KR950020966A - 동기형 반도체 장치용 파워 관리회로 - Google Patents

동기형 반도체 장치용 파워 관리회로 Download PDF

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Abstract

동기형 반도체장치에 있어서, 입력 초단회로에서의 입출력핀에 공급된 파워를 감소시키는 파워 관리회로 구성이 제공된다. 이 회로는 대기 모우드 및/또는 독출모우드동안 입력 초단회로에서의 입출력핀으로의 파워를 감소시키고, 입출력 핀으로부터의 출력신호를 무효로 하여 동기형 반도체 장치에서의 파워가 회복되도록 하는 출력 디스에이블 신호를 발생시키는 외부 디스에이블 핀에 입력신호가 입력될때 입력 초단회로로의 파워를 회복시킨다.

Description

동기형 반도체 장치용 파워 관리회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1 실시예를 나타내는 반도체 메모리장치의 회로도,
제2(a)도는 본 발명의 파워 감소 논리 회로, 제2(b)도는 파워 감소회로에 의해 발생된 파워 감소회로를 수신하는 입력초단 회로, 제2(c)도는 본 발명의 파워 감소회로의 상세도,
제3도는 제2도에 나타낸 파워 감소회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차아트,
제4도는 제2도에 나타낸 파워 감소회로용 디스에이블 신호의 입력을 설명하기 위한 타이밍 차아트.

Claims (4)

  1. 동기형 반도체 장치의 입력 초단회로에 공급되는 파워를 감소시키기 위한 파워관리 회로에 있어서, 입력신호가 공급되며, 파워 다운신호가 공급될때 비활성상태에 있는 입력회로와, 상기 동기형 반도체 장치가 대기 모우드, 독출 모우드, 또는 대기 모우드 및 독출 모우드에 있을때 상기 파워 다운 신호를 생성하는 파워 다운 신호 발생수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 파워 관리회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 파워 다운신호 발생수단은 RAS인에이블 신호와 리드 활성신호가 공급되는 논리 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 관리회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 파워 다운신호 발생수단은 A 뱅크로부터의 수직 어드레스 스트로우브 RAS 인에이블 신호(ARAE)와 B 뱅크로부터의 수직 어드레스 스트로우브 RAS 인에이블 신호(BRAE)를 수신하는 제1 OR 회로와, 리드 활성신호(READB)와 출력 마스크신호(OEMSK)를 수신하는 제2 OR 회로와, 상기 제1 OR 회로로부터의 출력신호, 상기 제2 OR 회로로부터의 출력신호 및 파워다운 모우드 신호(PWDNB)를 수신하는 NAND 회로와, 상기 NAND 회로로부터의 출력신호를 발전하고, 상기 파워 다운 지시신호(PWDNB2)를 상기 입력 초단회로로 공급하여 상기 입력 초단회로로 공급되는 파워를 감소시키는 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 파워 관리회로.
  4. 제1항에 있어서, 입력동작이 독출모우드 동안에 외부 입력/출력 수단상에서 행해질때 파워 감소를 해제하는 디스에이블 수단을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 파워 관리회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940034841A 1993-12-17 1994-12-17 반도체 장치의 파워관리 회로 및 반도체 메모리장치 KR100193409B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100269313B1 (ko) * 1997-11-07 2000-12-01 윤종용 대기시전류소모가적은반도체메모리장치

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5663919A (en) * 1996-02-28 1997-09-02 Micron Technology, Inc. Memory device with regulated power supply control
KR100429862B1 (ko) * 1997-06-24 2004-07-19 삼성전자주식회사 반도체장치의 내부 전원 제어회로
KR100301036B1 (ko) * 1997-06-26 2001-09-03 윤종용 데이터입출력마스크입력버퍼의전류소모를감소시키기위한제어부를구비하는동기식반도체메모리장치
JPH1116349A (ja) * 1997-06-26 1999-01-22 Mitsubishi Electric Corp 同期型半導体記憶装置
KR100457338B1 (ko) * 1997-09-25 2005-01-17 삼성전자주식회사 저소모전력용 스텐바이 모드 제어 회로를 갖는 반도체 장치
AU9798798A (en) * 1997-10-10 1999-05-03 Rambus Incorporated Power control system for synchronous memory device
KR100272163B1 (ko) * 1997-12-30 2000-11-15 윤종용 대기용어레이전압발생기를갖는반도체메모리장치
US6154821A (en) * 1998-03-10 2000-11-28 Rambus Inc. Method and apparatus for initializing dynamic random access memory (DRAM) devices by levelizing a read domain
US6151262A (en) * 1998-10-28 2000-11-21 Texas Instruments Incorporated Apparatus, system and method for control of speed of operation and power consumption of a memory
JP3549751B2 (ja) * 1998-11-30 2004-08-04 富士通株式会社 半導体集積回路装置
US6316988B1 (en) 1999-03-26 2001-11-13 Seagate Technology Llc Voltage margin testing using an embedded programmable voltage source
JP3420120B2 (ja) 1999-06-29 2003-06-23 日本電気株式会社 同期型半導体メモリシステム
JP3674833B2 (ja) 2000-02-16 2005-07-27 シャープ株式会社 同期型半導体記憶装置
JP2001338489A (ja) * 2000-05-24 2001-12-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP3902909B2 (ja) * 2000-07-19 2007-04-11 沖電気工業株式会社 低消費電力型ダイナミックランダムアクセスメモリ
JP2002074952A (ja) 2000-08-31 2002-03-15 Fujitsu Ltd 同期型半導体記憶装置及びその入力回路の制御方法
JP4190140B2 (ja) 2000-09-04 2008-12-03 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 同期式半導体記憶装置、及びその入力情報のラッチ制御方法
JP2002109880A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Toshiba Corp クロック同期回路
US20030097519A1 (en) * 2001-11-21 2003-05-22 Yoon Ha Ryong Memory subsystem
JP3724464B2 (ja) * 2002-08-19 2005-12-07 株式会社デンソー 半導体圧力センサ
JP2006066020A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JP4829029B2 (ja) * 2006-08-02 2011-11-30 株式会社東芝 メモリシステム及びメモリチップ
JP5218635B2 (ja) * 2011-12-28 2013-06-26 富士通セミコンダクター株式会社 半導体記憶装置
CN113553000B (zh) * 2018-07-18 2024-04-12 成都忆芯科技有限公司 降低集成电路功耗的方法及其控制电路
JP7165151B2 (ja) * 2020-02-18 2022-11-02 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 半導体装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57190351A (en) * 1981-05-20 1982-11-22 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit device
JPS60198618A (ja) * 1984-03-21 1985-10-08 Oki Electric Ind Co Ltd ダイナミツク論理回路
JPS61105795A (ja) * 1984-10-29 1986-05-23 Nec Corp メモリ回路
JPS61262827A (ja) * 1985-05-15 1986-11-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
US4801820A (en) * 1986-05-02 1989-01-31 Motorola, Inc. LSI array having power down capability
JPH01241089A (ja) * 1988-03-23 1989-09-26 Toshiba Corp スタティック型ランダムアクセスメモリ
JPH01251496A (ja) * 1988-03-31 1989-10-06 Toshiba Corp スタティック型ランダムアクセスメモリ
US4963769A (en) * 1989-05-08 1990-10-16 Cypress Semiconductor Circuit for selective power-down of unused circuitry
JPH07109864B2 (ja) * 1989-09-13 1995-11-22 シャープ株式会社 スタティックram
JP3057710B2 (ja) * 1990-04-27 2000-07-04 日本電気株式会社 半導体メモリ装置
US5115146A (en) * 1990-08-17 1992-05-19 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Power-on reset circuit for controlling test mode entry
US5251178A (en) * 1991-03-06 1993-10-05 Childers Jimmie D Low-power integrated circuit memory
JP2938706B2 (ja) * 1992-04-27 1999-08-25 三菱電機株式会社 同期型半導体記憶装置
US5300831A (en) * 1992-09-04 1994-04-05 Pham Dac C Logic macro and protocol for reduced power consumption during idle state

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100269313B1 (ko) * 1997-11-07 2000-12-01 윤종용 대기시전류소모가적은반도체메모리장치

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Publication number Publication date
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KR100193409B1 (ko) 1999-06-15
EP0665484A3 (en) 1996-04-10
EP0665484A2 (en) 1995-08-02

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