다. 실제로, 이 실시예는 종래 시스템에 걸친 액체공급시스템에 대한 가용 볼륨을 증가시킬 수도 있다.
도 8에서는, 도 7에 예시된 것과 유사한 액체한정구조체(12)가 사용된다. 따라서, 공간의 하부 개구부(40)는, 예를 들어 기판(W)에 가장 가까운 위치에서, 기판(W)과 실질적으로 평행하고 기판(W)에 인접한 평면(PL2)에서 타겟부(TP)와 유사한 형상 및 치수로 이루어진다. 예시된 바와 같이, 액체한정구조체(12)는 투영시스템(PL)의 최종요소를 부분적으로 둘러싼다. 따라서, 기판(W) 최상부 표면의 평면과 실질적으로 평행하고, 액체한정구조체(12)에 의해 형성되는 공간(10)과 투영시스템 (PL) 최종요소의 하단부 둘 모두와 교차하는(intersect) 평면(PL1)이 존재한다. 이 평면에서, 공간의 단면 형상 및 크기는 투영시스템(PL) 최종 요소의 단면 형상 및 크기와 유사하다. 따라서, 도 6의 액체한정구조체(12)와 함께 사용되는 투영시스템의 최종요소와 대조적으로, 투영시스템(PL)의 최종요소는, 상기 공간을 형성하는 액체한정구조체(12)의 내측 표면이, 직선 라인으로부터 곡선 라인으로의 전환을 요하지 않고 하부 개구부로부터 상부 개구부(60)으로의 형상 이전이 가능하도록, 상기 평면에서 직사각형 또는 정사각형의 단면을 갖도록 형상화된다. 이것은, 타겟부(TP)에 걸친 침지 액체의 평행 유동의 조성을 돕고 벽(20)의 형상화를 단순화시킨다. 투영시스템과 기판 사이의 거리가 증가함에 따라, 균질한 침지 액체의 중요성이 증가하므로, 평행 유동이 훨씬 더 바람직하다. 벽(20)들 모두는 실질적으로 편평하다. 일 실시예에서, 하부 개구부 및 상부 개구부의 형상, 및 이로 인한 투영시스템(PL) 최종요소의 단면 형상은 타겟부의 형상과 유사하다.
도 8에는, 기판(W)이 접근함에 따라 축소되는, 기판(W)과 실질적으로 평행한 평면에서의 단면을 갖는 공간(10)이 예시된다. 이는, 반드시 그러해야 하는 것은 아니며, 액체한정구조체(12)에 의해 형성되는 공간의 측벽들이 평행한 단면을 이루도록 상부 및 하부 개구부(40, 60)가 동일하거나 또는 실질적으로 동일한 크기로 구성될 수도 있다. 도 8에 예시된 바와 같이, 기판(W)이 떠나거나/도달됨에 따른 단면적의 증가/감소의 비율(rate)은 반드시 일정하지는 않으며, 내측 측벽(20)의 2개의 구배, 즉 기판(20)과 투영시스템의 실질적 저부 사이에 급경사의(steep) 구배 및 상기 구배보다 완만한(shallower) 구배를 갖는 공간(10)이 제공된다.
도 9는 투영시스템의 최종 요소를 예시하고 있다. 점선은 투영시스템의 통상적인 최종 요소의 형상을 나타내고, 상기 최종 요소의 부분들은 사용시 최종 요소의 광학적 특성들에 영향을 미치지 않고 제거될 수 있다. 점선으로 도시된 영역들을 기계가공해 제거하는 것은 이러한 요소의 한가지 제조 방법이다. 따라서, 최종 요소의 저부 표면은 액체한정구조체(12)의 공간이 곡선의 상부 개구부(60)를 사용할 필요 없이 밀접하게 형성될 수 있는 형상이다. 최종 요소의 바닥은 코팅(100)(또는 쿼츠 플레이트 또는 소위 애브슬러스플레이트(abslusspatte)(100))이 적용되는 것으로 예시되어 있다. 상기 코팅 또는 쿼츠 플레이트(100)는 평탄한 것으로 도시되어 있다. 하지만, 반드시 그러한 것은 아니며, 최종 요소의 바닥의 표면이 만곡될 수도 있고 코팅이나 쿼츠 플레이트가 적용되거나 그렇지 않을 수도 있다.
도 10은 만곡된 상부 표면으로부터 만곡되지 않은 저부 표면까지의 전이부가 명확히 보여지는 투영시스템 최종 요소의 3차원도이다. 상기 요소의 최상부의 절반은 통상적으로 형성되어 있고, 상기 요소의 저부의 절반은 직선 에지(70)에 의하여 결합되는 평탄한 측면을 갖는, 즉 기판(W)과 실질적으로 평행한 평면에서 직선을 이루는 단면 형상을 갖는다.
또한, 본 발명의 일 실시예는, 타겟부가, 평면에 있어 투영시스템 중앙부 아래에서 센터링되도록 투영빔이 배치되는 오프 액시스(off axis) 투영시스템에 적용가능하다.
각각 본 명세서에서 인용 참조되는, 유럽특허출원공보 EP 1420300 및 미국특 허출원공보 US 2004-0136494에서는, 트윈 또는 듀얼 스테이지 침지 리소그래피 장치의 아이디어거 개시되어 있다. 이러한 장치에는 기판을 지지하는 2개의 테이블이 제공된다. 레벨링 측정들은 제 1 위치를 테이블을 이용하여 침지 액체 없이 수행되고, 노광은 침지 액체가 존재하는 제 2 위치의 테이블을 이용하여 수행된다. 대안적으로 상기 장치는 단 하나의 테이블을 가질 수도 있다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 본 명세서에서 기술된 리소그래피장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 여타의 응용례를 가질 수도 있다는 것을 이해하여야 한다. 이러한 대안적인 응용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해해야 한다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(통상적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판처리툴과 여타의 기판처리툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 여러번 처리된 층들을 이미 포함하고 있는 기판을 칭할 수도 있다.
광학 리소그래피와 관련해 본 발명의 실시예들을 사용하여 특정한 언급이 있었으나, 본 발명은, 여타 응용례, 예를 들어, 임프린트 리소그래피에서 사용될 수 도 있으며, 상황이 허락한다면 광학 리소그래피로만 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스의 토포그래피(topography)는 기판상에 생성된 패턴을 한정한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그들의 조합을 적용함으로써 레지스트가 경화되는(cured) 기판으로 공급되는 레지스트의 층내로 프레싱될 수도 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트로부터 이동되어, 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남긴다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)선, 및 (예를 들어, 파장이 5-20㎚ 범위에 있는) 극자외(EUV)선을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선 뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포괄한다.
본 명세서에서 사용되는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기적 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 하나 또는 그들의 조합을 지칭할 수도 있다.
본 발명의 특정 실시예들에 대해 상술하였으나, 본 발명은 설명된 것과는 달리 실행될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 본 발명은, 상술된 바와 같은 방법을 설명하는 기계-판독가능 명령어들의 1이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램이나, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 내부에 저장되는 데이터 저장매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
본 발명의 1이상의 실시예들은 여하한의 침지 리소그래피 장치에 적용될 수 있는데, 특히, 이들로 제한되지는 않지만, 상술된 타입들 및 침지 액체가 바스 (bath) 형상으로 제공되거나 기판의 국부화된 표면상에만 제공될 수도 있다. 본 명세서에서 고려되는 액체공급시스템은 광범위하게 해석되어야 한다. 특정 실시예에서는, 투영시스템과 기판 및/또는 기판테이블 사이의 공간에 액체를 제공하는 기구 또는 구조체들의 조합이 있을 수 있다. 그것은 액체를 상기 공간으로 제공하는, 1이상의 구조체들, 1이상의 액체 유입구, 1이상의 가스 유입구, 1이상의 가스 유출구 및/또는 1이상의 액체 유출구의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 공간의 표면은 기판 및/또는 기판테이블의 일 부분이거나, 또는 상기 공간의 표면이 기판 및/또는 기판테이블의 표면을 완전하게 커버링하거나, 또는 상기 공간이 기판 및/또는 기판테이블을 둘러쌀 수도 있다. 선택적으로, 액체공급시스템은 액체의 위치, 양, 품질, 형상 유속 또는 여타의 특징들을 제어하기 위한 1이상의 요소를 더 포함할 수도 있다.
상술된 설명은 예시에 지나지 않으며, 제한의 의도는 없다. 따라서, 당업자라면, 후술되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않는 선에서 본 발명에 대한 수정들이 이루어질 수도 있다는 것을 명백히 이해할 것이다.
침지 리소그래피 장치의 침지 액체내의 버블들의 존재는 묘화 품질에 악영향을 미치고, 침지 액체의 증발은 오버레이 오차를 야기할 수 있으며, 초점 제어 및 건조 스테인의 문제를 야기할 수 있기 때문에, 본 발명에 따르면, 예를 들어, 침지 액체내의 버블 형성 및 침지 액체의 증발을 저감시켜 상술된 문제를 해결할 수 있다.

Claims (21)

  1. 리소그래피 장치에 있어서,
    기판을 잡아주도록 구성된 기판테이블; 및
    상기 기판의 타겟부상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성되고, 상기 기판에 바로 인접한 곳에, 상기 기판과 실질적으로 평행한 평면에서 직선으로 이루어지는(rectilinear) 단면 형상을 갖는 요소를 갖는 투영시스템을 포함하며,
    상기 요소의 상기 기판에 가장 가까운 저부 표면은 단면이 만곡된 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단면 형상은 상기 타겟부의 형상과 유사한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 타겟부는 실질적으로 직사각형인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판과 실질적으로 평행한 평면에서 상기 요소의 단면 형상은 상기 타겟부 영역의 1.5보다 작은 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    적어도 부분적으로 상기 투영시스템과 상기 기판 사이에 액체를 한정하도록 구성되는 공간을 형성하는 표면을 갖는 액체한정구조체를 더 포함하되, 상기 기판과 실질적으로 평행한 평면에서, 상기 공간은 상기 타겟부의 형상과 실질적으로 일치하는 형상의 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 공간의 단면은 상기 타겟부 영역의 1.5배보다 작은 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 액체한정구조체의 표면은 상기 요소의 기판과 가장 가까운 저부 표면을 넘어 연장되고, 상기 공간 및 상기 요소 둘 모두와 교차하며 상기 기판과 실질적으로 평행한 평면에서, 상기 공간 및 요소의 단면 형상 및 영역들은 밀접하게 일치하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  9. 리소그래피 장치에 있어서,
    기판을 잡아주도록 구성되는 기판테이블;
    패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하도록 구성되는 투영시스템; 및
    적어도 부분적으로 상기 투영시스템과 상기 기판 사이에 액체를 한정하도록 구성되는 공간을 형성하는 표면을 갖는 액체한정구조체를 포함하고,
    상기 기판과 가장 가까운 위치에서의 상기 기판과 실질적으로 평행한 평면에서, 상기 공간은 상기 타겟부의 형상과 실질적으로 일치하는 단면을 갖으며, 상기 공간의 단면은 상기 타겟부 영역의 1.5배보다 작은 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  10. 삭제
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판과 실질적으로 평행하고, 투영시스템의 최종 요소와 상기 공간 둘 모두와 교차하는 평면에서, 상기 최종 요소의 단면의 주변부는 상기 공간 단면의 주변부에 의해 실질적으로 균일하게 둘러싸이는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    투영시스템의 최종 요소가 상기 타겟부, 상기 공간의 단면, 또는 둘 모두의 형상과 실질적으로 일치하는 형상을 갖는, 기판과 실질적으로 평행한 평면에서 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 타겟부는 실질적으로 직사각형인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  14. 리소그래피 장치에 있어서,
    기판을 잡아주도록 구성된 기판테이블;
    패터닝된 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영하도록 구성된 투영시스템; 및
    상기 기판과 상기 기판에 바로 인접한 투영시스템의 요소 사이에 액체를 한정하도록 구성되는 공간을 적어도 부분적으로 형성하는 표면을 갖는 액체한정구조체를 포함하고,
    상기 기판과 실질적으로 평행한 평면에서, 상기 요소의 단면의 영역, 형상 또는 둘 모두가 상기 타겟부의 영역, 형상 또는 둘 모두와 실질적으로 일치하며, 상기 기판과 실질적으로 평행한 평면에서의 상기 공간의 단면 형상은 상기 기판으로부터 가장 먼 위치에서부터 상기 기판에 가장 가까운 위치로 변화되며, 상기 기판에 가장 가까운 위치에서 상기 단면 형상은 상기 타겟부의 형상과 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 공간은, 상기 기판이 접근함에 따라 상기 기판과 실질적으로 평행한 평면에서의 상기 공간의 단면적이 저감되도록 테이퍼지는(taper) 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  16. 삭제
  17. 디바이스 제조방법에 있어서,
    투영시스템을 사용하여, 기판의 타겟부상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계를 포함하고,
    상기 기판에 바로 인접한 투영시스템의 요소는 상기 기판과 실질적으로 평행한 평면에서 직선으로 이루어진 단면 형상을 갖고, 상기 기판에 가장 가까운 만곡된 단면의 저부 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  18. 디바이스 제조방법에 있어서,
    투영시스템을 사용하여 기판의 타겟부상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계를 포함하고,
    상기 투영시스템과 상기 기판 사이를 액체로 채우도록 구성된 공간이 액체한정구조체의 표면에 의하여 적어도 부분적으로 형성되고, 상기 기판과 가장 가까운 위치의 상기 기판과 실질적으로 평행한 평면에서 상기 공간은 상기 타겟부의 형상과 실질적으로 일치하는 단면을 갖으며, 상기 공간의 단면은 상기 타겟부 영역의 1.5배보다 작은 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  19. 디바이스 제조방법에 있어서,
    투영시스템을 사용하여 기판의 타겟부상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계를 포함하고,
    상기 투영시스템과 상기 기판 사이의 공간에 액체가 제공되고, 상기 공간은 액체한정구조체의 표면에 의하여 적어도 부분적으로 형성되며, 상기 공간, 상기 기판과 바로 인접한 투영시스템의 요소는, 상기 타겟부의 크기, 형상 또는 둘 모두와 실질적으로 일치하는, 상기 기판과 실질적으로 평행한 평면에서의 단면을 갖으며, 상기 기판과 실질적으로 평행한 평면에서의 상기 공간의 단면 형상은 상기 기판으로부터 가장 먼 위치에서부터 상기 기판에 가장 가까운 위치로 변화되며, 상기 기판에 가장 가까운 위치에서 상기 단면 형상은 상기 타겟부의 형상과 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  20. 제14항에 있어서,
    상기 기판에 가장 가까운 위치에서 상기 공간의 단면 영역은 상기 타겟부의 영역의 1.5배보다 적은 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치
  21. 제14항에 있어서,
    상기 기판에 가장 가까운 위치에서 상기 공간의 단면 영역은 타겟부의 크기와 일치하는 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
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