KR20040013151A - 고자장 철손과 피막 특성이 우수한 초고자속밀도 일방향성전자강판과 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 질량%로 Si:2 내지 7%를 필수 성분으로서 함유하는 일방향성 전자강판으로서, 지철과 일차 피막 계면에 Bi가 존재하는 것을 특징으로 하는 고자장 철손과 피막 특성이 우수한 초고자속밀도 일방향성 전자강판.
- 질량%로, Si:2 내지 7%를 필수 성분으로서 함유하는 일방향성 전자강판으로서, 지철과 일차 피막 계면에 Bi가 중량으로 0.01ppm 이상 1000ppm 미만 존재하는 것을 특징으로 하는 고자장 철손과 피막 특성이 우수한 초고자속밀도 일방향성 전자강판.
- 질량%로, Si:2 내지 7%를 필수 성분으로서 함유하는 일방향성 전자강판으로서, 지철과 일차 피막 계면에 Bi가 중량으로 0.1ppm 이상 100ppm 미만 존재하는 것을 특징으로 하는 고자장 철손과 피막 특성이 우수한 초고자속밀도 일방향성 전자강판.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,자속밀도 B8이 1.94T 이상의 매우 높은 값을 가지는 것을 특징으로 하는 고자장 철손과 피막 특성이 우수한 초고자속밀도 일방향성 전자강판.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,W17/50(B8 1.7T, 50Hz의 자성 조건 하에서의 에너지 손실)에 대한 W19/50(B8 1.9T, 50Hz의 자성 조건 하에서의 에너지 손실)비율 W19/50/W17/50<1.8인 것을 특징으로 하는 고자장 철손과 피막 특성이 우수한 초고자속밀도 일방향성 전자강판.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,자구제어 후에 W19/50/W17/50<1.6이 되는 극히 고자장에서의 열화율이 적은 것을 특징으로 하는 고자장 철손과 피막 특성이 우수한 초고자속밀도 일방향성 전자강판.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,자구제어 후에 W19/50≤1.2W/kg이 되는 극히 고자장에서의 철손이 우수한 고자장 철손과 피막 특성이 우수한 초고자속밀도 일방향성 전자강판.
- 질량%로, C:0.15% 이하, Si:2 내지 7%, Mn:0.02 내지 0.30%, S 및 Se 중에서 선택한 1종 또는 2종의 합계:0.001 내지 0.040%, 산가용성Al:0.010 내지 0.065%, N:0.0030 내지 0.0150%, Bi:0.0005 내지 0.05%를 기본 성분으로 하고, 나머지 부분 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어진 일방향성 전자강 열연판에, 필요에 따라 어닐링을 실시하고 1회 혹은 2회 이상 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 2회 이상의 냉간압연을 실시하고, 탈탄 어닐링한 후, 어닐링 분리제를 도포, 건조하여 마무리 어닐링을 실시하는 방향성 전자강판의 제조 방법에 있어서, 최종 판 두께까지 냉연된 강판을, 700℃ 이상의 온도역으로 10초 이내 혹은 100℃/s 이상의 가열 속도에 의하여 가열하고, 바로 700℃ 이상의 1 내지 20 초간의 예비 어닐링을 실시한 후에 탈탄 어닐링을 실시하는 것을 특징으로 하는 피막 특성과 고자장 철손이 우수한 고자속밀도 일방향성 전자강판의 제조 방법.
- 질량%로,C: 0.15% 이하,Si: 2 내지 7%,Mn: 0.02 내지 0.30%,S 및 Se 중에서 선택한 1종 또는 2종의 합계: 0.00l 내지 0.040%,산가용성Al: 0.010 내지 0.065%,N: 0.0030 내지 0.0150%,Bi:0.0005 내지 0.05%를 기본 성분으로 하고, 나머지는 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어진 일방향성 전자강 열연판에, 필요에 따라 어닐링을 실시하고, 1회 혹은 2회 이상 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 2회 이상의 냉간압연을 실시하고, 탈탄 어닐링한 후, 어닐링 분리제를 도포, 건조하여 마무리 어닐링을 실시하는 일방향성 전자강판의 제조 방법에 있어서, 최종 판 두께까지 냉연된 강판을 탈탄 어닐링하기 전에, 700℃이상의 온도역으로 10초 이내 혹은 100℃/s 이상의 가열 속도에 의하여 가열하고, 바로 700℃ 이상에서 1 내지 20초간의 예비 어닐링을 실시하고, 또한 이 온도역의 분위기 구성 성분을, H2O와 불활성 가스, H2O와 H2, 또는 H2O와 불활성 가스와 H2의 어느 하나로 하고, 또한 H2O 분압을 10-4내지 6×10-1로 하는 가열처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 고자장 철손과 피막 특성이 우수한 초고자속밀도 일방향성 전자강판의 제조 방법.
- 제8항 또는 제9항에 있어서,상기 가열처리가 탈탄 어닐링의 승온단계로서 이루어지는 것을 특징으로 하는 고자장 철손과 피막 특성이 우수한 초고자속밀도 일방향성 전자강판의 제조 방법.
- 질량%로,C: 0.15% 이하,Si: 2 내지 7%,Mn:0.02 내지 0.30%S 및 Se 중에서 선택한 1종 또는 2종의 합계: 0.001 내지 0.040%산가용성Al: 0.010 내지 0.065%,N:0.0030 내지 0.0150%,Bi:0.0005 내지 0.05%를 기본 성분으로 하고, 나머지는 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어진 일방향성 전자강 열연판에, 필요에 따라 어닐링을 실시하고, 1회 혹은 2회 이상 또는 중간어닐링을 사이에 두는 2회 이상의 냉간압연을 실시하고, 탈탄 어닐링한 후, 어닐링 분리제를 도포, 건조하여 마무리 어닐링을 실시하는 방향성 전자강판의 제조 방법에 있어서, 마무리 냉연 전의 어닐링의 최고 도달 온도를 Bi 함유량에 따라 아래 식의 범위로 제어하는 동시에, 최종 판 두께까지 냉연된 강판을 탈탄 어닐링하기 전에, 700℃ 이상의 온도역으로 10초 이내 혹은 100℃/초 이상의 가열 속도에 의하여 가열하는 것을 특징으로 하는 B8≥1.94T의 초고자속밀도이고 고자장 철손이 우수한 일방향성 전자강판의 제조 방법.-10×1n(A)+1100≤B≤-10×ln(A)+1220이 때 A: Bi함유량(ppm)B: 마무리 냉연전 어닐링 온도(℃)
- 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,마무리 냉연 전의 어닐링의 최고 도달 온도를 Bi 함유량에 따라 아래 식의 범위로 제어하는 것을 특징으로 하는 B8≥1.94T의 초고자속밀도이고 고자장 철손이 우수한 일방향성 전자강판의 제조 방법.-10×ln(A)+1100≤B≤-10×ln(A)+1220이 때 A: Bi함유량(ppm)B: 마무리 냉연전 어닐링 온도(℃)
- 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,마무리 냉연 전의 어닐링의 최고 도달 온도를 Bi 함유량에 따라 아래의 범위로 제어하는 것을 특징으로 하는 B8≥1.94T의 초고자속밀도이고 고자장 철손이 우수한 일방향성 전자강판의 제조 방법.-10×1n(A)+1130≤B≤-10×1n(A)+1220A: Bi함유량(ppm)B: 마무리 냉연전 어닐링 온도(℃)
- 제8항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,MgO를 주성분으로 하는 어닐링 분리제중의 TiO2첨가량과 편면당 어닐링 분리제 도포량을 Bi 함유량에 따라 아래 (1)식의 범위로 제어하는 것을 특징으로 하는 피막 특성과 고자장 철손이 우수한 초고자속밀도 일방향성 전자강판의 제조 방법.A0.8≤B×C≤400…(1)A: Bi함유량(ppm)B: MgO: 100 중량부에 대한 TiO2중량부C: 편면당 어닐링 분리제 도포량(g/m2)
- 제8항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,MgO를 주성분으로 하는 어닐링 분리제 중의 TiO2 첨가량과 편면당 MgO 도포량을 Bi 함유량에 따라 아래 (2)식의 범위로 제어하는 것을 특징으로 하는 피막 특성과 고자장 철손이 우수한 초고자속밀도 일방향성 전자강판의 제조 방법.4×A0.8≤B×C≤400…(2)A: Bi함유량(ppm)B: MgO: 100 중량부에 대한 TiO2중량부C: 편면당 어닐링 분리제 도포량(g/m2)
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