KR980006525A - 반도체장치 반도체 집적 장치 및 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체장치 반도체 집적 장치 및 반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 SOI 기판을 이용하지 않고 SOI 구조를 갖는 MOS형 트랜지스터를 실현할 수 있도록 하는 것을 목적으로 하는 반도체 장치, 반도체 집적 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
P형 실리콘으로 이루어진 반도체 기판(11)의 상부에는, 주위가 절연 산화막으로 된 소자 분리영역(12)으로 둘러싸여지고, 게이트 폭 방향으로 잘록하게 된 채널 형성 영역(13a)과, 게이트 길이 방향의 각 영역으로 각각 연장되는 소스 영역(13b) 및 드레인 영역(13c)으로 이루어진 소자 활성 영역(13)이 형성되어 있다. 반도체 기판(11) 상에 있어서의 소자 분리 영역(12) 및 소자 활성 영역(13)의 채널 형성 영역(13a)의 상부에는 게이트 절연 산화막(14)을 개재한 게이트 전극(15)이 형성되어 있다. 반도체 기판(11)의 소자 활성 영역(13)에 있어서의 게이트 전극(15) 아래에 위치하는 채널 형성 영역(13a)의 아래쪽 영역에만 소자 분리 영역(12)과 동일한 절연 산화막으로 이루어진 채널 하부 절연층(12a)이 형성되어 있다.

Description

반도체장치, 반도체 집적 장치 및 반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명의 제 1실시예에 의한 반도체 장치를 도시한 사시도.
제 3도은 본 발명의 제 1실시예에 의한 반도체 장치의 단면 구성도, 제3a도는 제1도의 Ⅰ-1선을 따라 취한 단면 구성도.
제3b는 제1도의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 취한 단면 구성도.
제3c는 제1도의 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 취한 단면 구성도.

Claims (5)

  1. 서로 간격을 두고 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 있어서의 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 아래에 생성되는 채널 영역의 아래쪽에 형성된 채널 하부 절연층을 포함한 반도체 장치에 있어서, 상기 채널 하부 절연층은 게이트 길이 방향의 양측에 위치하는 소자 분리 영역과의 사이에 간격을 두도록 형성된는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 채널 영역과 상기 반도체 기판에 있어서의 상기 채널 하부 절연층 아래측의 영역이 접속하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 하나의 반도체 기판 상에 형성된 제 1 반도체 장치와 제 2 반도체 장치를 구비한 반도체 집적 장치에 있어서, 상기 제 1 반도체 장치는, 상기 하나의 반도체 기판 상부에 형성된 제 1 게이트 전극과, 상기 하나의 반도체 기판에서 소자 분리 영역으로 둘러싸여지고 상기 제 1 게이트 전극의 하부에서 게이트 폭 방향으로 잘록하게 된 제 1 채널 형성 영역과, 게이트 길이 방향으로 각각 연장되는 제 1 소스 영역 및 제1 드레인 영역으로 이루어진 제 1 소자 활성 영역과, 상기 제 1 채널 형성 영역 아래쪽의 영역에 게이트 길이 방향의 양측에 위치하는 상기 소자 분리 영역과의 사이에 간격을 두도록 형성된 채널 하부 절연층을 갖고, 상기 제 2 반도체 장치는, 상기 하나의 반도체 기판 상에 형성된 제 2 게이트 전극과 상기 하나의 반도체 기판에 형성되어 있고, 상기 제 2 게이트 전극 하부에서 개이트 폭 방향의 길이가 상기 제 1 채널 형성 영역보다 큰 제 2 채널 형성 영역과, 게이트 길이 방향으로 각각 연장되는 제 2 소스 영역 및 제 2 드레인 영역으로 이루어진 제 2 소자 활성 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 장치.
  4. 반도체 기판 상에 게이트 폭 방향으로 잘록하게 된 채널 형성영역과, 게이트 길이 방향으로 각각 연장되는 소스 영역 및 드레인 영역으로 이루어진 소자 활성 영역을 마스크하는 마스크 패턴을 형성하는 공정과, 상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 반도체 기판에 대하여 상기 반도체 기판 하부로 향함에 따라 크게 제거되도록 에칭을 행함으로써 상기 반도체 기판에 있어서의 상기 채널 형성 영역의 아래쪽 영역에 게이트 폭 방향으로 개구하는 개구부를 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판에 있어서의 상기 개구부에 절연막을 충전하여 채널 하부 절연층을 형성하는 동시에, 상기 소자 활성 영역의 주변부에 절연막으로 된 소자 분리 영역을 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판 상부에 있어서의 상기 채널 형성 영역에 게이트 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 반도체 기판의 면방위는 (100)이고, 상기 에칭은 습식 에칭인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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