JPS61227222A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用範囲〕 本発明は、蒸着、イオンブレーティング、スパッタリン
グ等によって非磁性基体上に金属磁性薄膜を形成してな
る、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体に関する
ものである。

〔従来の技術〕

従来より磁気記録媒体としては、非磁性基体上にｒ　　
Ｆ　ｅ−２０３、Ｃｏを含有するｒ−Ｆｅ２Ｑｓ、Ｆｅ
３０４．Ｃｏを含有するＦｅ３Ｏ４，ｒ−Ｆｅ２０３と
Ｆｅ３０ａのベルトライド化合物。

Ｃｏを含有するベルトライド化合物、Ｃｒａｇ等の酸化
物磁性粉末あるいはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等を主成分とする
合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニ
ル共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の
有機バインダー中に分散せしめ、塗布、乾燥させる塗布
型の磁気記録媒体が広く使用されている。

一方、近年の高密度磁気記録への要求の高まりと共に、
非磁性基体上に強磁性金属材料からなる金属薄膜を真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法、
メッキ法等の手法を用いて直接被着形成した強磁性金Ｉ
Ｉ薄膜型磁気記録媒体が注目を集めている。この種の磁
気記録媒体は抗磁力Ｈｃや残留磁束密度Ｂｒが大きいば
かりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くすることが可能
であるため、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さ
いこと、磁性層中に非磁性材である有機バインダーを混
入する必要がないため磁性材料の充填密度を高めること
ができる等、磁気特性の点で数々の利点を有している。

この強磁性金属薄膜型磁気記録媒体においては、通常、
より高い抗磁力Ｈｃを得るために、非磁性基体に対して
強磁性金属材料を斜めに蒸着して（いわゆる斜め蒸着法
）磁性層を形成するという方法が採られている。しかし
、このように斜め蒸着法により磁性層を形成した磁気記
録媒体は、蒸着効率が低く生産性に劣り、また上記磁性
層に隙間が形成されるため耐蝕性に問題がある。

あるいは、非磁性基体上をあらかじめ３００℃以上に加
温してＣｒ等よりなる下地金属層を形成し、次いで、こ
の下地金属層上に強磁性金属材料を被着形成することに
より、高い抗磁力Ｈｃを有する強磁性金属薄膜型磁気記
録媒体を作製する方法がある。しかし、この場合には、
Ｃｒ等の金属の融点が高いので、非磁性基体の基体温度
を高くする必要があり、非磁性基体としてポリエチレン
テレフタレート等の耐熱性に劣る高分子フィルムが使用
できないという欠点がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このように、従来の磁気記録媒体では、高密度磁気記録
に対応して高い抗磁力Ｈｃを得ようとすると、生産性や
耐蝕性に劣るという問題がある。

また、この耐蝕性を改善しようとすると、耐熱性の低い
フィルムを基体として使用できなくなり、非磁性基体の
材質に制約が生じる。

そこで、本発明は上述の問題点を解決するために提案さ
れたものであり、耐熱性の低い非磁性基体を使用するこ
とが可能で、生産性や耐蝕性に優れ、かつ高い抗磁力Ｈ
ｅを有する磁気記録媒体を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者は、上述の目的を達成せんものと、鋭意研究を
重ねた結果、まず、非磁性基体上に低融点金属であるＩ
ｎを被着形成した後、Ｃｒを含有する合金磁性材料を基
体に対して垂直方向から被着して磁性薄膜を形成するこ
とにより、生産性や耐蝕性に優れ、かつ高い抗磁力Ｈｅ
を有する磁気記録媒体となることを見出し、本発明を完
成するに至ったものであり、非磁性基体上にＩｎ層を形
成し、前記１１層上にＣｏ−ＣｒあるいはＣｏ−Ｎｉ−
Ｃｒよりなる磁性＊ｉ＊を形成したことを特徴とするも
のである。

すなわち、本発明発明に係る磁気記録媒体は、例えば第
１図に示すように、非磁性基体上に下地金属層であるＩ
ｎ層（２）と、Ｃｏ−ＣｒあるいはＣｏＮｉ−Ｃｒより
なる磁性薄膜（３）を順次積層形成したものである。

ここで、上記非磁性基体（１）の素材としては、ポリエ
チレンテレフタレート等のポリエステル類、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルロース
トリアセテーロセルロースダイアセテート、セルロース
アセテートブチレート等ノセルロース誘導体、ポリ塩化
ビニル、ポＩＪ　塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポ
リカーボネート　ポリイミド、ポリアミドイミド等のプ
ラスチックが使用される。上記非磁性基体（１１の形態
としては、フィルム、テープ、ディスク、カード、ドラ
ム等のいずれでも良い、あるいは、上記非磁性基体（１
）として、アルミニウム合金、チタン合金等の軽合金、
ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂等の熱可塑性樹脂、アルミナ
ガラス等のセラミックス、単結晶シリコン等を用いて、
いわゆるハードディスクとしても良い、この場合、基体
（１）表面は、あらかじめＮ１−Ｐメンキ層を設けたり
、アルマイト処理を施す等、表面を硬くしておくことが
好ましい。

また、上記１１層（２）は非磁性基体（１）上に真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法、メ
ッキ法等の手法を用いて直接被着形成するもので、その
厚さは１０人〜５００人程度が好適である。このように
、下地金属層として低融点金属であるＩｎを使用するこ
とにより、非磁性基体（１１の基体温度が低（てもＩｎ
層（２）が形成でき、例えばポリエチレンテレフタレー
ト等の耐熱性に劣る非磁性基体（１）の使用が可能とな
る。

さらに、上記磁性薄膜（３）は、上記Ｉｎ層（２）上に
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法等の手法を用いて、Ｃｏ−ＣｒあるいはＣｏ−Ｎｉ−
Ｃｒよりなる強磁性金属材料を直接被着形成するもので
、その厚さは１００人〜１０００人程度が好適である。

得られる磁性薄膜（３）は、強磁性金属材料として高耐
蝕性のＣｒを含有する合金磁性材料を使用しているので
、耐蝕性に優れた磁性薄膜となる。

ここで、上記Ｃｒの含有量は５〜３０原子％が好ましく
、含有量が５原子％未満では、磁気記録媒体の耐蝕性に
問題があり、含有量が３０原子％を越えると、角形比Ｒ
ｓが低くなる等の問題がある。

一方、上記Ｎｉの含有量は０〜３０原子％が好ましく、
含有量が３０原子％を越えると、抗磁力Ｈｃが低（なる
等の問題がある。

上記磁性溝ＩＩＩ（３１の形成方法としては、先に述べ
たような真空蒸着法やスパッタリング法、イオンブレー
ティング法が用いられるが、この真空蒸着法は、１０４
〜１０”　Ｔｏｒｒの真空下で強磁性金属材料を抵抗加
熱、高周波加熱、電子ビーム加熱により蒸発させ、非磁
性基体（１）上に蒸発金属（強磁性金属材料）を沈着す
るというものである。

上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、１０４〜１０　’　Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で
ＤＣグロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中上
記非磁性基体（１）上に蒸発金属（強磁性金属材料）を
沈着させるというものである。

上記スパッタリング法は、１０４〜１０→Ｔｏｒｒのア
ルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こ
し、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の原子
をたたき出すというものであり、グロー放電の方法によ
り直流２極、３極スパツタ法や、高周波スパッタ法、ま
たはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパッタ
法等がある。

これら方法により、上記Ｉｎ層（２）上に非磁性基体（
１１面に対して垂直方向から強磁性金属材料（Ｃｏ−Ｃ
ｒあるいはＣｏ−Ｎ１−Ｃｒ）を被着し、磁性溝１１！
（３１を形成する。このとき、下地金属層としてＩｎ層
（２）があらかじめ設けられているので、高い抗磁力Ｈ
ｃが確保される。また、垂直方向からの蒸着であるため
に、得られる磁性溝１１１（３）は、面内等方法に優れ
たものとなる。

また、上記磁気記録媒体の耐摩耗性、耐衝撃性。

あるいは走行性等を改善するために、高級脂肪酸やその
金属塩、高級脂肪酸エステル、フッ素系界面活性剤、シ
リコーンオイル等の潤滑剤や防錆剤を付着形成しても良
く、特にハードディスクの場合には、磁性ｉ！ＩＩｍ！
上にカーボン保護膜を、真空蒸着法やスパッタリング法
等により形成しても良い。

あるいは、上記磁気記録媒体の耐蝕性を改善するために
、磁性薄膜（３）を形成した後、塵埃を除去し、温度、
湿度を所定範囲に保持した大気を、上記磁性薄膜（３）
の表面上に比較的速い速度で通過させることにより、上
記磁性溝Ｉｌ！　＋３）の長期的化学的安定性の向上を
図るようにしても良い。

すなわち、塵埃を除去し、温度１０〜４０℃、相対湿度
５０〜９５％、風速１ｍ／ｓ〜１０ｍ／Ｓに設定された
大気中に磁性薄膜（３）をさらすことにより、この大気
中での酸化、水酸化、窒化が上記磁性薄膜（３）の表面
で一様に促進される。したがって、磁性溝Ｍｌ！　（３
１の表面は、均一でしかも緻密に改善でき、孔食等が発
生し難くなり、磁性薄膜；３）の耐蝕性が著しく向上す
る。

〔作用〕

したがって、本発明によれば、非磁性基体上に低融点金
属であるＩｎを用いて下地金属層を被着し、このＩｎ層
上に高耐蝕性のＣｒを含有する合金磁性材料（Ｃｏ−Ｃ
ｒあるいはＣｏ−Ｎ１−Ｃｒ）を、基体面に対して垂直
方向から被着形成してなるので、耐熱性の乏しい基体上
にも、高抗磁力Ｈｅで、かつ耐蝕性に優れた磁性薄膜が
形成される。

〔実施例〕

以下、本発明の具体的実施例について説明する。

第２図は本実施例で使用した真空蒸着装置の概略的な構
成図である。

この第２図に示す真空蒸着装置（４）において、真空ペ
ルジャー（５）内には帯状の非磁性基体（６）が供給リ
ール（７）及び巻取リール（８）間を走行するように配
されている。この非磁性基体（６）に対向して）ｎ蒸着
源（９）とＣｒ蒸着源（２０）が連結したものと、ＣＯ
またはＣｏ−Ｎｉの蒸着源（１０）が配置されている。

ここで、上記蒸着源（９）と（２０）は、例えば図中矢
印Ｘ方向に回転機構を有し、上記蒸着源（９）か（２０
）の一方が加熱蒸発される。これら蒸着源（９）　、　
（２０）　、　（１０）は、例えば高周波コイルや電子
ビーム等の加熱手段（２１）により加熱蒸発され、かつ
各蒸着源（９）　、　（２０）　、　（１０）からの蒸
発を独立に制御できるようになっている。また、これら
蒸着源（９）　、　（２０）と（ｌＯ）の間には、各金
属蒸気流を相互に遮蔽する遮蔽板（１１）が蒸着源（９
）　、　（２０）と（１０）の間から非磁性基体（６）
側の中途部まで延長して設けられており、一方の蒸着源
に他方の蒸着源の元素が混入しないようになっている。

したがって、各蒸着源（９）　、　（２０）　、　（１
０）から蒸発した各元素は非磁性基体に対して垂直方向
より入射されるため、蒸着効率が高（なり、生産性に優
れたものとなるとともに、非磁性基体（６）上に被着形
成された金属薄膜は所望の組成のものとなる。

一方、各蒸着源（９）　、　（２０）　、　（１０）と
非磁性基体（６）との間には防着カバー（１２）が配置
され、各蒸着源（９）　、　（２０）　、　（１０）か
らの蒸発を制御できる。また、上記非磁性基体（６）の
上方には、非磁性基体（６）を所要の温度に加熱するた
めの加熱用ランプ（１３）が配されている。さらに上記
非磁性基体（６）の近傍には、温度コントローラ（１５
）に接続された熱電対（１４）が配され、さらに、この
温度コントローラ（１５）にはランプ用電源（１３）が
接続されている。したがって、この温度コントローラ（
１５）によってランプ用電源（１６）が制御されて、非
磁性基体の基体温度が所定温度に保たれるようになって
いる。さらに、上記非磁性基体（６）の下方には、膜厚
センサ（１７）が配され、膜厚コントローラ（１８）に
接続されており、Ｉｌｉ＊を制御できるようになってい
る。

さらにまた、真空ペルジャー（５）には排気系（Ｉｎ）
が装着され、真空ペルジャー（２）内の排気を図ってい
る。

以下の各実施例においては、上記真空蒸着装置（４）を
使用して！ｎ層及び磁性薄膜を被着形成して磁気記録媒
体を作製した。

すなわち、非磁性基体（６）を走行させながら、Ｉｎ蒸
着源（９）を所定位置に置いてＩｎを蒸着させ（蒸着速
度５〜ｌＯ人／Ｓ）、この非磁性基体（６）上にＩｎ１
ｉｉを形成した０次いで、回転機構を駆動してＣｒ蒸着
源（２０）を所定位置に置き、Ｃｒ蒸着源（２０）から
のＣｒ（蒸着速度０．３〜３人／Ｓ）と蒸着源（１０）
からのＣｏまたはＣＯ−Ｎ　ｉ合金（蒸着速度４．５人
／Ｓ）を、同時にかつ別々に量をコントロールしながら
蒸着して、Ｉｎ層上にＣｏ−ＣｒまたはＣｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒよりなる磁性薄膜を形成してなる磁気記録媒体を作製
した。本実施例では、磁性薄膜形成時は非磁性基体（６
）を走行させずに行ったので、第２図中Ａ地点において
Ｉｎ層上にＣｏ−ＣｒまたはＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒよりなる
磁性薄膜が被着形成されることになる。

なお、磁性薄膜の形成方法は上述の方法に限定されず、
例えば非磁性基体（６）を供給リール（７）から巻取リ
ール（８）へと走行させながら、Ｉｎ蒸着源（９）から
Ｉｎの蒸着を行い、基体（６）上にＩｎ層のみを形成し
、次いで、非磁性基体（６）を筆数リール（８）から供
給リール（７）に走行させなから防着カバー（１２）　
、　（１２）を調節して、各蒸着源（２０）　、　（１
０）からＣｒ及びＣＯまたはＣｏ−Ｎｉを同時に蒸着さ
せて磁性！ＩＩを形成しても良い。あるいは、ＣｒとＧ
ｏまたはＣｏ−Ｎｉを同一蒸着源より蒸着しても良い。

ここで、上記非磁性基体（６）としては、ポリイミドフ
ィルムを用いた。また、真空ペルジャー（５）内のバッ
クグランド圧力は５　Ｘ　Ｌ　ＯＴｏｒｒとし、また蒸
着時の嵐空度はｌＸｌ０　〜３Ｘ１０Ｔ。

ｒｒで、非磁性基体（６）の基体温度は約６０℃に保っ
てＩｎ層及び磁性薄膜を被着形成した。

実施例Ｉ Ｉｎ層を５５人の厚さに形成し、さらに、ＣＯ−Ｃｒ磁
性薄膜を５００人形成したとき、得られた磁気記録媒体
について抗磁力Ｈｃ及び角形比ＲｓのＣｒ含有量依存性
について調べた。結果を第３図（Ａ）及び第３図（Ｂ）
に示す。

なお、上記抗磁力Ｈｃ及び角形比ＲｓはＶＳＭにて測定
した。またＣｒ含有量は、各膜厚センサ（１７）　、　
（ＩＴ）で測定した膜厚値から計算した。以下の実施例
においても同様とした。

第３図（Ａ）より、ＣＯに対するＣｒ含有量が増加する
に伴い、抗磁力Ｈｃは大きくなり、また、第３図（Ｂ）
に示すように、過剰のＣｒの添加は角形比Ｒｓの原因と
なることがわかる。

実施例２ Ｉｎ層を５５人の厚さに形成し、さらに、Ｃ０−Ｎｉ−
Ｃｒ磁性薄膜（Ｃｒ含有量１０〜１１原子％）を５００
人形成したとき、得られた磁気記録媒体について抗磁力
Ｈｃ及び角形比ＲｓのＮｉ含有量依存性について調べた
。結果を第′４図（Ａ）及び第４図（Ｂ）に示す。

なお、蒸着源（１０）には、Ｎｉ含有量が２０原子％の
Ｃｏ−Ｎｉ合金（以下、ＣｏＮｉ２６合金と略す、）を
使用した。また、Ｎｉ含有量は、蒸着源（ｌＯ）にｃｏ
−Ｎｉ２６合金を使用しているため、Ｃｏ及びＮｉの蒸
発速度が異なり、またＣｒが混入したため一定とはなら
ないが、本実施例では一定とみなして図示した（例えば
、Ｃｒ含有量が３０原子％の場合、Ｃｏ−Ｎｉ２Ｏを使
用して磁性薄膜を形成すると、Ｎｉ含有量は２０原子％
にはならず１４原子％程度になる）、以下の実施例にお
いても同様とした。

第４図（Ａ）及び第４図（Ｂ）より、実施例１で得られ
た磁性薄膜に、Ｎｉを１０〜２０原子％添加することに
より、抗磁力Ｈｃがさらに向上し、角形比Ｒ３も７５％
以上と高く、磁気特性が良好となることがわかる。

実施例３ Ｉｎ層を５５人の厚さに形成し、さらに、Ｃ。

−Ｎｉ−Ｃｒ磁性薄１１１１（ｃｒ含有量１６〜１８゜
８原子％）を５００人形成したとき、得られた磁気記録
媒体について抗磁力Ｈｃ及び角形比Ｒ５０Ｎｌ含有量依
存性について調べた。結果を第５図（Ａ）及び第５図（
Ｂ）に示す。

第５図（Ａ）及び第５図（Ｂ）より、実施例１で得られ
た磁性薄膜に対して、（、ｒ含有量を増加しても、Ｎｉ
含有量を１０〜２０原子％添加することにより、抗磁力
Ｈｃがさらに向上し、角形比Ｒｓも７０％以上と高く、
磁気特性が良好となることがわかる。

実施例４ Ｉｎ層を５５人の厚さに形成し、さらに、Ｃ。

−Ｎｉ−Ｃｒ磁性薄膜を５００人形成したとき、得られ
た磁気記録媒体について抗磁力Ｈｃ及び角形比ＲｓのＣ
ｒ含有量依存性について調べた。このときのＣｒ含有量
は、結果を第６図（Ａ）及び第６図（Ｂ）に示す。

第６図（Ａ）より、Ｃｏ−Ｎｉ２１１合金を使用したと
きに、Ｃｒ含有量がｌＯ〜２５原子％に原子力Ｈｃのピ
ークがあることがわかる。また、第６図（Ｂ）より、過
剰のＣｒの添加は角形比Ｒｓの低下の原因となることが
わかる。

実施例５ Ｉｎ層を形成し、さらに、Ｃｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｃｒ磁性
薄膜を５００人形成したとき、得られた磁気記録媒体に
ついて抗磁力Ｈｃ及び角形比Ｒ５０Ｉｎ層膜厚依存性に
ついて調べた。結果を第７図（Ａ）及び第７図（Ｂ）に
示す。

第７図（Ａ）より、Ｉｎ層の膜厚は、１００人近傍が最
も抗磁力Ｈｃが高くなることがわかる。

実施例６ Ｉｎ層を５５人の厚さに形成し、さらに、Ｃ０−Ｎ　ｉ
　−Ｃｒ磁性溝ｌ１ｌ（Ｃｒ含有量９．８〜１１゜６原
子％）を形成したとき、得られた磁気記録媒体について
抗磁力Ｈｅ及び角形比Ｒｓの磁性薄膜の膜厚依存性につ
いて調べた。結果を第８図（Ａ）及び第８図（Ｂ）に示
す。

第８図（Ａ）より、抗磁力Ｈｃは磁性薄膜の膜厚が薄い
程大きくなることがわかる。

なお、以上で測定した抗磁力Ｈｃ及び角形比Ｒｓは磁性
ＷＩ膜の面内方向である。（垂直方向の抗磁力Ｈｃ及び
角形比Ｒｓは面内方向のそれよりもかなり小さく、垂直
磁化膜にはなっていない、）また、磁性薄膜は、上述の
ように一層構造に限られるものではなく、上記Ｉｎ層を
介在させた多層構造としても良い。

以上により、Ｉｎ層を下地金属層としたＣｏ−Ｃｒある
いはＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒよりなる磁性薄膜を形成してなる
磁気記録媒体は磁性薄膜の面内方向に高い抗磁力Ｈｃ及
び角形比Ｒ３を有することがわかった。また、低い基体
温度でＩｎ層及び磁性薄膜が形成できるので、非磁性基
体として耐熱性に劣るポリエチレンテレフタレート等の
高分子フィルムの使用が可能となる。

実施例７ 実施例１で得た各磁気記録媒体について、温度６０℃、
相対湿度９５％の雰囲気中に２週間放置して表面観察し
た。その結果、Ｃｒを含有した磁性薄膜は孔食等の腐食
変化が認められなかったが、Ｃｏのみで磁性薄膜を形成
したものは、この膜の表面全体に孔食が生じていた。す
なわち、磁性薄膜の中にＣｒを含有させることにより、
磁性薄膜の耐蝕性が改善された。

〔発明の効果〕

以上の説明で明らかなように、本発明の磁気記録媒体は
非磁性基体上にＩｎ層を介してＣｏ−ＣｒあるいはＣｏ
−Ｎｉ−Ｃｒよりなる磁性薄膜を形成しているので、高
い抗磁力Ｈｃ及び角形比Ｒｓを得ることができる。

また、下地金属層が低融点金属であるＩｎよりなるので
、非磁性基体として耐熱性におとる高分子フィルムの使
用が可能となる。

さらに、垂直方向の蒸着等により金属薄膜が形成される
ので、磁性薄膜の充填密度が密になり磁束密度が高くな
るとともに、斜め蒸着法に較べて蒸着効率が高く生産性
が向上する。

さらにまた、上記磁気記録媒体は磁気的に面内等方性の
磁性薄膜であるため、テープ、ディスク等応用範囲が極
めて広い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記録媒体の構成を示す要部拡大断
面図、第２図は本実施例で使用した真空蒸着装置の概略
的な構成図である。 第３図ないし第８図は各実施例で得られた磁気記録媒体
に対して抗磁力Ｈｃ及び角形比Ｒｓを測定した結果を示
す磁気特性図であり、第３図（Ａ）はＩｎ層上にＣｏ−
Ｃｒ磁性１ｌＩｌｌ！を形成した磁気記録媒体のＣｒ含
有量依存性を示す抗磁力特性図、第３図（Ｂ）はその角
形比特性図、第４図（Ａ）はＩｎ層上にＣｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ磁性薄膜（Ｃｒ含有量１０〜１１原子％）を形成した
磁気記録媒体のＮｉ含有量依存性を示す抗磁力特性図、
第４図（Ｂ）はその角形比特性図、第５図（Ａ）はＩｎ
層上にＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ磁性薄ｌ１ｌ（Ｃｒ含有量１６
〜１８．８原子％）を形成した磁気記録媒体のＮｉ含有
量依存性を示す抗磁力特性図、第５図（Ｂ）はその角形
比特性図、第６図（Ａ）は１１層上にＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ
磁性薄膜を形成した磁気記録媒体のＣｒ含有量依存性を
示す抗磁力特性図、第６図（Ｂ）はその角形比特性図、
第７図（Ａ）はＩｎ層上にＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ磁性薄膜を
形成した磁気記録媒体のＩｎ層の膜厚依存性を示す抗磁
力特性図、第７図（Ｂ）はその角形比特性図、第８図（
Ａ）はＩｎ層上にＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ磁性薄膜を形成した
磁気記録媒体の磁性薄膜の膜厚依存性を示す抗磁力特性
図、第８図（Ｂ）はその角形比特性図である。 ｌ・・・・・非磁性基体 ２・・・・・Ｉｎ層（下地金属層） ３・・・・・磁性薄膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性基体上にＩｎ層を形成し、前記Ｉｎ層上にＣｏ−
   ＣｒあるいはＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒよりなる磁性薄膜を形成
   したことを特徴とする磁気記録媒体。