JPS6224650A - 半導体装置 - Google Patents
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は半導体装置、特に封止されたペレットの防湿技
術および電子線対策技術に適用して有効な技術に関する
。
術および電子線対策技術に適用して有効な技術に関する
。
［背景技術］
半導体装置、特にペレットをエポキシ樹脂等の合成樹脂
で封止してなる半導体装置では、パッケージ内部へ水分
が侵入しやすい、そのため、パッド部分が腐食し易く、
断線もしくは電気特性の劣化等が生しる場合のあること
が知られている。
で封止してなる半導体装置では、パッケージ内部へ水分
が侵入しやすい、そのため、パッド部分が腐食し易く、
断線もしくは電気特性の劣化等が生しる場合のあること
が知られている。
一方、封止材である合成樹脂に含存されているα線等の
電子線が原因となってペレットの誤動作を住じる場合の
あることも知られている。
電子線が原因となってペレットの誤動作を住じる場合の
あることも知られている。
上記二つの問題に対しては、各々以下のような対策を行
うことが考えられる。
うことが考えられる。
すなわち、防湿対策としては、ペレットの周囲にシリコ
ーンゲルの如き防湿材をポッティングすることが考えら
れる。
ーンゲルの如き防湿材をポッティングすることが考えら
れる。
また、電子線の対策としてはベレー／ 上表面にポリイ
ミド樹脂等を被着することが考えられる。
ミド樹脂等を被着することが考えられる。
しかし、各々の問題点は上記の対策によりそれぞれ解決
できたとしても、一つの半導体装置で防湿対策と電子線
対策の両者が行われなければ半導体装置のイ３頼性を向
上させることにはならないことが本発明者により見い出
された。
できたとしても、一つの半導体装置で防湿対策と電子線
対策の両者が行われなければ半導体装置のイ３頼性を向
上させることにはならないことが本発明者により見い出
された。
この点について、まず電子線対策としてペレットの表面
にポリイミド樹脂を被着させ、その後に防湿対策として
シリコーンゲルを前記ポリイミド樹脂上にポツティング
することも考えられるが、この方法ではポッティングし
たシリコーンゲルがペレット上から流れてしまい、十分
な防湿効果を発揮できないことがさらに本発明者によっ
て明らかにされた。
にポリイミド樹脂を被着させ、その後に防湿対策として
シリコーンゲルを前記ポリイミド樹脂上にポツティング
することも考えられるが、この方法ではポッティングし
たシリコーンゲルがペレット上から流れてしまい、十分
な防湿効果を発揮できないことがさらに本発明者によっ
て明らかにされた。
なお、樹脂封止型の半導体装置の技術として詳しく述べ
である例としては、株式会社工業調査会、１９８０年１
月１５日発行ｒｌｃ化実装技術」（日本マイクロエレク
トロニクス協会［）、ＰＩ３７〜Ｐ１３９がある。
である例としては、株式会社工業調査会、１９８０年１
月１５日発行ｒｌｃ化実装技術」（日本マイクロエレク
トロニクス協会［）、ＰＩ３７〜Ｐ１３９がある。
［発明の目的］
本発明の目的は、耐湿性に優れ、しかも電子線の影響を
受けにくい半導体装置を提供することにある。
受けにくい半導体装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、電気的に信頼性の高い半導体装置
を提供することにある。
を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかにであろう。
明細書の記述および添付図面から明らかにであろう。
［発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、ペレットの表面のボンディングパッド部にの
み防湿用樹脂が被着され、その他のペレット表面には電
子線保護材が被着された構造の半導体装置とすることに
よって、腐食し易いポンディングバンドとワイヤの接合
部を水分の侵入から保護することができ、しかも他のペ
レット表面は電子線から保護することが可能となる。
み防湿用樹脂が被着され、その他のペレット表面には電
子線保護材が被着された構造の半導体装置とすることに
よって、腐食し易いポンディングバンドとワイヤの接合
部を水分の侵入から保護することができ、しかも他のペ
レット表面は電子線から保護することが可能となる。
これにより、電気的に信頼性の高い半導体装置を提供す
ることができる。
ることができる。
［実施例１］
第１図は本発明の一実施例である半導体装置の全体を示
す断面図、第２図はペレットの部分を示す部分平面図、
第３図はペレット表面の拡大部分断面図である。
す断面図、第２図はペレットの部分を示す部分平面図、
第３図はペレット表面の拡大部分断面図である。
本実施例１の半導体装置１は、いわゆるディアルインラ
インパッケージ（Ｄ Ｉ Ｐ）形状の樹脂封止型半導体
装置であり、タブ２上に取付けられたペレット３と、ペ
レット３とワイヤ４を介して電気的に接続された外部端
子としてのリード５とがエポキシ樹脂等の封止材６によ
り封止されてなるものである。
インパッケージ（Ｄ Ｉ Ｐ）形状の樹脂封止型半導体
装置であり、タブ２上に取付けられたペレット３と、ペ
レット３とワイヤ４を介して電気的に接続された外部端
子としてのリード５とがエポキシ樹脂等の封止材６によ
り封止されてなるものである。
本実施例１のペレット３の表面は第２図および第３図に
示すようにポンディングバンド７の部分を除いてペレッ
ト３の表面にポリイミド樹脂８が被着されている。また
、ボンディングパッド７の部分には該パッド７とワイヤ
４の接続部分にシリコーンゲル９が被着されている。
示すようにポンディングバンド７の部分を除いてペレッ
ト３の表面にポリイミド樹脂８が被着されている。また
、ボンディングパッド７の部分には該パッド７とワイヤ
４の接続部分にシリコーンゲル９が被着されている。
この半導体装置ｌの製造方法について説明すると概ね以
下の通りである。
下の通りである。
すなわち、まず前記のリード５およびタブ２が連結され
た状態のリードフレーム（図示せず）が用意される。こ
のリードフレームはたとえば、４２７０イもしくはコバ
ール等からなる金属シートにプレスもしくはエツチング
等の加工処理を施して所定形状に形成されて得られるも
のである。
た状態のリードフレーム（図示せず）が用意される。こ
のリードフレームはたとえば、４２７０イもしくはコバ
ール等からなる金属シートにプレスもしくはエツチング
等の加工処理を施して所定形状に形成されて得られるも
のである。
このリードフレームのタブ２の上に、シリコン半導体か
らなるペレット３を金−シリコン共晶法によって取付け
る。
らなるペレット３を金−シリコン共晶法によって取付け
る。
次に、ペレット３の表面と略同じ大きさのポリイミド樹
脂からなるフィルムシート８を、ぺＬ／ ソト３の表面
にシリコン系の接着剤１０を用いて被着させる。このと
き、第２図に示すようにフィルムシート８にはペレット
３のボンディングパッド７に当接する部分に孔８ａが開
設されている。したがって、ペレット３の上にフィルム
シート８を被着したときには、ポンディングバンド７の
部分はフィルムシート８の孔８ａの底部で外部に露出し
た状態となっている。
脂からなるフィルムシート８を、ぺＬ／ ソト３の表面
にシリコン系の接着剤１０を用いて被着させる。このと
き、第２図に示すようにフィルムシート８にはペレット
３のボンディングパッド７に当接する部分に孔８ａが開
設されている。したがって、ペレット３の上にフィルム
シート８を被着したときには、ポンディングバンド７の
部分はフィルムシート８の孔８ａの底部で外部に露出し
た状態となっている。
次に、フィルムシート８の孔８ａの底部に露出したポン
ディングバンド７とインナーリード５ａとを電気的に接
続するワイヤポンディングが行われる。
ディングバンド７とインナーリード５ａとを電気的に接
続するワイヤポンディングが行われる。
このワイヤポンディングは例えば、ワイヤ４の一端を加
熱して溶融ボールを形成した後に、このボール部分を前
記孔８ａの底部にあるボンディングパッド７に圧着して
第一ボンディングを行う。
熱して溶融ボールを形成した後に、このボール部分を前
記孔８ａの底部にあるボンディングパッド７に圧着して
第一ボンディングを行う。
次に、ワイヤ４の長さを所定を確保してループを形成し
た後に加熱条件下でワイヤ４の他端部分を超音波振動を
印加しながらインナーリード５ａの所定位置に押圧して
第二ボンディングを行うことによりなされるものである
。
た後に加熱条件下でワイヤ４の他端部分を超音波振動を
印加しながらインナーリード５ａの所定位置に押圧して
第二ボンディングを行うことによりなされるものである
。
このようにワイヤボンディングを行った後に、前記フィ
ルムシート８に形成された孔８ａにシリコーンゲル９を
ポッティングして、ボンディングパッド７とワイヤ４の
接合部分をシリコーンゲル９で覆う。
ルムシート８に形成された孔８ａにシリコーンゲル９を
ポッティングして、ボンディングパッド７とワイヤ４の
接合部分をシリコーンゲル９で覆う。
このとき、シリコーンゲル９はフィルムシート８に形成
された孔８ａの内部にポツティングされるため、液状の
シリコーンゲル９がペレット３の表面から流れ出すこと
はなく、しかも腐食しやすいボンディングパッド７とワ
イヤ４の接合部にのみポツティングすることができる。
された孔８ａの内部にポツティングされるため、液状の
シリコーンゲル９がペレット３の表面から流れ出すこと
はなく、しかも腐食しやすいボンディングパッド７とワ
イヤ４の接合部にのみポツティングすることができる。
その後、上記リードフレームはペレット３およびワイヤ
４を覆う部分がエポキシ樹脂等の封止材６によりモール
ドされ、さらにパッケージ本体（封止材６）から突出し
たアウターリード５ｂの部分が切断・成形されて本実施
例の半導体装置ｌを得ることができる。
４を覆う部分がエポキシ樹脂等の封止材６によりモール
ドされ、さらにパッケージ本体（封止材６）から突出し
たアウターリード５ｂの部分が切断・成形されて本実施
例の半導体装置ｌを得ることができる。
このように、本実施例１によれば、ペレット３の表面は
電子線遮蔽効果のあるポリイミド樹脂のフィルムシート
８により覆われている。そのため、封止材６の成分中に
含まれているα線等の影響を抑制してペレット３の誤動
作を効果的に防止することができる。
電子線遮蔽効果のあるポリイミド樹脂のフィルムシート
８により覆われている。そのため、封止材６の成分中に
含まれているα線等の影響を抑制してペレット３の誤動
作を効果的に防止することができる。
また、水分の侵入により腐食しゃすいボンディングパッ
ド７とワイヤ４の接合部分には耐湿性の高いシリコーン
ゲル９がポッティングされている。
ド７とワイヤ４の接合部分には耐湿性の高いシリコーン
ゲル９がポッティングされている。
そのため、接合部分でのワイヤ４の腐食による電気抵抗
の増大もしくは断線を効果的に防止することができる。
の増大もしくは断線を効果的に防止することができる。
［実施例２］
第４図は本発明の他の実施例である半導体装置のペレ７
）部分を示す拡大部分断面図である。
）部分を示す拡大部分断面図である。
本実施例２の半導体装置は実施例１で説明した半導体装
置と略同様のものであるが、ペレット表面の構造が異な
るものである。
置と略同様のものであるが、ペレット表面の構造が異な
るものである。
すなわち、本実施例２ではポリイミド樹脂層２８が接着
剤等を用いることなく直接ペレット３の表面に被着され
ている。
剤等を用いることなく直接ペレット３の表面に被着され
ている。
すなわち、本実施例２では、ペレット３の分割前のウェ
ハ処理の段階でポリイミド樹脂層２８が形成されたもの
である。このポリイミド樹脂層２８の形成は、たとえば
、ウェハ表面にレジスト材を塗布してエツチング処理を
行うことにより所定部分のレジスト材を除去してウェハ
上に所定形状のパターンを形成する。次に、ポリイミド
樹脂層２８を被着してレジスト材を除去することにより
各ペレット３上のボンディングパッド部分７を除いた部
分にのみポリイミド樹脂Ｎ２８を形成することができる
。
ハ処理の段階でポリイミド樹脂層２８が形成されたもの
である。このポリイミド樹脂層２８の形成は、たとえば
、ウェハ表面にレジスト材を塗布してエツチング処理を
行うことにより所定部分のレジスト材を除去してウェハ
上に所定形状のパターンを形成する。次に、ポリイミド
樹脂層２８を被着してレジスト材を除去することにより
各ペレット３上のボンディングパッド部分７を除いた部
分にのみポリイミド樹脂Ｎ２８を形成することができる
。
このようにして、予めウェハ処理の段階でポリイミド樹
脂ｊｌｉＦ２Ｂを形成した後にウェハを各ペレット３毎
に分割して、その後は実施例１と同様の工程を行うこと
により、実施例１で説明した半導体装置ｌと同様、誤動
作を防止して耐湿性の高い半導体装置を提供することが
できる。
脂ｊｌｉＦ２Ｂを形成した後にウェハを各ペレット３毎
に分割して、その後は実施例１と同様の工程を行うこと
により、実施例１で説明した半導体装置ｌと同様、誤動
作を防止して耐湿性の高い半導体装置を提供することが
できる。
本実施例２では以上のように、すなわちポリイミド樹脂
Ｎ２Ｂの形成がウェハの処理工程において複数のペレッ
ト３上で一括して行うことができるため、効率的なポリ
イミド樹脂Ｎ２Ｂの被着を行うことができる。
Ｎ２Ｂの形成がウェハの処理工程において複数のペレッ
ト３上で一括して行うことができるため、効率的なポリ
イミド樹脂Ｎ２Ｂの被着を行うことができる。
［効果］
（１）、ペレットの表面のボンディングパッド部にのみ
防湿用樹脂が被着され、その他のペレット表面には電子
線保護材が被着された構造の半導体装置とすることによ
って、ボンディングパッドとワイヤの接合部の腐食を防
止することができ、しかも他のペレット表面は電子線か
ら保護することが可能となる。
防湿用樹脂が被着され、その他のペレット表面には電子
線保護材が被着された構造の半導体装置とすることによ
って、ボンディングパッドとワイヤの接合部の腐食を防
止することができ、しかも他のペレット表面は電子線か
ら保護することが可能となる。
（２）、ペレット表面にボンディングパッド部に当接す
る部位に孔の形成されているポリイミド樹脂を被着する
ことにより、シリコーンゲルをポッティングした際にシ
リコーンゲルの流出を防止することができる。
る部位に孔の形成されているポリイミド樹脂を被着する
ことにより、シリコーンゲルをポッティングした際にシ
リコーンゲルの流出を防止することができる。
（３）、上記（１）および（２）により、耐湿性および
電子線の遮蔽に優れた半導体装置を提供できるため、半
導体装置の信頼性を向上させることができる。
電子線の遮蔽に優れた半導体装置を提供できるため、半
導体装置の信頼性を向上させることができる。
（４）、ポリイミド樹脂の被着をウェハの処理工程で行
うことにより、効率的な被着作業を行うことができる。
うことにより、効率的な被着作業を行うことができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、実施例１ではポリイミド樹脂からなるフィル
ムシートの被着をペレット毎に行った場合について説明
したが、これに限らすウェハの段階でフィルムシートを
被着した後に各ペレット毎に分割してもよい。
ムシートの被着をペレット毎に行った場合について説明
したが、これに限らすウェハの段階でフィルムシートを
被着した後に各ペレット毎に分割してもよい。
また、ペレットのタブへの接合方法としては金−シリコ
ン共晶法による場合についてのみ説明したが、これに限
らず、銀ペースト等のろう材を用いて接合したものであ
ってもよい。
ン共晶法による場合についてのみ説明したが、これに限
らず、銀ペースト等のろう材を用いて接合したものであ
ってもよい。
さらに、実施例では電子線遮蔽物質としてポリイミド樹
脂、耐湿性樹脂としてシリコーンゲルについてのみ説明
したが、これに限らず上記の性質を有する物質であれば
いかなるものであってもよい。
脂、耐湿性樹脂としてシリコーンゲルについてのみ説明
したが、これに限らず上記の性質を有する物質であれば
いかなるものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例１の半導体装置の全体を示す断
面図、 第２図は実施例１の半導体装置のペレットの部分を示す
部分平面図、 第３図は実施例１の半導体装置のペレット部分の拡大部
分断面図、 第４図は実施例２の半導体装置のペレット部分の拡大部
分断面図である。 １・・・半導体装置、２・・・タブ、３・・・ペレット
、４・・・ワイヤ、５・・・リード、５ａ・・・インナ
ーリード、５ｂ・・・アウターリード、６・・・封止材
（エポキシ樹脂）、７・・・ワイヤ、８・・・フィルム
シート（ポリイミドＨｆ脂） 、８ ａ・・・孔、９・
・・シリコーンゲル、１０・・・接着剤、２８・・・ポ
リイミド樹脂層。 第 ２ 図
面図、 第２図は実施例１の半導体装置のペレットの部分を示す
部分平面図、 第３図は実施例１の半導体装置のペレット部分の拡大部
分断面図、 第４図は実施例２の半導体装置のペレット部分の拡大部
分断面図である。 １・・・半導体装置、２・・・タブ、３・・・ペレット
、４・・・ワイヤ、５・・・リード、５ａ・・・インナ
ーリード、５ｂ・・・アウターリード、６・・・封止材
（エポキシ樹脂）、７・・・ワイヤ、８・・・フィルム
シート（ポリイミドＨｆ脂） 、８ ａ・・・孔、９・
・・シリコーンゲル、１０・・・接着剤、２８・・・ポ
リイミド樹脂層。 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、封止されたペレットの表面のボンディングパッド部
にのみ防湿用樹脂が被着され、その他のペレット表面に
は電子線保護材が被着されていることを特徴とする半導
体装置。 ２、電子線保護材がシート状のポリイミド樹脂であり、
このポリイミド樹脂のボンディングパッドに当接する位
置に開設された孔部に防湿用樹脂としてのシリコーンゲ
ルがポッティングされてなることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、封止が合成樹脂でなされたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60161952A JPS6224650A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60161952A JPS6224650A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6224650A true JPS6224650A (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=15745170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60161952A Pending JPS6224650A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6224650A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5047834A (en) * | 1989-06-20 | 1991-09-10 | International Business Machines Corporation | High strength low stress encapsulation of interconnected semiconductor devices |
| US5539250A (en) * | 1990-06-15 | 1996-07-23 | Hitachi, Ltd. | Plastic-molded-type semiconductor device |
| JP2013197531A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2016195292A (ja) * | 2016-08-25 | 2016-11-17 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-07-24 JP JP60161952A patent/JPS6224650A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5047834A (en) * | 1989-06-20 | 1991-09-10 | International Business Machines Corporation | High strength low stress encapsulation of interconnected semiconductor devices |
| US5539250A (en) * | 1990-06-15 | 1996-07-23 | Hitachi, Ltd. | Plastic-molded-type semiconductor device |
| JP2013197531A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2016195292A (ja) * | 2016-08-25 | 2016-11-17 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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