JPS63107031A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS63107031A JPS63107031A JP61253009A JP25300986A JPS63107031A JP S63107031 A JPS63107031 A JP S63107031A JP 61253009 A JP61253009 A JP 61253009A JP 25300986 A JP25300986 A JP 25300986A JP S63107031 A JPS63107031 A JP S63107031A
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 45
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- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 31
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- Wire Bonding (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に半導体チップ表面に形
成する外部電極接続用の金属パッド周辺の保護膜の構造
に関する。
成する外部電極接続用の金属パッド周辺の保護膜の構造
に関する。
半導体集積回路の故障原因の一つに外部電極接続用の金
属パッドの腐食に起因するものがある。
属パッドの腐食に起因するものがある。
第３図は従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
半導体基板１の上に金属パッド２を形成し、この上をリ
ン含む第１の保護膜３を形成し、更にこの上に表面保護
としてのリンを含まない第２の保護膜４に形成し、金属
パッド５の上部を開孔する。
ン含む第１の保護膜３を形成し、更にこの上に表面保護
としてのリンを含まない第２の保護膜４に形成し、金属
パッド５の上部を開孔する。
この半導体チップをリードフレームに搭載し、ボンデン
グ線５で金属パッド２とリード線とを接続する。これら
を樹脂封止した後、リードフレーム部を切断する。
グ線５で金属パッド２とリード線とを接続する。これら
を樹脂封止した後、リードフレーム部を切断する。
上述した従来の樹脂封止型の半導体装置は、樹脂とリー
ド界面及び樹脂とボンデング線５との界面を通って水分
が侵入し金属パッド２の上に水分が滞留し時間経過と共
に周辺の第１の保護膜３中に含まれるリンが滞留してい
る水中に溶は出し、リン酸となって金属パッド２を腐食
し、半導体チップの機能を損うという問題があった。そ
れ故、リンを含まない第２の保護膜４のみにすると、金
属パッド２の腐食の問題は解決されるが、重金属イオン
に対するパシベーション効果が低くなるという別の欠点
を生ずる問題があった。
ド界面及び樹脂とボンデング線５との界面を通って水分
が侵入し金属パッド２の上に水分が滞留し時間経過と共
に周辺の第１の保護膜３中に含まれるリンが滞留してい
る水中に溶は出し、リン酸となって金属パッド２を腐食
し、半導体チップの機能を損うという問題があった。そ
れ故、リンを含まない第２の保護膜４のみにすると、金
属パッド２の腐食の問題は解決されるが、重金属イオン
に対するパシベーション効果が低くなるという別の欠点
を生ずる問題があった。
本発明の目的は、半導体チップのボンデング線を接続す
る金属パッドの腐食を防止し、かつ重金属イオンに対す
るパシベーション効果をも維持して信頼性を向上させた
半導体装置を提供することにある。
る金属パッドの腐食を防止し、かつ重金属イオンに対す
るパシベーション効果をも維持して信頼性を向上させた
半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、半導体基板の主表面に形成され
るリンを含む第１の保護膜と該第１の保護膜に設けられ
た開孔部内でかつ該第１の保護膜に接触しないように前
記半導体基板の表面上に形成される金属パッドと、該金
属パッドと前記第１の保護膜との間を埋めるように形成
されるリンを含まない第２の保護膜とを有して構成され
る。
るリンを含む第１の保護膜と該第１の保護膜に設けられ
た開孔部内でかつ該第１の保護膜に接触しないように前
記半導体基板の表面上に形成される金属パッドと、該金
属パッドと前記第１の保護膜との間を埋めるように形成
されるリンを含まない第２の保護膜とを有して構成され
る。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ＞、（ｂ）は本発明の第１の実施例を示す平
面図及びＡ−Ａ’線断面図である。
面図及びＡ−Ａ’線断面図である。
半導・体基板１の主表面にリンを含む第１の保護膜３を
形成する。次に、第１の保護膜３に設けられた開孔部内
でかつ第１の保護膜３に接触しない金属パッド２を半導
体基板１の上に形成する。次に、半導体基板１の上で金
属パッド２と第１の保護膜３との間を埋め、リン分含む
第１の保護膜３が露出しないように、リンを含まない第
２の保護膜４を形成する。次に、金属パッド５の上部の
第２の保護膜４を開孔する。この半導体チップをリード
フレームに搭載し、ボンデング５線で金属パッド２とリ
ードとを接続する。
形成する。次に、第１の保護膜３に設けられた開孔部内
でかつ第１の保護膜３に接触しない金属パッド２を半導
体基板１の上に形成する。次に、半導体基板１の上で金
属パッド２と第１の保護膜３との間を埋め、リン分含む
第１の保護膜３が露出しないように、リンを含まない第
２の保護膜４を形成する。次に、金属パッド５の上部の
第２の保護膜４を開孔する。この半導体チップをリード
フレームに搭載し、ボンデング５線で金属パッド２とリ
ードとを接続する。
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。
第２図の実施例においても、半導体基板１の主表面に、
金属パッド２とリンを含む第１の保護膜３とが接触しな
いように形成され、リンを含まない第２の保護膜４が金
属パッド２と第１の保護膜３との間を埋め、リンを含−
む第１の保護膜３が露出しないように形成されている。
金属パッド２とリンを含む第１の保護膜３とが接触しな
いように形成され、リンを含まない第２の保護膜４が金
属パッド２と第１の保護膜３との間を埋め、リンを含−
む第１の保護膜３が露出しないように形成されている。
このようにリンを含む第１の保護膜３がリンを含まない
第２の保護膜４で覆われるようにしたので、リード及び
ボンデング線５を伝わって外部より侵入した水分は金属
パッド２の上に滞留しても、リンを含む第１の保護膜３
と接触することがなく、従ってリンが溶は出すことがな
（なり、金属パッド２が腐食することがなくなる。
第２の保護膜４で覆われるようにしたので、リード及び
ボンデング線５を伝わって外部より侵入した水分は金属
パッド２の上に滞留しても、リンを含む第１の保護膜３
と接触することがなく、従ってリンが溶は出すことがな
（なり、金属パッド２が腐食することがなくなる。
第４図は本発明による製品及び従来品の試験時間と不良
発生率の関係を示す相関図である。
発生率の関係を示す相関図である。
この比較試験は、周囲温度８５℃、相対湿度１００％の
条件で行った。
条件で行った。
初期の不良発生率では、従来品６の１０００時間に対し
発明品７は６９００時間であった。また不良発生率が１
００％では、従来品６の４５００時間に対し発明品は１
ｏｏｏｏ時間であった。
発明品７は６９００時間であった。また不良発生率が１
００％では、従来品６の４５００時間に対し発明品は１
ｏｏｏｏ時間であった。
このように、本発明によれば、信頼性が格段に向上する
半導体装置が得られる。
半導体装置が得られる。
以上説明したように本発明は、半導体基板の上に形成さ
れた、リンを含む保護膜をリンを含まない保護膜で覆っ
て露出しないようにして、金属パッド上に水分が滞留し
ても、リンを含む保護膜とが接触しないようにしたので
リンが溶は出すことがなく、従って金属パッドの腐食を
防止し、信頼性が向上する効果がある。
れた、リンを含む保護膜をリンを含まない保護膜で覆っ
て露出しないようにして、金属パッド上に水分が滞留し
ても、リンを含む保護膜とが接触しないようにしたので
リンが溶は出すことがなく、従って金属パッドの腐食を
防止し、信頼性が向上する効果がある。
更に、リンを含む保護膜を使用しているので重金属イオ
ンに対するパシベーション効果も従来と同様に維持され
るという効果も得られる。
ンに対するパシベーション効果も従来と同様に維持され
るという効果も得られる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を示す平
面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図は本発明の第２の実
施例を示す断面図、第３図は従来の半導体装置の一例を
示す断面図、第４図は本発明による製品及び従来品の試
験時間と不良発生率の関係を示す相関図である。 １・・・半導体基板、２・・・金属パッド、３・・・第
１の保護膜、４・・・第２の保護膜、５・・・ボンデン
グ線。 第３図 試験時間（時） −１Ａ 「］
面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図は本発明の第２の実
施例を示す断面図、第３図は従来の半導体装置の一例を
示す断面図、第４図は本発明による製品及び従来品の試
験時間と不良発生率の関係を示す相関図である。 １・・・半導体基板、２・・・金属パッド、３・・・第
１の保護膜、４・・・第２の保護膜、５・・・ボンデン
グ線。 第３図 試験時間（時） −１Ａ 「］
Claims (1)
- 半導体基板の主表面に形成されるリンを含む第１の保護
膜と、該第１の保護膜に設けられた開孔部内でかつ該第
１の保護膜に接触しないように前記半導体基板の表面上
に形成される金属パッドと、該金属パッドと前記第１の
保護膜との間を埋めるように形成されるリンを含まない
第２の保護膜とを有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61253009A JPS63107031A (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61253009A JPS63107031A (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63107031A true JPS63107031A (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=17245216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61253009A Pending JPS63107031A (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63107031A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960002734A (ko) * | 1994-06-15 | 1996-01-26 | 문정환 | 반도체 박막소자 |
| JP2014192189A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795641A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-10-23 JP JP61253009A patent/JPS63107031A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795641A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Nec Corp | Semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960002734A (ko) * | 1994-06-15 | 1996-01-26 | 문정환 | 반도체 박막소자 |
| JP2014192189A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
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