JPS62162222A - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野１ 本発明は高密度磁気記録ができるＣｏ　Ｃｒ　／パーマ
ロイ積層膜を代表例とする二層膜構造の、特にフロッピ
ーディスクに好適な垂直磁気記録媒体及びその製造方法
に関する。

［従来技術］ 近年、高密度記録特性の優れた磁気記録方式として、垂
直磁気記録方式が提案されている。この方式は、特公昭
５８−９１号公報、特公昭５ｇ−１０７６４号公報等で
公知の如く、磁化容易軸が膜面に対して垂直な方的を有
する記録媒体を用い、残留磁化が膜面に対して垂直に向
くように記録するもので、信号が高密度になるほど媒体
内反磁界は減少し、優れた記録及び再生を行なうことが
できる。この方式に適する記録媒体としてＣＯ系合金薄
膜（特にＣ０Ｃｒ合金薄膜）が公知である。特に、特公
昭５８−９１号公報に提案されているＣＯ系合金薄膜の
下地にパーマロイ合金のような軟磁性層を設けた二層膜
構造の垂直磁気記録媒体は、記録効率が向上できるとと
もに、大きな再生出力が得られる点から注目されている
。

さらに、記録再生感度を上昇せしめる方策として、記録
層と軟磁性層の中間に非磁性であるＴｉ薄膜を設けるこ
とが提案されている。

例えば特開昭５５−１６３６３０号公報には厚さ１００
０人程度以上の非磁性中間層を用いる効果が開示されて
いる。

また、電子通信学会技術研究報告Ｍ　Ｒ８０−４３（ｖ
ｏｌ、　ｇｏ　、　Ｎα２８７．１９８０）には５００
人厚さのＴｉ中間層が記述されている。

また、第７回日本応用磁気学会学術講演概要集７ａＡ　
−８，ｐ８　　（１９８３）には７０Å以上のＴｉ下地
層の実験と７００人のＴｉ中間層の効果が述べられてい
る。

また、第３２回応用物押学関係連合講演会講演予稿集、
　２９ｐ　−Ｇ−７，ｐ３５８（１９８５）には２００
人のＴｉ中間層の実験が記述され、同じ予稿集の２９ｐ
−Ｇ−８，ｐ３５８には約ｉｏｏÅ以上のＴｉ中間層の
実験と４００人のＴｉ中間層における電磁変換特性の向
上が述べられている。

さらに、電子通信学会技術研究報告Ｍ　Ｒ８４−５１（
ｖｏｌ、　８４．Ｎα２９３．１９８５）には、１４０
０人厚さの面内磁気異方性を有する軟磁性層の場合にお
いて約３０人〜１００以上度のＴｉ中間層による再生出
力の向上と記録再生分解能の向上が述べられている。

以上のように、従来検討されて来たのは比較的厚いＴｉ
中間層であり、かつ、軟磁性層の保磁力が比較的小さい
面内磁気異方性を有する場合に効果が認められてきた。

すなわち、このような構成では磁気ヘッドが媒体の一方
的を走行する磁気テープとなり１ｑても、フロッピーデ
ィスクの様に、軟磁性層の面内磁気異方性が再生出力の
モジュレーションを悪くする（例えば特開昭６０−３８
７１８号公報参照）場合は不都合なことである。またデ
ィスク媒体では信頼性の観点より高い再生出力が必要と
され、軟磁性層の厚さは約３０００Å以上が要求される
が、かかる厚さの場合においては非磁性中間層の効果は
確認されておらず、前述の参考文献では効果は否定的で
すらある。

［本発明の目的］ 本発明は記録層と、軟磁性層との間に実質的に非磁性の
中間層を設けることにより電磁変換特性を向上せしめる
ことに関連し、該中間層を生産性よく有効に形成する垂
直磁気記録媒体及びその製造方法を目的とするものであ
る。

すなわち、フロッピーディスク、スチル電子カメラ、画
像ファイル等の用途に用いられるディスク状媒体に好適
な、高出力、高記録！度の垂直磁気記録媒体及びその￥
Ｊ造方法を目的とする。

［発明の構成９作用］ 上述の目的は以下の本発明により達成される。

すなわら、本発明は、垂直磁気記録層と軟磁性層との間
に酸素又は／及び窒素が含有されて実質的に非磁性の前
記垂直磁気記録層又は／及び軟磁性層の構成元素からな
る中間層を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体を
第１発明とし、第１発名の垂直磁気記録媒体の製造方法
において、連続物理蒸着法により長尺のフィルム基板を
移送しつつその膜形成域の前又は／及び後にフィルム基
板と所定間隔を隔てて飛来粒子を遮断するマスクを設け
、酸素又は／及び窒素を含有した雰囲気下で前記垂直磁
気記録層又は／及び軟磁性層を形成することにより、前
記中間層を前記垂直磁気記録層又は軟磁性層の形成と同
時に形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造
方法を第２発明とするものである。

本発明者らはフロッピーディスク等のディスク用途を目
的に、記録層と軟磁性層との二層膜構造の垂直磁気記録
媒体の検討を行ってきた。本目的に必、Ｓな軟磁性膜の
特性は、まず第一に等方的な磁気特性を有することであ
る。等方性とは例えば前述の特開昭６０−３８７１８号
公報に開示されている如く、面内で測定される飽和磁化
曲線（Ｍ−）−１ループ）に測定方的による差違が小さ
いものをいい、具体的には後）ホのディスク状媒体での
モジュレーションが１０％以下のものをいう。かかる目
的には、他に垂直ｌａ気気力方性回転磁気異方性）を有
するパーマロイ膜や、一般に保磁力（Ｈａ　）が約３エ
ルテツド（Ｏｅ　）以上の保磁力のパーマロイ膜が使用
され得る。さらに、Ｈｃが小さすぎる軟磁性膜を有する
二層膜媒体では、軟磁性膜の磁壁移動に伴うスパイク状
ノイズが再生時（信号読み出し時）に出現することがす
でに公知であり、かかる要求からも軟磁性膜の保磁力Ｈ
ｃは約３Ｑｅ以上が要求されている。そしてこのような
Ｈｃの場合は必要な軟磁層の厚さは０．３μｒｒＬ以上
、好ましくは０．５μｍ程度が要求される。

本発明者らはかかる軟磁性膜への要求を満たした状態に
おいて、巻取式の連続スパッタ装置を用い、Ｃｏ　Ｃｒ
合金ｉｔＩ膜とパーマロイＲ１ＩＩとの中間に、生産性
を阻害することなく非磁性の中間層を形成する検討を行
った。そして、かかる制約下における媒体においては、
従来技術では無視されていた５人〜５０以上度の非常に
薄い非磁性中間層が記録密度を向上廿しめる効果を有す
ることと、該中間層を記録層のＣｏ　Ｃｒ　、好ましく
は軟磁性層のＮｉ　Ｆｅの酸化層とすることにより、極
めて効率よ（連続スパッタ法で非磁性の中間層を形成し
得ることを見い出し本発明に至った。

以下に図面を用い本発明を説明する。

第１図に本発明の代表的な垂直磁気記録媒体の構成を示
した。第１図のＦは支持材であり、非磁性の金属、非金
属のシートが好ましく用いられる。

フロッピーディスク、スチル電子カメラ等の用途には、
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−
ナフタレンジカルボキシレート、ポリイミド等の３０〜
１２０μｍ程度の厚さの有機高分子フィルムが好ましく
用いられる。

第１図のＳは軟磁性層であり、本発明では等方的な磁気
特性を有する厚さ０．３μｍ以上、好ましくは０．４μ
雇以上、保磁力が３Ｑｅ以上で５００　ｅ以下の強磁性
金属薄膜が使用される。例えば、Ｎｉ　Ｆｅ合金（Ｍｏ
パーマロイ、ＣｕＭｏパーマロイ、耐食性パーマロイ、
高硬度パーマロイ等）薄膜やＣｏ　Ｚｒ　、Ｃｏ　Ｚｒ
　Ｍｏｔ、Ｃｏ　Ｎｂ　Ｚｒ等のアモルファス合金薄膜
が使用され得る。

等方的とは、磁気ディスクとした時の再生出力のモジュ
レーション（ＪＩＳ　　Ｃ６２９１参照）が１０％以上
になるような面内磁気異方性を有しないことと理解され
るべきである。軟磁性層の内面磁気異方性がモジュレー
ションに与える影響、その程度は磁気ヘッドの形状、材
質、構成により異り、−律に規定できない。かかる等方
的な磁気特性を有する軟磁性層の例としては、前述の特
開昭６０−３８７１８号公報に開示されている面内で測
定されるＭ−１−１曲線に測定方的による差違が小さい
軟磁性層や垂直磁気異方性を有するパーマロイ簿膜をあ
げることができる。特に、低コストであり適度な飽和磁
化と保磁力と低磁歪のものが得られる約８０Ｗ［％のＮ
ｉ組成のパーマロイ薄膜が好適に使用される。そして、
該パーマロイ薄膜の保磁力は約３０ｅ以上が好ましく、
待に５Ｑｅ以上がノイズと再生出力エンベローブの均一
さの観点より好ましい。

第１図のＴは厚さ５Å以上５０Å以下程度の実質的に非
磁性の中間層であり、その形成方法と効果は後述する。

実質的に非磁性とは、記録層や軟磁性層に比べ飽和磁化
がかなり小さい場合を云い、数１０ｅｍｕ　／ＣＣ程度
以下の飽和磁化のものであればよい。中間層Ｔには記録
層を構成する元氷２例えばｃｏ。

Ｃｒの酸化物や、好ましくは軟磁性層を構成する元素１
例えばＮｉ　、　Ｆｅの酸化物が使用されるが、他にチ
ッ化物等も使用し得る。

第１図のＲは記録層である。飽和磁化が２００〜９００
ｅｍｕ／　ｃｃ程度のＣＯとＣｒの合金薄膜が好ましく
使用される。他にＣｏ　Ｃｒに数ｗｔ％のＲｅ　、Ｗ。

ＭＯ、Ｔａを添加したものや、ＣｏＶ合金薄膜。

Ｆｅ　Ｍｎ合金薄膜等でもよい。要は適度、の飽和磁化
と数百エルステッドの保磁力と垂直磁気異方性を有する
０、１μｍ−０，５μｍ程度の薄膜が使用される。

第１図のＰは保護層であるが、必ずしも必要でない。し
かし、通常は、ディスク媒体では数百万回以上の再生、
すなわち磁気ヘッドとの摺動に耐えることが要求される
ので、Ｓ！　０２　、硬質カーボン、Ｇｏ酸化物等の厚
さ０．０１μＴｒＬ〜０．０３μｍ程度の保護層を設け
るのが好ましい。

第１図は両面媒体を例示したが、本発明では支持体Ｆ上
に軟磁性層Ｓ、中間層Ｔ、記録層Ｒの積層が必須構成要
素であり、例えばこれら各層を支持体Ｆの片面のみ積層
した片面媒体であってもよいことは云うまでもない。

上記の軟磁性層Ｓ、中間層Ｔ、記録層Ｒの各層はスパッ
タリング法、真空蒸着法等の物理堆積法により連続的に
形成される。特に各層間の接着性を良好ならしめるため
には、同一の真空槽内で連続してスパッタ法により軟磁
性層Ｓ、中間層Ｔ。

記録層Ｒの順に形成するのが好ましい。前記の各層は、
その組成割合が厚み方的で均一である必要はなく濃度勾
配を有してもよい。特に中間層Ｔは後述の形成法では、
厚み方的で磁性原子とＭ素原子との混合比に勾配を有し
ているが、平均として実質的に非磁性か、又は５Å以上
の厚さの非磁性層を有していればよい。

本発明の垂直磁気記録媒体は、巻取式の連続物理蒸着（
ＰＶＤ）法により好適に作製される。ＰＶＤ法とはスパ
ッタ、蒸着、イオンブレーティング等の５Ｐａ程度以下
の真空中又はアルゴンガス中又は酸素、チッ素等の活性
気体を含有するアルゴンガス中で、気体となした膜構成
元素を支持体Ｆ上に沈着せしめる方法を云う。とりわけ
スパッタ法は形成された膜強度が強く、支持体Ｆとの付
着強度も良好であり、後述のまわり込み粒子の多いこと
より本発明に都合がよい。以下に、本発明の実施例に用
いた巻取式の連続スパッタ装置を説明する。

ｆ４．２図は実施例に用いた巻取式の対向ターゲットス
パッタ装置である。該対向ターゲットスパッタ装置は、
特開昭５８−１５８３８０号公報等で公知の対向ターゲ
ット式スパッタ法と同一原理に基づくもので、長尺の基
板フィルムの両面に二層膜媒体を連続的に製造できるよ
うに第２図に示す構成となっている。すなわち、図の１
１．１２は温度コントロール可能なキャン、１３は巻出
しロール、１４は巻取ロール、１５はガイドロール、２
０は真空槽、２１はアルゴンガス導入系、２２は排気口
である。Ｆは基板フィルムであり、Ｐ１〜Ｐ４は３３０
ＭＷ　Ｘ　　１５０ｍｍＬのターゲット２枚を対向させ
た対向ターゲット陰極で、遮蔽板Ｔにより不要部への粒
子飛散を防止しである。Ｐ＋　、Ｐ３は軟磁性層用の合
金ターゲット、Ｐ２　、Ｐ４は記録層用合金ターゲット
を設置する。

第３図は本発明の第２発明を実施する対向ターゲット陰
極回りの詳細図で、対向ターゲット陰極とキャン１１０
ｚの間には第２図では図示省略したマスクＭ１．Ｍ２が
設けられ、膜形成域を規制できるようになっている。通
常マスクＭ１．Ｍ２は、スパッタ粒子の基板となるフィ
ルムＦへの飛来方的を規制する目的、又は巾方的の膜厚
分布を改良する目的等で設置するが、本発明では後述す
るように中間層形成という特別の作用を奏する。

なお、対向ターゲット式スパッタ法は前述の通り公知で
あり、付帯設婦の真空ポンプ、ターゲット冷却水系統、
ターゲットへの電力供給電源及び配線系統は図示省略し
た。又、そのスパッタ作用の説明も省略する。

上述の構成により二層膜媒体は以下のように作成される
。すなわち、基板フィルムＦを巻出しロール１３にセッ
トしたフィルムロールより送り出し、巻取ロール１４に
巻取る。この間にターゲットＰ＋。

Ｐ２　、Ｐ３　、ＰＪを全部動作させれば、−回で両面
二層膜媒体が得られる。又、Ｐ＋　、Ｐ３のみを動作さ
せて軟磁性層を形成した後、巻き戻しながらＰ２　、Ｐ
Ｊのみを動作させて記録層を形成して両面二層膜媒体を
形成することもできる。このように種々の態様で両面二
層膜媒体を作成できるようになついる。

次に上述の装置において本発明の特徴である中間層Ｔの
形成方法を述べる。

なお、上述の装置においてターゲットＰ＋。

Ｐ３を０００１合金ターゲツトとし、ターゲットＰ２　
、Ｐａをパーマロイターゲットとし、Ｃ０Ｃｒ／パーマ
ロイの二層膜媒体の該二層間に酸化物層を形成する場合
について述べる。

まず、逐次的に三層を形成するには以下の手法が例示で
きる。純アルゴン（Ａｒ　＞ガス雰囲気中でターゲット
Ｐ＋　、Ｐ３のみを動作させて軟磁性層をフィルムＦの
両面に形成した後、２０〜４０ｖｏ　１％程度の酸素を
含有するＡｒガスに真空槽内を置換し、巻出しながらタ
ーゲットＰ２　、ＰＪを、Ｃｏ　Ｃｒの酸化物が生成す
べく低堆積速度でスパッタすれば、上記軟磁性層上に非
磁性のＣ０Ｃｒ酸化物が形成され巻出しロール１３に巻
き取られる。

次いで、巻き出しロール１３より送り出し、純Ａｒガス
中でターゲットＰ２　、ＰＪをスパッタしＣ０Ｃｒ合金
薄膜の記録層を形成すれば第１図の構成の両面媒体が得
られる。

従来多用されているＴｉ薄膜の中間層の場合は、Ｃｏ　
Ｏｒ合金ターゲット、パーマロイターゲット以外にＴｉ
ターゲットをキャン１１．１２に隣接して設ける必要が
あり、設備コストの増大、強いては媒体コストの上胃を
招き好ましくない。本方式によれば、媒体の基本構成で
ある記録層形成用ターゲットと軟磁性層形成用ターゲッ
トとを設置するだけで、きわめて簡単な工程で非磁性の
中間層を設けることができる。

本方式で重要なことは、非磁性の中間層を得るスパッタ
条件であり、実質的に非磁性となすには、十分な酵素濃
度（２０〜３０ｖｏ　１％程度）下で、酸素とＧｏ、Ｃ
ｒ原子との反応が十分に起るべく低電力でスパッタする
必要がある。第４図はフィルムの送り速度１　ｍ／ｍｉ
ｎにおける投入電力（Ｐｉ　）と膜厚（Ｄ）との関係を
示したもので、図中への領域がＣ０Ｃｒ酸化物が得られ
る範囲である。なお、図のＢの領域はＣ０Ｃｒ合金膜と
なる範囲である。酸化物の膜はいずれも２０部ｍｕ　／
ｃｃ以下の飽和磁化であり、実質的に非磁性であった。

中間層の膜厚は約５Å以下ではＣｏ　Ｃｒ　　（Ｃｒ２
０ｗｔ％）記録層と軟磁性層との磁気的相互作用を分断
する効果がなく、約５０Å以上では磁気ヘッドと軟磁性
層とのスペーシングロスにより高密度記録時に再生出力
が低下して好ましくない。

以上軟磁性層Ｓ、中間層Ｔ、記録層Ｒを逐次的に独立の
ステップで形成する３ステツプ法を説明しが、以下に、
本発明の第２発明の最も効果的な中間層の形成方法であ
る、中間層Ｔを軟磁性層Ｓ若しくは記録層Ｒと同時に形
成する２ステツプの製造方法を第３図を用いて説明する
。

第３図の点線はスパッタ粒子の飛行経路を略図したもの
であり、図示のようにＡＢ部、ＣＤ部にはまわり込み粒
子が付着、堆積する。従来は、かかるまわり込み粒子は
堆積速度が小さいことより雰囲気中の活性な不純ガス（
０２、Ｎ２等）と反応し易く膜純度を低下さすものとさ
れ、キャン１１とマスクＭ＋　、Ｍ２との距離ｄはまわ
り込み粒子を最小にすべく可能な限り小さくすべきであ
るとされてきた。

本発明者は、上述の現象を、本発明の構成の垂直磁気記
録媒体においては有効上利用できることに４目し、本発
明の中間層の形成方法を提案するに到った。

第３図においてキャン１１０ｚに密着し、キャンの回転
に伴って例えば図の矢印の方的に搬送されるフィルムＦ
は、ＡＳ部でまわり込み粒子がわずかに堆積し、次いで
、８０部で所望の厚さに膜形成がなされ、さらに、ＣＤ
部でまわり込み粒子が堆積する。パーマロイ薄膜とＣｏ
　Ｃｒ合金薄膜の中間に設けられる実質的に非磁性の中
間層Ｔは、第３図のターゲットＰをＣｏ　Ｃｒ合金とし
た時は、パーマロイ薄膜上にＡＢ部で堆積するまわり込
み粒子の雰囲気中の活性ガスとの反応堆積層が相当する
。ターゲットＰをパーマロイ合金とした時は、まずフィ
ルムＦ上に８０部でパーマロイ薄膜が形成され、次いで
キャン１１０Ｚの回転に伴って０部からＤ部方的へ移動
する時にまわり込み粒子が堆積し、実質的に非磁性の中
間層がパーマロイ薄膜上に形成されることになる。中間
層Ｔの厚さはキャン１１（１２）とマスクＭｌ、Ｍ２と
の距離ｄと雰囲気中の活性ガス濃度によりコントロール
できる。

特にターゲットとし、０．１〜５ｖ０１％程度の酸素を
含有する雰囲気中で上述の様に連続してパーマロイ薄膜
とＮｉ　、Ｆｅ酸化層を形成するのが好ましい。理由は
、Ｃｏ　Ｃｒ膜形成の場合は酸素によりＣ０Ｃｒ合金膜
の垂直磁気異方性の若干の低下を来たすが、パーマロイ
層薄膜において数ｖｏ１％の酸素を含むＡｒ雰囲気中で
スパッタ形成したものは約５〜１５Ｑｅの保磁力を示し
、垂直磁気記録媒体にとってはかえって好ましいからで
ある。

以上の形成方法により中間層下のための別工程は不要と
なり、１回の巻取り操作で有効な中間層Ｔの形成が可能
となった。以下に本発明の実施例を示す。

［実施例１］ 第２図に示した上述の対向ターゲット式スパッタ装置を
用い５０μ面厚さ、巾２４０　ｍｍの長尺の２軸延伸Ｐ
ＥＴフイルムを基板として用い、０．４４μｍのＮｉ　
ＦｅＭｏ　　（Ｎｉ　　ニア９．　Ｆｅ　：１Ｂ、　Ｍ
ｏ　：５ｗｔ％）合金簿膜と、３０人のＣｏ　Ｃｒ酸化
物薄膜。

さらに０．１５μｆｆｌのＣｏ　Ｃｒ　　（Ｃｒ　：２
０ｗｔ％）合金薄膜を両面に有する両面媒体を以下のよ
うにして作製した。

すなわち、対向ターゲットＰ１とＰ３はＮｉＦｅ　Ｍｏ
合金ターゲット（３３０ｍｘ　１５０ｍ）　２枚を有す
る対向ターゲットとし、Ｐ２とＰ４はＣ０Ｃｒ合金ター
ゲット（３３０ｓＸ　１５０ＩｎＩｎ）　２枚を有する
対向ターゲットとして、以下の条件により作成した。

すなわち、基板フィルムＦを巻出しロール１３より繰出
しながら９０℃に保ったキャン１１．１２上を送行させ
ながら対向ターゲットＰ１とＰ３でアルゴンガス圧２．
ＯＰａ　、平均堆積速度０．３μｍ／ｌＮｎでスパッタ
を行いＮｉＦｅＭｏ合金薄膜を両面に形成し、巻取ロー
ル１４に巻取った。

次いで、全ロールを逆転させて、酸素を２０ＶＯＩ％含
有するＡｒガスを導入し、全圧１．ＯＰ　ａ下。

対向ターゲットＰ２　、Ｐ４で平均堆積速度０．０１μ
ｍ／ｍｉｎでスパッタを行い該ＮｉＦｅＭｏ合金薄膜上
にＣｏ　Ｃｒ　Ｍ化物を両面に形成し、巻出しロール１
３に巻き取った。

しかる後にキャン１１．１２を１５０℃に保ち、全ロー
ルを逆転させ対向ターゲットＰ２とＰ４でアルゴンガス
圧０．５ｐａ　、平均堆積速度ｏ、３μＴｒＬ／ｍｉｎ
でスパッタを行いＣｏｃｒ合金薄膜を該Ｃ。

Ｃｒ酸化物薄膜上に形成し、巻取りロール１４に巻取り
両面媒体を作製した。

得られた両面媒体の静特性を表−１に示した。

なお、表−１において、Ｈｃｖは垂直方的の保磁力。

Ｈｃｐは面内方的の保磁力、Ｈｋは実効的異方性磁界、
Δθ印はＣｏｃｒｈｃｐ結晶（００２）面（Ｄａミツキ
ング線の半値巾、Ｈｃ　　（ＭＤ）は長手方的に測定し
た保磁力、Ｈａ（ＴＤ）は巾方的に測定した保磁力であ
る。

表−１：両面（ｓｉｄｅ　１／５ｉｄｅ２　）媒体の静
特性得られた両面媒体を５．２５インチ径のフロッピー
ディスクとし、補助磁極励磁タイプの垂直ヘッドを搭載
したフロッピーディスクドライバーで表−２の条件で電
磁変換特性（゛型持′°ともいう）を調べた。評価・結
果は表−３に示す。なお、表−３においてＤ５０は２Ｋ
ＢＰ　Ｉの再生出力が半分に低下する時の記録密度であ
る。モジュレーションはＪＩＳ　　Ｃ６２９１による。

表−２：電磁変換特性測定条件 表−３：型持評価結果 ［比較例］ 実施例１と同様に、ただしｃｏＯｒ酸化物層を設けない
場合と６０人厚さのｃｏＯｒ酸化物層を設けた場合の２
つの両面媒体を作製した。静特性と型持の評価結果を表
−４に示した。

表−４：静特性ど型持 比較例では、実施例１に比べ、Ｑｏ　Ｑｒ酸化物層が６
０人のものでＨｃｖの若干の低下がみられたが、他の静
特性に大きな変化は認められない。実施例１では０５０
の増大が見られ、高密度記録、再生に好ましい効果が得
られた。本例のように保磁力と膜厚が比較的大きい等方
的な軟磁性膜を有する二層膜媒体において、５〜５０人
程度以上磁性中間層が、Ｄｑを増大させる効果を有する
ことは従来知られていないことであり、理由は定かでな
い。

Ｃｏ　Ｑｒ膜裏面に生じる磁荷の作用により、Ｃ０Ｃｒ
膜の面内磁化成分がわずかに増大することが、高密度記
録時における再生出力の増大に寄与していることが考え
られるが、現在の所確認できていない。

［実施例２］ 第２図の装；ｄにおいて、パーマロイターゲットを第３
図のマスクを設けたものとすると共に実施例１において
、Ｃｏ　Ｃｒ酸化物薄膜を形成する工程を省略し、前述
の２ステツプの製造方法により両面媒体を作製した。た
だしパーマロイのスパッタはフィルムＦの送り速度を８
α／ｍｉｎとし、全圧０．５ｐａの酸素を１■０１％含
有するアルゴン雰囲気中で行った。キャン１１とマスク
Ｍ２との距離は２０＃とじた。なお、マスクＭ１は、マ
スクＭ１が前述の従来の目的を達成するようにキャン１
１に出来るだけ接近した位置、具体的にはキャン１１と
の距離が数層以下となるようにした。

得られた媒体のオージェ電子分光法で調べた深さ方的の
元素ｍ度分イ［を第５図に示した。横軸はスパッタ時間
であり媒体の表面からの深さに対応する。タテ軸は濃度
（％）である。

Ｃｏ　Ｃｒ合金薄膜とパーマロイ（Ｎｉ　Ｆｅ　ＭＯ）
薄膜との界面に明瞭に酸素を含有する中間層が形成され
ており、本方法の有効性が確認された。

得られた両面媒体の静特性と型持を表−５に示した。実
施例１と同様に良好な特性を有していることが確認され
た。

表−５：静特性と型持

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の代表面な構成を示した断面図であり、
Ｆは支持体、Ｓは軟磁性層、王は中間層。 Ｒは記録層、Ｐは保護層である。 第２図は巻取式の連続対向ターゲット式スパッタ装置の
概略構成図である。 Ｆは基板、　１１．１２はキャン、Ｐ＋〜Ｐ４は対向タ
ーゲット陰極、２０は真空槽、２１はアルゴンガス導入
部、２２は排気口である。 第３図は第２発明の実施に用いるターゲラ１〜Ｐ回りの
拡大図で、Ｍｌ、Ｍ２はマスクである。 第４図は酸素含有アルゴンガス中でＣｏ　Ｃｒ合金ター
ゲットをスパッタした時の投入電力Ｐ１と膜厚りとの関
係を示したグラフ、第５図は実施例２で得られた媒体の
オージェ電子分光で得られた構成元素の深さ方的のプロ
ファイルを示すグラフである。 特許出願人　帝　人　株　式　会　社 デ斗１犯

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、垂直磁気記録層と軟磁性層とを有する垂直磁気記録
   媒体において、垂直磁気記録層と軟磁性層との間に酸素
   又は／及び窒素が含有されて実質的に非磁性の前記垂直
   磁気記録層又は／及び軟磁性層の構成元素からなる中間
   層を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 ２、中間層が前記垂直磁気記録層又は／及び軟磁性層の
   構成元素が酸化された酸化層である特許請求の範囲第１
   項記載の垂直磁気記録媒体。 ３、前記中間層が前記垂直磁気記録層又は／及び軟磁性
   層の酸化された表層部である特許請求の範囲第１項若し
   くは第２項記載の垂直磁気記録媒体。 ４、前記軟磁性層が面内で等方的な磁気特性を有する特
   許請求の範囲第１項、第２項若しくは第３項記載の垂直
   磁気記録媒体。 ５、前記軟磁性層がＮｉとＦｅを主成分とするパーマロ
   イ薄膜である特許請求の範囲第１項、第２項、第３項若
   しくは第４項記載の垂直磁気記録媒体。 ６、垂直磁気記録層と軟磁性層とを有し、垂直磁気記録
   層と軟磁性層との間に酸素又は／及び窒素が含有された
   実質的に非磁性の前記垂直磁気記録層又は／及び軟磁性
   層の構成元素からなる中間層を有する垂直磁気記録媒体
   の製造方法において、連続物理蒸着法により長尺のフィ
   ルム基板を移送しつつその膜形成域の前又は／及び後に
   フィルム基板と所定間隔を隔てて飛来粒子を遮断するマ
   スクを設け、酸素又は／及び窒素を含有した雰囲気下で
   前記垂直磁気記録層又は／及び軟磁性層を形成すること
   により、前記中間層を前記垂直磁気記録層又は軟磁性層
   の形成と同時に形成することを特徴とする垂直磁気記録
   媒体の製造方法。 ７、前記物理蒸着法がスパッタリング法である特許請求
   の範囲第６項記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。