JPH027447A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH027447A JPH027447A JP63157343A JP15734388A JPH027447A JP H027447 A JPH027447 A JP H027447A JP 63157343 A JP63157343 A JP 63157343A JP 15734388 A JP15734388 A JP 15734388A JP H027447 A JPH027447 A JP H027447A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal wiring
- contact
- region
- wiring part
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 244000171726 Scotch broom Species 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
- H01L2224/02165—Reinforcing structures
- H01L2224/02166—Collar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05556—Shape in side view
- H01L2224/05558—Shape in side view conformal layer on a patterned surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4807—Shape of bonding interfaces, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4845—Details of ball bonds
- H01L2224/48451—Shape
- H01L2224/48453—Shape of the interface with the bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特にボンディン
グパッドと金属配線との接続構造を改良した樹脂封止型
半導体装置に関する。
グパッドと金属配線との接続構造を改良した樹脂封止型
半導体装置に関する。
従来、樹脂封止型半導体装置は、そのパッケージング方
法が量産性に優れていることにより、パッケージングコ
ストが安価になり、このため多くの品種の半導体装置に
適用されていた。
法が量産性に優れていることにより、パッケージングコ
ストが安価になり、このため多くの品種の半導体装置に
適用されていた。
しかしながら、この種の半導体装置の外周囲を覆う樹脂
体自体は耐湿性が不十分であるとともに、外周囲に樹脂
割れを起してその割れから水分が侵入したり、あるいは
樹脂体から外部に突出する外部リードと樹脂との界面か
ら水分が侵入するといったことが発生しやすかった。い
ずれにしても、この樹脂封止型半導体装置は耐水性がな
いという問題がある。この水分が侵入するという問題は
、やがては、パッシベーション膜から露出したボンディ
ングパッドの領域に腐食を引起し、ついには、腐食部分
が電気的に断線することである。この腐食防止方法とし
て従来は、主として、パッケージの材料、外部リードと
樹脂との界面の構造の改良、及び半導体チップ面のパッ
シベーション膜の改良等を施すといった改善策がとられ
ていた。
体自体は耐湿性が不十分であるとともに、外周囲に樹脂
割れを起してその割れから水分が侵入したり、あるいは
樹脂体から外部に突出する外部リードと樹脂との界面か
ら水分が侵入するといったことが発生しやすかった。い
ずれにしても、この樹脂封止型半導体装置は耐水性がな
いという問題がある。この水分が侵入するという問題は
、やがては、パッシベーション膜から露出したボンディ
ングパッドの領域に腐食を引起し、ついには、腐食部分
が電気的に断線することである。この腐食防止方法とし
て従来は、主として、パッケージの材料、外部リードと
樹脂との界面の構造の改良、及び半導体チップ面のパッ
シベーション膜の改良等を施すといった改善策がとられ
ていた。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置の改善では、樹脂
自体の耐湿性が完全無欠という樹脂材料はなく、外部リ
ードと樹脂との界面を改善しても、水分は樹脂層内に侵
入する。また、半導体チップ面にパッシベーション膜を
形成しても、ボンディングパッド上にはパッシベーショ
ン膜を形成することが出来ないので、この露出した部分
の腐食は避けられないという問題がある。 本発明の目
的は腐食が起きても、より長時間に電気的断線を起さな
い樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
自体の耐湿性が完全無欠という樹脂材料はなく、外部リ
ードと樹脂との界面を改善しても、水分は樹脂層内に侵
入する。また、半導体チップ面にパッシベーション膜を
形成しても、ボンディングパッド上にはパッシベーショ
ン膜を形成することが出来ないので、この露出した部分
の腐食は避けられないという問題がある。 本発明の目
的は腐食が起きても、より長時間に電気的断線を起さな
い樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体基板の一主面
上に形成された半導体素子と、前記半導体素子上に配置
された層間絶縁膜を介して配置された前記半導体素子と
ボンディングパッドとを接続する金属配線とを有する樹
脂封止型半導体装置において、前記半導体基板の一主面
上と前記層間絶縁膜との間に配置され前記ボンディング
パッドに対応する領域で前記金属配線と接続されるとと
もに前記ボンディングパッドに対応する領域以外で前記
金属配線と接続される導電層とを含んで構成される。
上に形成された半導体素子と、前記半導体素子上に配置
された層間絶縁膜を介して配置された前記半導体素子と
ボンディングパッドとを接続する金属配線とを有する樹
脂封止型半導体装置において、前記半導体基板の一主面
上と前記層間絶縁膜との間に配置され前記ボンディング
パッドに対応する領域で前記金属配線と接続されるとと
もに前記ボンディングパッドに対応する領域以外で前記
金属配線と接続される導電層とを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明による第1の実施例を説明するための半
導体チップの部分平面図、第2図は第1図のXX断面図
である。同図に示すように、この樹脂封止型半導体装置
は本発明の主旨である半導体チップの一部分の改造につ
いてのみ示している。
導体チップの部分平面図、第2図は第1図のXX断面図
である。同図に示すように、この樹脂封止型半導体装置
は本発明の主旨である半導体チップの一部分の改造につ
いてのみ示している。
すなわち、従来は実施されなかった導電層である多結晶
シリコン層2を半導体基板9の上に形成された酸化膜8
上に設けることである。勿論、この多結晶シリコン層2
の上には、従来の構造と同じように、層間絶縁膜7とア
ルミニウムの金属配線1b及びこの配線と一体に形成さ
れる金属パッドであるボンディングパッド1aが形成さ
れ、ボンディングパッド1aの領域を除いた表面を保護
用のパッシベーション膜5で覆うようになっている。
シリコン層2を半導体基板9の上に形成された酸化膜8
上に設けることである。勿論、この多結晶シリコン層2
の上には、従来の構造と同じように、層間絶縁膜7とア
ルミニウムの金属配線1b及びこの配線と一体に形成さ
れる金属パッドであるボンディングパッド1aが形成さ
れ、ボンディングパッド1aの領域を除いた表面を保護
用のパッシベーション膜5で覆うようになっている。
ここで、前述の多結晶シリコン層2の大きさは、第2図
に示すように、ボンディングパッド1aと金属配線1b
の一部を含めた領域と同程度かあるいはやや小いさめに
形成する。また、この多結晶シリコン層2は金属配線1
bの領域とボンディングパッド1aの領域で、それぞれ
に第2のコンタクト6と第1のコンタクl−4で接続さ
れている。
に示すように、ボンディングパッド1aと金属配線1b
の一部を含めた領域と同程度かあるいはやや小いさめに
形成する。また、この多結晶シリコン層2は金属配線1
bの領域とボンディングパッド1aの領域で、それぞれ
に第2のコンタクト6と第1のコンタクl−4で接続さ
れている。
次に、この半導体チップの構造の改良によってもたらす
機能の向上を説明する。例えば、今、金属細線10ある
いは樹脂体(図示せず)を経て水分が侵入したとすると
、まず、ボンディングボール3の周囲の露出したボンデ
ィングパッド1aの領域のアルミニウムの金属配線が腐
食し始める。
機能の向上を説明する。例えば、今、金属細線10ある
いは樹脂体(図示せず)を経て水分が侵入したとすると
、まず、ボンディングボール3の周囲の露出したボンデ
ィングパッド1aの領域のアルミニウムの金属配線が腐
食し始める。
通常、この金属配線の厚さは横方向の寸法に比し極端に
薄いため、まず、腐食は金属配線の底面に到達し、やが
ては、ボンディングボール3の周囲が断線すると考えら
れる。しかし、仮にこの断線が起きても、第1のコンタ
クト4と第2のコンタクト6を通して導通がとれている
ため、直ちに電気的断線不良とはならない。
薄いため、まず、腐食は金属配線の底面に到達し、やが
ては、ボンディングボール3の周囲が断線すると考えら
れる。しかし、仮にこの断線が起きても、第1のコンタ
クト4と第2のコンタクト6を通して導通がとれている
ため、直ちに電気的断線不良とはならない。
第3図は本発明による第2の実施例を説明するための半
導体チップの部分平面図である。この実施例は、同図に
示すように、第1の実施例に、更に第3のコンタクト1
1を追加したものである。
導体チップの部分平面図である。この実施例は、同図に
示すように、第1の実施例に、更に第3のコンタクト1
1を追加したものである。
この第3のコンタクト11は第1のコンタクト4の周囲
を囲むように形成されているので、ボンディングボール
3の周囲のパッシベーション膜5がら露出したアルミニ
ウムのボンディングパッドの領域の金属配線厚さに、第
3のコンタクト11の厚さと多結晶シリコン層2の厚さ
を加えたと同様の厚さとなる。従って、この実施例の半
導体チップは電気的断線に至る時間が、第1の実施例に
比べより長くなるという利点がある。
を囲むように形成されているので、ボンディングボール
3の周囲のパッシベーション膜5がら露出したアルミニ
ウムのボンディングパッドの領域の金属配線厚さに、第
3のコンタクト11の厚さと多結晶シリコン層2の厚さ
を加えたと同様の厚さとなる。従って、この実施例の半
導体チップは電気的断線に至る時間が、第1の実施例に
比べより長くなるという利点がある。
以上箱1及び第2の実施例について説明したが、これら
のコンタクト形状及び大きさに限定することはなく、例
えば、ボンデインパッド領域の下部の層間絶縁膜を無く
してボンディング領域と同じ大きさの領域及びボンディ
ングパッド領域と隣接する金属配線の領域とで、これら
ボンディングパッド及び金属配線に対応する導電層でな
る多結晶シリコン層の領域とを接続するれば良いことに
なる。
のコンタクト形状及び大きさに限定することはなく、例
えば、ボンデインパッド領域の下部の層間絶縁膜を無く
してボンディング領域と同じ大きさの領域及びボンディ
ングパッド領域と隣接する金属配線の領域とで、これら
ボンディングパッド及び金属配線に対応する導電層でな
る多結晶シリコン層の領域とを接続するれば良いことに
なる。
以上説明したように本発明は、ボンディングパッドの下
部に金属配線と導電層である多結晶シリコン層を層間絶
縁膜を介して設けるとともに、ボンディングパッドの下
部に導電層と接続するコンタクトと冗長配線である金属
配線と導電層とを接続するコンタクトを設けたので、水
分が侵入して腐食が起きても、より長時間に電気的断線
を起さない樹脂封止型半導体装置が得られるという効果
がある。
部に金属配線と導電層である多結晶シリコン層を層間絶
縁膜を介して設けるとともに、ボンディングパッドの下
部に導電層と接続するコンタクトと冗長配線である金属
配線と導電層とを接続するコンタクトを設けたので、水
分が侵入して腐食が起きても、より長時間に電気的断線
を起さない樹脂封止型半導体装置が得られるという効果
がある。
施例を説明するための半導体チップの部分平面図である
。
。
1a・・・ボンディングパッド、1b・・・金属配線、
2・・・多結晶シリコン層、3・・・ボンディングボー
ル、4・・・第1のコンタクト、5・・・パッシベーシ
ョン膜、6・・・第2のコンタクト、7・・・層間絶縁
膜、8・・・酸化膜、9・・・半導体基板、10・・・
金属細線、11・・・第3のコンタクト。
2・・・多結晶シリコン層、3・・・ボンディングボー
ル、4・・・第1のコンタクト、5・・・パッシベーシ
ョン膜、6・・・第2のコンタクト、7・・・層間絶縁
膜、8・・・酸化膜、9・・・半導体基板、10・・・
金属細線、11・・・第3のコンタクト。
第1図は本発明による第1の実施例を説明するための半
導体チップの部分平面図、第2図は第1図のXX断面図
、第3図は本発明による第2の実Ia:ボンテ1ングパ
・ソE゛ 3・ポンプ□ンゲポー1し 4°箒1のコンタクト 5、パ・ンシベーション月莫 6%2のコンタクト 10金属細線 71第3のコンタクト 第 1 区 第 図
導体チップの部分平面図、第2図は第1図のXX断面図
、第3図は本発明による第2の実Ia:ボンテ1ングパ
・ソE゛ 3・ポンプ□ンゲポー1し 4°箒1のコンタクト 5、パ・ンシベーション月莫 6%2のコンタクト 10金属細線 71第3のコンタクト 第 1 区 第 図
Claims (1)
- 半導体基板の一主面上に形成された半導体素子と、前記
半導体素子上に配置された層間絶縁膜を介して配置され
た前記半導体素子とボンディングパッドとを接続する金
属配線とを有する樹脂封止型半導体装置において、前記
半導体基板の一主面上と前記層間絶縁膜との間に配置さ
れ前記ボンディングパッドに対応する領域で前記金属配
線と接続されるとともに前記ボンディングパッドに対応
する領域以外で前記金属配線と接続される導電層を有す
ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63157343A JPH027447A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63157343A JPH027447A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH027447A true JPH027447A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15647610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63157343A Pending JPH027447A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH027447A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10328982B2 (en) | 2010-12-14 | 2019-06-25 | Camso Inc. | Drive sprocket, drive lug configuration and track drive arrangement for an endless track vehicle |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP63157343A patent/JPH027447A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10328982B2 (en) | 2010-12-14 | 2019-06-25 | Camso Inc. | Drive sprocket, drive lug configuration and track drive arrangement for an endless track vehicle |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3591839A (en) | Micro-electronic circuit with novel hermetic sealing structure and method of manufacture | |
US5023699A (en) | Resin molded type semiconductor device having a conductor film | |
US5539257A (en) | Resin molded type semiconductor device having a conductor film | |
US5708304A (en) | Semiconductor device | |
JPH08116016A (ja) | リードフレーム及び半導体装置 | |
JPH07153922A (ja) | 集積回路 | |
KR870000350B1 (ko) | 다측 배선(多重配線)구조를 가진 전자장치(電子裝置) | |
US5229642A (en) | Resin molded type semiconductor device having a conductor film | |
JPH1056093A (ja) | 半導体装置およびその半導体装置を組み込んだ電子装置 | |
US7180185B2 (en) | Semiconductor device with connections for bump electrodes | |
EP0177251B1 (en) | A semiconductor device having a reliable bonding pad structure | |
US5552639A (en) | Resin molded type semiconductor device having a conductor film | |
JPH027447A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP3063847B2 (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 | |
JP3147157B2 (ja) | 半導体素子を含む電子回路装置 | |
JPS6146056A (ja) | 半導体装置 | |
JP2819614B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH01143237A (ja) | 半導体装置 | |
JP2755032B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH0511661B2 (ja) | ||
JPS6232636A (ja) | 半導体装置 | |
US20030100154A1 (en) | Method for enhancing the electric connection between a power electronic device and its package | |
JP2596246B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS63104342A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS6381938A (ja) | 半導体装置 |