KR20070021972A

KR20070021972A - 주석 전기도금액 및 주석 전기도금 방법

Info

Publication number: KR20070021972A
Application number: KR1020060078335A
Authority: KR
Inventors: 야스시 다키자와; 마사아키 이마나리
Original assignee: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨.
Priority date: 2005-08-19
Filing date: 2006-08-18
Publication date: 2007-02-23
Also published as: JP2007051358A; KR101319863B1; US20100038254A1; CN1928164B; EP1754805B1; EP1754805A1; TW200712267A; US20070068823A1; DE602006020961D1; JP4812365B2; CN1928164A; TWI328621B

Abstract

유해 납을 함유하지 않으며 솔더 젖음성(solder wettability)이 우수한 주석 전기도금액, 및 이 주석 전기도금액을 사용하여 전자 부품상에 주석 막을 침착시키는 방법이 개시된다. 주석 전기도금액은 유기산, 나프톨설폰산 및, 필요에 따라, 항산화제 및 계면활성제를 포함한다.

Description

주석 전기도금액 및 주석 전기도금 방법{TIN ELECTROPLATING SOLUTION AND TIN ELECTROPLATING METHOD}

본 발명은 주석 도금액 및 주석 전기도금법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 전자 부품 등을 연결시키는데 사용되는 사실상 무연 주석 전기도금액 및 주석 막의 형성방법에 관한 것이다.

주석-납 합금 도금은 결합 특성, 전기적 특성 및 납땜성이 우수하고 비용이 저렴하기 때문에 칩(chip), 수정 진동자(crystal oscillator), 리드 프레임, 인쇄회로판 및 전기적 접촉이 필요한 다른 전자 부품에 두루 사용되고 있다. 또한, 반도체 장치 및 인쇄 기판의 제조에 사용되는 단계에서 에칭 레지스트(etching resist)로도 사용된다.

그러나, 납의 사용은 최근 작업 환경 및 자연 환경을 보호하기 위해 제한되고 있으며, 무연 도금조가 주석-납 합금 도금 물질에 대한 바람직한 대체물로 간주되고 있다. 주석-은 합금 도금, 주석-구리 합금 도금 및 주석-비스무스 합금 도금이 대체 물질로 제시되었다. 그럼에도 불구하고, 주석-은 도금액은 금속 은의 전 자 치환 및 다른 문제들로 인해 취급이 어려운 점이 있다. 주석-구리 합금 도금은 융점이 오르고, 솔더 젖음성(solder wettability)이 감소하는 단점이 있으며 주석-비스무스 합금 도금액은 생성된 막이 깨지기 쉽다는 단점이 있다.

주석 도금액이 또한 연구되어 왔지만, 생성된 침전물이 거칠고, 솔더 젖음성에 문제가 있다. 과거에는 글로스 도금(gloss plating)이 사용되었으나, 광택 도금 막의 증백제(brightener)로부터 유발된 유기 물질 침전물은 명백히 솔더 결합력의 감소 및 균열을 야기한다. 다시 말해, 알데하이드 화합물이나 다른 유기 증백제 또는 암모늄염 또는 다른 아민계 증백제의 사용은 미세한 주석 침전물을 형성하고, 솔더성(solderability)을 향상시키나, 솔더 젖음성은 막의 유기 침전물의 양이 증가함으로 인해 시간이 지날수록 나빠진다. 또한, 광택 도금 막은 일반적으로 깨지기 쉽고 리드 프레임 및 도금 막이 구부러지는 것이 요구되는 다른 응용에 사용하기에 적합하지 않다. 결과적으로, 광택이 요구되지 않는 반광택성(semi-glossy) 도금이 요망된다.

나프토설폰산이 수년간 주석 전기도금액의 첨가제로 사용되어 왔다. 예를 들면, 미국 특허 제 2,407,579호는 2-나프톨-6-설폰산, 2-나프톨-7-설폰산 및 1-나프톨-4-설폰산과 같은 나프토설폰산 또는 그의 염이 알칼리 플루오라이드 및 염화 주석으로 구성된 pH 1 내지 5의 불소화된 염화주석조에 가해질 수 있다는 것을 기재하고 있다. 이 특허는 유기산 조 및 나프토설폰산의 조합에 대해서는 기술하지 않았다.

JP(Kokoku) 49-16176에 β-나프토설폰산으로 구성된 방향족 설폰산 및 금속 화합물의 복합염이 베이스로 사용되는 전착조를 포함한 전착법(electrodeposition method)이 개시되었다. 이 특허는 β-나프토설폰산을 유기 산조에 첨가제로서 첨가하는 것에 대해서는 기재하지 않았다.

JP(Kokai) 2002-17478에는 가용성 주석염, 가용성 납염 및 하나 이상의 특정 나프토설폰산으로 구성된 주석-납 합급 도금조가 기재되어 있다. 이 특허는 주석 도금조에 2-나프톨-7-설폰산을 사용하는 것에 대해서는 기재하지 않았다.

본 발명의 목적은 납을 사용하지 않고, 외양이 균일한 막을 양산하며, 전기적 접촉이 요구되는 부분에 우수한 젖음성을 제공하는 주석 전기도금액 및 주석 전기도금법을 제공하는데 있다.

상기 목적을 이루기 위해 유기 첨가제로 구성된 무연 주석 전기도금액을 심층 조사한 결과, 본 발명의 발명자들은 2-나프톨-7-설폰산 및 그의 알칼리염이 다른 나프톨설폰산에 비해 선택적인 능력을 갖는다는 것을 발견하고 본 발명을 완성하게 되었다. 본 발명의 도금액은 외양이 우수한 주석 막을 형성할 수 있고, 특히 압력솥(pressure cooker) 처리 후에도 침착된 주석 막의 우수한 솔더 젖음성이 저하되지 않는 우수한 반광택성 막을 제공할 수 있다.

제 1 측면으로, 본 발명은 주석 이온, 유기산 및 2-나프톨-7-설폰산 또는 그 의 염으로 구성된 그룹중에서 선택된 하나 이상의 성분으로 구성되며, 실질적으로 납 이온을 함유하지 않는 주석 전기도금액을 제공한다.

제 2 측면으로, 본 발명은 유기산이 알칸 설폰산 및 알칸올 설폰산으로 구성된 그룹중에서 선택된 하나 이상의 산인 상기 언급된 주석 전기도금액을 제공한다.

제 3 측면으로, 본 발명은 주석 이온으로서 유기산의 주석 염; 알칸 설폰산중에서 선택된 하나 이상의 산; 2-나프톨-7-설폰산 및 그의 염으로 구성된 그룹중에서 선택된 하나 이상의 화합물; 치환되거나 비치환된 디하이드록시벤젠 화합물로 구성된 그룹중에서 선택된 하나 이상의 항산화제; 및 하나 이상의 비이온성 계면활성제를 포함하고; 실질적으로 납 이온을 함유하지 않는 도금액을 제공한다.

제 4 측면으로, 본 발명은 유기산의 주석 염; 하나 이상의 알칸 설폰산; 2-나프톨-7-설폰산 및 그의 알칼리 염으로 구성된 그룹중에서 선택된 하나 이상의 화합물; 치환되거나 비치환된 디하이드록시벤젠 화합물중에서 선택된 하나 이상의 항산화제; 하나 이상의 비이온성 계면활성제; 및 물로 구성된 주석 전기도금액을 제공한다.

제 5 측면으로, 본 발명은 상술된 임의의 주석 전기도금액을 사용하여 기판상에 주석 막을 전기도금하는 방법을 제공한다.

제 6 측면으로, 본 발명은 유기산의 주석 염; 하나 이상의 알칸 설폰산; 2-나프톨-7-설폰산 및 그의 알칼리 염으로 구성된 그룹중에서 선택된 하나 이상의 화합물; 치환되거나 비치환된 디하이드록시벤젠 화합물중에서 선택된 하나 이상의 항산화제; 하나 이상의 비이온성 계면활성제; 및 물로 구성된 산성 주석 전기도금액 을 사용하여 기판을 전기도금하는 단계를 포함하는, 기판상에 주석 막을 가지는 전자 소자를 제조하는 방법을 제공한다.

본 발명의 주석 전기도금액은 주석 이온, 유기산, 및 2-나프톨-7-설폰산 또는 그의 염으로 구성된다.

본 명세서에 사용된 약어들은 달리 언급이 없으면 다음과 같은 의미를 가진다: g = 그램, mg = 밀리그램; ℃ = 섭씨 온도; min = 분, m = 미터; cm = 센티미터; L = 리터; mL = 밀리리터; A = 암페어 및 dm² = 제곱 데시미터. 모든 수치 범위는 경계값을 포함하며, 임의의 순서로 조합될 수 있다.

본 발명에서 용어 "도금액" 및 "도금조"는 동일한 의미를 가지며, 상호 호환적으로 사용된다. 용어 "알칸" 및 "알칸올"은 선형 또는 측쇄 알칸 또는 알칸올을 의미한다.

유기산의 일례는 알칸 설폰산 및 알칸올 설폰산 또는 그의 염으로부터 선택된 산이다. 바람직한 알칸 설폰산 또는 알칸올 설폰산은 치환되거나 비치환된 알칸 설폰산 및 알칸올 설폰산을 포함한다. 예로서 메탄설폰산, 에탄설폰산, 프로판설폰산, 2-하이드록시에탄-1-설폰산, 2-하이드록시프로판-1-설폰산 및 1-하이드록시프로판-2-설폰산이 포함된다. 메탄설폰산이 특히 바람직하다. 이들 산중 하나 또는 2 이상의 혼합물이 사용될 수 있다.

도금액의 유기산 함량은 적어도 도금조에 존재하는 2가 주석 이온과 화학양론적 등가량이다. 예를 들어, 도금조내 유리산 함량은 30　g/L 내지 500　g/L, 특히 50　g/L 내지 300　g/L 및 이상적으로 70　g/L 내지 250　g/L이다.

주석 이온은 2가 이온이다. 도금조에 상기 이온을 제공할 수 있는 한, 각종 화합물이 사용될 수 있다. 예로서 황산, 염산, 메탄설폰산, 시트르산, 말산 또는 다른 유기산의 주석 염이 포함된다. 주석 이온의 바람직한 공급원은 상기 언급된 유기산중에서 선택된 주석 염이다. 특히 바람직한 예는 알칸 설폰산 주석 염 및 알칸올 설폰산 주석 염중에서 선택된 화합물이다. 일반적으로 유기산의 주석 염이 도금액에 사용되는 것이 바람직하다. 이들 주석 염중 하나 또는 2 이상의 혼합물이 사용될 수 있다.

도금조내 주석 이온 함량은 주석 이온으로 환산하여 예를 들어, 10　g/L 내지 150　g/L, 바람직하게는 30　g/L 내지 120　g/L, 및 특히 50　g/L 내지 100　g/L이다.

2-나프톨-7-설폰산이 유리산 또는 염 형태로 사용될 수 있다. 이상적인 염의 예는 포타슘, 소듐, 암모늄, 주석 등이다. 포타슘 및 소듐염이 바람직하고, 소듐 2-나프톨-7-설포네이트가 특히 바람직하다. 이들 염중 하나 또는 2 이상의 혼합물이 사용될 수 있다.

도금조에 함유된 2-나프톨-7-설폰산 또는 그의 염의 양은 예컨대 0.01　g/L 내지 20　g/L, 바람직하게는 0.2　g/L 내지 10　g/L, 및 특히 0.3　g/L 내지 5　g/L이다.

필요에 따라, 계면활성제가 본 발명의 도금액에 사용될 수 있다. 다양한 계면활성제가 사용될 수 있으나, 비이온성 계면활성제가 보다 적합하다. 바람직한 비이온성 계면활성제의 예로서 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 글리콜, 폴리옥시에틸렌 노닐페닐 에테르, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 알킬아민 및 에틸렌 디아민의 폴리옥시알킬렌 부가물이 포함되며, 테트라키스(폴리옥시알킬렌)에틸렌 디아민 또는 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 (C₈-C₁₈) 알킬 아민이 특히 바람직하다. 이러한 계면활성제는 Lion Akzo Co., Ltd.로부터 Ethopropomeen C18/18의 브랜드명, 또는 Asahi Denka Co., Ltd.로부터 Adekanol TR-704 브랜드명으로 입수할 수 있다.

도금조의 적절한 계면활성제 농도는 예를 들어 0.01　g/L 내지 50　g/L, 바람직하게는 0.1　g/L 내지 20　g/L 및 특히 1　g/L 내지 15　g/L이다.

필요에 따라, 본 발명의 도금액에 항산화제 사용될 수 있다. 항산화제는 주석 이온이 2가 형태로부터 4가 형태로 산화하는 것을 방지하기 위하여 사용되며, 예로서 하이드로퀴논, 카테놀, 레소시놀, 플루오로글리신, 피로갈롤 및 하이드로퀴논 설폰산 뿐 아니라 이들의 염이 있다.

도금조는 예컨대 0.01　g/L 내지 10　g/L, 바람직하게는 0.1　g/L 내지 5.0　g/L, 및 특히 0.5　g/L 내지 2.0　g/L의 항산화제 농도를 가져야 한다.

본 발명의 주석 도금액은 산성 범위로 조정된다. 도금조의 바람직한 pH는 예를 들어 7 미만, 및 바람직하게는 3 또는 그 미만이다. 증백제, 윤활제, 컨덕터, 어노드 용해제 또는 다른 통상의 첨가제들이 필요에 따라 본 발명에 첨가될 수 있다.

본 발명의 주석 전기도금액에 특히 바람직한 조성물의 일례는 유기산의 주석 염; 하나 이상의 알칸 설폰산; 2-나프톨-7-설폰산 및 알칼리 그의 염으로 구성된 그룹중에서 선택된 하나 이상의 화합물; 치환되거나 비치환된 디하이드록시벤젠 화합물중에서 선택된 하나 이상의 항산화제; 하나 이상의 비이온성 계면활성제; 및 물로 구성된 산성 주석 전기도금액이다.

본 발명의 조성물은 실질적으로 납을 함유하지 않는다. "실질적으로 납을 함유하지 않는다"는 것은 도금조에 납이 추가의 성분으로 첨가되지 않지만, 화합물 성분에 납 성분이 존재할 가능성이 배제되지 않음을 의미한다. 또한, 본 발명의 조성물은 바람직하게는 비스무스와 같은 금속 안정화제를 함유하지 않는다.

본 발명의 도금액을 사용하여 전기도금하는 방법은 통상의 방법일 수 있다. 도금액중 각 성분의 농도는 도금법, 예를 들어 배럴 도금, 홀-관통 도금, 랙(rack) 도금 또는 고속 연속 도금에 따라 임의로 선택된다.

본 발명의 전기도금액을 사용한 전기도금은 예를 들어 10 내지 65 ℃ 및 바람직하게는 실온 내지 50 ℃의 도금조 온도에서 수행될 수 있다.

캐소드 전류밀도는 일정 범위, 예를 들어 0.01 내지 100　A/dm² 및 바람직하게는 0.05 내지 70　A/dm²내에서 선택될 수 있다.

도금동안 도금조를 교반하는 것은 필요치 않으나, 교반기-보조 교반 또는 펌프-보조 순환과 같은 방법이 또한 선택될 수 있다.

실시예로부터 알 수 있는 바와 같이, 나프탈렌 환에서 특정 위치에 하이드록실 그룹 및 설폰산 그룹이 결합되어 있는 특정 나프톨설폰산, 구체적으로 2-나프톨-7-설폰산 또는 그의 알칼리 염은 다른 나프톨설폰산 또는 그의 염에 비해 뚜렷한 효과를 나타낸다. 환언하면, 미세하지만 깨지지 않는 주석 막이 본 발명의 도금액으로부터 침전될 것이며, 침전된 막은 솔더 젖음성이 우수할 것이다.

본 발명의 도금액은 통상적인 주석 도금 및 솔더링 또는 에칭 레지스트용 주석-납 합금 도금의 대용으로 각종 도금 물품에 사용될 수 있다. 도금 물품은 전기도금될 수 있는 전도 성분을 가져야 하며, 세라믹, 유리, 플라스틱, 페라이트 등과 같은 절연 재료 및 구리 또는 니켈과 같은 전도 재료로 만들어진 복합물을 포함한다. 전기도금전에, 물품은 사용 물질에 따라 통상의 방법으로 예비처리될 수 있다. 본 발명의 전기도금에 따라, 주석 막은 기판 또는 칩 캐패시터, 칩 레지스터 및 다른 칩 부품, 수정 진동자, 펌프, 커넥터 핀, 리드 프레임, 인쇄회로판 등을 비롯한 각종 전자 부품상의 전도 재료 표면상에 침착될 수 있다.

실시예 1

하기 조성을 사용하여 주석 도금액을 제조하였다:

주석 메탄설포네이트 (주석 이온으로서)	70　g/L
메탄설폰산 (유리산으로)	175
소듐 2-나프톨-7-설포네이트	0.5
폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 (C₈-C₁₈) 알킬 아민	10
포타슘 하이드로퀴논 설포네이트	2
증류수	잔량

상기 언급된 조성물 및 6.7 cm × 10 cm 구리 시트를 구비한 도금조를 사용하여 Hull 셀 시험을 수행하였는 바, 5 A × 1 분 및 50 ℃의 조 온도에서 4 내지 6 m/분의 속도의 캐소드 진동에 의한 교반으로 전기분해를 실시하였다. 표 1은 도금막의 외양, 즉 침전 이상, 균일성 및 광택을 육안 평가하여 얻은 결과를 나타낸다.

용어 "침전 이상"은 일반적으로 전류가 낮을 때 형성되기 쉬운 비도금 영역 및 전류가 너무 높을 때 형성되기 쉬운 "소착(burn)" 또는 "탄 도금(burnt deposits)"으로 알려진 침전 영역을 의미한다. "균일성"은 전기도금 방법에 의해 일반적으로 사용되는 전류밀도에서 관찰된 침전 막 표면 상태를 의미한다.

비교예 1

실시예 1에서의 0.5　g/L의 소듐 2-나프톨-7-설포네이트 대신 0.5　g/L의 소듐 2-나프톨-6-설포네이트를 사용한 도금조를 이용하여 실시예 1과 동일한 조건하에서 Hull 셀 시험을 수행하였다. 도금 막의 외양을 육안적으로 관찰하고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.

비교예 2

실시예 1에서의 0.5　g/L의 소듐 2-나프톨-7-설포네이트 대신 0.5　g/L의 디소듐 2-나프톨-3,6-설포네이트를 사용한 도금조를 이용하여 실시예 1과 동일한 조건 하에서 Hull 셀 시험을 수행하였다. 도금 막의 외양을 육안적으로 관찰하고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.

비교예 3

실시예 1에서의 0.5　g/L의 소듐 2-나프톨-7-설포네이트 대신 0.5　g/L의 디소듐 1-나프톨-3,6-설포네이트를 사용한 도금조를 이용하여 실시예 1과 동일한 조건하에서 Hull 셀 시험을 수행하였다. 도금 막의 외양을 육안적으로 관찰하고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.

실시예 2

실시예 1에서의 소듐 2-나프톨-7-설포네이트의 양을 0.5　g/L에서 0.2　g/L으로 변화시킨 도금조를 이용하여 실시예 1과 동일한 조건하에서 Hull 셀 시험을 수행하였다. 도금 막의 외양을 육안적으로 관찰하고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.

실시예 2

실시예 1에서의 소듐 2-나프톨-7-설포네이트의 양을 0.5　g/L에서 0.3　g/L으로 변화시킨 도금조를 이용하여 실시예 1과 동일한 조건하에서 Hull 셀 시험을 수행하였다. 도금 막의 외양을 육안적으로 관찰하고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.

비교예 4

비교예 2에서 첨가된 디소듐 2-나프톨-3,6-디설포네이트의 양을 0.5　g/L에서 1.0　g/L으로 변화시킨 도금조를 이용하여 실시예 1과 동일한 조건하에서 Hull 셀 시험을 수행하였다. 도금 막의 외양을 육안적으로 관찰하고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.

비교예 5

실시예 1에서의 0.5　g/L의 소듐 2-나프톨-7-설포네이트를 0.2　g/L의 2-나프톨로 대체한 도금조를 이용하여 실시예 1과 동일한 조건하에서 Hull 셀 시험을 수행하였다. 도금 막의 외양을 육안적으로 관찰하고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.

비교예 6

실시예 1에서의 0.5　g/L의 소듐 2-나프톨-7-설포네이트를 10 mg/L의 살리실 알데하이드로 대체한 도금조를 이용하여 실시예 1과 동일한 조건하에서 Hull 셀 시험을 수행하였다. 도금 막의 외양을 육안적으로 관찰하고, 그 결과를 표 1에 나타내었다.

	도금 막 외양
실시예 1	약간의 침전 이상, 표면 균일, 반광택
비교예 1	약간의 침전 이상, 불규칙 표면, 반광택
비교예 2	약간의 침전 이상, 불규칙 표면, 반광택
비교예 3	약간의 침전 이상, 불규칙 표면, 반광택
실시예 2	약간의 침전 이상, 실질적으로 표면 균일, 반광택
실시예 3	약간의 침전 이상, 표면 균일, 반광택
비교예 4	약간의 침전 이상, 표면 균일, 무광 내지 반광택
비교예 5	약간의 침전 이상, 불규칙 표면, 반광택
비교예 6	상당한 침전 이상, 불규칙 표면, 불규칙 광택

실시예에서 얻은 도금 막은 모두 약간의 침전 이상을 나타내나, 균일하고 반광택성 외양을 나타낸다. 이에 비해, 비교예 4에서 얻은 막은 약간의 침전 이상 및 균일한 외양을 나타내나, 그의 광택은 실시예의 것보다 감소되었다. 다른 비교예에서는 균일한 막이 얻어지지 않았다.

전기분해 시험

실시예 1 및 비교예 4의 각 도금조를 2L로 준비하고, 각각의 도금조에서 10　A의 전류로 4 시간동안 전기분해를 실시하였다. 전기분해 전 및 후에 도금조를 사용하여 실시예 1에서와 같이 주석 도금 막을 형성하고, 그의 외양을 육안적으로 평가하였다.

실시예 1에서의 도금조가 사용된 경우, 전기분해 전 및 후에 도금조로부터 형성된 도금 막은 외양의 변화가 없었으나, 비교예 4에서의 도금조를 사용하여 얻은 도금 막은 전기분해후 광택이 없었다.

솔더 젖음성 시험

실시예 1 및 비교예 4의 각 도금조를 2L로 준비하고, 10 ㎛의 주석 도금 막을 구리-납 프레임상에 침착시켰다. 조 온도는 27 ℃이고, 4 m/분의 속도로 캐소드를 진동시킴과 동시에 교반기를 사용하여 교반하였으며, 전류밀도는 5 내지 40　A/dm²이었다.

생성된 각 주석 도금 막을 105℃ 및 100% RH에서 8 시간동안 내습성에 대해 시험하고(PCT 처리(105℃, 100% RH, 8 시간)), 및 내습성 시험후, 솔더 체커(checker)를 사용하여 매니스코그래프에 따라 영교차점을 측정하여 도금 막의 솔더 젖음성을 평가하였다. 측정 조건은 다음과 같다:

영교차점 측정

솔더 셀: Sn/Pb = 63/37

조 온도: 235 ℃

침지 깊이: 1 mm

침지 속도: 10 mm/초

침지 시간: 5 초

플럭스: 불활성 로진

표 2는 상기 언급된 시험에서 얻은 결과를 나타낸다.

도금 전류밀도 (A/dm²)	내습성 시험후 솔더 젖음성
도금 전류밀도 (A/dm²)	실시예 1	비교예 4
5	1.6 초	5 초 또는 그 이상
10	1.4 초	5 초 또는 그 이상
15	-	5 초 또는 그 이상
20	1.2 초	5 초 또는 그 이상
25	-	5 초 또는 그 이상
30	1.1 초	5 초 또는 그 이상
35	-	비측정
40	1.7 초	비측정

주석 도금 시간을 10 ㎛의 도금 막 두께가 얻어지도록 각 전류 밀도에 대해 조정하였다. 비교예 4의 도금액을 사용하여서는 35　A/dm²또는40　A/dm²의 전류밀도에서 균일한 막을 얻을 수 없었으며; 따라서 시험이 수행되지 않았다.

실시예 1에서 얻은 도금 막은 내습성 시험후 그의 솔더 젖음성을 실시예　4의 것과 비교하였을 때 결과가 더 우수하였다. 이들 데이터는 명백히 본 발명의 도금액의 솔더 젖음성이 우수하다는 것을 나타낸다.

문제의 소지가 있는 납이 사용되지 않으며, 따라서 본 발명의 주석 전기도금액은 매우 안전하다. 또한, 도금이 합금으로 행해지지 않기 때문에 도금액은 취급이 용이하며, 균일한 도금 막을 얻을 수 있었다. 생성된 주석 도금 막은 균일한 반광택이며, 우수한 솔더 젖음성을 나타내고; 따라서 연결 재료로 유용하다.

Claims

주석 이온을 공급하기 위한 하나 이상의 화합물, 하나 이상의 유기산 및 하나 이상의 2-나프톨-7-설폰산 및 그의 염을 포함하는 주석 전기도금액.
제 1 항에 있어서, 하나 이상의 유기산이 알칸 설폰산 및 알칸올 설폰산으로 구성된 그룹중에서 선택되는 주석 전기도금액.
제 1 항에 있어서, 하나 이상의 항산화제 및 계면활성제를 추가로 포함하는주석 전기도금액.
제 1 항에 있어서, 하나 이상의 2-나프톨-7-설폰산 및 그의 염이 전기도금액에 0.01 g/L 내지 20 g/L의 양으로 포함되는 주석 전기도금액.
제 1 항에 있어서, 전기도금액이 실질적으로 납 이온을 함유하지 않는 주석 전기도금액.
a) 주석 이온을 공급하기 위한 하나 이상의 화합물, 하나 이상의 유기산 및 하나 이상의 2-나프톨-7-설폰산 및 그의 염을 포함하는 주석 전기도금액을 제공하고;

b) 기판을 상기 주석 전기도금액과 접촉시킨 후;

c) 기판상에 주석 막을 도금하는 단계를 포함하는, 기판상에 주석 막을 전기도금하는 방법.
제 6 항에 있어서, 하나 이상의 2-나프톨-7-설폰산 및 그의 염이 전기도금액에 0.01 g/L 내지 20 g/L의 양으로 포함되는 방법.
a) 기판을 활성 처리하여 활성화 기판을 형성하고;

b) 활성화 기판을 주석 이온을 공급하기 위한 하나 이상의 화합물, 하나 이상의 유기산 및 하나 이상의 2-나프톨-7-설폰산 및 그의 염을 포함하는 주석 전기도금액과 접촉시킨 후;

c) 활성화 기판을 주석 막으로 도금하는 단계를 포함하는, 기판상에 주석 막을 전기도금하는 방법.