JPS58115628A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS58115628A JPS58115628A JP56212910A JP21291081A JPS58115628A JP S58115628 A JPS58115628 A JP S58115628A JP 56212910 A JP56212910 A JP 56212910A JP 21291081 A JP21291081 A JP 21291081A JP S58115628 A JPS58115628 A JP S58115628A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体の製造方法
に関する。
に関する。
短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂直記録
方式がある。この方式においては媒体の膜面に垂直方向
が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。このよ
うな媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜面に垂
直方向を向き、従って信号が短波長になる程媒体内反磁
界は減少し、２ベー二゛ 優れた再生出力が祷られる。垂直記録媒体は高分子材料
あるいは非磁性金属等の非磁性材料から成る基板上に、
ＣＯとＣｔを主成分とし垂直方向に磁化容易軸を有する
磁性層（以下この磁性層をＣ。
方式がある。この方式においては媒体の膜面に垂直方向
が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。このよ
うな媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜面に垂
直方向を向き、従って信号が短波長になる程媒体内反磁
界は減少し、２ベー二゛ 優れた再生出力が祷られる。垂直記録媒体は高分子材料
あるいは非磁性金属等の非磁性材料から成る基板上に、
ＣＯとＣｔを主成分とし垂直方向に磁化容易軸を有する
磁性層（以下この磁性層をＣ。
−Ｃｒ垂直磁化膜と呼ぶ）をスパッタリング法あるいは
直空蒸着法により形成したものである。Ｃ。
直空蒸着法により形成したものである。Ｃ。
とＣｒを主成分としたスパッタ膜あるいは蒸着膜は、Ｃ
ｒの量が約３０重量％以下の範囲では結晶系が稠密六方
構造であり、そのＣ軸を膜面に対して垂直方向に配向さ
せることができ、かつ垂直方向の異方性磁界か反磁界よ
りも大きくなるまで飽和磁化を低下させることが可能な
ので垂直磁化膜を実現できる。しかし基板上に直接にＣ
ｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を形成した垂直記録媒体（以下この
媒体を単層膜媒体と呼ぶ）は、信号を記録再生する際の
効率が低い。これを改善するために第１図に示すような
構造の媒体（以下この媒体を２層膜媒体と呼ぶ）が開発
されている。これは高分子材料あるいは非磁性金属等の
非磁性材料から成る基板１とＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜３
との間に、膜面内に磁化３ページ 容易軸を有するパーマロイ薄膜より成る磁性層２を設け
たものである。ただしパーマロイとはＦｅ及びＮｉを主
成分とする合金の総称である。この様な構造を有する２
層膜媒体を用いれば、単層膜媒体に比べ記録再生効率が
改善され、特に第２図に示す様な補助ｌＩ他極励磁垂直
５ツドにより信号を記録再生する際には、記録時及び再
生時いずれにおいても顕著な効率改善が認められている
。ただし第２図の４は強磁性薄膜より成る主磁極、６は
励磁巻線６の巻かれた強磁性コアより成る補助磁極であ
り、両磁極で媒体をはさんでいる。
ｒの量が約３０重量％以下の範囲では結晶系が稠密六方
構造であり、そのＣ軸を膜面に対して垂直方向に配向さ
せることができ、かつ垂直方向の異方性磁界か反磁界よ
りも大きくなるまで飽和磁化を低下させることが可能な
ので垂直磁化膜を実現できる。しかし基板上に直接にＣ
ｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を形成した垂直記録媒体（以下この
媒体を単層膜媒体と呼ぶ）は、信号を記録再生する際の
効率が低い。これを改善するために第１図に示すような
構造の媒体（以下この媒体を２層膜媒体と呼ぶ）が開発
されている。これは高分子材料あるいは非磁性金属等の
非磁性材料から成る基板１とＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜３
との間に、膜面内に磁化３ページ 容易軸を有するパーマロイ薄膜より成る磁性層２を設け
たものである。ただしパーマロイとはＦｅ及びＮｉを主
成分とする合金の総称である。この様な構造を有する２
層膜媒体を用いれば、単層膜媒体に比べ記録再生効率が
改善され、特に第２図に示す様な補助ｌＩ他極励磁垂直
５ツドにより信号を記録再生する際には、記録時及び再
生時いずれにおいても顕著な効率改善が認められている
。ただし第２図の４は強磁性薄膜より成る主磁極、６は
励磁巻線６の巻かれた強磁性コアより成る補助磁極であ
り、両磁極で媒体をはさんでいる。
以上の様に２層膜媒体によれば、単層膜媒体に比べ非常
に優れた記録再生効率が得られるが、非磁性基板上に形
成されたパーマロイ薄膜上にスパッタリング法あるいは
真空蒸着法にてＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜を形成すると、
非磁性基板上に直接に０−Ｃｒ垂直磁化膜を形成した場
合に比べてＣ軸の配向性が悪くなる。例えばポリイミド
フィルム上に真空蒸着法により厚み０．２μｍのＣｏ
−Ｃｒ膜を形成すると、膜のＣ４ｌの分散を表わす（０
０２）面のロッキング曲線の半値幅Δθ６ｏ は約６
°であるが、ポリイミドフィルム上に真空蒸着法により
厚み０．２μｍのパーマロイ膜を形成し、さらにその上
に真空蒸着法により厚み０．２μｍのＣｏ −Ｃｒ膜を
形成すると、このＣｏ−Ｃｒ膜の（００２）面のロッキ
ング曲線の半値幅Δθ６゜は約２０°と広がってしまい
、Ｃ軸の配向性がかなり悪くなる。
に優れた記録再生効率が得られるが、非磁性基板上に形
成されたパーマロイ薄膜上にスパッタリング法あるいは
真空蒸着法にてＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜を形成すると、
非磁性基板上に直接に０−Ｃｒ垂直磁化膜を形成した場
合に比べてＣ軸の配向性が悪くなる。例えばポリイミド
フィルム上に真空蒸着法により厚み０．２μｍのＣｏ
−Ｃｒ膜を形成すると、膜のＣ４ｌの分散を表わす（０
０２）面のロッキング曲線の半値幅Δθ６ｏ は約６
°であるが、ポリイミドフィルム上に真空蒸着法により
厚み０．２μｍのパーマロイ膜を形成し、さらにその上
に真空蒸着法により厚み０．２μｍのＣｏ −Ｃｒ膜を
形成すると、このＣｏ−Ｃｒ膜の（００２）面のロッキ
ング曲線の半値幅Δθ６゜は約２０°と広がってしまい
、Ｃ軸の配向性がかなり悪くなる。
Ｃ軸の配向性が悪くなることは電磁変換特性の劣化につ
ながるので好ましくない。上記の如（パーマロイ薄膜上
にＣｏ −Ｃｒ膜を形成すると、Ｃ軸の配向性が悪くな
る原因としてはエピタキシーの効果が考えられる。すな
わち配向性のあまり良くないパーマロイ薄膜上にＣｏ−
０τ膜を形成すると、エピタキシーの効果によりＣｏ
−Ｃｒ膜の配向性も悪くなってしまう。これを改善する
ためにはパーマロイ薄膜の配向性を良くすることが考え
られるが、実験の結果かなり困難であることが明らかに
なった。またパーマロイ薄膜とＣｏ −Ｃｒ膜との間に
中間層としてＴｉ膜、酸化Ｔｉ膜、 ８１０２膜等の非
磁性膜を形成するとＣｏ −Ｃｘ膜の配向性が改６ペー
ジ 善されるが、パーマロイ薄膜とＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜
との間にスペースが存在すると電磁変換特性が劣化し好
ましくない。
ながるので好ましくない。上記の如（パーマロイ薄膜上
にＣｏ −Ｃｒ膜を形成すると、Ｃ軸の配向性が悪くな
る原因としてはエピタキシーの効果が考えられる。すな
わち配向性のあまり良くないパーマロイ薄膜上にＣｏ−
０τ膜を形成すると、エピタキシーの効果によりＣｏ
−Ｃｒ膜の配向性も悪くなってしまう。これを改善する
ためにはパーマロイ薄膜の配向性を良くすることが考え
られるが、実験の結果かなり困難であることが明らかに
なった。またパーマロイ薄膜とＣｏ −Ｃｒ膜との間に
中間層としてＴｉ膜、酸化Ｔｉ膜、 ８１０２膜等の非
磁性膜を形成するとＣｏ −Ｃｘ膜の配向性が改６ペー
ジ 善されるが、パーマロイ薄膜とＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜
との間にスペースが存在すると電磁変換特性が劣化し好
ましくない。
本発明は以上のような点に鑑みなされたもので、２層膜
媒体において、パーマロイ薄膜とＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜
との間に中間層を設けることなく、Ｃ軸の配向性の良い
Ｇｏ −Ｃｒ垂直磁化膜を得るための２層膜媒体の製造
方法を提供しようとするものである。
媒体において、パーマロイ薄膜とＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜
との間に中間層を設けることなく、Ｃ軸の配向性の良い
Ｇｏ −Ｃｒ垂直磁化膜を得るための２層膜媒体の製造
方法を提供しようとするものである。
以下に本発明の説明を行う。
前述した様にパーマロイ薄膜上にＧｏ−Ｃｒ膜を形成す
るとＣｏ−Ｃｒ膜のＣ軸の配向性が悪くなる原因として
は、エピタキシーの効果が考えられるので、これを除去
することによりパーマロイ薄膜上に直接ｒ／ＣＣｏ −
Ｃｒ膜を形成しても、Ｇｏ−Ｃｒ膜の配向性が良くなる
ことが予想される。エピタキシーの効果を除去するため
にはパーマロイ薄膜表面の結晶性を変えることが考えら
れる。表面のみを変化させる簡単で実用性のある方法の
一つとして放電処理がある。本発明者の実験によれば放
電６ページ 状態にある酸素にパーマロイ薄膜表面をさらした後に、
Ｃｏ −Ｃｒ膜を形成するとΔ０６゜が小さくなること
が明らかになった。実験の結果の一例を次に述べる。ポ
リイミドフィルム上に真空蒸着法により厚み０．２μｍ
のパーマロイ薄膜を形成し、このパーマロイ薄膜表面を
放電状態にある酸素に２秒間さらす処理をした。第３図
に放電処理方法の一例を示す。図において７は直流電源
、８は電極であり、電極間距離を約１０ｃｍ、電極間電
圧を６００Ｖ 、酸素ガス圧を０．０３ Ｔｏｒｒ ト
シ”Ｃ２秒間放電させた。この処理の後にパーマロイ薄
膜上に厚み０．２μｍのＣｏ −Ｃｒ膜を真空蒸着法に
より形成すると、Ｇｏ −Ｃｒ膜のΔθ５゜は約７°で
あり、放電処理をしない場合に比べ配向性は大幅に改善
され、ポリイミドフィルム上に直接にＣｏ−Ｃｒ膜と形
成また場合とほぼ等しいΔθ６ｏの値を得た。 ′以
上の様にパーマロイ薄膜表面を酸素で放電処理すること
によりＣｏ −Ｃｒ膜の配向性が良くなる原因は以下の
様に考えられる。酸素の放電処理によりパーマロイ薄膜
の表面（厚み１０Ａ以下の領域と思われる）が酸化され
、その結果パーマロイ薄膜表面の格子定数、配向性等が
変化しエピタキシーの効果が弱くなるものと思われる。
るとＣｏ−Ｃｒ膜のＣ軸の配向性が悪くなる原因として
は、エピタキシーの効果が考えられるので、これを除去
することによりパーマロイ薄膜上に直接ｒ／ＣＣｏ −
Ｃｒ膜を形成しても、Ｇｏ−Ｃｒ膜の配向性が良くなる
ことが予想される。エピタキシーの効果を除去するため
にはパーマロイ薄膜表面の結晶性を変えることが考えら
れる。表面のみを変化させる簡単で実用性のある方法の
一つとして放電処理がある。本発明者の実験によれば放
電６ページ 状態にある酸素にパーマロイ薄膜表面をさらした後に、
Ｃｏ −Ｃｒ膜を形成するとΔ０６゜が小さくなること
が明らかになった。実験の結果の一例を次に述べる。ポ
リイミドフィルム上に真空蒸着法により厚み０．２μｍ
のパーマロイ薄膜を形成し、このパーマロイ薄膜表面を
放電状態にある酸素に２秒間さらす処理をした。第３図
に放電処理方法の一例を示す。図において７は直流電源
、８は電極であり、電極間距離を約１０ｃｍ、電極間電
圧を６００Ｖ 、酸素ガス圧を０．０３ Ｔｏｒｒ ト
シ”Ｃ２秒間放電させた。この処理の後にパーマロイ薄
膜上に厚み０．２μｍのＣｏ −Ｃｒ膜を真空蒸着法に
より形成すると、Ｇｏ −Ｃｒ膜のΔθ５゜は約７°で
あり、放電処理をしない場合に比べ配向性は大幅に改善
され、ポリイミドフィルム上に直接にＣｏ−Ｃｒ膜と形
成また場合とほぼ等しいΔθ６ｏの値を得た。 ′以
上の様にパーマロイ薄膜表面を酸素で放電処理すること
によりＣｏ −Ｃｒ膜の配向性が良くなる原因は以下の
様に考えられる。酸素の放電処理によりパーマロイ薄膜
の表面（厚み１０Ａ以下の領域と思われる）が酸化され
、その結果パーマロイ薄膜表面の格子定数、配向性等が
変化しエピタキシーの効果が弱くなるものと思われる。
なお酸素以外に窒素、Ａｒを放電状態にしたパーマロイ
薄膜の表面処理を行なった場合には酸素のような効果は
みられず、Ｃｏ −Ｃｒ膜の配向性は良くならなかった
。また放電状態にない酸素にパーマロイ薄膜をさらした
場合にも、上記の様な効果はみられなかった。放電状態
にある酸素に比べ単なる酸素はエネルギーが低く、パー
マロイ薄膜表面を酸化する力が弱いものと思われる。な
お放電を生じさせるための電源としては直流電源７以外
に交流電源あるいは高周波電源を用いても良い。
薄膜の表面処理を行なった場合には酸素のような効果は
みられず、Ｃｏ −Ｃｒ膜の配向性は良くならなかった
。また放電状態にない酸素にパーマロイ薄膜をさらした
場合にも、上記の様な効果はみられなかった。放電状態
にある酸素に比べ単なる酸素はエネルギーが低く、パー
マロイ薄膜表面を酸化する力が弱いものと思われる。な
お放電を生じさせるための電源としては直流電源７以外
に交流電源あるいは高周波電源を用いても良い。
以上の様に放電状態にある酸素にパーマロイ落慶表面を
さらした後にＣｏ −Ｃｒ膜を形成すると、Ｃ軸配向性
の＾いＣｏ −Ｃｒ垂直磁化膜が得られる。
さらした後にＣｏ −Ｃｒ膜を形成すると、Ｃ軸配向性
の＾いＣｏ −Ｃｒ垂直磁化膜が得られる。
また本方法によればパーマロイ薄膜とα−Ｏｒ垂直磁化
膜との間に中間層がなく、従って非常に優れた２層膜媒
体が得られる。
膜との間に中間層がなく、従って非常に優れた２層膜媒
体が得られる。
第１図は２層媒体の構造を示す断面図、第２図は補助磁
極励磁型垂直ヘッドを用いて磁気記録媒体に信号を記録
再生する様子を示す図、第３図は本発明による方法にお
ける放電処理方法の一例を示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・磁性層、３・・・・
・・垂直磁化膜、７・・・・・・直流電源、８・・・・
・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １２図 に 一−＼ へ４ 第３図 ／７ ？ Ｆ −１３■− ］ ＼θ
極励磁型垂直ヘッドを用いて磁気記録媒体に信号を記録
再生する様子を示す図、第３図は本発明による方法にお
ける放電処理方法の一例を示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・磁性層、３・・・・
・・垂直磁化膜、７・・・・・・直流電源、８・・・・
・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １２図 に 一−＼ へ４ 第３図 ／７ ？ Ｆ −１３■− ］ ＼θ
Claims (1)
- 高分子材料あるいは非磁性金属等の非磁性材料よりなる
基板上にパーマロイ薄膜を形成し、前記パーマロイ薄膜
表面を放電状態にある酸素にさらした後に、前記パーマ
ロイ薄膜上に膜面に垂直方向に磁化容易軸を有しＣｏと
Ｃｒを主成分とする磁性層を形成することを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56212910A JPS58115628A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56212910A JPS58115628A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58115628A true JPS58115628A (ja) | 1983-07-09 |
Family
ID=16630299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56212910A Pending JPS58115628A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58115628A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62162222A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-18 | Teijin Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP56212910A patent/JPS58115628A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62162222A (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-18 | Teijin Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
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