JP7008377B1 - 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】弊害なく又は弊害を減らしつつ、封止樹脂が電極にまで侵入することを抑制することができる弾性波デバイスとモジュールを提供する。【解決手段】弾性波デバイスは、配線基板と、前記配線基板の上に設けられ、前記配線基板と電気的に接続されたデバイスチップと、前記配線基板と前記デバイスチップの間に空間を残しつつ、前記デバイスチップを封止する封止樹脂と、を備え、前記デバイスチップは、前記配線基板に対向する主面に、配線パターンと、前記配線パターンが設けられた領域である配線領域に周期的に形成された複数の電極と、前記配線領域のうち、前記複数の電極よりも前記配線領域の外縁に近い位置に、前記配線パターンから突出して設けられた液体侵入防止パターンと、を有する。【選択図】図２

Description

本開示は、弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールに関連する。

特許文献１は、弾性波デバイスを開示する。当該弾性波デバイスは、弾性波デバイスと基板の間に中空部を形成するとともに、その中空部に外部から封止樹脂が侵入することを阻止するダムを備えている。

特開２０２０－１０２７１３号公報

平面視においてＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極および接続部を囲むようにダムを形成することで、封止樹脂が弾性波デバイスの電極配置部分に進入することを抑制し得る。しかしながら、ダムは大きなパターンであり、ダムの形成によってデザインエリアが減ったり、デバイスが大型化したりする。また、ダムが金属パターンである場合、カップリングによってデバイスの特性に影響を及ぼしてしまう。さらに、デバイスチップの外縁に沿って形成されるダムでは、封止樹脂の侵入を抑制するために一定の高さが必要となるので、製造が容易ではない。

本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、弊害なく又は弊害を減らしつつ、封止樹脂が電極にまで侵入することを抑制する弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールを提供することである。

本開示にかかる弾性波デバイスは、
配線基板と、
前記配線基板の上に設けられ、前記配線基板と電気的に接続されたデバイスチップと、
前記配線基板と前記デバイスチップの間に空間を残しつつ、前記デバイスチップを封止する封止樹脂とを備え、
前記デバイスチップは、前記配線基板に対向する主面に、
配線パターンと、
前記配線パターンが設けられた領域である配線領域に周期的に形成された複数の電極と、
前記配線領域のうち、前記複数の電極よりも前記配線領域の外縁に近い位置に、前記配線パターンから突出して設けられた液体侵入防止パターンと、を有し、
前記液体侵入防止パターンは、前記配線パターンから略垂直に伸びる第１部分と、前記第１部分の先端から前記デバイスチップの外縁方向に伸びる第２部分と、を有する。

前記複数の電極は、弾性表面波を励起する共振器と、前記共振器に隣接する反射器と、を有し、前記液体侵入防止パターンは、前記弾性表面波の伝搬方向と直交する直交方向と非平行に設けられたことが、本開示の一形態とされる。

前記配線パターンは、バンプパッドと、前記バンプパッドを前記複数の電極に電気的に接続する配線部分と、を有し、前記液体侵入防止パターンは前記配線部分から突出して設けられたことが、本開示の一形態とされる。

前記配線パターンは、バンプパッドと、前記バンプパッドを前記複数の電極に電気的に接続する配線部分と、を有し、前記液体侵入防止パターンは前記バンプパッドから突出して設けられたことが、本開示の一形態とされる。

前記液体侵入防止パターンは、前記配線パターンから略垂直に伸びる第１部分と、前記第１部分の先端から前記デバイスチップの外縁方向に伸びる第２部分と、を有することが、本開示の一形態とされる。

前記液体侵入防止パターンは、前記配線パターンから略垂直に伸びる第１部分と、前記第１部分の先端から前記デバイスチップの外縁方向に伸びる第２部分と、を有し、前記共振器と前記反射器の間の領域を通過する弾性表面波の伝搬方向に直交する線上に前記第１部分があることが、本開示の一形態とされる。

前記液体侵入防止パターンは屈曲した形状を有することが、本開示の一形態とされる。

前記液体侵入防止パターンは、前記配線パターンの１つの辺に複数形成されたことが、本開示の一形態とされる。

前記液体侵入防止パターンは、前記配線パターンのうち、前記複数の電極の弾性表面波の伝搬方向と略垂直をなす辺にのみ設けられたことが、本開示の一形態とされる。

前記液体侵入防止パターンは、前記配線パターンより細く形成されたことが、本開示の一形態とされる。

前記デバイスチップは、圧電性基板と、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなる基板と、が接合された基板を有することが、本開示の一形態とされる。

前記封止樹脂は熱硬化性樹脂であることが、本開示の一形態とされる。

複数の弾性表面波共振器を有するバンドパスフィルタが形成された第２デバイスチップを備えたことが、本開示の一形態とされる。

複数の音響薄膜共振器を有するバンドパスフィルタが形成された第２デバイスチップを備えたことが、本開示の一形態とされる。

前記の弾性波デバイスを備えるモジュールが、本開示の一形態とされる。

本開示によれば、弊害なく又は弊害を減らしつつ、封止樹脂が電極にまで侵入することを抑制することができる。

実施の形態１における弾性波デバイスの断面図である。 実施の形態１におけるデバイスチップの主面を示す図である。 実施の形態１におけるデバイスチップの一部拡大図である。 実施の形態１における封止樹脂の例を示す図である。 実施の形態１における配線パターンと複数の電極の例を示す図である。 比較例に係る封止樹脂の侵入を示す図である。 実施の形態２におけるデバイスチップの一部拡大図である。 実施の形態３におけるデバイスチップの一部拡大図である。 実施の形態４におけるデバイスチップの一部拡大図である。 実施の形態５におけるデバイスチップの一部拡大図である。

実施の形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略される。

実施の形態１．
図１は実施の形態１における弾性波デバイスの断面図である。弾性波デバイス１は配線基板２を備えている。一例によれば、配線基板２は樹脂を含む多層基板である。別の例によれば、配線基板２は複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）多層基板である。配線基板２の内部にコンデンサ又はインダクタ等の受動素子を形成してもよい。

図１の例では、配線基板２は部品実装面である上面に複数の導電性パッド２ｂを備えている。配線基板２の下面は例えばマザー基板への取り付け面である。配線基板２の下面には複数の導電性パッド２ｃが設けられている。導電性パッド２ｂと導電性パッド２ｃは対応するものどうしが内部導体２ａ又はビアホール導体で接続される。

配線基板２の上には、配線基板２と電気的に接続されたデバイスチップ３がある。デバイスチップ３は表面弾性波デバイスチップである。デバイスチップ３は、圧電材料で形成された圧電基板３ａを備えている。一例によれば、圧電基板３ａは、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶で形成された基板である。別の例によれば、圧電基板３ａは、圧電セラミックスで形成された基板である。さらに別の例によれば、圧電基板３ａは、圧電基板と支持基板とが接合された基板である。支持基板は、例えば、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスで形成された基板である。

一例によれば、圧電基板３ａは機能素子が形成される基板である。例えば、デバイスチップ３の配線基板２に対向する面である主面（下面）において、受信フィルタと送信フィルタとが形成される。

受信フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、受信フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。

送信フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、送信フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。

図１には、デバイスチップ３の主面に、配線パターン３ｂと、周期的に形成された複数の電極３ｃとが形成された例が示されている。一例によれば複数の電極３ｃは櫛歯状の電極指であるＩＤＴ電極である。給電側のリード端子からＩＤＴ電極に高周波電界を印加することで弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電作用によって高周波電界に変換することによってフィルタ特性を得ることができる。

配線パターン３ｂと導電性パッド２ｂはバンプ４によって電気的に接続されている。バンプ４は、例えばＡｕ、導電性接着剤又は半田である。

弾性波デバイス１は封止樹脂５を備えている。封止樹脂５は、配線基板２とデバイスチップ３の間に空間６を残しつつ、デバイスチップ３を封止する。一例によれば、配線基板２にデバイスチップ３を実装し、その後デバイスチップの上にデバイスチップ３にまたがるように樹脂シートをのせる。一例によれば、樹脂シートは液状のエポキシ樹脂をシート化したものである。別の例によれば、樹脂シートは、エポキシ樹脂とは異なるポリイミドなどの合成樹脂とすることができる。樹脂シートの上面にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を材料とする保護フィルムを設けたり、樹脂シートの下面にポリエステルを材料とするベースフィルムを設けたりすることができる。

デバイスチップ３の上に樹脂シートをのせることで、樹脂シートがデバイスチップ３に仮固定される。そして、デバイスチップ３、樹脂シート及び配線基板２を有する構造を、少なくとも樹脂シートの軟化温度まで加熱した上ローラと下ローラの間を通することで、樹脂シートがデバイスチップ３の側面と配線基板２の上面に充填される。これは熱ローララミネート法と呼ばれる。図１に示すようなラミネートができる方法であれば、熱ローララミネート法以外の方法を採用してもよい。

その後、樹脂シートを完全に硬化させるために、プレス形成工程へと処理を進める。例えば、樹脂の硬化温度まで加熱された上金型と下金型を有するプレス機によって、樹脂シートを配線基板２の方向に押圧することで、空間６のエアーの膨張を抑制しつつ、樹脂を硬化させる。

この例によれば、樹脂シートを一旦軟化温度まで加熱昇温させてから加圧変形させてデバイスチップ３の外面と配線基板２の上面に密着させた後に、硬化温度まで加熱昇温させて形状を固定することで、封止樹脂５が形成される。封止樹脂５は例えば、空間６を気密空間とし、配線基板２に対するデバイスチップ３の固定力を補強する。図１の例では、空間６は、デバイスチップ３の主面と配線基板２の上面と封止樹脂５によって囲まれた気密空間である。配線基板２に実装するデバイスチップの数は２つ以上とすることができる。一例によれば、封止樹脂５は熱硬化性樹脂である。

図２は、デバイスチップ３の主面の構成例を示す図である。この例では、デバイスチップ３は、主面に、配線パターン３ｂ、３ｄを備えている。配線パターンは、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウムなどの適宜の金属もしくは合金により形成される。別の例によれば、配線パターンは、複数の金属層を積層してなる積層金属膜により形成される。例えば、配線パターンの厚みは１５０ｎｍから４００ｎｍである。

配線パターンが設けられた領域は配線領域を構成している。図２では、配線領域１０は破線で囲まれた矩形領域である。配線パターンはこの配線領域１０の中に形成され配線領域１０の外に形成されない。配線領域１０には、複数の電極３ｃが周期的に形成されている。複数の電極３ｃによって弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）が提供されている。複数の電極３ｃは、例えば、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタ、又は、反射器を有するＳＡＷ共振器型フィルタを構成する。

図２の例では、配線パターン３ｂはバンプパッドであり、配線パターン３ｄはバンプパッドを複数の電極３ｃに電気的に接続する配線部分である。配線パターンの形状と、分布は、設計に応じて任意の変形が可能である。

配線領域１０の中には、配線パターンから突出して設けられた液体侵入防止パターン６、７が設けられている。液体侵入防止パターン６、７は、複数の電極３ｃよりも配線領域１０の外縁に近い位置に設けられる。液体侵入防止パターンは、封止樹脂の液体成分が配線領域１０の内側に進入したときに、当該液体成分が複数の電極３ｃに到達することを阻止又は抑制するものである。そのため、液体侵入防止パターンは、配線領域１０の外縁と、複数の電極３ｃの間にある。図２の例では、液体侵入防止パターン６は、配線パターン３ｄ（配線部分）から突出して設けられ、図中左側から配線領域１０の内側に侵入する液体成分が複数の電極３ｃに到達することを防ぐ。液体侵入防止パターン７は、配線パターン３ｂ（バンプパッド）から突出して設けられ、図中上側から配線領域１０の内側に進入する液体成分が複数の電極３ｃに到達することを防ぐ。図２の配線パターンと、複数の電極と、液体侵入防止パターンのレイアウトは例示であり、任意の変形が可能である。

図３は、液体侵入防止パターンの形状例を示す図である。複数の電極３ｃは、弾性表面波を励起する共振器３１と、共振器に隣接する反射器３２と、を有している。弾性表面波の伝搬方向はｙ方向である。液体侵入防止パターン６は、配線パターン３ｄから略垂直に伸びる第１部分６Ａと、第１部分６Ａの先端からデバイスチップの外縁方向に伸びる第２部分６Ｂと、を有する。これにより、封止樹脂５の液体成分がｘ負方向から配線パターン３ｄに沿って配線領域１０に侵入したときに、当該液体成分は第１部分６Ａと第２部分６Ｂによってせき止められ、当該液体成分が複数の電極３ｃまで到達することを防止できる。ここで、弾性表面波の伝搬方向はｙ方向である。そのため、第１部分６Ａは、ｙ方向と直交する直交方向であるｘ方向と非平行に設けられている。仮に第１部分がｘ方向と平行に設けられると、その第１部分は液体成分をせき止めることに寄与しない。よって、第１部分は、ｘ方向と非平行に設ける必要がある。

図３の例では、共振器３１と反射器３２の間の領域を通過する弾性表面波の伝搬方向に直交する線上に第１部分６Ａがある。これにより、共振器３１と反射器３２の間に、液体成分が侵入することを防止できる。

図４は、封止樹脂が配線領域１０の中に入り込んだ例を示す図である。この例では、封止樹脂の液体成分５ｂが、配線パターン３ｄの段差、すなわち配線パターン３ｄの側面に沿って配線領域１０の中に侵入している。仮に、液体侵入防止パターン６がなければ、液体成分５ｂが複数の電極３ｃにまで到達し、ＩＤＴのスペースに侵入し得る。しかしながら実施の形態１に係る弾性波デバイスでは、液体侵入防止パターン６がその液体成分５ｂをせき止め、液体成分５ｂが複数の電極３ｃに到達することを防止している。

さらに、図２に示す液体侵入防止パターン７は、配線パターン３ｂに沿って配線領域１０の中に入り込んだ液体成分をせき止め、液体成分が複数の電極３ｃに到達することが防止される。

図２、３の例では液体侵入防止パターンは平面視で屈曲した形状を有する。これにより相当量の液体成分が配線領域１０に侵入しても液体侵入防止パターンで液体成分をせき止めることができる。図２、３の例では、液体侵入防止パターン６が第１部分６Ａと第２部分６Ｂを有するが、第２部分を省略してもよい。すなわち、液体侵入防止パターンを直線的な形状としてもよい。

一例によれば、液体侵入防止パターンは、配線パターンより細く形成することができる。液体侵入防止パターンを細くすることは、設計自由度を高める。よって液体侵入防止パターンを例えばＩＤＴの近くに設けることができる。また、液体侵入防止パターンを小さくすることで、液体侵入防止パターンが弾性波デバイスの特性に与える影響を小さくすることができる。

液体侵入防止パターンは、配線パターンと同一プロセスで形成することができる。同一プロセスで配線パターンと液体侵入防止パターンを形成することは、プロセスの簡素化を可能とする。別の例によれば、液体侵入防止パターンを複数の電極３ｃと同じ材料で、複数の電極３ｃと同時に形成することができる。この場合、ＩＤＴと液体侵入防止パターンは同じ材料で形成される。さらに別の例によると、液体侵入防止パターンは絶縁体で形成することができる。この場合、液体侵入防止パターンが、弾性波デバイスの特性に与える影響を無くす又は小さくすることができる。

一例によれば、液体侵入防止パターンは、配線パターンのうち、複数の電極の弾性表面波の伝搬方向と略垂直をなす辺にのみ設けることができる。すなわち、図４の例では、配線パターンのうち、弾性表面波の伝搬方向であるｙ方向と垂直をなすｘ軸に平行又は略平行な辺にのみ、液体侵入防止パターンを設けることができる。図４の左側又は右側からｘ正方向又はｘ負方向に液体成分が進み、配線領域の中に入ると、その液体成分は複数の電極の間にまで容易に到達し、デバイスチップへの悪影響が大きい。よって、この場合、配線パターンのうちｘ軸と略平行な辺に液体侵入防止パターンを設けることが効果的である。

図５は、配線パターンのレイアウト例を示す図である。配線パターンは白色の部分である。このように複雑な配線パターンに液体侵入防止パターンを設けるには、液体侵入防止パターンを小さくする必要がある。図５の任意の位置に液体侵入防止パターンを設けて液体成分が複数の電極に到達することを防止できる。

図６は、比較例に係る弾性波デバイスの一部拡大図である。この比較例では、液体侵入防止パターンがないので、封止樹脂の液体成分５ｂが配線パターン３ｄに沿って配線領域に侵入し、当該液体成分５ｂがＩＤＴのスペースにまで到達してしまう。

実施の形態２．
図７は、実施の形態２に係るデバイスチップ主面の構成例を示す図である。配線パターン３ｄに共振器３１と反射器３２が接している。液体侵入防止パターン６は、液体成分が、反射器３２に到達することを防止する。

実施の形態３．
図８は、実施の形態３に係るデバイスチップ主面の構成例を示す図である。上側の配線パターン３ｄに液体侵入防止パターン６が接続され、下側の配線パターン３ｄに液体侵入防止パターン８が接続されている。これにより、図中左側からｘ正方向に液体成分が進むことを抑制できる。

実施の形態４．
図９は、実施の形態４に係るデバイスチップの主面の構成例を示す図である。液体侵入防止パターン６は、屈曲部を備えず、直線的に形成された第１部分６Ａのみを有している。この場合、簡素なパターンによって設計自由度を高めることができる。

実施の形態５．
図１０は、実施の形態５に係るデバイスチップの主面の構成例を示す図である。液体侵入防止パターン６は、配線パターン３ｄの１つの辺に２つ形成されている。２つの液体侵入防止パターン６によって、液体成分の侵入を確実に抑制することができる。なお、配線パターンの１つの辺に３つ以上の液体侵入防止パターンを設けることができる。

ここまでの実施の形態では、１つのデバイスチップに着目して説明したが、別の例によれば、複数のデバイスチップを封止樹脂で封止した弾性波デバイスを提供することができる。例えば、弾性波デバイスは、複数の弾性表面波共振器を有するバンドパスフィルタが形成された第２デバイスチップを備えることができる。さらに別の例によれば、弾性波デバイスは、複数の音響薄膜共振器を有するバンドパスフィルタが形成された第２デバイスチップを備えることができる。さらに別の例によれば、弾性波デバイスは、複数の並列共振器をさらに備えるラダー型フィルタを含むことができる。

上述したいずれか１つの弾性波デバイスを有するモジュールを提供することができる。モジュールは、配線基板と集積回路部品ＩＣと弾性波デバイスとインダクタと封止部とを備え得る。一例によれば、集積回路部品ＩＣは、配線基板の内部に実装される。集積回路部品ＩＣは、スイッチング回路とローノイズアンプとを含む。弾性波デバイスは、配線基板の主面に実装される。インダクタも、配線基板の主面に実装される。インダクタはインピーダンスマッチングのために実装される。例えば、インダクタは、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐａｓｓｉｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ（ＩＰＤ）である。封止部は、弾性波デバイスを含む複数の電子部品を封止する。

少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が説明されたが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本開示の範囲内にあることが意図される。

理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。

特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。

本開示で使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。

「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。

前後左右、頂底上下、横縦、表裏への言及は、いずれも、記載の便宜を意図する。当該言及は、本開示の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は、例示にすぎない。

１ 弾性波デバイス、 ２ 配線基板、 ３ デバイスチップ、 ３ａ 圧電基板、 ３ｂ,３ｄ 配線パターン、 ３ｃ 複数の電極、 ４ バンプ、 ５ 封止樹脂、 １０ 配線領域、 ３１ 共振器、 ３２ 反射器

Claims (14)

1. 配線基板と、
   前記配線基板の上に設けられ、前記配線基板と電気的に接続されたデバイスチップと、
   前記配線基板と前記デバイスチップの間に空間を残しつつ、前記デバイスチップを封止する封止樹脂と、を備え、
   前記デバイスチップは、前記配線基板に対向する主面に、
   配線パターンと、
   前記配線パターンが設けられた領域である配線領域に周期的に形成された複数の電極と、
   前記配線領域のうち、前記複数の電極よりも前記配線領域の外縁に近い位置に、前記配線パターンから突出して設けられた液体侵入防止パターンと、を有し、
   前記液体侵入防止パターンは、前記配線パターンから略垂直に伸びる第１部分と、前記第１部分の先端から前記デバイスチップの外縁方向に伸びる第２部分と、を有する弾性波デバイス。
2. 前記複数の電極は、弾性表面波を励起する共振器と、前記共振器に隣接する反射器と、を有し、
   前記液体侵入防止パターンは、前記弾性表面波の伝搬方向と直交する直交方向と非平行に設けられた請求項１に記載の弾性波デバイス。
3. 前記配線パターンは、バンプパッドと、前記バンプパッドを前記複数の電極に電気的に接続する配線部分と、を有し、前記液体侵入防止パターンは前記配線部分から突出して設けられた請求項１又は２に記載の弾性波デバイス。
4. 前記配線パターンは、バンプパッドと、前記バンプパッドを前記複数の電極に電気的に接続する配線部分と、を有し、前記液体侵入防止パターンは前記バンプパッドから突出して設けられた請求項１又は２に記載の弾性波デバイス。
5. 前記共振器と前記反射器の間の領域を通過する弾性表面波の伝搬方向に直交する線上に前記第１部分がある、請求項２に記載の弾性波デバイス。
6. 前記液体侵入防止パターンは平面視で屈曲した形状を有する請求項１から５のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
7. 前記液体侵入防止パターンは、前記配線パターンの１つの辺に複数形成された請求項１から６のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
8. 前記液体侵入防止パターンは、前記配線パターンのうち、前記複数の電極の弾性表面波の伝搬方向と略垂直をなす辺にのみ設けられた請求項１に記載の弾性波デバイス。
9. 前記液体侵入防止パターンは、前記配線パターンより細く形成された請求項１から８のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
10. 前記デバイスチップは、圧電基板と、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなる支持基板と、が接合された基板を有する請求項１から９のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
11. 前記封止樹脂は熱硬化性樹脂である請求項１から１０のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
12. 複数の弾性表面波共振器を有するバンドパスフィルタが形成された第２デバイスチップを備えた請求項１から１１のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
13. 複数の音響薄膜共振器を有するバンドパスフィルタが形成された第２デバイスチップを備えた請求項１から１１のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
14. 請求項１から１３のいずれか１項に記載の弾性波デバイスを備えたモジュール。

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