JPS58200559A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS58200559A
JPS58200559A JP57083142A JP8314282A JPS58200559A JP S58200559 A JPS58200559 A JP S58200559A JP 57083142 A JP57083142 A JP 57083142A JP 8314282 A JP8314282 A JP 8314282A JP S58200559 A JPS58200559 A JP S58200559A
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aluminum
resin
lead
semiconductor device
tab
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JP57083142A
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Hiromichi Suzuki
博通 鈴木
Kenichi Otsuka
大塚　憲一
Wahei Kitamura
北村　和平
Hajime Sato
佐藤　始
Hiroshi Mikino
三木野　博
Susumu Okikawa
進 沖川
Ryosuke Kimoto
良輔 木本
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は１罠プラスチックパッケージにおける耐湿性の
向上を図った半導体装置に関するものである。
一般にプラスチックパッケージの半導体装置は、リード
フレーム上に半導体素子ベレットを固着した上でペレッ
トとリードとをワイヤにて接続し、しかる上でペレット
やワイヤをレジン等にて封止する構成としたものが多い
。ところで、この種の半導体装置ではペレットの熱膨張
率との関係等かう１３−１’フレームの材質に４２アロ
イ、コバール等の金属を使用しているが、これらの金属
はパッケージ用レジンとの密着性（濡れ性）が蒸機良好
ではなく、リードフレームとレジンとの界面を通してパ
ッケージ内部に湿気が浸入し易いものとなっている。こ
のような不具合は新開螢光探傷法で確認されているが、
このように内部に湿気が浸入するとワイヤやペレットに
好ましくない影ＱＹ与える。特に近年では低コスト化を
図ってワイヤＫＡ４線を使用しているためワイヤが腐蝕
され易く、また同様にしてＡＪ材からなるペレットの電
他パッドや配線が腐蝕され易く、半導体装置の耐湿性お
よび信頼性を低下する原因となっているうしたがって本
発明の目的は耐湿性およγド偏幀性を向上すると共に低
コスト化を図ることのできる半導体装置を提供すること
にある。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例に従った半導体装置の断面図
である。同図において、１は例えば４２７０イ等の材料
にて形成されたリードである。２はタブ％　３はインナ
リードである。これらインナれており、タブ２には半導
体素子ペレット５が固着され、そのｔａパッドとインナ
リード３とはアルミニウム線からなるワイヤ６にて接続
されている。前記アルミニウム層４はめっき、蒸着或い
はクラッド等にて形成し、またペレット５は銀ベースト
やアルミニウム半田等のペレット固着剤７にてタブ上に
固着している。そして、このように構成した構体は、例
えばトランスファモールドによってペレット５．ワイヤ
ｉ、ｌ□６．インナリード３等を封止レジン８にてバッ
クージしているのである。
なお、第２図に、−辷記第１図の半導体装置に用いるリ
ードフレーム１２を示す。同図かられかるようにアルミ
ニウム層４は同図の斜線で示す範囲に形成さ′れる。ま
た、アルミニウム層４は純アルミニウムやアルミニウム
合金を使用する。又、０．１〜５．０％のマンｊンまた
は同％のマグネシウム或いは同％のチタン等を含有した
所ｌ耐蝕アルミニウムを使用してもよい。図中、９はタ
ブリードである。
以上の構成によれば、リード１とレジン８との接触界面
にアルミニウム層４が介在されているので、アルミニウ
ムとレジンとの高い密着性によってリードとレジンとの
密着性が向上し、両者の界面を通しての湿気のレジン内
部への浸入を防止する。したがって、アルミニウム層の
電極パッドの腐蝕を防止し得ると共に、ワイヤに金線よ
りも低価格のアルミニウム線を使用しても腐蝕の心配７
まなく、半導体装置の耐湿性および信頼性を向上しかつ
低コスト化を雫・盛する。また、リード１のインナリー
ド３にアルミニウム層を設けたことｖｃより、従来のよ
うに金めつぎ層を形成しなくとも１ツイヤ６を直接イン
ナリードに接続することがでさる。更に金めつき層或い
は銀めっき層または金ワイヤ′を使用しないので、従来
の部分的な金、銀による局部電池作用によるアルミニウ
ムの溶出を防Ｉ卜することもできる。
ここで、アルミニウム層４は主にワイヤ６およびその近
傍への湿気の浸入を防止するものであることから、第３
図に示すアルミニ９ム層４人のようにタブ２やインナリ
ード３等の上面にのみ設けるようＫしてもよい。また、
第４図のようＫ　１７−ド７レーム１２と・レジン８と
の界面の周囲部分、換言すればワイヤ６やペレット５を
包囲するようにしてインナリード３の近傍にのみアルミ
ニウム層４Ｂを設けてもよい。いずれＫしてもアルミニ
ウム層４Ａ、４Ｂを設けた部位におけるリードフレーム
とレジンとの密着性を向上し【該部位を通しての湿気の
浸入を有効に防止することができる。
上記した半導体装置におい、て、リードと回路基板との
接続を容易にするためＫ、又はリードの腐蝕を防止する
ために封止レジン８から突出するＩ７−ド（アウターリ
ード）表面に半田を被覆する。
第５図は本発明の他の実施例に従った半導体装置の断面
図を示すものである。この実施例は特にアウターリード
に半田コートを施すタイプの半導体装置に有効である。
同図に示すように、リード１のインナーリード３．タブ
２、表面にアルミニウム層４が形成され、上記タブ２上
に銀ペースト又はアルミニウム半田等のベレット同系剤
７に℃半導体ベレット５が固着されている。上記半導体
ペレット７表面の電極パッドとインナーリード３とはア
ルミニ９ム線からなるワイヤ６にて接続されている。そ
して、上記半導体ペレット５．タブ２、インナーリード
３．ワイヤ６を封止レジン８で封止している。さらに、
上記リード１のアウターリード１０表面に半田層１１が
形成されている。
この半田層１１は封止レジン８で榎われるイイナ−１１
−ド３表面にまで延在している。言い換えるならば、中
圧層１１が封止レジン８内部に食い込んで形成されてい
る。
このようＫして構成された半導体装置は、半田層１１が
レジン８内部に食い込んで形成されるので、レジンモー
ルド時、レジンパリが生じ、その後このパリがはがれて
もリード表面は半田層でコートされているためリードの
腐蝕が防止される。
レジンでモールド後、封止レジンから突出しているリー
ド（アウターリード）表面のみに半田コートしたのでは
、上記モールド時レジンバリが生じた場合このパリがは
がれると、このパリ下の半田コートされていないリード
表面が外部１Ｃｊｃ出してしまう。従って、この露出し
たリード（半田コートされていない部分）から腐蝕が生
じてしまう。
さらに、第５図に示した半導体装置においては。
半田層１１は封止レジン８との境界部処おいても均一な
半田厚さが得られるので、従来のように封止レジン周囲
部におけるレジンバリによる半田付着不良（半田層の厚
さが不足するためにアウタリードの曲げ時に応力集中を
生じてアウタリードが根本から折れ易くなる）が男、、
ｌじることもない。
第６図は第５図に示した半導体装置の製法の一例を示す
断面図である。まず同図（Ａ）Ｋ示すようにリード１．
タブ２．インナリード３はもとより、アウタリード１０
を含む全表面にわたってアルミニウム層４な形成し、そ
の上でペレット５の固着、アルミニウム線によるワイヤ
６の接続および封止レジン８によるパッケージを完成す
る。その後、同図（ハ）のようにアルミニウムのエツチ
ング剤を用いてアクタリード表面に形成されたアルミニ
ウム層なエツチング除去する。このとぎ、若干オーバエ
ツチングを行なうことにより同図のように封止レジン８
の内部に食い込んでアルミニウム層４がエツチングされ
るようにする。そして、その後に同図（ｑのようにアウ
タリード１００表面に半田をコートして半田１１１を形
成し、半導体装置を完成するのである。
のものでも本発明を閾様に適用できることは首う１″′
″′ｔｘｙ’ｏ　　　、＜３、 以上のような本発明によれば、リードのレジンとの接触
界面にアルミニウム層を形成（７ているので、アルミニ
ウムとレジンとの高密着力！、・こよ−）てリードとレ
ジンとの密着性が向上し、これ罠よりアルミニウムのワ
イヤや電極パッド等の腐蝕を防止して耐湿性および信頼
性を向上しかつ装置の低コスト化を達成することができ
る、という効果を奏第１図は本発明の一実施例に従った
半導体装置の断面図。
第２図は第１図に示す半導体装置に用いられるリードフ
レームの平面図、 第３図は本発明の他の実施例に従った半導体装置の断面
図、 第４図は本発明の変形例のリードフレームの平面図、 第５図は本発明の他の実施例に従った半導体装置の断面
図、 ＃Ｉ６図四〜（Ｃ１は第５図に示した半導体装置の製造
方法の一例を示す工程断面図である。
１・・・リード、２・・・タブ、３・・・インナリード
、４゜４Ａ、４Ｂ・・アルミニウム層、５・・・ペレッ
ト、６・・・ワイヤ、８・・・レジン、９・・・タブリ
ード、１０・・・アクタリード、１１・・・半田層、１
２・・・リードフレーム。
代理人　弁理士　　薄　１）利　幸 第　　１　　図 第　　２　図 ４　　　ｊ　　　　　　特開５８ 第　　３　　　ＩＮ 第　　４　　図 第　　５　　図 第　　６　　図 第１頁の続き ０発　明　者　木本良輔 小平市上水本町１４７９番地日立マ イクロコンピュータエンジニア リング株式会社内 ■出　願　人　日立マイクロコンピュータエンジニアリ
ング株式会社 小平市上水本町１４７９番地 ２６１−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、リードに半導体素子ペレットを固着しかつワイヤ接
    続した状態でこれをレジンにて封止してなる半導体装置
    において、前記リードはレジンとの接触界面部位にアル
    ミニウム層を形成してなることを特徴とする半導体装置
    。 ２、上記アルミニウム層はアルミニウム若しくはアルミ
    ニウム合金を蒸着、めっき或いはクラッドにて膜状に形
    成してなる特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、上記アルミニウム層は少なくともペレットやワイヤ
    を包囲する部分に形成してなる特許請求の範囲第１項又
    は＃！２項記載の半導体装置。
JP57083142A 1982-05-19 1982-05-19 半導体装置 Pending JPS58200559A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57083142A JPS58200559A (ja) 1982-05-19 1982-05-19 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57083142A JPS58200559A (ja) 1982-05-19 1982-05-19 半導体装置

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JPS58200559A true JPS58200559A (ja) 1983-11-22

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ID=13793955

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JP57083142A Pending JPS58200559A (ja) 1982-05-19 1982-05-19 半導体装置

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JP (1) JPS58200559A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01160071A (ja) * 1987-12-16 1989-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ発振装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01160071A (ja) * 1987-12-16 1989-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ発振装置

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