JPWO2013099963A1 - 電子部品 - Google Patents

Abstract

電子部品１は、支持部材５と、該支持部材５上に、空間Ｓを介して実装された、前記支持部材との対向面を有するＳＡＷ素子７と、該ＳＡＷ素子７を覆っており、かつ、空間Ｓを封止するように設けられた樹脂部９と、を有している。ＳＡＷ素子７は、圧電基板１９と、圧電基板１９の対向面１９ａに設けられたＩＤＴ３５と、圧電基板１９の対向面１９ａに設けられ、ＩＤＴ３５から圧電基板１９の外周側に延びる配線３３（外側配線３９）と、配線３３の側方縁部３９ａに隣接し、ＩＤＴ３５を囲む周方向に関して部分的に設けられた堰部材４３と、を有している。

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子、圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）等の電子素子を含む電子部品に関する。

支持部材と、該支持部材に実装された電子素子と、該電子素子を覆う封止樹脂とを備えた電子部品において、支持部材と電子素子との間の対向空間に封止樹脂が流入しないようにしたものが知られている。例えば、特許文献１では、電子素子及び支持部材の互いに対向する対向面のいずれか一方に、対向空間を囲む環状のダムを形成することにより、封止樹脂が対向空間に流入しないようにしている。これにより、対向空間に露出する機能体（ＳＡＷ共振子等）が樹脂部によって覆われることを阻止し、機能体の電気特性の低下を抑制している。なお、このようなダムを設けない電子部品も知られている（特許文献２）。

特開平０５−５５３０３号公報 特開２００６−２７９４８４号公報

しかし、特許文献１の技術では、例えば、ダムを環状に設けなければならないことから、電子素子等の対向面の省スペース化が妨げられるなどの不都合が生じる。

本発明の目的は、封止樹脂の流れを好適に制御できる電子部品を提供することにある。

本発明の一態様に係る電子部品は、支持部材と、該支持部材上に、空間を介して実装された、前記支持部材との対向面を有する電子素子と、該電子素子を覆っており、かつ、前記空間を封止するように設けられた封止樹脂と、を有し、前記電子素子は、素子基板と、該素子基板の対向面に設けられた機能体と、前記素子基板の対向面に設けられ、前記機能体から前記素子基板の外周側に延びる第１配線と、前記第１配線の縁部及び前記機能体の縁部並びにこれら縁部の隣接位置の少なくともいずれかに位置する部分を含み、前記機能体を囲む周方向に関して局所的に設けられた、液状樹脂に対する流れ抑制部と、を有する。

上記の構成によれば、封止樹脂の流れを好適に制御できる。

図１（ａ）及び図１（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る電子部品の外観を示す斜視図。 図１の電子部品の分解斜視図。 図３（ａ）は図１（ａ）のIIIａ−IIIａ線における断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の領域IIIｂの拡大図。 図１の電子部品の一部を取り外して示す平面図。 図５（ａ）は図４の領域Ｖａの拡大図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＶｂ−Ｖｂ線における断面図、図５（ｃ）は図５（ａ）のＶｃ−Ｖｃ線における断面図。 図６（ａ）〜図６（ｅ）は図１の電子部品の製造方法を説明する断面図。 本発明の第２の実施形態に係る電子部品を示す図４に相当する平面図。 本発明の第３の実施形態に係る電子部品を示す図４に相当する平面図。 本発明の第４の実施形態に係る電子部品を示す図４に相当する平面図。 本発明の第５の実施形態に係る電子部品を示す図４に相当する平面図。 本発明の第６の実施形態に係る堰部材を示す平面図。 本発明の第７の実施形態に係る堰部材を示す平面図。 本発明の第８の実施形態に係る電子部品の図５（ｃ）に相当する断面図。 本発明の第９の実施形態に係る電子部品を示す図４に相当する平面図。 図１５（ａ）は図１４の領域XVａの拡大図、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のXVｂ−XVｂ線における断面図。 図１６（ａ）〜図１６（ｈ）は第９の実施形態に係る種々の変形例を示す平面図。

以下、本発明の実施形態に係る電子部品について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

また、各実施形態等の説明において、既に説明した構成と同一若しくは類似する構成については、同一の符号を付して説明を省略することがある。

＜第１の実施形態＞
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品１の外観を示す上面１ａ側から見た斜視図であり、図１（ｂ）は、電子部品１の外観を示す下面１ｂ側から見た斜視図である。

なお、電子部品１は、いずれの方向が上方若しくは下方とされてもよいものであるが、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側を上方として、上面若しくは下面の語を用いるものとする。

電子部品１は、例えば、概ね直方体状に形成されており、その下面１ｂには、複数の外部端子３が適宜な形状及び適宜な数で露出している。電子部品１の大きさは適宜な大きさとされてよいが、例えば、１辺の長さが１ｍｍ〜数ｍｍである。

電子部品１は、不図示の実装基板に対して下面１ｂを対向させて配置され、実装基板に設けられたパッドと複数の外部端子３とがはんだバンプ等を介して接合されることにより実装基板に実装される。そして、電子部品１は、例えば、複数の外部端子３のいずれかを介して信号が入力され、入力された信号に所定の処理を施して複数の外部端子３のいずれかから出力する。

なお、複数の外部端子３の数、位置及び役割は、電子部品１内部の構成等に応じて適宜に設定されてよい。本実施形態では、４つの外部端子３が下面１ｂの４隅に設けられている場合を例示している。

図２は、電子部品１の分解斜視図である。図３（ａ）は、図１（ａ）のIIIａ−IIIａ線における断面図である。なお、実際には、電子部品１は、一部の部材の破断無しには図２のように分解することはできない。

電子部品１は、支持部材５と、当該支持部材５上に実装されたＳＡＷ素子７と、支持部材５とＳＡＷ素子７との間に介在するバンプ８（図３（ａ））と、ＳＡＷ素子７を封止する樹脂部９とを有している。

支持部材５は、例えば、リジッド式のプリント配線板によって構成されており、絶縁基体１１と、絶縁基体１１の上面１１ａに形成された上面導電層１３Ａ（図３（ａ））と、絶縁基体１１の内部に上面１１ａに平行に形成された内部導電層１３Ｂ（図３（ａ））と、絶縁基体１１の全部又は一部を上下方向に貫通するビア導体１５（図３（ａ））と、絶縁基体１１の下面１１ｂに形成された既述の外部端子３とを有している。なお、支持部材５は、内部導電層１３Ｂが設けられないものであってもよい。

絶縁基体１１は、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。また、絶縁基体１１は、例えば、樹脂、セラミック及び／又はアモルファス状態の無機材料を含んで形成されている。絶縁基体１１は、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。

上面導電層１３Ａは、ＳＡＷ素子７を支持部材５に実装するための基板パッド１７（図３（ａ））を含んでいる。ビア導体１５及び内部導電層１３Ｂは、基板パッド１７と外部端子３とを接続する配線を含んでいる。なお、上面導電層１３Ａ、内部導電層１３Ｂ及びビア導体１５は、インダクタ、コンデンサ若しくは適宜な処理を実行する回路を含んでいてもよい。上面導電層１３Ａ、内部導電層１３Ｂ、ビア導体１５及び外部端子３は、例えば、Ｃｕ等の金属により構成されている。

ＳＡＷ素子７は、圧電基板１９と、圧電基板１９の下面（支持部材５との対向面）１９ａに設けられた素子導電層２０とを有している。なお、ＳＡＷ素子７は、この他、圧電基板１９の上面１９ｂを覆う電極及び／又は保護層等の適宜な部材を有していてよい。

圧電基板１９は、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。圧電基板１９の平面視における大きさは、支持部材５の平面視における大きさよりも小さい。圧電基板１９は、例えば、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板により構成されている。

素子導電層２０は、素子パッド２５Ａ〜２５Ｄ（以下、Ａ〜Ｄを省略することがある。）を含んでいる。なお、素子導電層２０が含むその他の構成（パターン）については後述する。

バンプ８は、素子パッド２５と基板パッド１７との間に介在して、これらパッドを接合している。バンプ８は、はんだにより構成されている。はんだは、Ｐｂ−Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ−Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。なお、バンプ８は、導電性接着剤によって形成されていてもよい。

素子パッド２５と基板パッド１７との間にバンプ８が介在していることにより、絶縁基体１１の上面１１ａと、圧電基板１９の下面１９ａとの間には間隙（空間Ｓ、図３（ａ））が形成されている。これにより、後述するＳＡＷの伝搬が容易化されている。

樹脂部９は、例えば、支持部材５上においてＳＡＷ素子７を覆うように設けられている。すなわち、樹脂部９は、ＳＡＷ素子７の上面１９ｂ及び側面１９ｃ、並びに、支持部材５の上面１１ａのうちのＳＡＷ素子７の外周部分に当接している。これらの当接部分は、少なくとも一部、好ましくは、全部が接着されていることが好ましい。

樹脂部９の外形は、例えば、概ね直方体状になるように形成されている。その平面視における形状及び大きさは、例えば、支持部材５の平面形状と同様であり、樹脂部９の側面は支持部材５の側面と面一になっている。樹脂部９のＳＡＷ素子７上の厚みは、ＳＡＷ素子７の保護の観点等の種々の観点から適宜な大きさとされてよい。

樹脂部９は、樹脂によって構成されている。樹脂は、好ましくは熱硬化性樹脂であり、熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂若しくはフェノール樹脂である。樹脂には、当該樹脂よりも熱膨張係数が低い材料により形成された絶縁性粒子からなるフィラーが混入されていてもよい。絶縁性粒子の材料は、例えば、シリカ、アルミナ、フェノール、ポリエチレン、グラスファイバー、グラファイトフィラーである。

樹脂部９は、空間Ｓに充填されておらず、空間Ｓは、樹脂部９によって密閉されている。空間Ｓ内は、真空とされていてもよいし、空気等の気体が封入されていてもよい。気体が封入されている場合において、その圧力は、空間Ｓ内の温度が大気の温度と同等のときに、大気圧よりも高くてもよいし、同等でもよいし、大気圧よりも低くてもよい。

図３（ｂ）は、図３（ａ）の領域IIIｂの拡大図である。

樹脂部９は、空間Ｓを囲む内壁面９ａを有している。内壁面９ａは、例えば、圧電基板１９の側面１９ｃよりも内側に位置している。なお、内壁面９ａは、凹状であっても、凸状であっても、平面状であってもよい。また、内壁面９ａは、バンプ８に当接していてもよいし、当接していなくてもよい。

図４は、支持部材５を取り外して示す下面側から見た電子部品１の平面図である。

素子導電層２０は、例えば、一又は複数（本実施形態では複数）のＳＡＷ共振子３１Ａ〜３１Ｅ（以下、Ａ〜Ｅを省略することがある。）と、複数のＳＡＷ共振子３１に接続された配線３３と含んでいる。なお、配線３３は、素子パッド２５を含むものとして捉えられてもよい。

ＳＡＷ共振子３１は、種々の目的に応じて適宜な構成、数及び配置で設けられてよい。本実施形態では、複数のＳＡＷ共振子３１によって、ラダー型ＳＡＷフィルタが構成されている場合を例示している。

具体的には、ＳＡＷ共振子３１Ａ〜３１Ｃは、素子パッド２５Ａと２５Ｂとの間において直列に接続されている。ＳＡＷ共振子３１Ｄ及び３１Ｅは、これらに並列に接続されている。すなわち、ＳＡＷ共振子３１Ｄ及び３１Ｅは、ＳＡＷ共振子３１Ａ〜３１Ｃ間と素子パッド２５Ｃ及び２５Ｄとの間に配置されている。

素子パッド２５Ａに信号が入力されると、複数のＳＡＷ共振子３１Ａ〜３１Ｅからなるラダー型ＳＡＷフィルタは、その信号をフィルタリングして素子パッド２５Ｂに出力する。なお、素子パッド２５Ｃ及び２５Ｄは、基準電位に接続される。

各ＳＡＷ共振子３１は、例えば、１ポートＳＡＷ共振子であり、ＩＤＴ３５と、ＩＤＴ３５を挟む２つの反射器３７とを有している。

ＩＤＴ３５は、互いに噛み合うように配置された１対の櫛歯電極３６を有している。各櫛歯電極３６は、長尺に形成されたバスバー３６ａと、バスバー３６ａから当該バスバー３６ａの長手方向に直交する方向に延びる複数の電極指３６ｂとを有している。複数の電極指３６ｂのピッチは概ね一定である。

反射器３７は、長尺状に形成され、長辺同士を対向させて配置された１対のバスバー３７ａと、１対のバスバー３７ａ間において延びる複数の電極指３７ｂとを有している。複数の電極指３７ｂのピッチは概ね一定であるとともに、ＩＤＴ３５の複数の電極指３６ｂのピッチと概ね同一である。ＩＤＴ３５と反射器３７との間隔は、電極指３６ｂ及び３７ｂのピッチと概ね同一である。

１対の櫛歯電極３６の一方のバスバー３６ａに入力された電気信号は、複数の電極指３６ｂに直交する方向に伝搬するＳＡＷに変換され、このＳＡＷは、再度電気信号に変換されて１対の櫛歯電極３６の他方のバスバー３６ａから出力される。この過程において、電気信号は、通過帯域外の周波数成分が減衰される。通過帯域は、複数の電極指３６ｂのピッチを概ね半波長とするＳＡＷの周波数帯に相当する。

複数のＳＡＷ共振子３１は、空間Ｓ内に収まっている（樹脂部９に覆われていない）。従って、ＳＡＷ共振子３１においては、ＳＡＷの伝搬（圧電基板１９の振動）が容易化されている。

配線３３は、例えば、複数のＳＡＷ共振子３１と素子パッド２５とを接続する外側配線３９と、ＳＡＷ共振子３１同士（若しくは櫛歯電極３６と反射器３７と）を接続する中間配線４１とを有している。

外側配線３９は、基本的には、バスバー３６ａと素子パッド２５とを接続している。また、中間配線４１は、基本的には、互いに異なるＳＡＷ共振子３１のバスバー３６ａ同士を接続している。なお、ＳＡＷ共振子３１Ｄにおいては、基準電位側となるバスバー３６ａと一の反射器３７とが中間配線４１によって接続されており、その反射器３７と素子パッド２５Ｃとが外側配線３９によって接続されている。

外側配線３９は、ＳＡＷ共振子３１から圧電基板１９の外周側に延びている。そして、外側配線３９の素子パッド２５よりも外周側に位置する部分は、空間Ｓよりも外側に位置し、樹脂部９に接している。

なお、中間配線４１は、空間Ｓ内に収まっているＳＡＷ共振子３１同士等を接続するから、基本的には樹脂部９に接していない。ただし、例えば、ＳＡＷ素子７を小型化するように複数のＳＡＷ共振子３１を適宜に配置した結果、中間配線４１の一部が空間Ｓの外側に位置して樹脂部９に接することがあってもよい。

外側配線３９及び中間配線４１は、直線状に延びてもよいし、曲線状に延びてもよいし、屈曲してもよい。また、一定の幅で延びてもよいし、徐々に幅が変化してもよいし、段階的に幅が変化してもよい。本実施形態では、外側配線３９は、ＳＡＷ共振子３１から一定の幅で直線状に延びた後、屈曲するとともに幅が広くなっている。

素子導電層２０の各部（ＳＡＷ共振子３１、配線３３及び素子パッド２５）は、例えば、互いに同一の材料により形成されている。なお、図４等においては、説明の便宜のために、これらの間の境界線を明示している。ただし、実際に、これらの一部が別の材料によって構成されていてもよい。素子導電層２０は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属により構成されている。なお、素子パッド２５においては、バンプ８との接着性の向上等を目的として、表面にニッケル及び金等の適宜なめっき層が形成されていてもよい。素子導電層２０の厚みは、例えば、１００ｎｍ〜３００ｎｍである。

ＳＡＷ素子７の下面１９ａには、上記の他、電子部品１を作製する過程等において、樹脂部９となる液状の樹脂の流れを制御（具体的には抑制）するための複数の堰部材４３が設けられている。

堰部材４３は、外側配線３９の側方縁部３９ａ（外側配線３９が延びる方向の側方の縁部）に隣接して設けられている。また、堰部材４３は、ＳＡＷ素子７の下面１９ａにおいて点在している。すなわち、堰部材４３は、一又は複数のＳＡＷ共振子３１を囲む周方向（若しくは周）に関して部分的（局所的）に設けられており、一又は複数のＳＡＷ共振子３１を囲んでいない。また、堰部材４３は、配線３３を横切っていない。また、堰部材４３は、ＳＡＷ共振子３１（より詳細には電極指）に対して、ＳＡＷの伝搬方向（ｙ方向）に位置していない。

図５（ａ）は、図４の領域Ｖａの拡大図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＶｂ−Ｖｂ線の断面図である。図５（ｃ）は、図５（ａ）のＶｃ−Ｖｃ線の断面図である。

堰部材４３は、外側配線３９の、側方縁部３９ａにおける側面３９ａａに当接している。堰部材４３は、側方縁部３９ａにおいて外側配線３９と一部が重複していてもよいし（外側配線３９の上面３９ｂを覆っていてもよいし）、重複していなくてもよい。本実施形態では、重複している場合を例示している。また、堰部材４３の厚みは、適宜に設定されてよいが、例えば、当該厚みは、外側配線３９の厚みよりも大きい。例えば、外側配線３９の厚みが１００ｎｍ〜３００ｎｍであるのに対して、堰部材４３の厚みは、０．５〜３μｍである。

堰部材４３の、外側配線３９とは反対側の側面４３ａは、傾斜面となっており、側面４３ａと下面１９ａとが形成する溝の角度θ２は、外側配線３９の側面３９ａａと下面１９ａとが形成する溝の角度θ１よりも大きい。なお、特に図示しないが、堰部材４３は、前面若しくは後面（ｘ方向に面する面）も側面４３ａと同様に傾斜面となっていてよい。

堰部材４３は、絶縁材料により形成されていてもよいし、導電材料により形成されていてもよい。ただし、本実施形態のように、堰部材４３が外側配線３９に当接している場合においては、素子導電層２０のインピーダンス等を設計値に精度良く一致させる観点から、堰部材４３は、絶縁材料により形成されていることが好ましい。絶縁材料は、例えば、樹脂若しくはセラミックである。樹脂は、パターニングの容易性の観点から感光性樹脂であることが好ましい。感光性樹脂は、例えば、ポリイミドである。

図６（ａ）〜図６（ｅ）は、電子部品１の製造方法を説明する図である。図６（ａ）、図６（ｄ）及び図６（ｅ）は、図３（ａ）に対応する断面図であり、図６（ｂ）及び図６（ｃ）は、図５（ｃ）に対応する断面図である。製造工程は、図６（ａ）から図６（ｅ）へ順に進んでいく。

まず、図６（ａ）に示すように、圧電基板１９の下面１９ａ上には、素子導電層２０が形成される。なお、当該工程は、分割されることによって圧電基板１９となる母基板を対象に行われるが、図６（ａ）では、１つの電子部品１に対応する部分のみを図示している。

素子導電層２０の形成においては、具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の薄膜形成法により、下面１９ａ上に金属層が形成される。次に、金属層に対してフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。パターニングにより、ＳＡＷ共振子３１、配線３３及び素子パッド２５が形成される。

素子導電層２０が形成されると、図６（ｂ）に示すように、堰部材４３となる絶縁層４５が形成される。絶縁層４５は、例えば、圧電基板１９の下面１９ａの全面に亘って形成され、素子導電層２０も覆う。絶縁層４５の形成は、例えば、蒸着法もしくはＣＶＤ等の薄膜形成法により行われる。

絶縁層４５が形成されると、図６（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー等によりパターニングが行われ、堰部材４３が形成される。このとき、例えば、絶縁層４５の材料として、ポジ型の感光性材料を使用すると、下面１９ａに近いほど光の散乱によって十分に光が照射されず、その結果、堰部材４３の側面４３ａを外側配線３９の側面３９ａａよりも傾斜させることができる。または、適宜な光学系によってフォトマスクを通過する光を拡大（ネガ型の場合）若しくは縮小（ポジ型の場合）して、光の外周面を傾斜させることによって、側面４３ａを傾斜させることができる。

その後、特に図示しないが、母基板がダイシングされることにより、ＳＡＷ素子７は個片化される。

次に、図６（ｄ）に示すように、支持部材５にＳＡＷ素子７を実装する。なお、この時点において、支持部材５は、例えば、まだ個片化されずに、母基板の状態とされている。ただし、個片化されていてもよい。

具体的には、まず、支持部材５を用意する。支持部材５の製造方法は、一般的なプリント配線板の製造方法と同様でよい。次に、スクリーン印刷等の適宜な方法により、バンプ８を支持部材５に設ける。なお、バンプ８は、ＳＡＷ素子７の個片化の前等において、ＳＡＷ素子７に設けられてもよい。そして、バンプ８を介してＳＡＷ素子７を支持部材５上に配置し、リフロー炉等によってバンプ８を加熱・溶融し、その後、冷却する。

ＳＡＷ素子７が支持部材５に実装されると、図６（ｅ）に示すように、樹脂部９となる液状の樹脂４７が供給される。樹脂４７の供給は、例えば、スクリーン印刷によって行われる。このとき、例えば、樹脂４７の粘度を高く設定しておいたり、樹脂４７に付与する圧力を低く設定しておいたり、空間Ｓの高さを低く設定しておいたりすることによって、樹脂４７が空間Ｓに流れ込むことを抑制することができる。粘度を高くする方法としては、樹脂４７の組成を適宜なものとする、樹脂４７における効果促進剤の含有量を多くする、樹脂４７の硬化温度を低くする等が挙げられる。

このように本実施形態においては、基本的には、樹脂部９となる液状の樹脂４７の粘性に起因して生じる抵抗力を利用して、樹脂４７の空間Ｓへの流れを抑制する。なお、樹脂４７を供給するときにＳＡＷ素子７の周囲を減圧しない場合において、空間Ｓ内の空気を利用することもできる。また、バンプ８も、樹脂４７の流れを抑制することに寄与する。

ただし、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、樹脂４７の一部は、外側配線３９の側方縁部３９ａに沿って空間Ｓ側へ流れることがあり得る。これは、外側配線３９の側面３９ａａと圧電基板１９の下面１９ａとが形成する溝において生じる毛管力によるものと考えられる。

しかし、堰部材４３が側方縁部３９ａに隣接して設けられていることによって、樹脂４７の外側配線３９に沿う流れは堰き止められる。別の観点では、樹脂４７が流れる経路は、矢印ｙ１で示す経路から、当該経路よりも長い、矢印ｙ２で示す経路に変更される。その結果、樹脂４７がＳＡＷ共振子３１に到達することが抑制され、ひいては、樹脂４７によってＳＡＷ共振子３１の電気特性が低下することが抑制される。

その後、樹脂４７は、加熱されて硬化する。そして、複数の支持部材５からなる母基板とともにダイシングされ、電子部品１は個片化される。

以上のとおり、本実施形態では、電子部品１は、支持部材５と、該支持部材５上に、空間Ｓを介して実装されたＳＡＷ素子７と、該ＳＡＷ素子７を覆っており、かつ、空間Ｓを封止するように設けられた樹脂部９と、を有している。ＳＡＷ素子７は、圧電基板１９と、圧電基板１９の下面１９ａに設けられたＩＤＴ３５と、圧電基板１９の下面１９ａに設けられ、ＩＤＴ３５から圧電基板１９の外周側に延びる配線３３（外側配線３９）と、配線３３の側方縁部３９ａに隣接し、ＩＤＴ３５を囲む周方向に関して部分的に設けられた堰部材４３と、を有する。

従って、図５を参照して説明したように、樹脂部９となる樹脂４７が流れやすい位置にピンポイントで流れを抑制する部材を設けることになる。その結果、電子部品１の大型化を抑制しつつ、樹脂４７がＳＡＷ共振子３１の特性低下を招く位置に到達することを抑制して、ＳＡＷ共振子３１の電気特性の低下を抑制できる。

堰部材４３は、複数の電極指３６ｂに対して複数の電極指３６ｂに直交する方向（配列方向）に位置する領域の外側領域にのみ設けられている。

従って、ＳＡＷ共振子３１からＳＡＷの伝搬方向（ｙ方向）へ漏れたＳＡＷが、堰部材４３によって反射されて、ＳＡＷ共振子３１に戻ってくることが抑制され、ひいては、ＳＡＷ共振子３１の電気特性の低下が抑制される。

図５（ｃ）を参照して説明したように、堰部材４３は、外側配線３９の側方縁部３９ａに当接しており、堰部材４３の、側方縁部３９ａとは反対側の側面４３ａと圧電基板１９の下面１９ａとが成す角度θ２は、側方縁部３９ａの側面３９ａａと圧電基板１９の下面１９ａとが成す角度θ１よりも大きい。

従って、堰部材４３の側面４３ａにおける毛管力は、外側配線３９の側面３９ａａにおける毛管力よりも小さい。その結果、堰部材４３による樹脂４７の流れ抑制効果が増大する。

＜第２の実施形態＞
図７は、第２の実施形態に係る電子部品の図４に相当する平面図である。

第２の実施形態は、堰部材４３の配置位置のみが第１の実施形態と相違する。具体的には、以下のとおりである。

第２の実施形態のＳＡＷ素子１０７において、堰部材４３は、ＩＤＴ３５及び反射器３７の縁部に隣接し、ＩＤＴ３５と、反射器３７との隙間を外側配線３９が延び出る側（ｘ方向の正側又は負側）において塞いでいる。

ここで、液状の樹脂４７が外側配線３９の側方縁部３９ａに沿って圧電基板１９の外周側から内側へ流れる場合、樹脂４７がバスバー３６ａの外側の縁部３６ａａ（電極指３６ｂとは反対側の縁部）に到達したとしても、ＳＡＷ共振子３１の電気特性には殆ど影響を及ぼさない。しかし、さらに、樹脂４７が縁部３６ａａに沿って流れ、ＩＤＴ３５と反射器３７との隙間に流れ込むと、ＳＡＷが伝搬する範囲に樹脂４７が位置することになり、ＳＡＷ共振子３１の電気特性は低下する。

従って、本実施形態においては、堰部材４３によって、そのような隙間への樹脂４７の流入を抑制し、電気特性の低下を抑制することができる。なお、堰部材４３は、樹脂４７が反射器３７のＳＡＷの伝搬方向（ｙ方向）外側に到達することを抑制すること等に関しては、第１の実施形態と同様に、経路を長くしたり、毛管力を低下させたりすることに寄与する。

＜第３の実施形態＞
図８は、第３の実施形態に係る電子部品の図４に相当する平面図である。

第３の実施形態は、堰部材の形状のみが第１の実施形態と相違する。具体的には、以下のとおりである。

第３の実施形態のＳＡＷ素子２０７において、堰部材２４３は、外側配線３９を横切っている。すなわち、堰部材２４３は、第１の実施形態の堰部材４３に相当する隣接部２４３ｆと、隣接部２４３ｆに接続され、外側配線３９上において外側配線３９を横切る横断部２４３ｇとを有している。

従って、隣接部２４３ｆによって第１の実施形態の堰部材４３と同様の効果が奏される。さらに、横断部２４３ｇによって、外側配線３９の表面を濡らしつつ伝ってくる樹脂４７を堰き止めることもでき、より確実に樹脂４７の流れを抑制することができる。なお、第１の実施形態の堰部材４３は、隣接部２４３ｆのみを有していると捉えることができる。

＜第４の実施形態＞
図９は、第４の実施形態に係る電子部品の図４に相当する平面図である。

第４の実施形態は、第２の実施形態と第３の実施形態とを組み合わせたものである。すなわち、第４の実施形態のＳＡＷ素子３０７において、堰部材２４３は、第３の実施形態と同様に、隣接部２４３ｆと、横断部２４３ｇとを有している。そして、隣接部２４３ｆは、比較的長めに形成されており、外側配線３９の縁部だけでなく、バスバー３６ａの縁部及び反射器３７の縁部にも隣接しており、ひいては、ＩＤＴ３５と反射器３７との隙間を第２の実施形態と同様に塞いでいる。

＜第５の実施形態＞
図１０は、第５の実施形態に係る電子部品の図４に相当する平面図である。

第５の実施形態の電子部品においても、第１の実施形態と同様に、外側配線３９の縁部に隣接する堰部材４３が設けられている。ここで、第５の実施形態のＳＡＷ素子４０７は、２つの配線を立体交差させるための絶縁体４５１を有しており、堰部材４３は、絶縁体４５１と同一の材料により形成されている。具体的には、以下のとおりである。

ＳＡＷ素子４０７は、素子パッド２５Ａからの不平衡信号が入力されるＳＡＷ共振子３１と、ＳＡＷ共振子３１から出力された信号が入力され、平衡信号を素子パッド２５Ｄ及び２５Ｅに出力するＳＡＷフィルタ４３１とを有している。なお、素子パッド２５Ｂ、２５Ｃ及び２５Ｆは、基準電位が付与され、ＳＡＷフィルタ４３１に接続されている。

ＳＡＷ共振子３１は、第１の実施形態のＳＡＷ共振子３１と同様の構成である。ＳＡＷフィルタ４３１は、ＳＡＷの伝搬方向に配列された複数（本実施形態では５つ）のＩＤＴ３５と、その両側に配置された反射器３７とを有している。

また、ＳＡＷ素子４０７は、第１配線３３と、該第１配線３３上に配置される絶縁体４５１と、該絶縁体４５１上に配置され、第１配線３３と立体交差する第２配線４３３とを有している。

具体的には、ＳＡＷ共振子３１とＳＡＷフィルタ４３１との間において、第１配線３３の、ＳＡＷ共振子３１及びＳＡＷフィルタ４３１を接続する３本の中間配線４１と、第２配線４３３の、素子パッド２５Ｃ、２５Ｆ及びＳＡＷフィルタ４３１を接続する部分とが立体交差している。

また、ＳＡＷフィルタ４３１と素子パッド２５Ｄ及び２５Ｅとの間において、第１配線３３の、ＳＡＷフィルタ４３１、素子パッド２５Ｄ及び２５Ｅを接続する外側配線３９と、第２配線４３３の、素子パッド２５Ｃ、２５Ｆ及びＳＡＷフィルタ４３１を接続する部分とが立体交差している。

第１配線３３は、平面形状以外は、第１の実施形態の配線３３と同様の構成である。すなわち、第１配線３３は、例えば、ＳＡＷ共振子３１及びＳＡＷフィルタ４３１等と同一の材料（Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属）及び厚み（例えば１００〜３００ｎｍ）で形成されている。

絶縁体４５１は、例えば、樹脂により形成されている。樹脂は、好ましくはポリイミド等の感光性樹脂である。絶縁体４５１の厚みは、例えば、０．５μｍ〜３μｍである。

第２配線４３３は、例えば、金、ニッケル、クロム等の金属により形成されている。第２配線４３３は、絶縁体４５１によって生じる段差により断線しないように、例えば、第１配線３３よりも厚く形成されており、その厚さは、例えば、１〜２μｍである。

ＳＡＷ素子４０７の製造方法は、絶縁体４５１及び第２配線４３３の形成以外は、第１の実施形態のＳＡＷ素子７の製造方法と同様でよい。

絶縁体４５１は、堰部材４３と同様に、絶縁層４５のパターニング（図６（ｂ）及び図６（ｃ））によって形成される。従って、堰部材４３は、立体交差に必要な絶縁体４５１の形成と同時に形成されることになり、製造コストの増大が抑制される。

第２配線４３３は、例えば、絶縁体４５１及び堰部材４３の形成後、第１配線３３と同様に、金属層の形成及び当該金属層のパターニングによって形成される。なお、第３の実施形態の堰部材２４３は、絶縁体４５１と同様の構成において、その上に導電層（第２配線４３３）が設けられていないものと捉えることができる。

＜第６の実施形態＞
図１１は、第６の実施形態に係る堰部材５４３を示す平面図である。

堰部材５４３は、第１の実施形態と同様に、外側配線３９の側方縁部３９ａに当接している。その当接位置よりも、樹脂４７の流れの上流側（側方縁部３９ａに沿う方向における、圧電基板１９の外周側）において、堰部材５４３は、上流側ほど側方縁部３９ａから離れるように側方縁部３９ａに対して傾斜する傾斜縁部５４３ｃを有している。すなわち、堰部材５４３と側方縁部３９ａとの間の隙間は、流れの上流側ほど広くなっている。なお、傾斜縁部５４３ｃは、直線状であってもよいし、曲線状であってもよい。

側方縁部３９ａの側面３９ａａと圧電基板１９の下面１９ａとが形成する溝（図５（ｂ））を毛管力によって流れてきた樹脂４７は、傾斜縁部５４３ｃに到達すると、傾斜縁部５４３ｃの側面と下面１９ａとが形成する溝の毛管力によって傾斜縁部５４３ｃに沿って流れようとする。このとき、樹脂４７は、依然として側方縁部３９ａと下面１９ａとの溝に引きつけられているから、樹脂４７には、側方縁部３９ａと傾斜縁部５４３ｃに亘って広がるように力が加えられることになる。その結果、樹脂４７の傾斜縁部５４３ｃに沿う流れが妨げられ、樹脂４７の流れを抑制することができる。

なお、傾斜縁部５４３ｃと側方縁部３９ａとが平面視において成す角度は、０°超９０°未満の範囲で適宜に設定されてよい。また、傾斜縁部５４３ｃにおいても、図５（ｃ）を参照して説明したように、堰部材５４３と圧電基板１９の下面１９ａとが形成する溝の毛管力が小さくなるように、角度θ２が大きくされてもよい。堰部材５４３は、外側配線３９と同一の材料及び同一のプロセスで形成されてもよいし、絶縁材料により形成されてもよい。

＜第７の実施形態＞
図１２は、第７の実施形態に係る堰部材６４３を示す平面図である。

堰部材６４３は、他の実施形態と異なり、隣接縁部６４３ｅが比較的微小な隙間を介して外側配線３９の側方縁部３９ａに隣接している。なお、当該隙間は、意図的に形成したものであってもよいし、パターニングの誤差によって形成されたものであってもよい。

隣接縁部６４３ｅと側方縁部３９ａとの間の隙間の大きさは、例えば、側方縁部３９ａの側面３９ａａと圧電基板１９の下面１９ａとが形成する溝を流れる樹脂４７が隣接縁部６４３ｅにも接するように、外側配線３９（第１配線３３）の厚みと同程度以下とされており、例えば、０．１μｍ〜０．３μｍである。

また、堰部材６４３は、隣接縁部６４３ｅの下流側（ＩＤＴ３５側）に、下流側ほど側方縁部３９ａから離れるように側方縁部３９ａに対して傾斜する傾斜縁部６４３ｃを有している。すなわち、堰部材６４３と側方縁部３９ａとの隙間は、樹脂４７の流れの下流側ほど広くなっている。なお、傾斜縁部６４３ｃは、直線状であってもよいし、曲線状であってもよい。

樹脂４７が隣接縁部６４３ｅと側方縁部３９ａとの隙間を流れ、傾斜縁部６４３ｃに到達すると、樹脂４７は、側方縁部３９ａに沿って流れるだけでなく、傾斜縁部６４３ｃと圧電基板１９の下面１９ａとが形成する溝の毛管力によって傾斜縁部６４３ｃに沿って流れようとする。従って、傾斜縁部６４３ｃが側方縁部３９ａから離れるように延びていることによって、樹脂４７には、側方縁部３９ａと傾斜縁部６４３ｃに亘って広がるように毛管力が加えられることになる。その結果、樹脂４７の側方縁部３９ａに沿う流れが妨げられ、樹脂４７の流れを抑制することができる。

なお、傾斜縁部６４３ｃと側方縁部３９ａとが平面視において成す角度は、０°超９０°未満の範囲で適宜に設定されてよい。また、傾斜縁部６４３ｃは、樹脂４７を引きつける毛管力が大きくなるように、θ２（図５（ｃ））が比較的小さく（例えば、９０度以下）されてもよい。

堰部材６４３は、外側配線３９と同一の材料及び同一のプロセスで形成されてもよいし、絶縁材料により形成されてもよい。本実施形態では、堰部材６４３と外側配線３９とは当接していないことから、堰部材６４３を導電材料によって形成したとしても、他の実施形態に比較して、堰部材６４３が外側配線３９を含む素子導電層のインピーダンス等に及ぼす影響は小さく、当該インピーダンス等を精度良く設計値に一致させることができる。

＜第８の実施形態＞
図１３は、第８の実施形態に係る電子部品を示す図５（ｃ）に相当する断面図である。

第８の実施形態の電子部品は、素子導電層２０を覆う保護層５３を有する点のみが第１の実施形態と相違する。

保護層５３は、素子導電層２０の酸化防止等に寄与するものである。保護層５３は、例えば、圧電基板１９の下面１９ａの概ね全面に亘って設けられており、ＳＡＷ共振子３１及び配線３３を覆い、素子パッド２５を露出させている。保護層５３は、絶縁材料からなる。絶縁材料は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ_２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、またはシリコンである。保護層５３の厚みは、例えば、素子導電層２０の厚みの１／１０程度（１０〜３０ｎｍ）である。

保護層５３が設けられている場合においても、配線３３に起因する段差は生じており、当該段差の毛管力によって樹脂４７は流れる。従って、第８の実施形態においても、外側配線３９の側方縁部３９ａに保護層５３を介して隣接する堰部材４３を設けることにより、樹脂４７の流れを抑制する効果が得られる。

なお、以上の第１〜第８の実施形態において、ＳＡＷ素子７等は本発明の電子素子の一例であり、樹脂部９は本発明の封止樹脂の一例であり、圧電基板１９は本発明の素子基板の一例であり、ＩＤＴ３５（若しくは櫛歯電極３６）又は反射器３７は本発明の機能体及び交差電極の一例であり、堰部材４３等は本発明の流れ抑制部の一例である。第１の実施形態の配線３３の側面３９ａａ等及び第８の実施形態における保護層５３に現れる段差の壁面はそれぞれ、本発明の配線等による段差の壁面の一例である。

＜第９の実施形態＞
図１４は、第９の実施形態に係る電子部品を示す図４に相当する平面図である。

第１〜第８の実施形態においては、液状の樹脂４７に対する流れ抑制部として、配線３３に隣接する部分を有する堰部材４３が設けられた。これに対して、第９の実施形態においては、流れ抑制部として、配線３３に形成された凹部４９が設けられている。具体的には、以下のとおりである。

外側配線３９は、例えば、凹部４９を無視すると、第１の実施形態と同様に、一定の幅の直線状部分を含んで構成されている。具体的には、例えば、外側配線３９は、バスバー３６ａ（若しくはバスバー３７ａ）からバスバー３６ａに直交する方向へ一定の幅で直線状に延びる第１部分３９ｃと、第１部分３９ｃの側方から第１部分３９ｃに直交する方向へ第１部分３９ｃよりも大きい一定の幅で直線状に延びる第２部分３９ｄとを含み、概ねＬ字状に形成されている。

凹部４９は、外側配線３９（第１部分３９ｃ）の側方に設けられている。外側配線３９の側方縁部３９ａは、凹部４９が形成されることによって、凹部４９が形成されていないと仮定した場合に比較して、長くなっている。なお、以下では、側方縁部３９ａのうち、外側配線３９の延びる方向において凹部４９の前後となる部分を基準縁部３９ａｃといい、凹部４９における部分をパターン形成縁部３９ａｂという。本実施形態では、基準縁部３９ａｃは、直線状に延びている。

凹部４９の形状及び大きさは適宜に設定されてよい。例えば、本実施形態では、凹部４９の形状は三角形である。また、例えば、凹部４９の基準縁部３９ａｃからの深さは、外側配線３９の、その延びる方向において凹部４９の前後となる部分の幅（若しくは凹部４９が形成されていないと仮定したときの幅）の１／２未満とされている。

本実施形態の電子部品の製造方法は、概略、第１の実施形態の電子部品の製造方法と同様である。ただし、堰部材４３の形成（図６（ｂ）及び図６（ｃ））は行われず、代わりに、素子導電層２０の形成（図６（ａ））において、凹部４９が形成される。

図１５（ａ）は、図１４の領域XVａの拡大図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のXVｂ−XVｂ線の断面図である。

第１の実施形態の説明において述べたように、図６（ｅ）に示した液状の樹脂４７を供給する工程においては、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、樹脂４７の一部が、外側配線３９の側方縁部３９ａに沿って空間Ｓ側へ流れることがあり得る。

しかし、凹部４９が形成されていることによって、液状の樹脂４７が流れる経路（側方縁部３９ａ）は、凹部４９が形成されていないと仮定した場合よりも長い。すなわち、配線３３が延びる方向に沿う流れは抑制される。従って、樹脂４７がＳＡＷ共振子３１に到達することが抑制され、ひいては、樹脂４７によってＳＡＷ共振子３１の電気特性が低下することが抑制される。側方縁部３９ａは、配線３３自体を屈曲させて配線３３自体を長くすることによっても長くすることが可能であるが、この方法に比較して、凹部４９を設ける方法では、配線３３の配置領域が縮小され、また、インピーダンスの増大抑制も期待される。

凹部４９は三角形に形成されているから、凹部４９におけるパターン形成縁部３９ａｂは、第１縁部３９ａｂａ（図１５（ａ））と、第１縁部３９ａｂａよりもＳＡＷ共振子３１側に位置し、第１縁部３９ａｂａに交差する第２縁部３９ａｂｂ（図１５（ａ））とを有している。また、第１縁部３９ａｂａと第２縁部３９ａｂｂとの成す角は、比較的小さい（例えば９０°未満である。）

従って、液状の樹脂４７は、第１縁部３９ａｂａに沿って流れて第１縁部３９ａｂａと第２縁部３９ａｂｂとの角部に到達すると、第２縁部３９ａｂｂによる溝に引きつけられてＳＡＷ共振子３１側へ進もうとする一方で、依然として第１縁部３９ａｂａによる溝に引きつけられるから、樹脂４７には、第１縁部３９ａｂａと第２縁部３９ａｂｂとに亘って広がるように力が加えられることになる。その結果、樹脂４７の第２縁部３９ａｂｂに沿うＳＡＷ共振子３１側への流れが妨げられ、樹脂４７の流れが抑制されることが期待される。

図１４に示すように、ＩＤＴ３５に接続された外側配線３９（素子パッド２５Ａ、２５Ｂ及び２５Ｄに対応する外側配線３９）においては、凹部４９は、側方両側に設けられている。側方両側に設けられた２つの凹部４９は、外側配線３９の延びる方向の位置が互いに異なっている。より詳細には、２つの凹部４９は、外側配線３９に直交する方向に見て互いに重ならないように設けられている。

従って、配線３３の側方両側において、樹脂の流入を抑制することができる。その一方で、側方両側に設けられた凹部４９が配線３３の延びる方向において互いに同一の位置に設けられている場合に比較して、配線３３の断面積が狭くなることが抑制される。

なお、反射器３７に接続された外側配線３９（素子パッド２５Ｃに対応する外側配線３９）においては、凹部４９は、反射器３７との接続位置においてＩＤＴ３５側となる側方にのみ設けられている。

これは、反射器３７の外側に樹脂部９となる樹脂が流れ込んだ場合は、ＩＤＴ３５と反射器３７との間に樹脂部９となる樹脂が流れ込んだ場合に比較すれば、ＳＡＷ素子７の特性劣化は小さいこと、及び、配線３３の断面積の縮小は抑えられることが好ましいことを考慮したものである。ただし、反射器３７に接続された外側配線３９においても、側方両側に凹部４９が設けられてもよい。

図１６（ａ）〜図１６（ｈ）は、第９の実施形態に係る変形例を示す平面図である。なお、これらの図の説明においては、紙面下方を配線３３がＳＡＷ共振子３１に接続される側、紙面上方を圧電基板１９の外周側とする。

実施形態では、凹部４９は、三角形状とされた。しかし、凹部は、三角形以外の形状であっても、配線３３の側方縁部３９ａを長くして液状の樹脂４７の流入を抑制する効果を発揮する。また、凹部に代えて、凸部が設けられても、側方縁部３９ａは長くなり、液状の樹脂４７の流入を抑制する効果が奏される。そこで、図１６（ａ）〜図１６（ｈ）は、そのような凸部及び凹部の少なくとも一方を含む凹凸部の変形例を示している。

図１６（ａ）では、凹部１４９は、楕円を半分にしたような形状とされている。このように、パターン形成縁部３９ａｂは曲線状とされてよい。なお、凹部１４９は、実施形態の凹部４９の角部を面取りしたり、２辺を曲線状にしたりしたものと捉えることができる。なお、基準縁部３９ａｃとパターン形成縁部３９ａｂとの交差部も面取りされてよい。

図１６（ｂ）では、凹部２４９は、５角形とされている。このように、凹部は、４つ以上の辺を有する形状であってもよい。なお、凹部２４９は、その最深部に第１縁部３９ａｂａとその第１縁部３９ａｂａに９０°未満の角度で交差する第２縁部３９ａｂｂとからなる凹部を含むから、凹部２４９の最深部においては、凹部４９における第１縁部３９ａｂａと第２縁部３９ａｂｂとの交差部における効果と同様の効果が奏される。

また、図１６（ｂ）では、配線３３の側方縁部３９ａは、圧電基板１９の外周側から凹部２４９に到達するとそれまでの進行方向に対して９０°の角度θで方向転換するように延びている。換言すれば、パターン形成縁部３９ａｂは、基準縁部３９ａｃに直交する第３縁部３９ａｂｃを含んでいる。

従って、基準縁部３９ａｃに沿う方向（液状の樹脂４７の流入方向）に延びない第３縁部３９ａｂｃが設けられることにより、側方縁部３９ａが凹部の大きさ等に対して効率的に長くされやすい。また、基準縁部３９ａｃと第３縁部３９ａｂｃとの交差部は、９０°未満の角度で方向転換する場合に比較して、溝が途切れている状態に近くなり、毛管力が低下する。以上のことから、樹脂４７の流入が効果的に抑制されると期待される。

なお、このような４つ以上の辺を有する形状乃至は側方縁部３９ａが９０°の角度で方向転換する凹部においても、図１６（ａ）と同様に、角部が面取りされたり、辺の少なくとも一部が曲線状とされてもよい。９０°の方向転換は、曲線によって徐々になされてもよい。

図１６（ｃ）では、配線３３の側方縁部３９ａは、圧電基板１９の外周側から凹部３４９に到達するとそれまでの進行方向に対して９０°を超える角度θで方向転換するように延びている。

このように角度θが９０°を超える場合、図１６（ｂ）を参照して述べた、角度θが９０°であることによる効果と同様の効果が、一層顕著に奏される。具体的には、まず、パターン形成縁部３９ａｂが、基準縁部３９ａｃに沿う方向（液状の樹脂４７の流入方向）に対して逆方向に延びる縁部を含むことにより、側方縁部３９ａが凹部の大きさ等に対して効率的に長くされやすい。また、基準縁部３９ａｃとパターン形成縁部３９ａｂとの交差部は、９０°未満の角度で方向転換する場合に比較して、溝が途切れている状態に近くなり、毛管力が低下する。

なお、このような、側方縁部３９ａが９０°を超える角度θで方向転換する場合においても、凹部３４９は、実施形態の凹部４９や図１６（ｂ）の凹部２４９のように多角形とされてもよい（パターン形成縁部３９ａｂは直線状とされてよい。）。

図１６（ｄ）では、凹部に代えて、凸部４４４が設けられている。上述のように、凸部４４４においても、配線３３の側方縁部３９ａが長くなり、液状の樹脂４７の流入が抑制される効果が奏される。

また、図１６（ｄ）では、配線３３の側方縁部３９ａは、図１６（ｃ）と同様に、圧電基板１９の外周側から凹部３４９に到達するとそれまでの進行方向に対して９０°を超える角度θで方向転換するように延びている（図１６（ｂ）と同様に角度θは９０°でもよい。）。

従って、まず、図１６（ｂ）及び図１６（ｃ）と同様に、パターン形成縁部３９ａｂが、基準縁部３９ａｃに沿う方向（液状の樹脂４７の流入方向）とは逆方向に延びる縁部を含むことにより、側方縁部３９ａが凹部の大きさ等に対して効率的に長くされやすい。また、基準縁部３９ａｃとパターン形成縁部３９ａｂとの交差部は、実施形態の凹部４９の第１縁部３９ａｂａと第２縁部３９ａｂｂとの交差部と同様に、樹脂４７を広げるような作用を奏する。以上のことから、樹脂４７の流入が効果的に抑制されると期待される。

なお、凸部は、実施形態及び図１６（ａ）と同様に、角度θが９０°未満であってもよいし、実施形態及び図１６（ｂ）と同様に、三角形若しくは５角形等の適宜な多角形とされてよいし、図１６（ａ）及び図１６（ｃ）と同様に、パターン形成縁部３９ａｂが曲線状とされてもよい。

図１６（ｅ）では、凹部５４９と凸部５４４とが配線３３の延びる方向に沿って連続的に設けられている。このように、凹部及び凸部は連続的に設けられてよい。なお、凹部と凹部とが連続的に設けられてもよいし、凸部と凸部とが連続的に設けられてもよいし、３つ以上の凹部又は凸部が連続的に設けられてもよい。凹部及び凸部は、実施形態及び図１６（ａ）〜図１６（ｄ）に示したような各種の形状とされてよい。

図１６（ｆ）では、凸部６４４のパターン形成縁部３９ａｂに更に凹凸が形成されている。この場合、一層、側方縁部３９ａが長くなる。なお、同様に、凸部に代えて凹部に凹凸が形成されてもよい。凹凸の形状及び大きさは適宜なものとされてよい。

図１６（ｇ）では、配線３３の延びる方向の同一位置において、一方の側方には凹部７４９が形成され、他方の側方には凸部７４４が形成されている。凹部７４９及び凸部７４４は、互いに補完しあう形状及び大きさであることが好ましい。なお、凹部及び凸部は、実施形態及び図１６（ａ）〜図１６（ｆ）に示したような各種の形状とされてよい。

凹部７４９及び凸部７４４は、既に説明した凹部及び凸部と同様に、凹部７４９及び凸部７４４が設けられない場合に比較して、側方縁部３９ａを長くし、液状の樹脂４７の流入を抑制する。また、凹部７４９及び凸部７４４が配線３３を挟んで配置されていることから、配線３３の幅の変化が抑制される。

なお、図１６（ｇ）に示す配線３３は、凹部７４９及び凸部７４４の前後に同一方向に延びる第１配線部３３ａ及び第２配線部３３ｂを有し、また、第１配線部３３ａから第２配線部３３ｂに亘って、これらに平行に凹部７４９及び凸部７４４の配置位置を通過する一定の幅の通過領域３３ｅ（ハッチングして示す領域）を有する。従って、配線３３の凹部７４９及び凸部７４４が設けられた部分は、配線３３自体の屈曲部とは区別される。なお、配線３３の凹部７４９及び凸部７４４が設けられた部分を更に厳しく配線３３自体の屈曲部と区別するならば、凹部７４９の深さ及び凸部７４４の突出量は、第１配線部３３ａ及び第２配線部３３ｂの半分以下若しくは１／３以下である。図１６（ａ）〜図１６（ｆ）に示す配線３３は、凹部又は凸部によって配線３３の幅が狭く又は広くなっており、配線３３自体の屈曲部とは明確に区別される。

図１６（ｈ）では、配線３３は、曲線状に延びており、また、延びる方向において幅が変化している。このような配線３３においても、実施形態及び図１６（ａ）〜図１６（ｇ）に例示したような凹部若しくは凸部が設けられてよい。

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

第１〜第９の実施形態及び第９の実施形態に係る変形例は、適宜に組み合わされてよい。例えば、第５の実施形態において、立体配線を実現する絶縁体と同一材料により構成される堰部材として、第３又は第４の実施形態のように配線を横切る堰部材が設けられてもよいし、第６の実施形態の堰部材の形状（流れの上流側の傾斜縁部）は、第１〜第４の実施形態の堰部材に適用されてもよいし、第７の実施形態の堰部材の形状（流れの下流側の傾斜縁部）は、第１及び第２の実施形態の堰部材に適用されてもよいし、第８の実施形態の保護層は、第２〜第７の実施形態のいずれにおいて設けられてもよいし、第１〜第８の実施形態の堰部材と、第９の実施形態及びその変形例の凹凸部とは併設されてもよい。

また、例えば、流れ抑制部が凹凸部である場合においても、第８の実施形態と同様に、配線及び機能体は、これらの酸化防止等に寄与する絶縁性の保護層に覆われ、保護層が空間に露出していてもよい。この場合においても、配線の厚みに起因して保護層の表面に生じた段差に沿う流れを配線の側方に形成された凹凸部（当該凹凸部に対応して保護層の表面に形成された凹凸部）によって抑制することができる。

電子部品は、ＳＡＷ装置に限定されない。換言すれば、電子素子は、ＳＡＷ素子に限定されない（機能体は交差電極に限定されない。）。電子素子は、弾性波を利用しないものであってもよいし、圧電薄膜共振器等のＳＡＷ以外の弾性波を利用するものであってもよい。

支持部材は、電子素子と実装基板とを仲介するものに限定されない。例えば、支持部材は、携帯機器等の電子機器のマザーボード（メインボード、主基板）として機能するものであってもよい。また、支持部材は、複数の電子素子が実装されるものであってもよい。

機能体は、導体により形成されたものであってもよいし、半導体によって形成されたものであってもよい。機能体が交差電極である場合において、交差電極は、図４及び図７等において例示したように、ＩＤＴであってもよいし、反射器であってもよい。

流れ抑制部は、堰部材又は配線の凹凸部に限定されない。例えば、流れ抑制部は、液状の樹脂の濡れ性が低い材料が非常に薄く素子基板の下面にコーティングされることにより構成されたり、配線等を覆う保護層に断面視における凹凸部が形成されることにより構成されたりしてもよい。いずれにせよ、配線等の縁部又はその隣接位置に少なくとも一部が配置されるように、且つ、機能体を囲む周方向に関して局所的になるように、流れ抑制部を設けることにより、例えば、機能体を全周に亘って囲むようなダムを設ける場合に比較して、効率的に流れを制御することができる等の効果が奏される。

堰部材の隣接部は、図４等に例示したように配線の縁部に隣接してもよいし、図７等に例示したように機能体の縁部に隣接してもよい。隣接部は、機能体の縁部に隣接する場合、機能体の構成等の種々の事情に応じて適宜な位置に配置されてよい。例えば、隣接部は、封止樹脂が到達すると機能体の電気特性の低下が相対的に大きくなる位置よりも配線側に位置することが好ましい。又は、隣接部は、封止樹脂が機能体を囲むことを抑制するように、機能体の配線が接続された縁部（例えば図７の縁部３６ａａ）に隣接したり、当該縁部が交差する縁部（例えば図７の縁部３６ａａに交差する縁部３６ａｂ）に隣接したりすることが好ましい（機能体のうち配線とは反対側の縁部は避けることが好ましい。）。

なお、機能体が交差電極である場合においては、流れ込んだ封止樹脂が交差電極の電極指に対して弾性波の伝搬方向に位置しないように、隣接部は、配線の側方縁部、バスバーのうち電極指とは反対側の縁部及び当該縁部に交差する縁部の少なくともいずれかに隣接していることが好ましい（バスバーのうち電極指側の縁部及び電極指の縁部は避けることが好ましい。）。

図１１及び図１２に例示したように、堰部材と配線若しくは機能体の縁部との隙間の幅が変化する場合において、当該隙間の変化は、堰部材の形状の変化に起因するものに限定されず、配線若しくは機能体の縁部の形状の変化（湾曲、屈曲等）に起因するものであってもよい。

流れ抑制部（堰部材、凹凸部等）によって封止樹脂の流れが抑制される配線は、機能体と素子パッドを接続する外側配線に限定されず、例えば、複数の機能体同士を接続する中間配線であってもよい。既に述べたように、中間配線であっても、複数の機能体等の配置次第では、複数の機能体から素子基板の外周側へ延び、封止樹脂を機能体へ導く可能性がある。

流れ抑制部は、封止樹脂が配線に沿って流れた場合のフェールセーフとして機能するものであり、完成した製品において、必ずしも封止樹脂に接している必要は無い。また、配線も、必ずしも封止樹脂に接している必要は無い。また、封止樹脂の内壁面（９ａ）は、素子基板の側面（１９ｃ）よりも外側に位置していてもよい。

封止樹脂は、液状の樹脂を電子素子上に供給して形成されるものに限定されない。例えば、シート状の樹脂を電子素子に被せ、その後、硬化させるものであってもよい。この場合においても、シート状の樹脂を硬化させる過程において、樹脂が一旦溶融し、その一部が配線を伝って流れるおそれがあり、流れ抑制部は有効に機能する。

１…電子部品、５…支持部材、Ｓ…空間、７…ＳＡＷ素子（電子素子）、９…樹脂部（封止樹脂）、１９…圧電基板（素子基板）、１９ａ…下面、３３…第１配線、３６…櫛歯電極（機能体）、３９…外側配線、３９ａ…側方縁部、３９ａａ…側面（段差の壁面）、４３…堰部材（流れ抑制部、隣接部）。

Claims (17)

1. 支持部材と、
   該支持部材上に、空間を介して実装された、前記支持部材との対向面を有する電子素子と、
   該電子素子を覆っており、かつ、前記空間を封止するように設けられた封止樹脂と、
   を有し、
   前記電子素子は、
   素子基板と、
   該素子基板の対向面に設けられた機能体と、
   前記素子基板の対向面に設けられ、前記機能体から前記素子基板の外周側に延びる第１配線と、
   前記第１配線の縁部及び前記機能体の縁部並びにこれら縁部の隣接位置の少なくともいずれかに位置する部分を含み、且つ、前記機能体を囲む周方向に関して局所的に設けられた、液状樹脂に対する流れ抑制部と、
   を有している
   電子部品。
2. 前記流れ抑制部は、前記第１配線の縁部及び前記機能体の縁部の少なくともいずれかに隣接する、または、少なくともいずれかの縁部から突出している堰部材である
   請求項１に記載の電子部品。
3. 前記流れ抑制部は、前記第１配線の縁部に形成された、平面視における凹部及び凸部の少なくとも一方である
   請求項１に記載の電子部品。
4. 前記素子基板は、圧電基板であり、
   前記機能体は、前記第１配線が接続されたバスバーと、該バスバーから前記第１配線とは反対側へ延びる複数の電極指とを有する第１交差電極であり、
   前記堰部材は、前記第１配線の側方縁部、前記バスバーの前記第１配線が接続される縁部及び当該縁部に交差する縁部の少なくともいずれかに隣接する、または、少なくともいずれかの縁部から突出している
   請求項２に記載の電子部品。
5. 前記電子素子は、前記圧電基板の下面に設けられ、前記第１交差電極に対して前記複数の電極指に直交する方向において隙間を介して隣接する第２交差電極を更に有し、
   前記堰部材は、前記隙間の前記第１配線側を塞いでいる
   請求項４に記載の電子部品。
6. 前記堰部材は、前記複数の電極指に対して前記複数の電極指の配列方向に位置する領域の外側領域にのみ設けられている
   請求項４又は５に記載の電子部品。
7. 前記堰部材は、前記第１配線を横切らない
   請求項２、請求項４〜６のいずれか１項に記載の電子部品
8. 前記堰部材は、前記第１配線上において前記第１配線を横切り、その上に導電層が重ねられない絶縁性の横断部を含んでいる
   請求項２、請求項４〜６のいずれか１項に記載の電子部品。
9. 前記第１配線上に配置される絶縁体と、
   前記絶縁体上に配置されて前記第１配線と立体交差する第２配線と、
   を更に有し、
   前記堰部材は、前記絶縁体と同一材料により構成されている
   請求項２、請求項４〜８のいずれか１項に記載の電子部品。
10. 前記堰部材は、隣接する縁部による段差の壁面に当接しており、前記堰部材の前記段差とは反対側の側面と前記素子基板の対向面とが成す、当該２面が形成する溝内の角度は、前記段差の壁面と前記素子基板の対向面とが成す、当該２面が形成する溝内の角度よりも大きい
    請求項２、請求項４〜９のいずれか１項に記載の電子部品。
11. 前記堰部材は、隣接する縁部による段差の壁面に当接しており、その当接位置から前記段差を構成する縁部に沿う方向の前記素子基板の外周側へ、前記段差を構成する縁部から離間するように前記段差を構成する縁部に対して傾斜して延びる縁部を有する
    請求項２、請求項４〜１０のいずれか１項に記載の電子部品。
12. 前記堰部材は、隣接する縁部による段差の壁面と隙間を介して隣接しており、
    前記隙間は、前記段差を構成する縁部に沿う方向の前記機能体側ほど広がる部分を有する
    請求項２、請求項４〜９のいずれか１項に記載の電子部品。
13. 前記第１配線の縁部は、前記素子基板の外周側から前記凹部および前記凸部の少なくとも一方に到達するとそれまでの進行方向に対して９０°以上の角度で方向転換するように延びている
    請求項３に記載の電子部品。
14. 前記凹部および前記凸部の少なくとも一方は、第１縁部と該第１縁部と９０°未満の角度で交差する第２縁部とからなる凹部を含む
    請求項３又は１３に記載の電子部品。
15. 前記第１配線は、前記凹部によって幅が狭く又は前記凸部によって幅が広くなっている
    請求項３、１３又は１４に記載の電子部品。
16. 前記凹部および前記凸部の少なくとも一方は、前記配線の側方両側に、前記配線の延びる方向の位置が互いに異なるように複数設けられている
    請求項１５に記載の電子部品。
17. 前記配線の側方両側に、前記配線の延びる方向において互いに同一の位置において設けられた１対の前記凹部、１対の前記凸部、および１対の前記凹部と前記凸部のいずれかを有する
    請求項３、１３又は１４に記載の電子部品。

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