JP5782129B2 - 電子装置 - Google Patents

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Description

本発明は、圧電素子等の電子部品が実装された電子装置に関する。
配線基板と、該配線基板に実装された電子部品と、該電子部品を覆って封止する樹脂とを有する電子装置が知られている。例えば、特許文献１では、電子部品として弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）デバイスを有する電子装置が開示されている。当該電子装置では、ＳＡＷデバイスは、その機能面を配線基板の表面に所定の間隔で対向させて実装されている。ＳＡＷデバイスの機能面と配線基板の表面との間の対向空間は、弾性表面波デバイスを覆うシート及び封止材（樹脂）によって封止されている。シート及び封止材の対向空間を囲む内壁面は凸状に形成されている。
特開２０００−４１３９号公報
対向空間の密閉性低下は、電子部品の機能低下をもたらすことがある。その一方で、単純に封止材を厚くするなどすれば、電子装置の大型化を招く。また、封止材は、熱膨張等に起因する電子部品の変形に影響を及ぼす。このように、封止材は、電子装置の機能維持等に重要であり、より好適に電子部品を封止することが要求されている。
本発明の一態様に係る電子装置は、配線基板と、該配線基板の表面に、主面を対向させて実装された電子部品と、該電子部品の側面と前記配線基板に接着しているとともに、前記配線基板の前記表面と前記電子部品の前記主面と間の対向空間を封止する樹脂と、を備え、前記樹脂が、前記対向空間に対して凹状となっている。
上記の構成によれば、電子部品を好適に封止することができる。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る電子装置の外観を示す上面側及び下面側から見た斜視図。 図１の電子装置の分解斜視図。 図３（ａ）は図１（ａ）のIIIａ−IIIａ線における断面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）の領域IIIｂの拡大図。 図４（ａ）〜図４（ｄ）は図１の電子装置の製造方法を説明する断面図。 図５（ａ）及び図５（ｂ）は図１の電子装置の作用の一例を説明する図。 図１の電子装置の他の作用を説明する図。 図７（ａ）〜図７（ｃ）は第１〜第３の変形例を示す断面図。 本発明の第２の実施形態に係る断面図。
以下、本発明の実施形態に係る電子装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
また、各実施形態等の説明において、既に説明した構成と同一若しくは類似する構成については、同一の符号を付して説明を省略することがある。
（第１の実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る電子装置１の外観を示す上面側から見た斜視図であり、図１（ｂ）は、電子装置１の外観を示す下面側から見た斜視図である。
なお、電子装置１は、いずれの方向が上方若しくは下方とされてもよいものであるが、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側を上方として、上面若しくは下面の語を用いるものとする。
電子装置１は、例えば、概ね直方体状に形成されており、その下面には、複数の外部端子３が適宜な形状及び適宜な数で露出している。電子装置１の大きさは適宜な大きさとされてよいが、例えば、１辺の長さが１ｍｍ〜数ｍｍである。
電子装置１は、不図示の実装基板に対して下面を対向させて配置され、実装基板に設けられたパッドと複数の外部端子３とがはんだバンプ等を介して接合されることにより実装基板に実装される。そして、電子装置１は、例えば、複数の外部端子３のいずれかを介して信号が入力され、入力された信号に所定の処理を施して複数の外部端子３のいずれかから出力する。
図２は、電子装置１の分解斜視図である。図３（ａ）は、図１（ａ）のIIIａ−IIIａ線における断面図である。
電子装置１は、配線基板５と、当該配線基板５上に実装された圧電素子７と、配線基板５と圧電素子７との間に介在するバンプ８（図３（ａ））と、圧電素子７を封止する樹脂部９とを有している。
配線基板５は、例えば、リジッド式のプリント配線板によって構成されており、絶縁基体１１と、絶縁基体１１の上面１１ａに形成された上面導電層１３Ａ（図３（ａ））と、絶縁基体１１の内部に上面１１ａに平行に形成された内部導電層１３Ｂ（図３（ａ））と、絶縁基体１１の全部又は一部を上下方向に貫通するビア導体１５（図３（ａ））と、絶縁基体１１の下面１１ｂに形成された既述の外部端子３とを有している。なお、配線基板５は、内部導電層１３Ｂが設けられないものであってもよい。
絶縁基体１１は、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。また、絶縁基体１１は、例えば、樹脂、セラミック及び／又はアモルファス状態の無機材料を含んで形成されている。絶縁基体１１は、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。
上面導電層１３Ａは、圧電素子７を配線基板５に実装するための基板パッド１７（図３（ａ））を含んでいる。ビア導体１５及び内部導電層１３Ｂは、基板パッド１７と外部端子３とを接続する配線を含んでいる。なお、上面導電層１３Ａ、内部導電層１３Ｂ及びビア導体１５は、インダクタ、コンデンサ若しくは適宜な処理を実行する回路を含んでいてもよい。上面導電層１３Ａ、内部導電層１３Ｂ、ビア導体１５及び外部端子３は、例えば、Ｃｕ等の金属により構成されている。
圧電素子７は、例えば、ＳＡＷ素子であり、圧電基板１９と、圧電基板１９の機能面１９ａに設けられた励振電極２１と、機能面１９ａに設けられ、配線基板５に接続される素子パッド２５とを有している。なお、圧電素子７は、この他、励振電極２１を覆う保護層、圧電基板１９の上面１９ｂを覆う電極及び／又は保護層等の適宜な部材を有していてよい。
圧電基板１９は、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。圧電基板１９の平面視における大きさは、配線基板５の平面視における大きさよりも小さい。圧電基板１９は、例えば、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板により構成されている。
励振電極２１は、いわゆるＩＤＴ（InterDigital transducer）であり、一対の櫛歯電極２３（図２）を含んでいる。各櫛歯電極２３は、バスバー２３ａ（図２）と、バスバー２３ａから延びる複数の電極指２３ｂとを有しており、一対の櫛歯電極２３は、互いに噛み合うように（複数の電極指２３ｂが互いに交差するように）配置されている。なお、図２等は模式図であることから、複数本の電極指２３ｂを有する櫛歯電極２３が１対のみ図示されているが、実際には、これよりも多くの電極指２３ｂを有する複数対の櫛歯電極２３が設けられていてよい。励振電極２１は、例えば、ＳＡＷフィルタ、ＳＡＷ共振器及び／又はデュプレクサ等を構成している。
励振電極２１に信号が入力されると、当該信号はＳＡＷに変換されて機能面１９ａを電極指２３ｂに直交する方向（ｙ方向）に伝搬し、再度信号に変換されて励振電極２１から出力される。その過程において、信号はフィルタリング等がなされる。
素子パッド２５は、機能面１９ａに形成された不図示の配線を介して励振電極２１に接続されている。励振電極２１は、複数の素子パッド２５のいずれかを介して信号が入力され、複数の素子パッド２５のいずれかを介して信号を出力する。
なお、励振電極２１、素子パッド２５及びこれらを接続する不図示の配線は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等の適宜な金属により構成されている。これらは、同一材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。
バンプ８は、素子パッド２５と基板パッド１７との間に介在して、これらパッドを接合している。バンプ８は、はんだにより構成されている。はんだは、Ｐｂ−Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ−Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。なお、バンプ８は、導電性接着剤によって形成されていてもよい。
素子パッド２５と基板パッド１７との間にバンプ８が介在していることにより、絶縁基体１１の上面１１ａと、圧電基板１９の機能面１９ａとの間には間隙（対向空間Ｓ）が形成されている。これにより、機能面１９ａの振動（ＳＡＷの伝搬）が容易化されている。
樹脂部９は、例えば、配線基板５上において圧電素子７を覆うように設けられている。すなわち、樹脂部９は、圧電素子７の上面１９ｂ及び側面１９ｃ、並びに、配線基板５の上面１１ａのうちの圧電素子７の外周部分に当接している。これらの当接部分は、少なくとも一部、好ましくは、全部が接着されていることが好ましい。
樹脂部９の外形は、例えば、概ね直方体状になるように形成されている。その平面視における形状及び大きさは、例えば、配線基板５の平面形状と同様であり、樹脂部９の側面は配線基板５の側面と面一になっている。樹脂部９の圧電素子７上の厚みは、圧電素子７の保護の観点等の種々の観点から適宜な大きさとされてよい。
樹脂部９は、樹脂によって構成されている。樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアノレジン樹脂である。樹脂は、好ましくは熱硬化性樹脂であり、熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂若しくはフェノール樹脂である。樹脂には、当該樹脂よりも熱膨張係数が低い材料により形成された絶縁性粒子からなるフィラーが混入されていてもよい。絶縁性粒子の材料は、例えば、シリカ、アルミナ、フェノール、ポリエチレン、グラスファイバー、グラファイトフィラーである。
なお、樹脂部９は、樹脂によって形成されていることから、一般には、圧電体からなる圧電基板１９に比較して、ヤング率が小さく、また、熱膨張率が大きい。また、樹脂部９は、絶縁基体１１に比較して、ヤング率又は熱膨張率が大きくてもよいし、同等でもよいし、小さくてもよい。好適には、樹脂部９の熱膨張率は絶縁基体１１と同等である。
樹脂部９は、対向空間Ｓに充填されておらず、対向空間Ｓには、空気等の気体が封入されている。対向空間Ｓ内の圧力は、その対向空間Ｓ内の温度が大気の温度と同等のときに、大気圧よりも高くてもよいし、同等でもよいし、大気圧よりも低くてもよい。
図３（ｂ）は、図３（ａ）の領域IIIｂの拡大図である。
樹脂部９は、対向空間Ｓを囲む内壁面９ａを有している。内壁面９ａは、対向空間Ｓに対して凹状となっている。より具体的には、例えば、内壁面９ａは、その上端が圧電基板１９の機能面１９ａと側面１９ｃとの角部に位置し、下端が絶縁基体１１の上面１１ａ上において圧電基板１９よりも外側に位置し、上端から下端へ徐々に広がっているとともに、上端から下端へのラインは概ね円弧状となっている。
図４（ａ）〜図４（ｄ）は、電子装置１の製造方法を説明する断面図である。図４（ａ）〜図４（ｃ）は、図３（ａ）に相当する断面図であり、図４（ｄ）は、図３（ｂ）に相当する断面図（図４（ｃ）の領域IVｄの拡大図）である。
まず、図４（ａ）に示すように、配線基板５を用意する。配線基板５は、一般的な多層基板と同様に作製されてよい。
次に、図４（ｂ）に示すように、配線基板５（若しくは圧電素子７）にバンプ８を形成した後、配線基板５に圧電素子７を実装する。バンプ８の形成も、一般的なバンプと同様に形成されてよく、例えば、蒸着法、めっき法若しくは印刷法により行われる。バンプ８を介した配線基板５と圧電素子７との接着も、一般的な実装と同様に、例えば、リフローによって行われてよい。
次に、図４（ｃ）に示すように、樹脂部９となる液状の材料３１（例えば未硬化状態の樹脂材料）を配線基板５及び圧電素子７上に供給する。材料３１の供給は、例えば、印刷法若しくはディスペンサー法により行われる。なお、材料３１の供給においては、材料３１が対向空間Ｓに流れ込んでしまわないように、材料３１として比較的粘性が高いものを用いたり、材料３１の圧力を調整（例えばスクリーン印刷におけるスキージの速度を調整）したりする。
ここで、材料３１においては、図４（ｄ）に示すように、対向空間Ｓを囲む内壁面３１ａは、必ずしも凹状とはなっていない。材料３１の粘度、圧電基板１９及び絶縁基体１１の濡れ性、材料３１に付与されている圧力等の各種の条件にもよるが、例えば、内壁面３１ａは、材料３１の広がりに抗して材料３１を球形に近づけようとする材料３１の表面張力の作用によって対向空間Ｓに対して凸状となっている。
次に、特に図示しないが、材料３１を加圧しつつ加熱し、材料３１を硬化させる。加圧及び加熱（熱膨張）によって対向空間Ｓの圧力は高くなる。その結果、材料３１の内壁面３１ａは、対向空間Ｓの広がりに抗して対向空間Ｓを球形に近づけようとする材料３１の表面張力の作用によって対向空間Ｓに対して凹状となる。また、加熱（熱膨張）による圧力増加分が加圧による圧力増加分を超えると、加熱による圧力増加分と加圧による圧力増加分との均衡が図られるように、内壁面３１ａは、図４（ｄ）に示す位置よりも外側へ移動する。及び／又は、材料３１の硬化に伴う収縮によって内壁面３１ａは外側へ移動する。
その結果、図３（ｂ）に示したように、材料３１が硬化して形成された樹脂部９の内壁面９ａは、対向空間Ｓに対して凹状となる。また、内壁面９ａは、圧電基板１９の側面１９ｃよりも外側に位置しやすい。
なお、以上の工程は、その全て若しくは途中までの工程が、配線基板５が多数個取りされる母基板に対して行われてもよいし、その全て若しくは途中からの工程がダイシング後の配線基板５に対して行われてもよい。
以上のとおり、本実施形態では、電子装置１は、配線基板５と、配線基板５の上面１１ａ（表面）に、機能面１９ａ（主面）を対向させて実装された圧電素子７（電子部品）と、圧電素子７の側面１９ｃと配線基板５に接着しているとともに、配線基板５の上面１１ａと圧電素子７の機能面１９ａとの間の対向空間Ｓを封止する樹脂部９と、を備える。そして、樹脂部９は、対向空間Ｓに対して凹状となっている。
その結果、圧電素子７を好適に封止することができる。具体的には、以下に例示するような作用・効果を奏する。
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、本実施形態の作用の一例を説明する図であり、図５（ａ）は比較例に係る図３（ｂ）に相当する断面図、図５（ｂ）は本実施形態に係る図３（ｂ）に相当する断面図である。ただし、作用を説明するための矢印を見やすくするためにハッチングは省略している。
図５（ａ）に示す比較例では、樹脂部１０９の内壁面１０９ａは、対向空間Ｓに対して凸状となっている。なお、このような内壁面１０９ａは、本実施形態における加圧及び加熱工程（対向空間Ｓにおける気圧を高める工程）を行わないことによって形成される。
対向空間Ｓ内の気体の圧力は、内壁面１０９ａに対して直交する方向に作用することから、当該圧力は、内壁面１０９ａの各位置においては、矢印ｙ１〜ｙ４によって示す方向に作用する。具体的には、内壁面１０９ａが凸状であることによって、圧電素子７の側面１９ｃ付近においては、矢印ｙ１によって示されるように、気体の圧力は樹脂部１０９を側面１９ｃから剥離させる方向に作用し、また、配線基板５の上面１１ａ付近においては、矢印ｙ４によって示されるように、気体の圧力は樹脂部１０９を上面１１ａから剥離させる方向に作用する。また、内壁面１０９ａが凸状であることによって、内壁面１０９ａと上面１１ａ（若しくは側面１９ｃ）とが成す形状は、切り欠き形状、すなわち、上述した剥離させる方向の圧力による応力の集中が生じる形状となっている。
従って、例えば、電子装置が高温（例えばリフロー温度２００℃〜３００℃）にさらされたときに、対向空間Ｓ内の気圧が大気圧を超えると（そのような状態が生じ得る質量で気体が対向空間Ｓ内に封入されていると仮定すると）、対向空間Ｓ内の圧力によって樹脂部９の剥離が生じ、対向空間Ｓ内の密閉性が損なわれるおそれがある。
一方、図５（ｂ）に示す本実施形態では、対向空間Ｓ内の気体の圧力は、内壁面９ａに対して矢印ｙ６〜ｙ９によって示す方向に作用する。具体的には、内壁面９ａが凹状であることによって、圧電素子７の側面１９ｃ付近においては、矢印ｙ６によって示されるように、気体の圧力は樹脂部９を側面１９ｃから剥離させる方向に対して比較例における矢印ｙ１よりも傾斜する方向に作用し、また、配線基板５の上面１１ａ付近においては、矢印ｙ９によって示されるように、気体の圧力は樹脂部９を上面１１ａから剥離させる方向に対して比較例における矢印ｙ４よりも傾斜する方向に作用する。また、内壁面９ａが凹状であることによって、内壁面９ａと上面１１ａ（若しくは側面１９ｃ）とが成す形状は、比較例よりも切り込みの角度が緩やかな形状、すなわち、剥離させる方向の圧力による応力の集中が比較例よりも生じにくい形状となっている。
従って、本実施形態では、比較例に比較して、対向空間Ｓ内の気圧によって樹脂部が剥離して対向空間Ｓ内の密閉性が損なわれるおそれが低減される。別の観点では、実施形態では、対向空間Ｓ内の圧力（質量）を比較例よりも大きくすることができ、その結果、例えば、製造工程における雰囲気の条件が緩和される。
図６は、本実施形態の他の作用を説明する図３（ａ）に相当する断面図である。ただし、作用を説明するための矢印等を見やすくするためにハッチングは省略している。
電子装置１においては、種々の要因によって、機能面１９ａを撓ませる曲げモーメントが生じる。その結果、ＳＡＷの伝搬特性の変化が生じ得る。しかし、本実施形態においては、図５を参照して説明したように、比較例に比較して、対向空間Ｓ内の圧力の自由度が高い。そこで、対向空間Ｓの気圧の調整によって、そのような撓みを抑制することが期待される。
例えば、矢印ｙ１３で示すように配線基板５に熱膨張が生じたり、矢印ｙ１１で示すように樹脂部９の硬化収縮が生じたりすると、矢印ｙ１４で示すような曲げモーメントが圧電素子７に加えられ、機能面１９ａは、２点鎖線Ｌ１で示すような撓みを生じ得る。しかし、対向空間Ｓの気圧をある程度の大きさにしておくことによって、機能面１９ａの撓みが抑制される（矢印ｙ１２で示すような、矢印ｙ１４のモーメントに抗するモーメントが生じる）ことが期待される。
（第１〜第３の変形例）
図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第１〜第３の変形例に係る図３（ｂ）に相当する断面図である。
第１〜第３の変形例は、樹脂部９の対向空間Ｓに接する部分の形状、大きさ及び／又は位置のみが第１の実施形態と相違する。具体的には、以下のとおりである。
（第１の変形例）
図７（ａ）に示す第１の変形例では、内壁面９ａは、第１の実施形態よりも対向空間Ｓ側に位置している。具体的には、内壁面９ａの上端は、圧電基板１９の側面１９ｃと機能面１９ａとの角部よりも対向空間Ｓ側に位置している。内壁面９ａの下端は、第１の実施形態と同様に、側面１９ｃよりも外側に位置している。ただし、内壁面９ａの下端も、側面１９ｃよりも対向空間Ｓ側に位置していてもよい。
このような内壁面９ａは、例えば、第１の実施形態に比較して、樹脂部９となる材料３１の粘度や供給速度を調整したり、材料３１の硬化時における加圧圧力を大きくしたり、及び／又は、材料３１の硬化時における温度を低くしたりすることによって実現される。
第１の変形例によっても、第１の実施形態と同様の効果が奏される。また、樹脂部９が圧電基板１９の機能面１９ａに係合していることから、樹脂部９の圧電基板１９からの剥離が抑制される効果が向上する。
（第２の変形例）
図７（ｂ）に示す第２の変形例では、第１の変形例とは逆に、内壁面９ａは、第１の実施形態よりも対向空間Ｓとは反対側に位置している。具体的には、内壁面９ａの上端は、圧電基板１９の側面１９ｃと機能面１９ａとの角部よりも上方に位置している。別の観点では、内壁面９ａ（凹状）の上端は、圧電素子７の側面１９ｃに位置している。なお、内壁面９ａの下端は、第１の実施形態と同様に、側面１９ｃよりも外側に位置している。
このような内壁面９ａは、例えば、第１の実施形態に比較して、樹脂部９となる材料３１の粘度や供給速度を調整したり、材料３１の硬化時における加圧圧力を小さくしたり、及び／又は、材料３１の硬化時における温度を高くしたりすることによって実現される。
第２の変形例によっても、第１の実施形態と同様の効果が奏される。また、熱膨張若しくは落下衝撃等に起因する樹脂部９の圧縮力若しくは引張力が圧電基板１９の機能面１９ａの近傍に作用することが抑制されるから、電子装置１の電気的信頼性等が向上することが期待される。
（第３の変形例）
図７（ｃ）に示す第３の変形例では、第２の変形例と同様に、内壁面９ａ（凹状部分）は、第１の実施形態よりも対向空間Ｓとは反対側に位置している。すなわち、内壁面９ａ（凹状部分）の上端は、圧電基板１９の側面１９ｃと機能面１９ａとの角部よりも上方に位置し、内壁面９ａの下端は、側面１９ｃよりも外側に位置している。
ただし、樹脂部９は、圧電基板１９の機能面１９ａの外周部分を覆う第１膜部９ｂと、配線基板５の上面１１ａの、機能面１９ａの外周部分と対向する部分を覆う第２膜部９ｃとを有している。これら、第１膜部９ｂ及び第２膜部９ｃは、その厚みが対向空間Ｓの高さよりも小さい。
このような内壁面９ａは、例えば、以下のように形成される。まず、樹脂部９の材料３１の供給時においては、材料３１を側面１９ｃよりも対向空間Ｓ側へ浸入させるように材料３１の粘度や供給速度を調整する。すなわち、材料３１を側面１９ｃよりも対向空間Ｓ側において機能面１９ａ及び上面１１ａに付着させる。その後、硬化時においては、対向空間Ｓの気体が側面１９ｃを超えて膨張するように加圧圧力及び加熱温度を調整する。これにより、材料３１は、第１膜部９ｂ及び第２膜部９ｃとなる部分が機能面１９ａ及び上面１１ａ上に残り、また、内壁面９ａは、その上方側部分が側面１９ｃに位置する大きさとなる。
なお、第１膜部９ｂ及び第２膜部９ｃを有しつつ、内壁面９ａの大きさは、第１の実施形態若しくは第１の変形例と同様としてもよい。また、機能面１９ａ及び上面１１ａの濡れ性等を適宜に設定することによって、第１膜部９ｂ及び第２膜部９ｃの一方のみを設けるようにしてもよい。なお、機能面１９ａ及び上面１１ａの濡れ性等によっては、第３の変形例と同様に、材料３１を側面１９ｃよりも対向空間Ｓ側へ浸入させた上で、第１の実施形態や第２の変形例の樹脂部９を形成することも可能である。
第３の変形例によっても、第１の実施形態と同様の効果が奏される。また、第３の変形例では、圧電素子７の機能面１９ａの外周部が、樹脂部９（第１膜部９ｂ）によって対向空間Ｓの厚さよりも薄い厚さで覆われていることから、第１膜部９ｂが引っ掛かりとなって、樹脂部９の圧電素子７からの剥離抑制効果が向上する。且つ、樹脂部９を機能面１９ａの外周部と配線基板５との間に充填する場合に比較して、樹脂部９の熱応力（換言すれば、機能面１９ａの大部分に作用する対向空間Ｓの気体の圧力とは異なる大きさの圧力）が機能面１９ａに局所的に作用することが抑制され、ひいては、機能面１９ａの撓み抑制が期待される。
また、第３の変形例では、配線基板５における、機能面１９ａの外周部と対向する部分が、樹脂部９（第２膜部９ｃ）によって対向空間Ｓの厚さよりも薄い厚さで覆われていることから、樹脂部９と上面１１ａとの密着面積が拡大され、樹脂部９の配線基板５からの剥離抑制効果が向上する。且つ、第１膜部９ｂと同様に、樹脂部９を機能面１９ａの外周部と配線基板５との間に充填する場合に比較して、樹脂部９の熱応力が機能面１９ａに局所的に作用することが抑制され、ひいては、機能面１９ａの撓み抑制が期待される。
また、第１膜部９ｂと第２膜部９ｃとの双方が設けられた場合においては、機能面１９ａの外周部と配線基板５との間の気体の圧力による、圧電素子７を配線基板５から剥離させようとする力が、樹脂部９の復元力によって減じられる。
（第２の実施形態）
図８は、第２の実施形態の電子装置２０１を示す図３（ａ）に相当する断面図である。
電子装置２０１においては、樹脂部２０９は、配線基板２０５の絶縁基体２１１の側面２１１ｃも覆っている。なお、配線基板２０５の側面２１１ｃは、圧電基板１９の側面１９ｃに対して、内側に位置してもよいし、面一となってもよいし、外側に位置してもよい。図８では、面一の場合を例示している。
そして、樹脂部２０９においても、対向空間Ｓを囲む内壁面２０９ａは、対向空間Ｓに対して凹状となっている。より具体的には、概ね円弧状となっている。なお、内壁面２０９ａの上端は、第１の実施形態と同様に、圧電基板１９の側面１９ｃと機能面１９ａとの角部に位置し、内壁面２０９ａの下端は、絶縁基体２１１の側面２１１ｃと上面２１１ａとの角部に位置している。
なお、第２の実施形態においても、内壁面２０９ａは、第１〜第３の変形例と同様に、その上端が適宜な位置とされたり、第１膜部９ｂが設けられてもよい。また、内壁面２０９ａは、その下端についても、上端と同様に、側面２１１ｃと上面２１１ａとの角部に対して、対向空間Ｓ側とされたり、側面２１１ｃ側とされたり、第２膜部９ｃが設けられてもよい。
電子装置２０１においては、外部端子３は、配線基板２０５の絶縁基体２１１だけでなく、樹脂部２０９にも形成されている。樹脂部２０９に形成される外部端子３は、その全体が樹脂部２０９に形成されてもよいし、図８に示すように、絶縁基体２１１と樹脂部２０９とに跨って形成されてもよい。なお、外部端子３は、配線基板２０５若しくは樹脂部２０９の一方において設けられなくてもよい。
電子装置２０１の製造方法は、第１の実施形態の電子装置１の製造方法と概ね同様とされてよい。ただし、配線基板２０５のダイシングは、樹脂部２０９を形成する前に行われる必要があり、また、外部端子３は、配線基板２０５の作製とは別に、樹脂部２０９の形成後に行われる必要がある。なお、電子装置２０１の製造方法においては、樹脂部２０９の形成前において、圧電素子７が多数個取りされる母基板と、配線基板２０５が多数個取りされる母基板とを貼り合わせ、その貼り合わせ後の母基板を共に（同時に）ダイシングすることが可能である。
以上のとおり、第２の実施形態では、第１の実施形態と同様に、電子装置２０１は、配線基板２０５と、配線基板２０５の上面２１１ａに、機能面１９ａを対向させて実装された圧電素子７と、圧電素子７の側面１９ｃと配線基板２０５に接着しているとともに、配線基板２０５の上面２１１ａと圧電素子７の機能面１９ａと間の対向空間Ｓを封止する樹脂部２０９と、を備え、樹脂部２０９は、対向空間Ｓに対して凹状となっている。従って、第１の実施形態と同様の効果が奏される。
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
電子装置は、実装基板に実装されるものに限定されない。換言すれば、配線基板は、電子部品と実装基板とを仲介するものに限定されない。例えば、配線基板は、携帯機器等の電子機器のマザーボード（メインボード、主基板）として機能するものであってもよい。
また、電子装置は、樹脂封止される一の電子部品のみを有するものに限定されない。すなわち、電子装置は、当該一の電子部品と共に樹脂封止される他の電子部品及び／又は樹脂封止されない他の電子部品を１以上含み、モージュール化されたものであってもよい。なお、共に樹脂封止される複数の電子部品は、全ての電子部品が対向空間を構成する必要はなく、少なくとも一の電子部品が対向空間を構成すればよい。
電子部品は、圧電素子に限定されない。例えば、電子部品は、半導体チップ、コンデンサ、インダクタ若しくは抵抗であってもよい。また、圧電素子は、ＳＡＷ素子に限定されない。例えば、圧電素子は、圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）であってもよいし、弾性境界波素子（ただし、広義のＳＡＷ素子に含まれる）であってもよい。なお、対向空間を有効利用する観点からは、電子部品は、圧電素子であることが好ましい。
樹脂の凹状の具体的形状は、実施形態等において例示したものに限定されない。例えば、第１の実施形態では、内壁面９ａは、上端から下端にかけて徐々に外側に位置したが、内壁面９ａは、上端から中央にかけて徐々に外側に位置し、中央から下端にかけて徐々に内側に位置する内壁面が形成されてもよい。凹状の内壁面の形状は、樹脂の粘度、密度、供給速度、硬化時の加熱温度若しくは加圧圧力、又は、配線基板若しくは電子部品の濡れ性等によって適宜に調整可能である。凹状の具体的形状は、実施形態に例示した作用・効果が発揮されないものであってもよい。
樹脂は、その熱膨張率（若しくは熱応力）が電子部品若しくは配線基板の熱膨張率よりも高いものに限定されない。樹脂は、その熱膨張率等が電子部品よりも小さくても、対向空間に対して凹状であることにより、対向空間の圧力設定の自由度が向上する等の効果を奏する。
樹脂部は、液状の樹脂の硬化のみによって形成されるものに限定されない。例えば、樹脂部は、シート状の樹脂（若しくは粘性が高い樹脂）によって電子部品を覆った後、その上から液状の樹脂を供給して硬化させることによって形成されてもよい。
樹脂部は、電子部品の上面を覆っていなくてもよい。ただし、樹脂部が電子部品の上面を覆えば、種々の効果が得られる。
例えば、電子装置の上面（樹脂）にレーザ等でインデックスマークを付けやすくなる。なお、電子部品の上面に直接にレーザを照射すると、レーザが電子部品を透過するおそれがある。その結果、例えば、電子部品としての圧電素子において、下面の励振電極が破壊されるおそれがある。しかし、電子部品の上面を樹脂が覆うことにより、レーザのエネルギーを樹脂により吸収し、そのようなおそれを低減できる。
また、例えば、樹脂によって電子装置の上面の面積が増加することから、電子装置を吸着によって持ち上げることが容易化される。また、例えば、電子部品の保護性が向上する。
電子装置は、樹脂部を覆う導電膜を有していてもよい。この場合、シールド性が向上する。なお、シールド効果を向上させる観点から、導電膜は、接地電位に接続されることが好ましい。導電膜の形成は、例えば、蒸着又は導電性ペーストの塗布により行われる。
１…電子装置、５…配線基板、７…圧電素子（電子部品）、９…樹脂部（樹脂）、Ｓ…対向空間。

Claims (5)

  1. 配線基板と、
    該配線基板の表面に、主面を対向させて実装された電子部品と、
    該電子部品の側面及び前記配線基板に接着しているとともに、前記配線基板の前記表面と前記電子部品の前記主面と間の対向空間を封止する樹脂と、
    を備え、
    前記樹脂が、前記対向空間に対して凹状となっており、
    前記凹状の上端が、前記電子部品の前記側面と前記主面との角部よりも上方に位置し、
    前記凹状の前記上端から下方に位置する前記電子部品の前記側面の下端部及び前記電子部品の前記主面の外周部が、前記樹脂によって前記対向空間の厚さよりも薄い厚さで覆われている
    電子装置。
  2. 前記樹脂は、前記電子部品の上面を覆っている
    請求項１に記載の電子装置。
  3. 前記凹状の下端が、前記電子部品の前記側面よりも外側に位置する
    請求項１又は２に記載の電子装置。
  4. 前記凹状の前記下端よりも内側に位置する、前記配線基板における、前記電子部品の前記主面の外周部と対向する部分及びその周囲部分が、前記樹脂によって前記対向空間の厚さよりも薄い厚さで覆われている
    請求項３に記載の電子装置。
  5. 配線基板と、
    該配線基板の表面に、主面を対向させて実装された電子部品と、
    該電子部品の側面及び前記配線基板に接着しているとともに、前記配線基板の前記表面と前記電子部品の前記主面と間の対向空間を封止する樹脂と、
    を備え、
    前記樹脂が、前記対向空間に対して凹状となっており、
    前記凹状の下端が、前記電子部品の前記側面よりも外側に位置し、
    前記凹状の前記下端よりも内側に位置する、前記配線基板における、前記電子部品の前記主面の外周部と対向する部分及びその周囲部分が、前記樹脂によって前記対向空間の厚さよりも薄い厚さで覆われている
    電子装置。
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