JPS6052930A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6052930A JPS6052930A JP16051283A JP16051283A JPS6052930A JP S6052930 A JPS6052930 A JP S6052930A JP 16051283 A JP16051283 A JP 16051283A JP 16051283 A JP16051283 A JP 16051283A JP S6052930 A JPS6052930 A JP S6052930A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は垂直磁気記録媒体の製造方法に関し、更に詳し
くは可撓性を有する有機高分子の基板上にＮｉ Ｆｅ合
金膜からなる軟磁性層とＣＯ系合金膜からなる垂直磁気
記録層を形成した垂直磁気記録媒体の製造方法に関する
。
くは可撓性を有する有機高分子の基板上にＮｉ Ｆｅ合
金膜からなる軟磁性層とＣＯ系合金膜からなる垂直磁気
記録層を形成した垂直磁気記録媒体の製造方法に関する
。
［従来技術］
近年、高密度記録特性の優れた磁気記録方式として、垂
直磁気記録方式が提案されている。この方式は、特公昭
５８−９１号公報、特公昭５８− １０７６４号公報等
で公知の如く、磁化容易軸が膜面に対して垂直な方向を
有する記録媒体を用い、残留磁化が膜面に対して垂直に
向くように記録するもので、信号が高密度になるほど媒
体内反磁界は減少し、優れた記録及び再生を行なうこと
ができる。この方式に適する藺録媒体としてＣＯ系合金
薄膜（特にＣ０Ｃｒ合金薄膜）が公知である。特に、特
公昭５８−９１４公報に提案されているＣＯ系合金薄膜
の下地にパーマロイ合金のような軟磁性層を設けた垂直
磁気配録媒体は、記録効率が向上できるとともに、大ぎ
な再生出力が得られる点から注目されている。
直磁気記録方式が提案されている。この方式は、特公昭
５８−９１号公報、特公昭５８− １０７６４号公報等
で公知の如く、磁化容易軸が膜面に対して垂直な方向を
有する記録媒体を用い、残留磁化が膜面に対して垂直に
向くように記録するもので、信号が高密度になるほど媒
体内反磁界は減少し、優れた記録及び再生を行なうこと
ができる。この方式に適する藺録媒体としてＣＯ系合金
薄膜（特にＣ０Ｃｒ合金薄膜）が公知である。特に、特
公昭５８−９１４公報に提案されているＣＯ系合金薄膜
の下地にパーマロイ合金のような軟磁性層を設けた垂直
磁気配録媒体は、記録効率が向上できるとともに、大ぎ
な再生出力が得られる点から注目されている。
ところで、上述の垂直磁気記録媒体において、安価で且
つ機械的特性に優れたポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）等の有機高分子のフィルムを基板として、その上
にスパッタリング法により軟磁性層及び記録層を形成し
た場合、その表面が粗面化されると共に軟磁性♂シ磁気
特性が劣化し、所望の記録特性及び再生特性が得られな
い問題がある。
つ機械的特性に優れたポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）等の有機高分子のフィルムを基板として、その上
にスパッタリング法により軟磁性層及び記録層を形成し
た場合、その表面が粗面化されると共に軟磁性♂シ磁気
特性が劣化し、所望の記録特性及び再生特性が得られな
い問題がある。
Ｌ本発明の目的］
本発明はかかる問題を解決すべくなされたもので、有機
高分子からなる基板を用いたかかる問題のない垂直磁気
記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
高分子からなる基板を用いたかかる問題のない垂直磁気
記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
［本発明の構成及び作用効果］
前述の目的は以下の本発明により達成される。
りなわら、本発明は可撓性の有機高分子の基板上にＮｉ
、Ｆｅを主成分とする合金膜からなる軟磁性層とＣＯ系
合金膜よりなる記録層とを有する垂直Ｉｔ気記録媒体を
製造するに際し、前記軟磁性層を１２０℃以下の基板温
度で形成し、次いで前記記録層を形成することを特徴と
する垂直磁気記録媒体の製造方法である。
、Ｆｅを主成分とする合金膜からなる軟磁性層とＣＯ系
合金膜よりなる記録層とを有する垂直Ｉｔ気記録媒体を
製造するに際し、前記軟磁性層を１２０℃以下の基板温
度で形成し、次いで前記記録層を形成することを特徴と
する垂直磁気記録媒体の製造方法である。
上述の本発明は以下のようにしてなされたものである。
本発明の対象である基板上に軟磁性層と記録層とを有す
る垂直磁気記録媒体（以下二層膜媒体という）において
、高密度記録が可能で実用となる再生出力を得るために
は、記録層のｃｏ系合金膜の膜面に垂直方向の保磁力が
適当な値（大略５００±１５００ｅ （エルステッド）
程度）を有することが必要である。これを満足するＣＯ
系合金膜を得るには、その膜形成時の基板温度を一定温
度以上に保持しなければならない。例えば、ＣＯ系合金
膜がＣ０Ｃｒ合金膜の場合には、その垂直方向の保磁力
口ＣＶとこれをスパッタリング法によって形成する際の
基板温度Ｔとは、第１図に示ずような関係にあり、３５
００ ｅ以上の保磁カドｌｃｖを得るには基板温度Ｔは
１４０℃以上の高温にする必要がある。なお、第３図の
基板温度Ｔは基板を移送するキャンの表面温度である。
る垂直磁気記録媒体（以下二層膜媒体という）において
、高密度記録が可能で実用となる再生出力を得るために
は、記録層のｃｏ系合金膜の膜面に垂直方向の保磁力が
適当な値（大略５００±１５００ｅ （エルステッド）
程度）を有することが必要である。これを満足するＣＯ
系合金膜を得るには、その膜形成時の基板温度を一定温
度以上に保持しなければならない。例えば、ＣＯ系合金
膜がＣ０Ｃｒ合金膜の場合には、その垂直方向の保磁力
口ＣＶとこれをスパッタリング法によって形成する際の
基板温度Ｔとは、第１図に示ずような関係にあり、３５
００ ｅ以上の保磁カドｌｃｖを得るには基板温度Ｔは
１４０℃以上の高温にする必要がある。なお、第３図の
基板温度Ｔは基板を移送するキャンの表面温度である。
そして、種々検問の結果、本発明者らは前述したように
有機高分子の基板を用いた二層膜媒体の表面が粗面化し
たり、軟磁性層の軟磁気特性が劣化するのは、前述の高
温下での記録層形成時等に基板表面に基板中に含まれる
揮発分が析出することに原因があることをつきとめ本発
明に到達した。
有機高分子の基板を用いた二層膜媒体の表面が粗面化し
たり、軟磁性層の軟磁気特性が劣化するのは、前述の高
温下での記録層形成時等に基板表面に基板中に含まれる
揮発分が析出することに原因があることをつきとめ本発
明に到達した。
以下、その点をＰ Ｅ Ｔ 基板上に軟磁性層としてＮ
ｉ Ｆｅｌｙｌｏ合金膜を、記録層としてＣｏ Ｃｒ合
金膜をスパッタリング法により形成した二層膜媒体の例
に基いて詳述する。
ｉ Ｆｅｌｙｌｏ合金膜を、記録層としてＣｏ Ｃｒ合
金膜をスパッタリング法により形成した二層膜媒体の例
に基いて詳述する。
第２図にＮｉ 「ｅＭｏ合金よりなる厚さ０．４４μ汎
の軟磁性層の形成時の基板温度Ｔとその面内方向の保磁
力Ｈｃｈとの関係をミ第４図に前述の二層膜媒体の軟磁
性層の該保磁力Ｈｃｈと２ＫＦＲＰＩ矩形波の記録再生
用ツノＥＤとの関係を示した。
の軟磁性層の形成時の基板温度Ｔとその面内方向の保磁
力Ｈｃｈとの関係をミ第４図に前述の二層膜媒体の軟磁
性層の該保磁力Ｈｃｈと２ＫＦＲＰＩ矩形波の記録再生
用ツノＥＤとの関係を示した。
なお、記録再生時１ノ１の測定条件を表−１に示した。
使用したヘッドは特公昭５８−９１号開示の補助！ｉ極
励磁型の垂直ヘッドを用いた。さらに軟磁性層上に形成
した記録層のＣｏ Ｃｒ合金薄膜（Ｃｒ：２０重皐％）
の特性を表−２に示した。
励磁型の垂直ヘッドを用いた。さらに軟磁性層上に形成
した記録層のＣｏ Ｃｒ合金薄膜（Ｃｒ：２０重皐％）
の特性を表−２に示した。
表−１：電磁変換特性の測定条件
表−２：ＣＯＣｒ合金薄膜の特性
〈＊〉 Δθ艶：×線回折のｈｃｐ （００２）面のロ
ツギング曲線の半値巾従来は軟磁性層の磁気特性（１１
Ｃ等）にあまり注意が払われていなかっ１＝が、第２図
、第３図より軟磁性層形成時の基板温度Ｔと軟磁性層の
保磁力１−ＩｃＩＩど二層膜媒体の再生出力Ｅｐには明
瞭な関係が存在することが判明した。すなわち良好な再
生出力Ｅｐを得るには、低い基板温度Ｔで基板よりの揮
発力の析出を防止しながら軟磁性膜を形成する必要があ
る。なお、かかる基板よりの揮発分とは、水分等基板表
面の吸着物があるが、特に両面に磁性層を有するフロッ
ピーディスクのごとき両面媒体においては基板のＰＥＴ
フィルムより析１１１１ノ、表面で結晶化する主として
３樋体よりなるオリゴマーが、表面を粗面化し、大きな
問題となる。
ツギング曲線の半値巾従来は軟磁性層の磁気特性（１１
Ｃ等）にあまり注意が払われていなかっ１＝が、第２図
、第３図より軟磁性層形成時の基板温度Ｔと軟磁性層の
保磁力１−ＩｃＩＩど二層膜媒体の再生出力Ｅｐには明
瞭な関係が存在することが判明した。すなわち良好な再
生出力Ｅｐを得るには、低い基板温度Ｔで基板よりの揮
発力の析出を防止しながら軟磁性膜を形成する必要があ
る。なお、かかる基板よりの揮発分とは、水分等基板表
面の吸着物があるが、特に両面に磁性層を有するフロッ
ピーディスクのごとき両面媒体においては基板のＰＥＴ
フィルムより析１１１１ノ、表面で結晶化する主として
３樋体よりなるオリゴマーが、表面を粗面化し、大きな
問題となる。
本発明者らの真空中でのＰＵＴよりのオリゴマー析出状
況の研究において、オリゴマーの析出・結晶化は主とし
て加熱面、ずなわち高温のキャンに接触する面で発生し
、大気中とは挙動が異ることが判明した。すなわち、基
板の片面にのみ磁性層を有する媒体の作製時においては
、基板の磁性層側へのオリゴマー析出↓まなく（又は、
析出してもすぐに昇華し）、軟磁性層の磁気特性を若干
損うのみで表面を粗面化することはないが、両面に磁性
層を有する媒体においては、片面の磁性層。
況の研究において、オリゴマーの析出・結晶化は主とし
て加熱面、ずなわち高温のキャンに接触する面で発生し
、大気中とは挙動が異ることが判明した。すなわち、基
板の片面にのみ磁性層を有する媒体の作製時においては
、基板の磁性層側へのオリゴマー析出↓まなく（又は、
析出してもすぐに昇華し）、軟磁性層の磁気特性を若干
損うのみで表面を粗面化することはないが、両面に磁性
層を有する媒体においては、片面の磁性層。
記録層のスパッタ膜形成時に反対面に析出・結晶化する
オリゴマーの為に反対面が粗面化し大ぎな問題となる。
オリゴマーの為に反対面が粗面化し大ぎな問題となる。
ところで、かかるオリゴマーの析出は、２軸延伸ＰＥＴ
フイルムでは延伸倍率や熱固定温度により１０〜２０℃
程度の差を有し、ポリエチレンナフタレートではやや少
ないものの、概略１２０ ’Ｃ以上で現れ、特に１４０
℃以上では顕著となる。オリゴマーの析出した媒体にお
いては、スペーシングロスによる出力低下のみでなく、
基板とその−Ｌに形成される合金膜どの接着性や耐久性
が劣化するという問題がある。
フイルムでは延伸倍率や熱固定温度により１０〜２０℃
程度の差を有し、ポリエチレンナフタレートではやや少
ないものの、概略１２０ ’Ｃ以上で現れ、特に１４０
℃以上では顕著となる。オリゴマーの析出した媒体にお
いては、スペーシングロスによる出力低下のみでなく、
基板とその−Ｌに形成される合金膜どの接着性や耐久性
が劣化するという問題がある。
本発明は以上に述べた知見に基いてなされたものであり
、従って、前述した本発明により低保磁力の軟磁性層を
有し、表面性も損われていない良好な高分子基板の二層
膜媒体が得られることは明らかである。
、従って、前述した本発明により低保磁力の軟磁性層を
有し、表面性も損われていない良好な高分子基板の二層
膜媒体が得られることは明らかである。
更に、フロッピーディスクに適した第４図に示すように
、基板Ｆの両面に軟磁性層Ｓと記録層Ｒを設けた両面二
層膜媒体においては、軟磁性層Ｓを両面に形成した後、
記録層Ｒを形成することにより、両面共良好な特性の高
分子基板の両面二層膜媒体が得られる。
、基板Ｆの両面に軟磁性層Ｓと記録層Ｒを設けた両面二
層膜媒体においては、軟磁性層Ｓを両面に形成した後、
記録層Ｒを形成することにより、両面共良好な特性の高
分子基板の両面二層膜媒体が得られる。
なお、本発明において基板温度とは、基板の温度を規制
する冷却キャン、基板ホルダー等の基板との接触面の温
度をいう。
する冷却キャン、基板ホルダー等の基板との接触面の温
度をいう。
又、本発明の基板は有機高分子−フィルムからなるもの
である。有機高分子としては、ポリエステル、ポリイミ
ド等公知のものが適用できるが、安価で表面性１寸法安
定性等の機械的特性に優れたエチレンテレフタレートま
たはエチレンナフタレートを主構成成分とするポリエス
テルが好まし０゜なお、本発明の軟磁性層はＮ＋Ｆｅ合
金やＮｉＦｅＭｏ合金よりなるいわゆるパーマロイを代
表とするものであるが、他にＣＯ，Ｆ Ｑを主成分とし
、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｂ、Ｓｉ等を添加Ｌ ｔｃ
７−Ｅ ）Ｌｉ ７アス合金も使用され得る。記録層は
Ｃｒを１０〜２５重量％含有するＣｏ Ｏｒ金合金代表
とするが、他にＣ０ＣｒにＲｅ、Ｗ、ＭＯ，Ｔａ等を添
加したものやバリウムフェライト等も使用され得る。作
製法はスパッタ法が好ましいが、蒸着、イオンブレーテ
ィングでもよい。又、軟磁性層と記録層の間に中間層が
あっても、記録層上に適当な保護層があってもよく、又
基板上に接着層があってもよい。
である。有機高分子としては、ポリエステル、ポリイミ
ド等公知のものが適用できるが、安価で表面性１寸法安
定性等の機械的特性に優れたエチレンテレフタレートま
たはエチレンナフタレートを主構成成分とするポリエス
テルが好まし０゜なお、本発明の軟磁性層はＮ＋Ｆｅ合
金やＮｉＦｅＭｏ合金よりなるいわゆるパーマロイを代
表とするものであるが、他にＣＯ，Ｆ Ｑを主成分とし
、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｂ、Ｓｉ等を添加Ｌ ｔｃ
７−Ｅ ）Ｌｉ ７アス合金も使用され得る。記録層は
Ｃｒを１０〜２５重量％含有するＣｏ Ｏｒ金合金代表
とするが、他にＣ０ＣｒにＲｅ、Ｗ、ＭＯ，Ｔａ等を添
加したものやバリウムフェライト等も使用され得る。作
製法はスパッタ法が好ましいが、蒸着、イオンブレーテ
ィングでもよい。又、軟磁性層と記録層の間に中間層が
あっても、記録層上に適当な保護層があってもよく、又
基板上に接着層があってもよい。
要は軟磁性層と記録層を主要構成とする媒体であれば本
発明が適用可能である。
発明が適用可能である。
以下に本発明の実施例を比較例と共に説明する。
まず、実施例に用いた巻取式の対向ターゲットスパッタ
装置を説明する。該対向ターゲットスパック装置は、特
開昭５８−１５８３８０号公報等で公知の対向ターゲッ
ト式スパッタ法と同一原理に基づくもので、長尺の基板
フィルムの両面に二層膜媒体を連続的に製造できるよう
に第５図に示す構成となっている。すなわち、図の１１
．１２は温度コントロール可能なキャン、１３は巻出し
ロール、１４は巻取ロール、１５はガイドロール、２０
は真空槽、２１はアルゴンガス導入系、２２は排気口で
ある。Ｆは基板フィルｌ＼であり、Ｐ１〜Ｐ４は３３０
＃１ＩＲＷＸ １５０＃Ｌのターゲット２枚を対向させ
た対向ターゲット陰極で、遮蔽板Ｔにより不要部への粒
子飛散を防止しである。Ｐ＋ 、Ｐａは軟磁性層用の合
金ターゲラ１〜．Ｐ２ 、Ｐａは記録層用合金ターゲッ
トを設置する。なお、対向ターゲット式スパッタ法は前
述の通り公知であり、付帯設備の真空ポンプ。
装置を説明する。該対向ターゲットスパック装置は、特
開昭５８−１５８３８０号公報等で公知の対向ターゲッ
ト式スパッタ法と同一原理に基づくもので、長尺の基板
フィルムの両面に二層膜媒体を連続的に製造できるよう
に第５図に示す構成となっている。すなわち、図の１１
．１２は温度コントロール可能なキャン、１３は巻出し
ロール、１４は巻取ロール、１５はガイドロール、２０
は真空槽、２１はアルゴンガス導入系、２２は排気口で
ある。Ｆは基板フィルｌ＼であり、Ｐ１〜Ｐ４は３３０
＃１ＩＲＷＸ １５０＃Ｌのターゲット２枚を対向させ
た対向ターゲット陰極で、遮蔽板Ｔにより不要部への粒
子飛散を防止しである。Ｐ＋ 、Ｐａは軟磁性層用の合
金ターゲラ１〜．Ｐ２ 、Ｐａは記録層用合金ターゲッ
トを設置する。なお、対向ターゲット式スパッタ法は前
述の通り公知であり、付帯設備の真空ポンプ。
ターゲット冷却水系統、ターゲットへの電力供給電源及
び配線系統は図示省略した。又、そのスパッタ作用の説
明も省略する。
び配線系統は図示省略した。又、そのスパッタ作用の説
明も省略する。
上述の構成ににり二層膜媒体は以下のように作成される
。すなわら、基板フィルムＦを巻出し〇−ル１３にセラ
１〜したフィルムロールより送り出し、巻取ロール１４
に巻取る。この間にターゲットＰ＋。
。すなわら、基板フィルムＦを巻出し〇−ル１３にセラ
１〜したフィルムロールより送り出し、巻取ロール１４
に巻取る。この間にターゲットＰ＋。
Ｐ２ 、Ｐａ 、Ｐ４を全部動作させれば、−回で両面
二層膜媒体が得られる。又、Ｐ＋ 、Ｐａのみを動作さ
せて軟磁性層を形成した後、巻き戻しながらＰ２ 、Ｐ
ａのみを動作させて記録層を形成して両面二層膜媒体を
形成することもできる。このように種々の態様で両面二
層膜媒体を作成できるようになっている。
二層膜媒体が得られる。又、Ｐ＋ 、Ｐａのみを動作さ
せて軟磁性層を形成した後、巻き戻しながらＰ２ 、Ｐ
ａのみを動作させて記録層を形成して両面二層膜媒体を
形成することもできる。このように種々の態様で両面二
層膜媒体を作成できるようになっている。
［実施例］
第５図に示した上述の対向ターゲット式スパッタ装置を
用い５０μｍ厚さ、中２４０＃ｌＩＩ＋の長尺の２軸延
伸ＰＥＴ’：１フイルムを基板どして用い、約ｏ、４４
ｕｍのＮｉ Ｆｅ Ｍｏ （Ｎｉ ニア９． Ｆｅ ：
１６． Ｍｏ ：５ｗｔ％）合金薄膜と、約０．４４１
１ｍのＣｏ Ｃｒ（Ｃｒ：２０ｗｔ％）合金薄膜を両面
に有する両面二層膜媒体を作成した。対向ターゲットＰ
１とＰａはＮｉＦｅＭｏ合金ターゲット（３３０ｍｍ×
１５０ｍｍ＞２枚を有する対向ターゲラ１−とし、Ｐ２
どＰ４はＣ０Ｃｒ合金ターゲット（３３０＃１ＩＩＩＸ
１５０ｍ） ２枚を有する対向ターゲットとして、以
下のように作成した。
用い５０μｍ厚さ、中２４０＃ｌＩＩ＋の長尺の２軸延
伸ＰＥＴ’：１フイルムを基板どして用い、約ｏ、４４
ｕｍのＮｉ Ｆｅ Ｍｏ （Ｎｉ ニア９． Ｆｅ ：
１６． Ｍｏ ：５ｗｔ％）合金薄膜と、約０．４４１
１ｍのＣｏ Ｃｒ（Ｃｒ：２０ｗｔ％）合金薄膜を両面
に有する両面二層膜媒体を作成した。対向ターゲットＰ
１とＰａはＮｉＦｅＭｏ合金ターゲット（３３０ｍｍ×
１５０ｍｍ＞２枚を有する対向ターゲラ１−とし、Ｐ２
どＰ４はＣ０Ｃｒ合金ターゲット（３３０＃１ＩＩＩＸ
１５０ｍ） ２枚を有する対向ターゲットとして、以
下のように作成した。
すなわち、基板フィルムＦを巻出しロール１３より繰出
しながら９０℃に保ったキャン１１．１２上を送行さゼ
ながら対向ターゲットＰ１とＰａでアルゴンガス圧０．
５Ｐａ、平均堆積速度０．３μｍ／ｍｔｎでスパッタを
行いＮｉＦｅＭｏ合金薄膜を両面に形成し、巻取ロール
１４に巻取った。しがる後にキャン１１．１２を１５０
℃に保ち、全ロールを逆転させ対向ターゲラｈＰ２とＰ
４でアルゴンガス圧０．５Ｐａ、平均堆積速度０．３μ
′ｒｒＬ／１ｌｌｉｎでスパッタを行いＣ０Ｃｒ合金薄
膜を該ＮｉＦｅＭｏ合金薄膜上に形成し、巻出しロール
１３に巻取り両面二層膜媒体を作製した。
しながら９０℃に保ったキャン１１．１２上を送行さゼ
ながら対向ターゲットＰ１とＰａでアルゴンガス圧０．
５Ｐａ、平均堆積速度０．３μｍ／ｍｔｎでスパッタを
行いＮｉＦｅＭｏ合金薄膜を両面に形成し、巻取ロール
１４に巻取った。しがる後にキャン１１．１２を１５０
℃に保ち、全ロールを逆転させ対向ターゲラｈＰ２とＰ
４でアルゴンガス圧０．５Ｐａ、平均堆積速度０．３μ
′ｒｒＬ／１ｌｌｉｎでスパッタを行いＣ０Ｃｒ合金薄
膜を該ＮｉＦｅＭｏ合金薄膜上に形成し、巻出しロール
１３に巻取り両面二層膜媒体を作製した。
以上の媒体を０．３インチ巾にスリ、ツトし表−１の条
件で再生出力を調べたが、表裏共２ＫＦＲＰ■出力が１
６５〜２１ＦｉμＶｏ−Ｄ 、 ４５Ｋ Ｆ ＲＰ Ｉ
出力が５５〜６０μＶ ｏ−ｐであり良好であった。
件で再生出力を調べたが、表裏共２ＫＦＲＰ■出力が１
６５〜２１ＦｉμＶｏ−Ｄ 、 ４５Ｋ Ｆ ＲＰ Ｉ
出力が５５〜６０μＶ ｏ−ｐであり良好であった。
［比較例］
実施例に用いたのと同じＰＥＴフィルムを基板フィルム
Ｆとして用い、基板フィルムＦを巻出しロール１３より
繰り出しながら １４０℃に保ったキャン１１．１２を
通過させ巻取ロール１４に巻取る間に、対向ターゲラ１
〜Ｐ１〜Ｐ４のすべてを動作させてスパッタを行い一気
に基板フィルムＦの表裏にＣ０Ｃｒ合金薄膜とＮｉＦｅ
Ｍｏ合金薄膜よりなる両面二層膜媒体を作製した。
Ｆとして用い、基板フィルムＦを巻出しロール１３より
繰り出しながら １４０℃に保ったキャン１１．１２を
通過させ巻取ロール１４に巻取る間に、対向ターゲラ１
〜Ｐ１〜Ｐ４のすべてを動作させてスパッタを行い一気
に基板フィルムＦの表裏にＣ０Ｃｒ合金薄膜とＮｉＦｅ
Ｍｏ合金薄膜よりなる両面二層膜媒体を作製した。
キャン１１で作製した面にはオリゴマーの析出・結晶化
は認められなかったが、記録再生出力は実施例に比べ約
４ ｄＢ低下した。キャン１２で作製した面にはオリゴ
マーが多発し、記録再生出力は８ｄＢ以上低下し、さら
に合金薄膜と基板フィルムとの接着性がわるく媒体の記
録再生の繰返しに対する耐久性がきわめてわるがった。
は認められなかったが、記録再生出力は実施例に比べ約
４ ｄＢ低下した。キャン１２で作製した面にはオリゴ
マーが多発し、記録再生出力は８ｄＢ以上低下し、さら
に合金薄膜と基板フィルムとの接着性がわるく媒体の記
録再生の繰返しに対する耐久性がきわめてわるがった。
第１図は基板温度ＴとＣｏ ｃｒ金合金りなる記録層の
垂直方向に測定した保磁力Ｈｃｖとの関係を示すグラフ
、第２図は基板温度ＴとＮｉＦｅＭ。 合金よりなる軟磁性層の保磁力Ｈｃｈとの関係を示すグ
ラフ、第３図は軟磁性層の保磁力１−Ｉｃｈと再生出力
Ｅｐとの関係を示すグラフ、第４図は垂直磁気記録媒体
の構成を示した断面図、第５図は巻取式の連続対向ター
ゲット式スパッタ装置の概略構成図である。 Ｆは基板、Ｓは軟磁性層、Ｒは記録層、 １１．１２は
キャン、（〕１〜Ｐ４は対向ターゲット陰極佛。 ２０は真空槽、２１はアルゴンガス導入部、２２は排気
口である。 特許出願人 帝 人 株 式 会 礼 式 理 人 弁理士 前 １） 純 博−；７′３図
垂直方向に測定した保磁力Ｈｃｖとの関係を示すグラフ
、第２図は基板温度ＴとＮｉＦｅＭ。 合金よりなる軟磁性層の保磁力Ｈｃｈとの関係を示すグ
ラフ、第３図は軟磁性層の保磁力１−Ｉｃｈと再生出力
Ｅｐとの関係を示すグラフ、第４図は垂直磁気記録媒体
の構成を示した断面図、第５図は巻取式の連続対向ター
ゲット式スパッタ装置の概略構成図である。 Ｆは基板、Ｓは軟磁性層、Ｒは記録層、 １１．１２は
キャン、（〕１〜Ｐ４は対向ターゲット陰極佛。 ２０は真空槽、２１はアルゴンガス導入部、２２は排気
口である。 特許出願人 帝 人 株 式 会 礼 式 理 人 弁理士 前 １） 純 博−；７′３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）可撓性の右機高分子基板上にＮｉ、Ｆｅを主成分と
する合金膜からなる軟磁性層とＧＯ系合金膜よりなる記
録層とを形成した垂直磁気記録媒体をＩＩＪ造づるに際
に、前記軟磁性層を１２０℃以下の基板温度で形成し、
次いで前記記録層を形成することを特徴とする垂直磁気
記録媒体の製造方法。 ２）前記軟磁性層を前記基板の両面に形成した後に、前
記記録層を形成する特許請求の範囲第１項記載の垂直磁
気記録媒体の製造方法。 ３）前記基板がエチレンテレフタレートまたはエチレン
ナフタレ−１〜を主構成成分とするポリエステルからな
る特許請求の範囲第１項若しくは第２項記載の垂直磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16051283A JPS6052930A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16051283A JPS6052930A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6052930A true JPS6052930A (ja) | 1985-03-26 |
| JPH0320816B2 JPH0320816B2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=15716546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16051283A Granted JPS6052930A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6052930A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326828A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS63197027A (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-15 | Tdk Corp | 垂直磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724022A (en) * | 1980-07-16 | 1982-02-08 | Toshiba Corp | Production of magnetic recording substance |
| JPS5730118A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vertically magnetized medium and its manufacture |
| JPS57127929A (en) * | 1981-01-29 | 1982-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture for magnetic recording medium |
| JPS5891A (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 熱交換装置 |
-
1983
- 1983-09-02 JP JP16051283A patent/JPS6052930A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724022A (en) * | 1980-07-16 | 1982-02-08 | Toshiba Corp | Production of magnetic recording substance |
| JPS5730118A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vertically magnetized medium and its manufacture |
| JPS57127929A (en) * | 1981-01-29 | 1982-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture for magnetic recording medium |
| JPS5891A (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 熱交換装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326828A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS63197027A (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-15 | Tdk Corp | 垂直磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0320816B2 (ja) | 1991-03-20 |
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