KR970024163A - 반도체 소자의 터미네이션 구조 및 그 제조방법(termination structure for semiconductor devices and process for manufacture thereof) - Google Patents

반도체 소자의 터미네이션 구조 및 그 제조방법(termination structure for semiconductor devices and process for manufacture thereof) Download PDF

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클레버터 레슬리 씨.
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Abstract

본 발명은 반도체 소자 주변부의 소자 브레이크다운을 방지하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조 및 그 제조공정을 제공하며, 상기 터미네이션 구조는 필드 산화막영역의 일부의 상면에 위치하고 바람직하게는 그 베이스 영역의 일부를 오버레이(overlay)하는 폴리실리콘 필드평판을 포함하고, 상기 필드 평판은 상기 필드산화막의 에지의 약간 위쪽으로 연장형성되어 필드 상화막의 테이퍼영역을 방형화(square)시킬수 있으며, 또한 상기 터미네이션 구조는 반도체칩의 최소표면영역을 차지하며 추가적인 마스크 공정없이 제조된다.

Description

반도체 소자의 터미네이션 구조 및 그 제조방법(TERMINATION STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND PROCESS FOR MANUFACTURE THEREOF)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도3은 상기 도 2의 모스 소자를 라인 2-2에 따른 단면도.

Claims (53)

  1. 실리콘기판의 상부에 필드 절연물질층을 형성하는 단계와; 상기 필드절연물질층과 적어도 하나의 나머지 부분에 적어도 하나의 개구부를 형성하도록 상기 필드절연물질층의 적어도 하나의 선택된 부분을 패터닝하고 식각하는 단계와; 상기 필드절연물질층과 상기 필드절연층의 상기 나머지 부분의 상면에 적어도 하나의 개구부에 폴리실리콘층을 증착하는 단계와; 상기 필드절연물질층의 상기 나머지부분에 인접하고 상기 필드절연물질층의 적어도 하나의 개구부에 형성된 적어도 하나의 개별적인 제 1 부분을 각각 포함하는 다수개의 이격된 개구부를 상기 폴리실리콘층내에 형성하도록 상기 폴리실리콘층의 선택된 부분을 패터닝하고 식각하여 상기 폴리실리콘층의 일부는 폴리실리콘 필드 평판을 정의하는 상기 필드 절연물질층의 상면에 있도록 하는 단계와; 제 1확산 영역을 형성하도록 상기 폴리실리콘층의 상기 다수의 개구부의 상기 개별적인 제 1 부분의 하면에 위치한상기 실리콘 기판의 표면영역에 제 1 도전형 불순물을 주입하는 단계와; 상기 제 1 확산영역보다 얕고 좁은 제2 확산영역을 형성하도록 상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형 불순물을 상기 실리콘 기판의 상기 해당 표면영역에 주입하여 상기 제 1 확산영역이 상기 제 2 확산영역보다 더 깊고 더 넓게 하는 단계와;겹치는(overlaying) 절연층을 증착하는 단계와; 상기 폴리실리콘 필드 평판의 표면영역의 하측 표면영역을 노출시키는 제 1개구부와 상기 실리콘 기판의 상기 표면영역의 각각의 하측 표면영역을 노출시키는 제 2 개구부를 형성하도록 상기 겹치는 절연층의 선택된 부분을 패터닝하고 식각하는 단계와; 상기 겹치는 절연층의 상부와 상기 폴리실리콘 필드 평판의 상기 하층 표면영역 및 상기 실리콘 기판의 상기 하층 표면영역 상에 전도층을 증착하는 단계와; 상기 폴리실리콘 필드 평판에 접촉하는 적어도 하나의 전극 및 상기 실리콘 기판의 상기 하층 표면영역에 접촉하는 적어도 하나의 전극을 형성하도록 상기 전도층의 부분을 패터닝하고 식각하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체소자의 터미네이션 구조의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 폴리실리콘 필드 평판의 일부는 상기 제 1 확산영역의 일부의 상면에 포개져있는(overlie) 것을 특징으로 하는 반도체소자의 터미네이션 구조의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 이격된 개구부 각각의 쌍 사이에 위치한 상기 폴리실리콘층의 영역은 폴리실리콘핑거를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 터미네이션 구조의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 폴리실리콘 핑거의 폭은 충분히 작아서 상기 개구부의 각각의 쌍중의 하나의 제 1 확산영역이 상기 개구부의 각각의 쌍중의 또다른 하나의 제 1 확산영역에 오버랩되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 필드 절연물질층은 상기 반도체 소자와 경계를 이루고 스트리트(street)영역을 형성하는 제 2 개구부를 포함하고, 상기 폴리실리콘층은 상기 필드절연층의 상면에 위치하는 제 1 부분 및 소정의 전위에서 상기 스트리트 영역을 유지하도록 상기 스트리트 영역의 상면에 위치하는 제 2 부분을 가지는 등전위링을 포함하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 테미네이션 구조의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 필드 절연물질층을 패터닝하고 식각하는 단계는 상기 다수개의 이격된 개구부의 상기 제 1 부분과 경계를 이루는 상기 필드절연물질층의 가장자리(edge)가 경사진 모양을 갖도록 상기 필드 절연물질층을 등방성으로 식각하는 것을 포함하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 제 1 및 제 2 도전형의 불순물을 주입하는 단계는 상기 필드 절연물질층의 상기 경사진 가장자리를 통하여 상기 불순물을 주입하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조의 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 상기 폴리실리콘 필드 평판은 상기 필드 절연물질층의 상기 경사진 가장자리위로 연장형성되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조의 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 제1도전형은 P-형이고 상기 제 2 도전형은 N-형인 것을 특징으로하는 반도체 소자의 터미네이션 구조의 제조방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 도전형은 N-형이고 상기 제 2 도전형은 P-형인 것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 상기 폴리실리콘 필드 평판은 상기 폴리실리콘층의 개구부의 상기 제 1 부분과 연결되는 상기 필드 절연물질층의 가장자리위로 연장형성되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조의 제조방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 이격된 각각의 개구부는 상기 절연물질층의 상기 나머지부분의 상면에 형성된 각각의 제 2 부분을 포함하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조의 제조방법.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 필드 절연물질은 이산화막인 것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조의 제조방법.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 도전형 불순물을 주입하는 단계는 상기 불순물의 각각을 상기 실리콘 기판에 주입한후 상기 불순물을 드라이빙(driving)시키는 것을 포함하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조의 제조방법.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 겹치는 절연층은 저온 산화층인 것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조의 제조방법.
  16. 실리콘 기판의 상면에 형성되고 그 속에 적어도 하나의 개구부와 적어도 하나의 나머지 부분을 갖는 필드 절연물질층과; 상기 폴리실리콘층은 상기 필드절연물질층의 적어도 하나의 개구부내에 형성되고 상기 필드절연물질층의 상기 나머지부분에 인접한 적어도 하나의 개별적인 제 1 부분을 각각의 개구부가포함하는 다수개의 이격된 개구부를 가지고, 그의 일부는 폴리실리콘 필드 평판을 정의하는 상기 필드절연물질층의 상면에 위치하며, 상기 절연물질층내의 적어도 하나의 개구부내 및 상기 필드절연물질층의 상기 나머지 부분의 상면에 증착된 폴리실리콘층과; 상기 폴리실리콘 층의 상기 다수의 개구부의 상기 각각의 제 1 부분의 하면에 위치한 상기 실리콘 기판의 표면영역으로 주입된 제 1 도전형의 불순물로 형성된 제 1 확산영역과; 상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형의 불순물이 상기 실리콘 기판의 상기 해당 표면영역에 주입되어 상기 제 1 확산영역이 상기 제2 확산영역보다 더깊고 더 넓게 형성된 제 2 확산영역과, 상기 폴리실리콘 필드 평판의 하층 표면영역을 노출시키는 제 1 개구부와 상기 실리콘 기판의 상기 각각의 하층 표면영역을 노출시키는 제 2 개구부를 가지는 겹치는(overlaying) 절연층과, 상기 겹치는 절연층의 상측과 상기 겹치는 절연층의 제1 및 제 2 개구부에 증착되고, 상기 폴리실리콘 필드 평판에 접촉하는 적어도 하나의 전극과 상기 실리콘 기판의 상기 하층 표면영역에 접촉하는 적어도 하나의 전극을 포함하는 전도층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 터미네이션 구조.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 폴리실리콘 필드 평판의 일부는 상기 제 1 확산영역의 일부의 상면에 포개지는 것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조.
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 이격된 개구부의 각각의 쌍 사이에 위치한 상기 폴리실리콘의 영역은 폴리실리콘 핑거를 형성하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 폴리실리콘 핑거의 폭은 충분히 작아서 상기 개구부의 각각의 쌍중의 하나의 제1 확산영역이 상기 구멍의 각각의 쌍중의 또다른 하나의 제 1 확산영역에 겹치는(overlap)것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조.
  20. 제 16 항에 있어서, 상기 필드절연물질층은 상기 반도체 소자와 경계를 이루고 스트리트(street)영역을 형성하는 제 2 개구부를 포함하고, 상기 폴리실리콘층은 소정의 전위에서 상기 스트리트 영역을 유지하도록 상기 제 1 절연막의 상면에 위치하는 제 1 부분 및 상기 스트리트 영역의 상면에 위치하는 제 2 부분을 포함하는 등전위 링을 가지는 것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조.
  21. 제 16 항에 있어서, 상기 폴리실리콘 필드 평판은 상기 필드 절연물질층의 상기 경사진 가장자리위로 연장형성되는 것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조.
  22. 제 16 항에 있어서, 상기 제 1 도전형은 P-형이고 상기 제 2 도전형은 N-형인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 터미네이션 구조.
  23. 제 16 항에 있어서, 상기 제 1 도전형은 N-형이고 상기 제 2 도전형은 P-형인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 터미네이션 구조.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 폴리실리콘 필드 평판은 상기 폴리실리콘층의 상기 개구부의 상기 제 1 부분과 연결되는 상기 필드 절연물질층의 가장자리위로 연장형성 되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 터미네이션 구조.
  25. 제 16 항에 있어서, 상기 다수의 개구부의 각각은 상기 필드 절연물질층의 상기 나머지부분의 상면에 형성된 각각의 제 2 부분을 포함하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 터미네이션 구조.
  26. 제 16 항에 있어서, 상기 필드 절연물질은 이산화막인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 터미네이션 구조.
  27. 제 16 항에 있어서, 상기 겹치는 절연층은 저온 산화층인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 터미네이션 구조.
  28. 실리콘 기판의 상부에 필드절연물질층을 형성하는 단계와; 상기 필드절연물질층의 적어도 하나의 선택된 영역은 상기 필드절연물질층에 적어도 하나의 개구부와 적어도 하나의 나머지부분을 형성하도록 패터닝하고 식각하는 단계와; 상기 필드절연물질층의 상기 적어도 하나의 개구부의 상기 실리콘 기판상면에 게이트 절연물질층을 형성하는 단계와; 상기 필드절연물질층의 나머지부분과 상기 게이트 절연물질층의 상면에 폴리실리콘층을 증착하는 단계와; 상기 게이트절연물질층의 상면에 형성되고 상기 필드절연물질층의 상기 나머지부분에 인접한 하나의 개별적인 제 1 부분을 갖는 다수의 주변개구부를 포함하는 다수의 이격된 개구부를 상기 폴리실리콘층상에 형성하도록 상기 폴리실리콘층의 선택된 부분을 패터닝하고 식각하여 상기 필드산화물질층의 상면에는 폴리실리콘필드 평판을 정의하는 상기 필드절연물질층의 부분이 있도록 하는 단계와; 제1확산 영역을 형성하기 위하여 상기 폴리실리콘층의 상기 주변개구부의 상기 개별적인 제 1 부분의 하면에 위치한 상기 실리콘 기판의 표면영역에 제 1 도전형의 불순물을 주입하는 단계와; 제 2 확산영역을 형성하기 위하여 상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형의 불순물을 상기 실리콘 기판의 상기 해당 표면영역에 주입하는 단계와; 제 3 확산영역을 형성하도록 상기 제 1 도전형을 상기 실리콘기판의 표면영역에 주입하고, 상기 제 2 확상영역이 상기 제 3 확산영역보다 낮은 최종깊이를 갖고, 상기 제 1 확산영역은 상기 제 3 확산영역보다 깊고 넓으며 더 낮은 농도를 갖게 하도록 하는 단계와; 겹치는(overlaying) 절연층을 증착하는 단계와; 상기 겹치는 절연층에 상기 폴리실리콘 필드 평판의 하층 표면영역을 노출시키는 제 1 개구부와 상기 실리콘 기판의 상기 표면영역의 각각의 하측영역을 노출시키고 측벽을 갖는 제 2 개구부를 형성하도록 상기 겹치는 절연층의 선택된 부분을 패터닝하고 식각하는 단계와; 각 상기 실리콘 기판의 상기 표면영역의 상기 하층영역에 상기 제 2 확산영역의 깊이 보다 더 깊게 홈을 식각형성하는 단계와; 상기 실리콘기판의 상기 표면영역의 상기 하면영역의 상기 홈에 인접하여 상기 홈을둘러싸고 있는 상기 실리콘기판의 표면의 추가부를 노출시키는 언더컽(undercut)부분을 형성하도록 상기 측벽을 식가하는 단계와; 상기 겹치는 절연층의 상부와 상기 폴리실리콘 필드 평판의 상기 하층표면영역과 상기 홈의 바닥의 상기 제 3 확산영역, 및 상기 홈의 윗부분과 상기 실리콘 기판의 표면의 상기 추가부에 제공된 상기 제2 확산영역의 상부에 전도층을 증착하는 단계와; 상기 폴리실리콘 필드 평판에 접촉하는 적어도 하나의 게이트 접촉부 및 상기 제 2 와 제 3 확산영역에 접촉하는 적어도 하나의 소스접촉부를 형성하도록 상기 전도층의 부분을 패터닝하고 식각하는 단계로 이루어진 것을 특징으로하는 테미네이션 구조를 갖는 반도체소자의 제조방법.
  29. 제 28 항에 있어서, 상기 폴리실리콘 필드 평판의 일부는 상기 제 1 확산영역의 일부에 포개지는 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자의 제조방법.
  30. 제 28 항에 있어서, 상기 주변개구부의 각각의 쌍 사이에 위치한 상기 폴리실리콘층의 영역은 폴리실리콘 핑거를 형성하는 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자의 제조방법.
  31. 제 30 항에 있어서, 상기 폴리실리콘 핑거의 폭은 충분히 작아서 상기 주변개구부의 각각의 쌍중의 하나의 제 1 확산영역이 상기 주변개구부의 각각의 쌍중의 또 다른 하나의 제 1 확산영역에 겹쳐지는(overlap) 것을 특징으로하는 테미네이션 구조를 갖는 반도체소자의 제조방법.
  32. 제 28 항에 있어서, 상기 필드절연물질층은 상기 반도체 소자와 경계를 이루고 스트리트(street)영역을 형성하는 제 2 개구부를 포함하고, 소정의 전위에서 상기 스트리트 영역을 유지하도록 상기 폴리실리콘층은 상기 필드절연물질층의 상면에 위치하는 제 1부분 및 상기 스트리트 영역의 상면에 위치하는 제2 부분을 포함하는 등전위 링을 포함하는 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자의 제조방법.
  33. 제 28 항에 있어서, 상기 필드 절연물질층을 패터닝하고 식각하는 상기 단계는 상기 다수의 주변 개구부의 상기 제 1 부분과 경계를 이루는 상기 필드절연막의 가장자리가 경사진 모양을 갖도록 상기 필드 절연물질층을 등방성으로 식각하는 것을 포함하는 것을 특징으로하는 테미네이션 구조를 갖는 반도체소자의 제조방법.
  34. 제 33 항에 있어서, 제1 및 제2 도전형 불순물을 주입하는 단계는 상기 필드 절연물질층의 상기 경사진 가장자리를 통하여 상기 불순물을 주입하는 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자의 제조방법.
  35. 제 33 항에 있어서, 상기 상기 폴리실리콘 필드 평판은 상기 필드 절연물질층의 상기 경사진 가장자리위로 연장형성되는 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자의 제조방법.
  36. 제 28항에 있어서, 상기 제 1 도전형은 P-형이고 상기 제 2 도전형은 N-형인 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자의 제조공정.
  37. 제 28항에 있어서, 상기 제 1 도전형은 N-형이고 상기 제 2 도전형은 P-형인 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자의 제조공정.
  38. 제 37 항에 있어서, 상기 폴리실리콘 필드 평판은 상기 폴리실리콘 층의 상기 이격된 개구부의 상기 제 1부분과 연결되는 상기 필드 절연물질층의 가장자리위로 연장형성되는 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자의 제조방법.
  39. 제 28 항에 있어서, 상기 다수의 이격된 개구부 각각은 상기 필드 절연물질층의 상기 나머지부분의 상면에 형성된 각각의 제 2 부분을 포함하는 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자의 제조방법.
  40. 제 28 항에 있어서, 상기 게이트 절연물질층은 이산화막인 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자의 제조방법.
  41. 제 38 항에 있어서, 상기 폴리실리콘 필드 평판은 상기 게이트 절연물질층의 일부의 상부에 더 연장형성되는 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자의 제조방법.
  42. 실리콘 기판의 상면에 형성되고 그 속에 적어도 하나의 개구부와 적어도 하나의 나머지 부분을 갖는 필드절연물질층과; 상기 필드절연물질층의 상기 적어도 하나의 개구부내의 상기 실리콘기판의 상면에 형성된 게이트 절연물질층; 상기 필드절연물질층의 나머지부분과 상기 게이트 절연물질층의 상면에 증착되고, 상기 게이트절연물질층의 상면에 형성되고 상기 필드절연물질층의 상기 나머지부분에 인접한 하나의 개별적인 제 1 부분을 갖는 다수의 주변개구부를 포함하는 다수의 이격된 개구부를 포함하고, 그의 일부는 상기 필드산화물질층의 상면에는 폴리실리콘 필드 평판을 정의하는 폴리실리콘층과; 상기 폴리실리콘층의 상기 주변개구부의 상기 개별적인 제 1부분의 하면에 위치한 상기 실리콘 기판의 표면영역에 제1 도전형의 불순물을 주입하여 형성된 제 1 확산영역과, 상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형의 불순물을 상기 실리콘 기판의 상기 해당 표면영역에 주입하여 형성된 제 2 확산영역과, 상기 제 1 도전형을 상기 실리콘기판의 표면영역에 주입하고, 상기 제 2 확상영역이 상기 제 3 확산영역보다 낮은 최종깊이를 갖고, 상기 제 1 확산영역은 상기 제 3 확산영역보다 깊고 넓으며 더 낮은 농도를 갖게 하도록 한 제3 확산영역과; 상기 폴리실리콘 필드 평판의 표면영역의 하면을 노출시키는 제 1 개구부 및 상기 실리콘기판의 상기 표면영역의 각각의 하면영역을 노출시키는, 여기서 상기 실리콘기판의 상기 표면영역의 하면영역은 상기 제 2 확산영역의 깊이보다 깊게 형성된 홈을 포함하며 상기 제 2 구멍은 상기 실리콘기판의 상기 표면영역의 상기 하면영역에 인접하여 둘러싸는 상기 실리콘기판 표면의 추가부를 노출시키는 겹치는 절연층; 상기 겹치는 절연층의 상측과 상기 겹치는 절연층의 제 1 및 제 2 개구부에 증착되고, 상기 폴리실리콘 필드 평판에 접촉하는 적어도 하나의 게이트 접촉부와 상기 홈의 바닥에 제공되는 제 3 확산영역 및 상기 홈의 상측과 상기 실리콘 기판 표면의 상기 추가부에 제공되는 제 2 확산영역에 접촉하는 적어도 하나의 소스 접촉부로 구성되는 전도층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자.
  43. 제 42 항에 있어서, 상기 폴리실리콘 필드 평판의 일부는 상기 제 1 확산영역의 일부에 포개지는 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자.
  44. 제 42 항에 있어서, 상기 주변개구부의 각각의 쌍 사이에 위치한 상기 폴리실리콘층의 영역은 폴리실리콘 핑거를 형성하는 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자.
  45. 제 44 항에 있어서, 상기 폴리실리콘 핑거의 폭은 충분히 작아서 상기 주변개구부의 각각의 쌍중의 하나의 제 1 확산영역이 상기 주변구멍의 각각의 쌍중의 또다른 하나의 제 1 확산영역에 겹쳐지는 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자.
  46. 제 42 항에 있어서, 상기 필드절연물질층은 상기 반도체 소자와 경계를 이루고 스트리트(street) 영역을 형성하는 제 2 개구부를 포함하고, 소정의 전위에서 상기 스트리트 영역을 유지하도록 상기 폴리실리콘층은 상기 필드절연물질층의 상면에 위치하는 제1 부분 및 상기 스트리트 영역의 상면에 위치하는 제 2 부분을 포함하는 등전위 링을 포함하는 것을 특징으로하는 터미네이션 구조.
  47. 제 42 항에 있어서, 상기 상기 폴리실리콘 필드 평판은 상기 필드 절연물질층의 상기 경사진 가장자리위로 연장형성되는 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자.
  48. 제 48항에 있어서, 상기 제 1 도전형 P-형이고 상기 제 2 도전형은 N-형인 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자.
  49. 제 42 항에 있어서, 상기 제 1 도전형은 N-형이고 상기 제 2 도전형은 P-형인 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자.
  50. 제 49 항에 있어서, 상기 폴리실리콘 필드 평판은 상기 폴리실리콘층의 상기 이격된 개구부의 상기 제 1부분과 연결되는 상기 필드 절연물질층의 가장자리위로 연장형성되는 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자.
  51. 제 42 항에 있어서, 상기 다수의 이격된 개구부의 각각은 상기 필드 절연물질층의 상기 나머지부분의 상면에 형성된 각각의 제 2 부분을 포함하는 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자.
  52. 제 42 항에 있어서, 상기 게이트 절연물질층은 이산화막인 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자.
  53. 제 49 항에 있어서, 상기 폴리실리콘 필드평판은 상기 게이트 절연물질층 일부의 상부로 더 연장형성되는 것을 특징으로하는 터미네이션 구조를 갖는 반도체소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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