KR20180053229A - 중성 주석 도금액을 사용한 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금 - Google Patents

Abstract

전자 부품에 대한 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금 방법, 및 이에 사용되는 중성 주석 도금액. (A) 제일주석 이온, (B) 산 또는 염, (C) 착화제, 및 (D) 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 디아민을 포함하고, 그리고 4 내지 8 사이의 범위인 pH를 갖는 도금액이 사용된다. 본 중성 주석 도금액의 사용은 바렐 도금 동안 전자 부품이 함께 결합하는 것을 방지하여, 바렐 도금에서 제조성을 개선할 수 있다.

Description

중성 주석 도금액을 사용한 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금{BARREL PLATING OR HIGH-SPEED ROTARY PLATING USING A NEUTRAL TIN PLATING SOLUTION}

본 발명은 중성 주석 도금액을 사용하여 전자 부품에 대한 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금 방법 및 여기에 사용된 중성 주석 도금액에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 발명은 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금이 수행될 때 전자 부품이 서로 결합하는 것을 방지하면서 전자 부품 상에 도금의 적용범위를 개선할 수 있는 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금 방법 및 여기에 사용된 중성 주석 도금액에 관한 것이다.

주석 도금은 전자 부품의 납땜성을 개선할 목적으로 광범위하게 수행된다. 전자 부품을 주석 도금하는 방법은 형상, 도금 위치의 구조 및 기타 동종의 것에 의존하여 다양한 상이한 방법, 예컨대 바렐 도금, 랙 도금 및 기타 동종의 것으로부터 선택될 수 있다. 바렐 도금은 작은 전자 부품 예컨대 칩 저항기, 칩 커패시터, 및 기타 동종의 것을 도금하는 방법으로서 일반적으로 사용된다. 또한, 최근에, 고속 회전식 도금이 소형 전자 부품에 대한 도금 방법으로서 통과액 도금기 및 기타 동종의 것을 통해 수행되고 있다.

정상적으로, 바렐 도금이 수행될 때, 도금되는 전자 부품 및 도금 동안 전도도를 향상시키기 위한 전도성 금속(더미 볼)을 바렐로 알려진 케이지-형상화된 용기에 장입하고, 전자 부품을 이것이 도금액에 액침된 상태에서 바렐을 회전 또는 진동시키면서 전류를 적용함을 통해 도금한다. 그러나, 최근에, 전자 부품의 크기가 더 작아짐에 따라, 바렐 도금 도중에 전자 부품이 서로 결합하거나, 또는 더미 볼이 함께 뭉치거나, 또는 전자 부품과 더미 볼의 함께 고착하는 경향이 있어 바렐 도금에서 전자 부품의 제조성에 악영향을 미친다는 문제가 발생한다. 또한, 도금액의 유형에 의존하여, 용액 표면에 거품이 발생할 수 있어 도금 작업에 악영향이 있는 문제가 발생할 수 있다. 고속 회전식 도금에서는, 도금이 되는 대상물인 전자 부품을 원반-형상화된 셀에 삽입하고, 그리고 셀을 고속으로 회전시키면서 도금을 수행하고, 그리고 바렐 도금과 같은 동일한 문제가 발생할 수 있다.

일본 특허출원 공개공보 제2009-299123호는 제일주석 이온, 산소, 디폴리옥시알킬렌 알킬 아민 또는 아민 옥사이드, 및 결합 억제제를 포함하는, 1 또는 그 미만의 pH를 갖는 칩 성분을 위한 주석 전기도금액을 개시한다. 그러나, 도금이 되는 대상물인 전자 부품 세라믹 부재가 삽입될 때, 세라믹 부재는 1 또는 그 미만의 pH를 갖는 도금액의 사용을 통해 손상되어 바람직하지 않다.

일본 특허출원 공개공보 제2003-293186호는 가용성 제일주석 염, 산 또는 염, 옥시카복실산 등으로부터 선택된 착화제, 및 4차 아민 폴리머를 포함하는 중성 주석 도금조를 개시한다. 그러나, 본 발명자들에 의한 연구에서, 4차 아민 폴리머를 사용하는 중성 주석 도금액은 도금이 되는 대상물들 사이에 결합을 방지하는데 적절하게 효과적이지 않고, 그리고 추가의 개선이 요망된다.

결과적으로, 본 발명의 목적은 최근에 소형화된 전자 부품의 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금을 사용할 때에도 전자 부품들 사이에 결합의 억제를 가능하게 하고, 전자 부품 도금 방법과 여기에 사용된 중성 주석 도금액을 제공하기 위한 것으로, 여기서 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금이 수행될 때 도금액의 발포화가 극도로 적다.

본 발명자들은 도금되는 대상물이 함께 결합되어 지는 것을 방지함을 통해 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금에서의 제조성을 개선하는 것이 가능하다는 발견을 통해, 그리고 중성 주석 도금액에 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 디아민의 첨가를 통해 도금액에서 적은 발포를 갖는 것을 통해 본 발명에 도달하였다

즉, 본 발명의 일 측면은 (A) 제일주석 이온, (B) 산 또는 염, (C) 착화제, 및 (D) 폴리옥시알킬렌 사슬을 포함하는 디아민을 포함하고, 그리고 여기서 pH는 4 내지 8 사이의 범위인 주석 도금액을 사용하여 전자 부품에 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금을 수행하는 단계를 포함하는 전자 부품 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금 방법을 제공한다.

또한, 본 발명의 일 측면은 (A) 제일주석 이온, (B) 산 또는 염, (C) 착화제, 및 (D) 폴리옥시알킬렌 사슬을 포함하는 디아민을 포함하고, 그리고 여기서 pH는 4 내지 8 사이의 범위인 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금용 중성 주석 도금액을 제공한다.

달리 정의되지 않는 한, 본 명세서를 통해 사용된 약어는 하기 의미를 갖는다: g = 그램; mg = 밀리그램; ℃ = 섭씨 온도; min = 분; m = 미터; cm = 센티미터; L = 리터; mL = 밀리리터; A = 암페어; 및 d㎡ = 데시미터 제곱. 모든 수치는 이들의 경계 값을 포함하고, 그리고 임의의 순서로 조합될 수 있다. 본 명세서 전반에 걸쳐, 용어들 "도금액" 및 "도금조"는 동일한 의미를 가지며, 상호교환적으로 사용될 수 있다. 또한, 구체적으로 언급하지 않는 한, 본 명세서 전반에 걸쳐, 퍼센트(%)는 중량 퍼센트를 나타낸다.

본 발명에 따른 전자 부품용 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금 방법은, 독특한 특징으로, (A) 제일주석 이온, (B) 산 또는 염, (C) 착화제, 및 (D) 폴리옥시알킬렌 사슬을 포함하는 디아민을 포함하고, 그리고 여기서 pH는 4 내지 8 사이의 범위인 도금액의 사용을 갖는다. 이 도금액은 아래에서 순차적으로 설명될 것이다.

(A) 제일주석 이온

본 발명에서 사용된 도금액에서, 제일주석 이온은 요구된 구조적 요건으로서 포함된다. 제일주석 이온은 이중-산화된 주석 이온이다. 본 도금액에서, 제일주석 이온을 공급할 수 있는 화합물이면 임의의 화합물이 있는 그대로 사용될 수 있다. 일반적으로, 도금액에 사용되는 무기산 또는 유기산의 주석 염이 바람직하다. 예를 들면, 무기산의 주석 염으로는 황산 및 염산의 제일주석 염이 있고, 유기산의 주석 염으로는, 예를 들면, 치환된 또는 비-치환된 알칸 설폰산 및 알칸올 설폰산, 예컨대, 예를 들면, 메탄 설폰산, 에탄 설폰산, 프로판 설폰산, 2-하이드록시 에탄-1-설폰산, 2-하이드록시 프로판-1-설폰산, 및 1-하이드록시 프로판-2-설폰산의 제일주석 염이 있다. 특히 제일주석 이온을 공급하기 위한 바람직한 공급원은 무기산의 염을 위한 제일주석 설포네이트 염, 또는 유기산의 염을 위한 제일주석 메탄 설포네이트 염이다. 이들 이온을 공급할 수 있는 이들 화합물은 단독으로 또는 이들의 2종 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.

도금액 내에 제일주석 이온의 함입 비율은, 예를 들면, 주석 이온으로 5 g/L 내지 30 g/L 사이, 또는, 바람직하게는, 8 g/L 내지 25 g/L 사이, 또는 더 바람직하게는, 10 g/L 내지 20 g/L 사이일 수 있다.

(B) 산 또는 염

본 발명에서 사용된 도금액 산 또는 염이 도금액에 전도성을 제공하는 기능을 가지는 한 임의의 산 또는 염을 사용할 수 있다. 임의의 유기산, 무기산, 또는 그것의 염이 사용될 수 있다. 유기산으로는, 예를 들면, 치환된 또는 비-치환된 알칸 설폰산 또는 알칸올 설폰산, 예컨대, 예를 들면, 메탄 설폰산, 에탄 설폰산, 프로판 설폰산, 2-하이드록시 에탄-1-설폰산, 2-하이드록시 프로판-1-설폰산, 및 1-하이드록시 프로판-2 설폰산이 있다. 메탄 설폰산이 바람직하다. 무기산에 대해서는, 예를 들면, 황산 또는 염산이 사용될 수 있고, 그리고 황산이 바람직하다. 그것의 염으로서, 임의의 염, 예컨대 알칼리 금속 염, 알칼리토 금속 염, 암모늄 염, 아민 염, 등이 사용될 수 있다. 산 및 염은 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 비록 상기에 기재된 바와 같은, 제일주석 이온 염을 위해 사용된 무기산 또는 유기산, 또는 그것의 염이 바람직하지만, 여기에는 제한이 없다.

상기에 기재된 바와 같이 유기산 또는 무기산이 전도성 물질을 위해 사용될 때, 본 발명에 사용되는 도금액이 중성 도금액이 되도록, 도금액을 4 내지 8 사이의 범위로 pH를 조정하기 위해 pH 조정제로서 임의의 다양한 염기가 첨가될 수 있다는 것을 인지하여야 한다.

도금액 내에 산 또는 염의 함입 비율은, 예를 들면, 30 g/L 내지 300 g/L 사이, 그리고 바람직하게는 50 g/L 내지 200 g/L 사이, 그리고 더 바람직하게는 80 g/L 내지 150 g/L 사이일 수 있다.

(C) 착화제

본 발명에서 사용된 도금액은 요구된 구조적 조건으로서 착화제를 포함한다. 전형적으로 주석 도금액에서 이중-이온화된 주석 이온은 강산에서 안정하지만, 그러나 중성 근처로 될 때는 불안정해지고 주석 금속으로 분리되기 쉽기 때문에 도금액이 분해되는 경향이 있다. 4 내지 8 사이의 범위로 되는 pH를 가지는 본 발명의 주석 도금액에 대해서는, 착화제가 포함되어야 한다. 착화제는 도금액을 안정화시키는 효과가 있는 것이면 특정한 제한이 없다. 착화제는 예를 들면 글루콘산, 시트르산, 말론산, 숙신산, 타르타르산 또는 그것의 염일 수 있다. 이들 중에서, 글루콘산 또는 그것의 염이 바람직하고, 글루콘산 나트륨이 가장 바람직하다.

도금액 내에 착화제의 함입 비율은, 예를 들면, 80 g/L 내지 250 g/L 사이, 그리고 바람직하게는 100 g/L 내지 200 g/L 사이, 그리고 더 바람직하게는 125 g/L 내지 175 g/L 사이일 수 있다.

(D) 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 디아민

본 발명에 사용된 도금액은 요구된 구조적 조건으로서 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 디아민을 포함한다.이 화합물의 함입은 도금되는 대상물이 함께 결합하는 것을 방지하여, 바렐 도금에서 제조성을 개선할 수 있다. 바람직하게는 폴리옥시알킬렌 알킬렌 사슬을 포함하는 디아민은 하기 화학식에 의해 기재된 화합물이다:

(I)

여기서, 상기 방정식에서, R₁은 1 내지 10 사이의 탄소수를 갖는 직쇄 또는 분지형-사슬 알킬렌 기이고, 바람직하게는 1 내지 6 사이의 탄소수를 갖는 직쇄 또는 분지형-사슬 알킬렌 기이고, 그리고 더 바람직하게는 1 내지 4 사이의 탄소수를 갖는 직쇄 또는 분지형-사슬 알킬렌 기이다. R₂ 내지 R₅ 각각은 독립적으로, 1 내지 10 사이의 탄소수를 갖는 직쇄 또는 분지형-사슬 알킬렌 기이고, 바람직하게는 1 내지 6 사이의 탄소수를 갖는 직쇄 또는 분지형-사슬 알킬렌 기이고, 그리고 더 바람직하게는 1 내지 4 사이의 탄소수를 갖는 직쇄 또는 분지형-사슬 알킬렌 기이다. 각각의 n, m, o, 및 p는 0 내지 15 사이의 정수이고, 여기서 n, m, o, 및 p 모두가 0은 아니다. 바람직하게는, 각각의 n, m, o, 및 p는 1 내지 12 사이의 정수이고, 그리고 더 바람직하게는, 1 내지 8 사이의 정수이다. n, m, o, 및 p의 전체는 1 내지 60 사이, 바람직하게는 2 내지 30 사이, 그리고 더 바람직하게는 4 내지 25 사이이다는 것을 인지하여야 한다.

본 발명자들은 상기에 제시된 화합물을 포함하는 도금액은 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금을 수행할 때 전자 부품의 결합을 감소할 수 있고, 그리고 도금을 수행할 때 문제가 될 수 있는 거품의 적은 발생으로 도금 작업이 안정적으로 수행되도록 할 수 있다는 것을 발견하였다.

폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 디아민의 중량-평균 분자량은 바람직하게는 200 내지 1100 사이, 그리고 더 바람직하게는 300 내지 600 사이이다. 여기서 중량-평균 분자량은 GPC 방법을 사용하여 측정된 값이다.

상업적으로 입수가능한 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 디아민이 사용될 수 있고, 예를 들면, Adeka 폴리에테르 EDP-450, Adeka 폴리에테르 BM-54 (Adeka Co., Ltd.에 의해 제조됨), 등을 사용할 수 있다.

도금액 내 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 디아민의 함입 비율은, 예를 들면, 0.1 g/L 내지 30 g/L, 바람직하게는 0.5 g/L 내지 20 g/L, 그리고 더 바람직하게는 1 g/L 내지 5 g/L 사이일 수 있다.

(E) pH 조정제

본 발명에 사용된 중성 주석 도금액의 pH는 4 내지 8 사이, 그리고 바람직하게는 5 내지 7 사이의 범위로 된다. 이 범위로 pH를 조정하기 위해 도금액에 염기 또는 산이 첨가될 수 있다. 사용될 수 있는 산은, 예를 들면, 메탄 설폰산, 에탄 설폰산, 프로판 설폰산, 염산, 황산, 및 기타 동종의 것을 포함한다. 사용될 수 있는 염기로, 예를 들면, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 및 암모니아수가 있다.

본 발명에 사용된 중성 주석 도금액은 다른 임의의 성분으로서, 도금액에 전형적으로 첨가되는 성분을 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화 억제제, 광택제, 연화제, 전도성 염, 양극 용매, 부식 억제제, 습윤제, 및 기타 동종의 것이 사용될 수 있다.

(F) 산화 억제제

본 발명에 따른 도금액에, 산화 억제제가 적절하게 사용될 수 있다. 본 산화 억제제는 주석 이온이 2+ 내지 4+로 산화되는 것을 방지하기 위해 사용되고, 여기서, 예를 들면, 하이드로퀴논, 카테콜, 레조르신, 프롤로글루신, 파이로갈롤, 하이드로퀴논, 설폰산, 그것의 염, 등이 사용될 수 있다.

산화 억제제는 도금조 내에, 예를 들면, 100 mg/L 내지 50 g/L 사이, 또는 바람직하게는 200 mg/L 내지 20 g/L 사이, 그리고 더 바람직하게는, 0.5 g/L 내지 5 g/L 사이의 농도로 적합하게 사용될 수 있다.

처음으로 전해 도금조를 구성할 때 다양한 성분이 첨가되는 순서에는 특정한 제한이 없다; 그러나, 안전성의 관점에서, 산 및 염은 물을 부가한 후 첨가되고, 주석 염은 그런 다음 철저한 혼합 후 첨가되고, 그 후 다른 화학물질이 철저한 용해 후 필요에 따라 첨가된다.

본 발명에서 도금되는 대상물인 전자 부품에는 특정한 제한이 없고, 이들은, 예를 들면, 저항, 커패시터, 인덕터(또는 유도형 변압기), 써미스터, 바리스터, 가변 저항, 가변 커패시터 또는 기타 수동적인 부품, 또는 결정 진동자, LC 필터, 세라믹 필터, 딜레이 라인, SAW 필터, 또는 다른 기능성 부품 또는 스위치, 커넥터, 릴레이 퓨즈, 광학 커넥터, 또는 기타 연결 부품일 수 있다. 특히, 커패시터, 인덕터, 써미스터 및 바리스터는 부품 내에 세라믹 부분을 가지며, 이는 강산 도금액이 사용될 수 없음을 의미하며, 따라서 본 발명의 중성 도금조를 사용하는 도금이 바람직하다.

도금 방법

본 발명에 따른 도금액을 사용하여 바렐 도금을 수행하는 방법이 설명될 것이다. 상기에 기재된 바와 같이, 정상적으로, 바렐 도금을 수행할 때, 도금되는 대상물인 전자 부품은 더미 볼과 함께 장입되고, 그리고 이들이 도금액에 액침된 상태에서, 전류는 바렐이 회전될 때 인가되지만, 그러나 본 발명에 따른 바렐 도금 방법은 더미 볼의 첨가 없이 단지 도금되는 대상물만을 바렐 안으로 넣는 경우를 포함한다. 본 바렐 도금 방법은 수평 또는 경사진 회전하는 바렐 유형, 피벗하는 바렐 유형, 진동하는 바렐 유형 등과 같은 임의의 장치를 사용할 수 있다. 바렐 도금은 예를 들면 10 내지 50℃, 바람직하게는 20 내지 40℃ 사이의 도금액의 온도로 수행될 수 있다. 또한, 음극 전류 밀도는 즉, 예를 들면, 0.01 내지 10A/d㎡, 바람직하게는 0.05 내지 5A/d㎡ 그리고 더 바람직하게는 0.1 내지 0.5A/d㎡ 사이의 범위에서 적절하게 선택될 수 있다. 예를 들면, 도금 공정 중에 도금조가 교반되지 않거나, 또는, 예를 들면 교반기를 사용하여 교반될 수 있는 방법이 선택될 수 있거나, 또는 펌프를 사용하여 유체를 유동하는 방법이 선택될 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 도금액을 사용하여 고속 회전식 도금을 수행할 때, 도금은, 예를 들면 통과액 도금기 등을 사용하여, 10 내지 50℃의 조건하에서, 0.01 내지 10A/d㎡ 사이의 음극 전류 밀도로, 고속 회전 도중에 도금되는 도금되는 대상물인 작은 전자 부품으로 수행될 수 있다.

구현예 1

하기 조성을 갖는 주석 도금액의 전해 배쓰가 제조되었다:

(A) 제일주석 메탄 설포네이트: 39 g/L (주석 이온으로 15 g/L)

(B) 나트륨 메탄 설포네이트: 100 g/L

(C) 글루콘산 나트륨: 145 g/L

(D) Adeka 폴리에테르 EDP-450 (분자량: 450): 2 g/L

(E) 수산화나트륨: 도금액의 pH가 6이 되도록 하기에 충분한 양

(F) 나트륨 에리토르베이트: 2 g/L

(G) 물: 밸런스

Adeka 폴리에테르 EDP-450의 구조

제조된 전해 배쓰의 2리터의 주석 도금액을 사용하여 니켈 도금되어 진 칩 저항에 바렐 주석 도금을 하기 조건으로 실시하였고, 다양한 평가를 수행하였다. 결과는 표 1에 제시되어 있다.

바렐 도금 조건 1

바렐: Yamamoto 미니 바렐 (수용력: 대략 140 mL)

도금되는 대상물: 칩 저항: 5g

더미 볼: 강철 볼, 직경: 0.71 내지 0.85mm, 60g

전류 밀도: 0.2 A/d㎡

도금 시간: 50 min.

도금액 온도: 35℃

회전 속도: 6 rpm

(땜납 습윤성 시험)

구현예 및 비교 실시예에 따른 도금액 각각 2리터를 준비하고, 칩 저항의 외부 전극에 5-㎛ 주석 도금 코팅을 증착하기 위해, 주석 전기도금을 35℃의 배쓰 온도로 0.2 A/d㎡에서 50분 동안 수행하였다. 각각의 생산된 주석 도금 코팅에 습열 시험 절차를 수행하였고(온도 105℃, 습도 100%로, 4시간 동안 PCT 절차), 그리고 습열 시험 전후 도금 코팅의 땜납 습윤성을 솔더 페이스트 평형 방법을 통해 제로-크로스 시간("ZCT")을 측정하기 위해 Tarutin에서 제조된 다중-납땜성 테스터 SWET-2100을 사용하여 평가하였다. 측정 조건은 아래와 같았다:

제로-크로스 시간 측정 조건

ㆍ 솔더 페이스트: Sn:Ag:Cu = 95.75:3.5:0.75

ㆍ 시험 온도: 245℃

ㆍ 액침 깊이: 0.15mm

ㆍ 시험 속도: 2mm/s

ㆍ 지속 시간: 8초

땜납 습윤성은 PCT 절차 전후 모두에서 측정하였고 그리고 결과는 표 1에 제공되어 있다.

결합 비율(총 칩 중량에 대해 부착된 칩들의 중량 비율) 및 엉겨붙은 비율(더미 볼의 총 중량에 대해 함께 엉겨붙은 더미 볼의 중량 비율)을 계산하였고, 그리고 유사하게, 표 1에 제공되어 있다.

제조된 전해 배쓰의 도금액을 사용하여 헐 셀 시험을 수행하였고, 생성된 도금 코팅의 외부 외관을 육안으로 관찰하였고, 그리고 (2000배에서) SEM을 사용하여 도금 입도를 측정하였다.

비교 실시예 1

제1 구현예에서의 (D) Adeka 폴리에테르 EDP-450 대신에 2 g/L의 라우릴 디메틸아미노아세테이트 베타인 (Amphitol 20BS, Kao Corp.에 의해 제조됨)을 사용하는 것을 제외하고, 제1 구현예에서와 동일한 조성물로 주석 도금액의 전해 배쓰를 제조하였다. 도금액의 포말성이 높았고 따라서 바렐 도금에 적합하지 않다.

비교 실시예 2 내지 4

제1 구현예에서의 (D) Adeka 폴리에테르 EDP-450 대신에 각각, 2 g/L의 4차 암모늄 염 폴리머 (Papiogen P-113 (비교 실시예 2)), SenkaFix 401 (비교 실시예 3), 및 4차 암모늄 염 (Eretat M-65 (비교 실시예 4))을 사용하는 것을 제외하고, 제1 구현예에서와 동일한 조성물로 주석 도금액의 전해 배쓰를 제조하였다. 비교 실시예 4에서 생산된 도금액은 높은 포말성을 가졌고, 그래서 바렐 도금에 적합하지 않았다. 비교 실시예 2 및 비교 실시예 3에서 생산된 도금액에 대해, 제1 구현예에서와 동일한 절차를 각각에 대해 수행하였다. 비교 실시예 2에서 생산된 도금액에 대한 헐 셀 시험에서 수득된 도금 코팅의 외부 외관은 탁월한 결과로 백색이었지만, 바렐 도금 시험에서 결합 비율이 81.3%로 높았다. 비교 실시예 3에서 수득된 도금액에 대해, 헐 셀 시험에서 생성된 도금 코팅의 외부 외관은 바람직하지 않은 회색질-흑색이었다.

구현예 2

바렐 도금 조건 1을 아래의 바렐 도금 조건 2로 변경하는 외에 제1 구현예에서와 동일한 방식으로 시험을 수행하였고, 그리고 결합 비율과 엉겨붙은 비율을 측정하였다. 결과는 칩 결합 비율이 0.1%였고, 더미 볼 엉겨붙은 비율은 0%였다. 또한, 도금액의 적은 발포가 있었다.

바렐 도금 조건 2

바렐: Yamamoto 미니 바렐 (수용력: 대략 140 mL)

도금되는 대상물: 칩 저항: 5g

더미 볼: 강철 볼, 직경: 0.71 내지 0.85mm, 60g

전류 밀도: 0.2 A/d㎡

도금 시간: 50 min.

도금액 온도: 35℃

회전 속도: 12 rpm

Claims (5)

1. (A) 제일주석 이온, (B) 산 또는 염, (C) 착화제, 및 (D) 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 디아민을 포함하고, 그리고 pH가 4 내지 8 사이의 범위인 주석 도금액을 사용하여 전자 부품을 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금하는 단계를 포함하는, 전자 부품에 대한 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금 방법.
2. 제1항에 있어서, 바렐 도금은 0.05 내지 0 사이의 전류 밀도로 수행되는, 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 전자 부품은 커패시터, 인덕터, 써미스터, 및 바리스터(varistor)로부터 선택되는, 방법.
4. (A) 제일주석 이온;
   (B) 산 또는 염;
   (C) 착화제; 및
   (D)폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 디아민을 포함하되, pH가 4 내지 8 사이의 범위인, 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금용 중성 주석 도금액.
5. 제4항에 있어서, 상기 폴리옥시알킬렌 사슬을 갖는 상기 디아민은 200 내지 1100 사이의 분자량을 갖는, 바렐 도금 또는 고속 회전식 도금용 중성 주석 도금액.