JP6603377B2 - 弾性波装置および電子部品 - Google Patents
弾性波装置および電子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6603377B2 JP6603377B2 JP2018161728A JP2018161728A JP6603377B2 JP 6603377 B2 JP6603377 B2 JP 6603377B2 JP 2018161728 A JP2018161728 A JP 2018161728A JP 2018161728 A JP2018161728 A JP 2018161728A JP 6603377 B2 JP6603377 B2 JP 6603377B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frame
- wall
- frame portion
- cover
- lid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 106
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 97
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 56
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 56
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 description 38
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 21
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 20
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 19
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 3
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 acryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- GQWNECFJGBQMBO-UHFFFAOYSA-N Molindone hydrochloride Chemical compound Cl.O=C1C=2C(CC)=C(C)NC=2CCC1CN1CCOCC1 GQWNECFJGBQMBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000001520 comb Anatomy 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/105—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/875—Further connection or lead arrangements, e.g. flexible wiring boards, terminal pins
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
- H10N30/883—Additional insulation means preventing electrical, physical or chemical damage, e.g. protective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
BAR:Film Bulk Acoustic Resonator)等の弾性波装置およびそれを用いた電子部品に関する。
(SAW装置等の構成)
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係るSAW装置1の平面図であり、図1(b)は、SAW装置1の蓋部4を外した状態における平面図である。また、図2は図1(a)のII−II線における断面図である。
れる。なお、以下では、裏面部11について、図示や説明を省略することがある。
カバー9の上面から下面に亘って、導電性接合材57とカバー9の外壁との間に充填されているときに顕著となる。
図5(a)〜図6(c)は、SAW装置1および電子部品51の製造方法を説明する断面図(図1のIII−III線に対応)である。製造工程は、図5(a)から図6(c)まで順に進んでいく。
成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機(ステッパー)とRIE(Reactive Ion Etching)装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によってパターニングが行われる。パターニングにより、励振電極5、配線15およびパッド7が形成される。
る。SAW装置1の周囲に供給されたモールド樹脂59は、付与された圧力によってカバー9の上面と実装面53aとの間に流れ込み、さらには、カバー9の側面と導電性接合材57との間に流れ込む。そして、図4に示したように電子部品51が製造される。
図7は第1の実施形態におけるSAW装置1の変形例を示す拡大断面図である。なお、図7の断面図は図4で示した部分に対応している。
図8は、第2の実施形態のSAW装置101を示す、図2に相当する断面図である。SAW装置101は、カバー9の上面に配置された補強層22を有している。
図9は、第3の実施形態のSAW装置201を示す、図2に相当する断面図である。
図10は、第4の実施形態のSAW装置301を示す、図2に相当する断面図である。SAW装置301は、端子25を有している。この端子25はパッド7と電気的に接続された状態でパッド7の上に位置している。また端子25はカバー9を縦方向に貫通し、パッド7と接続されない方の端部はカバー9の上面から露出している。端子7は例えば銅等を用いてめっき法によって形成される。
合には、補強層22全体を絶縁膜24によって覆っておくことが好ましい。これにより、SAW装置301を実装基板に実装した際に補強層22と端子25とが短絡するのを抑制することができる。
図14は、第4の実施形態におけるSAW装置301の変形例を示す断面図である。この変形例は、カバー9の上面のうち、カバー9を平面視したときに端子25と振動空間21との間に位置する部分に溝部12を形成し、その溝部12に補強層22の一部が嵌まるようにしたものである。このように、補強層22の一部を溝部12に嵌めることによって、補強層22のカバー9からの剥がれを抑制することができる。補強層22を嵌めるための溝部12は、例えば、図11(c)に示したように、溝部12を形成すべき位置に遮光部39を設けたマスク40を用いて露光を行うことによって形成することができる。
図15は、第5の実施形態のSAW装置401を示す平面図である。なお、図15では振動空間21の外周(枠部の内壁2a)を点線で示している。
図21は、第6の実施形態のSAW装置501を示す断面図であり、図22は図21に示す領域Eの拡大図である。
図24(a)乃至(c)は、第7の実施形態のSAW装置601を示す、図3に対応する部分の拡大断面図である。
成する場合と同じようにフォトリソグラフィー法等によって形成し(図5(d))、その後、1層目の上に凸部となる2層目をフォトリソグラフィー法等によって形成すればよい。
2・・・枠部
3・・・素子基板
4・・・蓋部
4a・・・下垂部
5・・・励振電極
6・・・接続強化層
7・・・パッド
9・・・カバー
10・・・凹部
Claims (8)
- 基板と、
該基板の厚み方向の一方側の面上に位置した枠部および該枠部に重なって該枠部を塞ぐ蓋部を含むカバーと、
前記基板と前記カバーとで囲われる空間に収容され、前記基板の厚み方向の一方側の面上に位置するとともに、前記蓋部と対向する弾性表面波またはバルク波を励振する励振電極と、を備えた弾性波装置であって、
前記蓋部は、前記枠部の内壁の上辺から連なって前記内壁の少なくとも一部を被覆している下垂部を有し、
該下垂部は、前記空間と枠部との間に位置する、弾性波装置。 - 前記枠部と前記蓋部とを貫通する貫通導体を備えている、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記蓋部は、前記下垂部を通る位置における厚みが、前記枠部と重なる位置における厚みに比べて、厚い、請求項1または2に記載の弾性波装置。
- 前記枠部の外壁は、前記基板に向かうにつれて広がるよう傾斜している、請求項1乃至3のいずれかに記載の弾性波装置。
- 前記蓋部は、前記枠部の外壁の上辺から連なって前記外壁の少なくとも一部を被覆している第2下垂部と、を備えており、
前記下垂部を通る高さ位置における断面において、前記空間側から順に、前記下垂部,前記枠部,前記第2下垂部が位置している、請求項1乃至4のいずれかに記載の弾性波装置。 - 前記枠部の外壁の前記基板の厚み方向の一方側の面に対する角度は、前記蓋部の側壁の前記基板の厚み方向の一方側の面に対する角度と異なる、請求項1乃至5のいずれかに記載の弾性波装置。
- 前記枠部および蓋部は感光性樹脂からなる、請求項1乃至6のいずれかに記載の弾性波装置。
- 実装基板と、
該実装基板の主面に前記基板の厚み方向の一方側の面を対面させた状態で導電性接合材を
介して実装された請求項1乃至7のいずれかに記載の弾性波装置と、
該弾性波装置を被覆するモールド樹脂とを備えた電子部品。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011180265 | 2011-08-22 | ||
JP2011180265 | 2011-08-22 | ||
JP2011239314 | 2011-10-31 | ||
JP2011239314 | 2011-10-31 | ||
JP2012122994 | 2012-05-30 | ||
JP2012122994 | 2012-05-30 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016085183A Division JP6396941B2 (ja) | 2011-08-22 | 2016-04-21 | 弾性波装置および電子部品 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018207524A JP2018207524A (ja) | 2018-12-27 |
JP2018207524A5 JP2018207524A5 (ja) | 2019-04-11 |
JP6603377B2 true JP6603377B2 (ja) | 2019-11-06 |
Family
ID=47746498
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012550237A Active JP5259024B1 (ja) | 2011-08-22 | 2012-08-22 | 弾性波装置および電子部品 |
JP2012244333A Active JP5926165B2 (ja) | 2011-08-22 | 2012-11-06 | 弾性波装置および電子部品 |
JP2013026324A Active JP5859993B2 (ja) | 2011-08-22 | 2013-02-14 | 弾性波装置および電子部品 |
JP2016085183A Active JP6396941B2 (ja) | 2011-08-22 | 2016-04-21 | 弾性波装置および電子部品 |
JP2018161728A Active JP6603377B2 (ja) | 2011-08-22 | 2018-08-30 | 弾性波装置および電子部品 |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012550237A Active JP5259024B1 (ja) | 2011-08-22 | 2012-08-22 | 弾性波装置および電子部品 |
JP2012244333A Active JP5926165B2 (ja) | 2011-08-22 | 2012-11-06 | 弾性波装置および電子部品 |
JP2013026324A Active JP5859993B2 (ja) | 2011-08-22 | 2013-02-14 | 弾性波装置および電子部品 |
JP2016085183A Active JP6396941B2 (ja) | 2011-08-22 | 2016-04-21 | 弾性波装置および電子部品 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9548437B2 (ja) |
JP (5) | JP5259024B1 (ja) |
CN (1) | CN103748787B (ja) |
WO (1) | WO2013027760A1 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103748787B (zh) * | 2011-08-22 | 2017-04-12 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置以及电子部件 |
US9793525B2 (en) | 2012-10-09 | 2017-10-17 | Johnson Battery Technologies, Inc. | Solid-state battery electrodes |
KR20150053592A (ko) * | 2013-11-08 | 2015-05-18 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법 |
JP2016058857A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス、圧電デバイス製造方法、及び電子部品 |
JP6669429B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2020-03-18 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および通信装置 |
KR101706257B1 (ko) * | 2015-01-13 | 2017-02-13 | (주)와이솔 | 압전소자 디바이스 |
WO2016147724A1 (ja) | 2015-03-16 | 2016-09-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
KR101931508B1 (ko) | 2015-03-27 | 2018-12-21 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치, 통신 모듈 기기 및 탄성파 장치의 제조 방법 |
CN107615652B (zh) * | 2015-05-27 | 2020-06-23 | 株式会社村田制作所 | 压电振动元件搭载用基板以及压电振子及其制造方法 |
JP6612529B2 (ja) * | 2015-05-28 | 2019-11-27 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置および通信装置 |
JP6665487B2 (ja) * | 2015-11-02 | 2020-03-13 | セイコーエプソン株式会社 | 集積回路装置、電子デバイス、電子機器、および基地局 |
US20170207766A1 (en) * | 2016-01-20 | 2017-07-20 | Qorvo Us, Inc. | Cap structure for wafer level package |
TW201735286A (zh) | 2016-02-11 | 2017-10-01 | 天工方案公司 | 使用可回收載體基板之裝置封裝 |
JP2017147280A (ja) * | 2016-02-15 | 2017-08-24 | 株式会社デンソー | 電子回路部品 |
US20170365554A1 (en) * | 2016-06-21 | 2017-12-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Polymer bonding with improved step coverage |
US10756700B2 (en) * | 2016-07-14 | 2020-08-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator device |
WO2018021242A1 (ja) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | 京セラ株式会社 | 弾性波デバイスおよび通信装置 |
US10453763B2 (en) * | 2016-08-10 | 2019-10-22 | Skyworks Solutions, Inc. | Packaging structures with improved adhesion and strength |
JP2018078419A (ja) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
JP6974787B2 (ja) * | 2016-12-12 | 2021-12-01 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動子、モジュール部品及びそれらの製造方法 |
WO2018174064A1 (ja) * | 2017-03-22 | 2018-09-27 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、分波器および通信装置 |
WO2019044178A1 (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置およびそれを備えた弾性波モジュール |
JP7029691B2 (ja) * | 2017-09-25 | 2022-03-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | パッケージ用カバー部材、電子デバイス、及びパッケージ用カバー部材の製造方法 |
CN111527697B (zh) * | 2017-12-26 | 2023-09-12 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置以及弹性波模块 |
JP7057690B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2022-04-20 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP7247694B2 (ja) | 2019-03-25 | 2023-03-29 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイス、発振器、振動モジュール、電子機器および移動体 |
DE102019115971A1 (de) * | 2019-06-12 | 2020-12-17 | RF360 Europe GmbH | Elektrisches Bauelement, elektrische Vorrichtung undVerfahren zur Herstellung einer Vielzahl von elektrischenBauelementen |
US20220329228A1 (en) * | 2019-06-28 | 2022-10-13 | Kyocera Corporation | Elastic wave device and method of manufacturing elastic wave device |
TWI690156B (zh) | 2019-07-10 | 2020-04-01 | 頎邦科技股份有限公司 | 表面聲波裝置及其製造方法 |
WO2023282264A1 (ja) * | 2021-07-08 | 2023-01-12 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04207308A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子 |
JP3748967B2 (ja) | 1996-12-02 | 2006-02-22 | Tdk株式会社 | 電子部品の封止構造 |
JP4368499B2 (ja) * | 1999-06-14 | 2009-11-18 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法およびそれを用いた弾性表面波デバイスの製造方法 |
JP2001217679A (ja) * | 2000-02-01 | 2001-08-10 | Murata Mfg Co Ltd | 端面反射型表面波装置、共用器及び通信機 |
JP2001274271A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Kyocera Corp | 電子部品装置の製造方法 |
JP4063000B2 (ja) * | 2001-08-14 | 2008-03-19 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型表面波フィルタ |
JP3783605B2 (ja) | 2001-10-29 | 2006-06-07 | 松下電器産業株式会社 | 気密封止パッケージおよびこれを用いたデバイス |
JP4585419B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2010-11-24 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
JP2007318058A (ja) | 2006-04-27 | 2007-12-06 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
JP5113394B2 (ja) | 2007-01-23 | 2013-01-09 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
JP5117083B2 (ja) | 2007-03-09 | 2013-01-09 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
JP5026828B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2012-09-19 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
CN101803189B (zh) | 2007-10-30 | 2014-01-08 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置 |
WO2009091982A1 (en) * | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Alnylam Pharmaceuticals, Inc. | Mir-122 agonist |
JP5104518B2 (ja) * | 2008-04-22 | 2012-12-19 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
JP5106633B2 (ja) | 2008-06-27 | 2012-12-26 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置 |
JP5434138B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2014-03-05 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波部品およびその製造方法 |
JP2010278971A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置 |
JP5532685B2 (ja) * | 2009-06-01 | 2014-06-25 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP5514478B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2014-06-04 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置及びその製造方法 |
US9136195B2 (en) * | 2009-07-17 | 2015-09-15 | Tyco Electronics Corporation | Oxygen barrier compositions and related methods |
JP5339313B2 (ja) | 2009-11-27 | 2013-11-13 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置およびその製造方法 |
JP5339625B2 (ja) * | 2009-12-21 | 2013-11-13 | 太陽誘電株式会社 | 中空パッケージの製造方法 |
JP2011188255A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Panasonic Corp | 弾性波素子 |
CN103748787B (zh) * | 2011-08-22 | 2017-04-12 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置以及电子部件 |
-
2012
- 2012-08-22 CN CN201280040419.9A patent/CN103748787B/zh active Active
- 2012-08-22 JP JP2012550237A patent/JP5259024B1/ja active Active
- 2012-08-22 US US14/239,768 patent/US9548437B2/en active Active
- 2012-08-22 WO PCT/JP2012/071181 patent/WO2013027760A1/ja active Application Filing
- 2012-11-06 JP JP2012244333A patent/JP5926165B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-14 JP JP2013026324A patent/JP5859993B2/ja active Active
-
2016
- 2016-04-21 JP JP2016085183A patent/JP6396941B2/ja active Active
-
2017
- 2017-01-13 US US15/406,427 patent/US10554192B2/en active Active
-
2018
- 2018-08-30 JP JP2018161728A patent/JP6603377B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5259024B1 (ja) | 2013-08-07 |
US10554192B2 (en) | 2020-02-04 |
JP2014007727A (ja) | 2014-01-16 |
US20170207767A1 (en) | 2017-07-20 |
WO2013027760A1 (ja) | 2013-02-28 |
JP5926165B2 (ja) | 2016-05-25 |
US9548437B2 (en) | 2017-01-17 |
JP2016171579A (ja) | 2016-09-23 |
US20140191617A1 (en) | 2014-07-10 |
JP5859993B2 (ja) | 2016-02-16 |
JP6396941B2 (ja) | 2018-09-26 |
JP2018207524A (ja) | 2018-12-27 |
JP2014007722A (ja) | 2014-01-16 |
CN103748787B (zh) | 2017-04-12 |
JPWO2013027760A1 (ja) | 2015-03-19 |
CN103748787A (zh) | 2014-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6603377B2 (ja) | 弾性波装置および電子部品 | |
JP5882306B2 (ja) | 電子部品 | |
JP5591163B2 (ja) | 弾性波装置およびその製造方法 | |
JP5815365B2 (ja) | 弾性波装置、電子部品および弾性波装置の製造方法 | |
JP5688149B2 (ja) | 弾性波装置を有する電子部品 | |
JP5730169B2 (ja) | 弾性波装置、電子部品および弾性波装置の製造方法 | |
JP5721500B2 (ja) | 弾性波装置およびその製造方法 | |
JP6298120B2 (ja) | 弾性波装置および回路基板 | |
JP5865698B2 (ja) | 弾性波装置、電子部品および弾性波装置の製造方法 | |
JP5813177B2 (ja) | 弾性波装置および回路基板 | |
JP2013118444A (ja) | 弾性波デバイスの製造方法及び弾性波デバイス | |
JP5754907B2 (ja) | 弾性波装置および回路基板 | |
JP5997327B2 (ja) | 弾性波装置および回路基板 | |
JP6142023B2 (ja) | 弾性波装置、電子部品および弾性波装置の製造方法 | |
JP5945016B2 (ja) | 弾性波装置、電子部品および弾性波装置の製造方法 | |
JP5883100B2 (ja) | 弾性波装置およびその製造方法 | |
JP2017112630A (ja) | 弾性波装置およびその製造方法 | |
JP6646089B2 (ja) | 弾性波装置および回路基板 | |
JP4186677B2 (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
JP6093051B2 (ja) | 弾性波装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190521 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190820 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190910 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191010 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6603377 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |