JP2970219B2 - 磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体とその製造方法Info
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- JP2970219B2 JP2970219B2 JP14404792A JP14404792A JP2970219B2 JP 2970219 B2 JP2970219 B2 JP 2970219B2 JP 14404792 A JP14404792 A JP 14404792A JP 14404792 A JP14404792 A JP 14404792A JP 2970219 B2 JP2970219 B2 JP 2970219B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気記録媒体とその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報化社会の進展に伴い情報記録担体の
大容量化・高密度化が進められている。磁気テープの分
野においても記録媒体の高密度化を目指した研究開発が
盛んであり、これに応える薄膜媒体がいくつか提案され
ている。超高密度磁気記録材料としてはＣｏ−Ｃｒ等が
広く研究されており、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜（あるいはＣｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ薄膜）等を用いた研究開発が行われている。
またＣｏ−Ｃｒ薄膜の上に磁性を有するＣｏ−Ｏ（ある
いはＣｏ−Ｎｉ−Ｏ薄膜）を積層したＣｏ−Ｏ／Ｃｏ−
Ｃｒ磁気記録媒体によって、記録密度特性と実用耐久性
の両立を目指した研究もされている。薄膜磁気記録媒体
を製造する方法としては、連続巻き取り真空蒸着法が特
にその生産性において他を凌いでおり、現実的量産方法
として非常に有力である。すなわち図７のように長尺の
高分子基板が円筒状キャンの周面に沿って走行中に磁性
層を電子ビーム蒸着することによって磁気記録媒体の量
産ができる。磁性体としては主にＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅおよ
びこれらの組合せおよび酸素雰囲気蒸着による酸化物が
用いられる。
大容量化・高密度化が進められている。磁気テープの分
野においても記録媒体の高密度化を目指した研究開発が
盛んであり、これに応える薄膜媒体がいくつか提案され
ている。超高密度磁気記録材料としてはＣｏ−Ｃｒ等が
広く研究されており、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜（あるいはＣｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ薄膜）等を用いた研究開発が行われている。
またＣｏ−Ｃｒ薄膜の上に磁性を有するＣｏ−Ｏ（ある
いはＣｏ−Ｎｉ−Ｏ薄膜）を積層したＣｏ−Ｏ／Ｃｏ−
Ｃｒ磁気記録媒体によって、記録密度特性と実用耐久性
の両立を目指した研究もされている。薄膜磁気記録媒体
を製造する方法としては、連続巻き取り真空蒸着法が特
にその生産性において他を凌いでおり、現実的量産方法
として非常に有力である。すなわち図７のように長尺の
高分子基板が円筒状キャンの周面に沿って走行中に磁性
層を電子ビーム蒸着することによって磁気記録媒体の量
産ができる。磁性体としては主にＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅおよ
びこれらの組合せおよび酸素雰囲気蒸着による酸化物が
用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｃｏ−Ｏ／Ｃｏ−Ｃｒ
系磁気記録媒体において優れた記録再生特性を実現する
媒体パラメータが十分明らかになっていなかった。ま
た、媒体を真空蒸着法によって形成する場合、記録再生
特性確保並びにクラックの発生防止の点から基板温度を
高くする必要があり、耐熱性の高いポリアミドやポリイ
ミド系の高分子基板が必要であり、ポリエチレンナフタ
レート（ＰＥＮ）基板やポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）基板を使用することができなかった。
系磁気記録媒体において優れた記録再生特性を実現する
媒体パラメータが十分明らかになっていなかった。ま
た、媒体を真空蒸着法によって形成する場合、記録再生
特性確保並びにクラックの発生防止の点から基板温度を
高くする必要があり、耐熱性の高いポリアミドやポリイ
ミド系の高分子基板が必要であり、ポリエチレンナフタ
レート（ＰＥＮ）基板やポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）基板を使用することができなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
本発明は、基板上に直接あるいは下地層を介して順にＣ
ｏとＣｒまたはＣｏとＮｉとＣｒを主成分として含む
層、ＣｏとＯまたはＣｏとＮｉとＯを主成分として含む
層が形成された磁気記録媒体において、ＣｏとＣｒまた
はＣｏとＮｉとＣｒを主成分として含む層の１cm2当た
りの飽和磁化量が０．００２ｅｍｕ以下であることを特
徴とするものであり、その製造方法として基板上に直接
あるいは下地層を介して順にＣｏとＣｒまたはＣｏとＮ
ｉとＣｒを主成分として含む層、ＣｏとＯまたはＣｏと
ＮｉとＯを主成分として含む層を形成する磁気記録媒体
の製造方法において、ＣｏとＣｒまたはＣｏとＮｉとＣ
ｒを主成分として含む層を形成するときの基板温度が、
ＣｏとＯまたはＣｏとＮｉとＯを主成分として含む層を
形成するときの基板温度以下であることを特徴とするも
のである。
本発明は、基板上に直接あるいは下地層を介して順にＣ
ｏとＣｒまたはＣｏとＮｉとＣｒを主成分として含む
層、ＣｏとＯまたはＣｏとＮｉとＯを主成分として含む
層が形成された磁気記録媒体において、ＣｏとＣｒまた
はＣｏとＮｉとＣｒを主成分として含む層の１cm2当た
りの飽和磁化量が０．００２ｅｍｕ以下であることを特
徴とするものであり、その製造方法として基板上に直接
あるいは下地層を介して順にＣｏとＣｒまたはＣｏとＮ
ｉとＣｒを主成分として含む層、ＣｏとＯまたはＣｏと
ＮｉとＯを主成分として含む層を形成する磁気記録媒体
の製造方法において、ＣｏとＣｒまたはＣｏとＮｉとＣ
ｒを主成分として含む層を形成するときの基板温度が、
ＣｏとＯまたはＣｏとＮｉとＯを主成分として含む層を
形成するときの基板温度以下であることを特徴とするも
のである。
【０００５】
【作用】ＣｏとＣｒまたはＣｏとＮｉとＣｒを主成分と
して含む層の飽和磁化量を０．００２ｅｍｕ以下とする
ことによって、高出力を確保するとともに、ノイズを低
減し、記録再生特性を向上することができる。また、Ｐ
ＥＴやＰＥＮ等の基板を用いることができるので低コス
ト化が可能である。
して含む層の飽和磁化量を０．００２ｅｍｕ以下とする
ことによって、高出力を確保するとともに、ノイズを低
減し、記録再生特性を向上することができる。また、Ｐ
ＥＴやＰＥＮ等の基板を用いることができるので低コス
ト化が可能である。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【０００７】図１に本発明の一実施例の高出力，低ノイ
ズ媒体の模式図を示す。この媒体は図７に示すような装
置で形成した。図において排気系１によって真空排気さ
れた真空槽２の中で巻き出しロール３から回転方向１２
に沿って巻出された長尺の高分子基板４は磁性層形成用
キャン５の周面に沿って走行中に電子ビーム６を照射さ
れている電子ビーム蒸発源７より遮蔽板９の開口部にお
いてＣｏ−Ｃｒ層の蒸着を受けた後に、巻き取りロール
１０に巻き取られる。Ｃｏ−Ｃｒ層上へのＣｏ−Ｏ層の
積層は、Ｃｏ−Ｃｒ層形成後に蒸発源をＣｏ−Ｃｒから
Ｃｏ−Ｏに交換して同様の工程を繰り返し行うことによ
って行われる。
ズ媒体の模式図を示す。この媒体は図７に示すような装
置で形成した。図において排気系１によって真空排気さ
れた真空槽２の中で巻き出しロール３から回転方向１２
に沿って巻出された長尺の高分子基板４は磁性層形成用
キャン５の周面に沿って走行中に電子ビーム６を照射さ
れている電子ビーム蒸発源７より遮蔽板９の開口部にお
いてＣｏ−Ｃｒ層の蒸着を受けた後に、巻き取りロール
１０に巻き取られる。Ｃｏ−Ｃｒ層上へのＣｏ−Ｏ層の
積層は、Ｃｏ−Ｃｒ層形成後に蒸発源をＣｏ−Ｃｒから
Ｃｏ−Ｏに交換して同様の工程を繰り返し行うことによ
って行われる。
【０００８】なお、Ｃｏ−Ｏ層形成時には酸素導入ノズ
ル８より酸素ガスが導入されており、反応蒸着によって
酸化物磁性層が形成される。
ル８より酸素ガスが導入されており、反応蒸着によって
酸化物磁性層が形成される。
【０００９】蒸気流の基板への入射角は基板法線に対し
て６０度〜３０度の範囲になるように遮蔽板９によって
制限した。Ｃｏ−Ｏ層の膜厚を１００ｎｍ−２００ｎｍ
の二通りとし、Ｃｏ−Ｏ層の飽和磁化を５００ｅｍｕ／
ｃｃで一定として、Ｃｏ−Ｃｒ層の膜厚ｄと飽和磁化Ｍ
ｓを変えた。Ｃｏ−Ｃｒ層の膜厚ｄはフィルムの搬送速
度によって変化させた。ｄの評価は比較的低搬送速度で
形成した膜を用いてＳＥＭによって行い、フィルムの搬
送速度が早い場合にはｄが速度に反比例するものとして
算出した。また、飽和磁化Ｍｓは蒸発源のＣｒ濃度を変
えることによって行い、Ｍｓ・ｄを評価する指標として
１cm2の試料片を用いて振動試料磁力計で求めた飽和磁
化量を用いた。Ｃｏ−Ｏ層形成時のキャン温度は２０℃
及び１０℃とし、Ｃｏ−Ｃｒ層形成時のキャン温度を２
０℃〜２５０℃の範囲で変化させた。作製した媒体の記
録再生特性はドラムテスタを用いて、センダストＭＩＧ
ヘッドで記録波長０．５μｍにおいて評価した。図２に
Ｃｏ−Ｃｒ層の膜厚が１０ｎｍ以上となる範囲でＣｏ−
Ｃｒ層の膜厚と飽和磁化を変えたときのＣｏ−Ｏ／Ｃｏ
−Ｃｒ媒体の記録再生特性の測定結果を示す。横軸はＣ
ｏ−Ｃｒ層の１cm2当たりの飽和磁化量とした。記録波
長は０．５μｍである。図２から分かるようにＣｏ−Ｃ
ｒ層の１cm2当たりの飽和磁化量が大きくなるにつれて
キャン温度の低い場合には再生出力が低下する。また、
キャン温度に関わらず、１cm2当たりの飽和磁化量が大
きくなるにしたがってノイズが大きくなる。Ｃｏ−Ｏ層
の厚みが１００ｎｍ，２００ｎｍいずれの場合にもＣｏ
−Ｃｒ層の１cm2当たりの飽和磁化量が０．００２ｅｍ
ｕ以下のときに高出力，低ノイズが得られる。この傾向
は飽和磁化量を膜厚・飽和磁化いずれによって変化させ
たときにも共通であった。
て６０度〜３０度の範囲になるように遮蔽板９によって
制限した。Ｃｏ−Ｏ層の膜厚を１００ｎｍ−２００ｎｍ
の二通りとし、Ｃｏ−Ｏ層の飽和磁化を５００ｅｍｕ／
ｃｃで一定として、Ｃｏ−Ｃｒ層の膜厚ｄと飽和磁化Ｍ
ｓを変えた。Ｃｏ−Ｃｒ層の膜厚ｄはフィルムの搬送速
度によって変化させた。ｄの評価は比較的低搬送速度で
形成した膜を用いてＳＥＭによって行い、フィルムの搬
送速度が早い場合にはｄが速度に反比例するものとして
算出した。また、飽和磁化Ｍｓは蒸発源のＣｒ濃度を変
えることによって行い、Ｍｓ・ｄを評価する指標として
１cm2の試料片を用いて振動試料磁力計で求めた飽和磁
化量を用いた。Ｃｏ−Ｏ層形成時のキャン温度は２０℃
及び１０℃とし、Ｃｏ−Ｃｒ層形成時のキャン温度を２
０℃〜２５０℃の範囲で変化させた。作製した媒体の記
録再生特性はドラムテスタを用いて、センダストＭＩＧ
ヘッドで記録波長０．５μｍにおいて評価した。図２に
Ｃｏ−Ｃｒ層の膜厚が１０ｎｍ以上となる範囲でＣｏ−
Ｃｒ層の膜厚と飽和磁化を変えたときのＣｏ−Ｏ／Ｃｏ
−Ｃｒ媒体の記録再生特性の測定結果を示す。横軸はＣ
ｏ−Ｃｒ層の１cm2当たりの飽和磁化量とした。記録波
長は０．５μｍである。図２から分かるようにＣｏ−Ｃ
ｒ層の１cm2当たりの飽和磁化量が大きくなるにつれて
キャン温度の低い場合には再生出力が低下する。また、
キャン温度に関わらず、１cm2当たりの飽和磁化量が大
きくなるにしたがってノイズが大きくなる。Ｃｏ−Ｏ層
の厚みが１００ｎｍ，２００ｎｍいずれの場合にもＣｏ
−Ｃｒ層の１cm2当たりの飽和磁化量が０．００２ｅｍ
ｕ以下のときに高出力，低ノイズが得られる。この傾向
は飽和磁化量を膜厚・飽和磁化いずれによって変化させ
たときにも共通であった。
【００１０】なお、Ｃｏ−Ｃｒ層の飽和磁化は０、すな
わち非磁性であってもよい。図３はＣｏ−Ｃｒ層の膜厚
が１００ｎｍのときに平均飽和磁化が５００ｅｍｕ／ｃ
ｃとなる蒸発条件でフィルムの搬送速度を変えた場合
の、Ｃｏ−Ｃｒ層の膜厚ｄと記録再生特性の測定結果を
示した図である。記録波長は０．５μｍである。図３の
結果から、Ｃｏ−Ｃｒの厚さが５ｎｍ以下になると再生
出力が急激に低下する。したがってＣｏ−Ｃｒ走破５ｎ
ｍ以上の厚さであることが望ましい。この理由は明確で
はないが、基板表面の被覆率や、Ｃｏ−Ｃｒ層表面の結
晶配向性などに関係しているものと思われる。Ｃｏ−Ｃ
ｒ層の膜厚が１００ｎｍ以下の場合には基板温度２０℃
においても膜表面にクラックは発生しなかった。
わち非磁性であってもよい。図３はＣｏ−Ｃｒ層の膜厚
が１００ｎｍのときに平均飽和磁化が５００ｅｍｕ／ｃ
ｃとなる蒸発条件でフィルムの搬送速度を変えた場合
の、Ｃｏ−Ｃｒ層の膜厚ｄと記録再生特性の測定結果を
示した図である。記録波長は０．５μｍである。図３の
結果から、Ｃｏ−Ｃｒの厚さが５ｎｍ以下になると再生
出力が急激に低下する。したがってＣｏ−Ｃｒ走破５ｎ
ｍ以上の厚さであることが望ましい。この理由は明確で
はないが、基板表面の被覆率や、Ｃｏ−Ｃｒ層表面の結
晶配向性などに関係しているものと思われる。Ｃｏ−Ｃ
ｒ層の膜厚が１００ｎｍ以下の場合には基板温度２０℃
においても膜表面にクラックは発生しなかった。
【００１１】図４はＣｏ−Ｃｒ層を厚さ４０ｎｍ、１cm
2当たりの飽和磁化量を０．００１２ｎｍとして形成
し、Ｃｏ−Ｃｒ層の蒸着温度と入射角を変えて形成した
ときの、媒体全体の面内方向磁化曲線の角型比と記録波
長０．５μｍでの再生出力の関係を示す図である。図４
から分かるように、面内方向角型比は膜面内から０．６
度から０．９の範囲が望ましい。
2当たりの飽和磁化量を０．００１２ｎｍとして形成
し、Ｃｏ−Ｃｒ層の蒸着温度と入射角を変えて形成した
ときの、媒体全体の面内方向磁化曲線の角型比と記録波
長０．５μｍでの再生出力の関係を示す図である。図４
から分かるように、面内方向角型比は膜面内から０．６
度から０．９の範囲が望ましい。
【００１２】図５はＣｏ−Ｃｒ層を厚さ４０ｎｍ、１cm
2当たりの飽和磁化量を０．００１２ｎｍとして形成
し、Ｃｏ−Ｃｒ層の蒸着温度と入射角を変えて形成した
ときの、媒体全体の磁化容易方向と記録波長０．５μｍ
での再生出力の関係を示す図である。
2当たりの飽和磁化量を０．００１２ｎｍとして形成
し、Ｃｏ−Ｃｒ層の蒸着温度と入射角を変えて形成した
ときの、媒体全体の磁化容易方向と記録波長０．５μｍ
での再生出力の関係を示す図である。
【００１３】図５から分かるように、磁化容易方向は膜
面内から１５度から３５度の範囲が望ましい。また、記
録波長が０．３μｍのときにも図５，図６と同様の結果
が得られた。
面内から１５度から３５度の範囲が望ましい。また、記
録波長が０．３μｍのときにも図５，図６と同様の結果
が得られた。
【００１４】これまでＣｏ−Ｃｒ層の蒸着には高基板温
度が不可欠とされてきたが、以上の結果から、Ｃｏ−Ｃ
ｒ層の単位面積当たりの飽和磁化量が小さくすることに
よって、Ｃｏ−Ｃｒ層形成時の基板温度を低くすること
ができることが分かった。このことは従来Ｃｏ−Ｃｒ層
の蒸着時に要求されていた耐熱性の非常に高い、高価な
ポリアミド基板やポリイミド基板を使用する必要がな
く、これらの基板に比べて安価なポリエチレンナフタレ
ート基板やポリエチレンテレフタレート基板が使用でき
ることを示しており、工業上の意義が大きい。さらに、
性能面においてもＣｏ−Ｃｒ層を低温で形成することに
は利点がある。このことについて以下に述べる。
度が不可欠とされてきたが、以上の結果から、Ｃｏ−Ｃ
ｒ層の単位面積当たりの飽和磁化量が小さくすることに
よって、Ｃｏ−Ｃｒ層形成時の基板温度を低くすること
ができることが分かった。このことは従来Ｃｏ−Ｃｒ層
の蒸着時に要求されていた耐熱性の非常に高い、高価な
ポリアミド基板やポリイミド基板を使用する必要がな
く、これらの基板に比べて安価なポリエチレンナフタレ
ート基板やポリエチレンテレフタレート基板が使用でき
ることを示しており、工業上の意義が大きい。さらに、
性能面においてもＣｏ−Ｃｒ層を低温で形成することに
は利点がある。このことについて以下に述べる。
【００１５】薄膜磁気記録媒体においては基板表面に予
め微粒子の塗布によって形状を付与し、その上に蒸着を
行うことによって、微粒子形状を媒体表面に保存反映さ
せることが一般的である。これによって磁気ヘッド・記
録媒体間の摩擦係数を下げて媒体の実用耐久性を確保し
ている。したがって、微粒子による突起数・突起形状は
厳密に制御されるべき要因であり、突起密度が少なすぎ
ても多すぎても耐久性に悪影響を及ぼす。また、突起高
さは記録再生時のスペーシング損失を発生させるので、
突起高さは耐久性が確保できる範囲でできるだけ低くな
るように設計される。ところが斜め入射成分を含む蒸着
において蒸着温度が高い場合には蒸着膜そのものが自己
陰影効果によって顕著な突起形状を発生する。斜め蒸着
時に自己陰影効果によって形成される突起は従来微粒子
の塗布によって検討されている最適突起密度に比べて突
起密度が高く、また高温蒸着の場合は特に突起高さも高
い。したがって媒体表面の突起の点からは、実用耐久性
と高密度記録再生特性の確保のために蒸着温度はできる
だけ低いことが望ましい。Ｃｏ−Ｏ層は基板温度によっ
て静磁気特性や記録再生特性が変化するので基板温度の
低下には限度があるが、本発明の実施例に示したよう
に、Ｃｏ−Ｃｒ層は１cm2当たりの飽和磁化量が０．０
０２ｅｍｕ以下であれば基板温度を低くしても記録再生
特性の低下を起こさない。したがって自己陰影効果によ
る余分な突起発生を抑えるための媒体の製造条件として
もＣｏ−Ｃｒ層形成時の基板温度をＣｏ−Ｏ層形成時の
基板温度よりも低くすることは、Ｃｏ−Ｃｒ層が突起の
主要因とならない条件として重要である。言いかえれ
ば、この基板温度条件でＣｏとＣｒまたはＣｏとＮｉと
Ｃｒを主成分として含む層の１cm2当たりの飽和磁化量
を０．００２ｅｍｕ以下にすることによって、記録再生
特性が確保でき、かつ基板に付与した形状を十分に活か
すことができるのである。
め微粒子の塗布によって形状を付与し、その上に蒸着を
行うことによって、微粒子形状を媒体表面に保存反映さ
せることが一般的である。これによって磁気ヘッド・記
録媒体間の摩擦係数を下げて媒体の実用耐久性を確保し
ている。したがって、微粒子による突起数・突起形状は
厳密に制御されるべき要因であり、突起密度が少なすぎ
ても多すぎても耐久性に悪影響を及ぼす。また、突起高
さは記録再生時のスペーシング損失を発生させるので、
突起高さは耐久性が確保できる範囲でできるだけ低くな
るように設計される。ところが斜め入射成分を含む蒸着
において蒸着温度が高い場合には蒸着膜そのものが自己
陰影効果によって顕著な突起形状を発生する。斜め蒸着
時に自己陰影効果によって形成される突起は従来微粒子
の塗布によって検討されている最適突起密度に比べて突
起密度が高く、また高温蒸着の場合は特に突起高さも高
い。したがって媒体表面の突起の点からは、実用耐久性
と高密度記録再生特性の確保のために蒸着温度はできる
だけ低いことが望ましい。Ｃｏ−Ｏ層は基板温度によっ
て静磁気特性や記録再生特性が変化するので基板温度の
低下には限度があるが、本発明の実施例に示したよう
に、Ｃｏ−Ｃｒ層は１cm2当たりの飽和磁化量が０．０
０２ｅｍｕ以下であれば基板温度を低くしても記録再生
特性の低下を起こさない。したがって自己陰影効果によ
る余分な突起発生を抑えるための媒体の製造条件として
もＣｏ−Ｃｒ層形成時の基板温度をＣｏ−Ｏ層形成時の
基板温度よりも低くすることは、Ｃｏ−Ｃｒ層が突起の
主要因とならない条件として重要である。言いかえれ
ば、この基板温度条件でＣｏとＣｒまたはＣｏとＮｉと
Ｃｒを主成分として含む層の１cm2当たりの飽和磁化量
を０．００２ｅｍｕ以下にすることによって、記録再生
特性が確保でき、かつ基板に付与した形状を十分に活か
すことができるのである。
【００１６】また、Ｃｏ−Ｃｒ層形成時の蒸気流の初期
入射角は９０度（接線方向）としない方がよい。９０度
成分を入れると膜の付着強度が低下するほか、記録再生
特性にも若干の劣化が起きる。Ｃｏ−Ｏ層については入
射角を９０度（接線方向）成分を入れた場合、０度（垂
直入射）成分を入れた場合のいずれにおいても記録再生
特性の明らかな劣化がみられる。特に０度成分を入れた
場合には突起高さや表面保護層の厚さの変化に対して出
力が非常に敏感に変化し、スペーシングロスファクタが
大きくなっているものと思われる。９０度から０度まで
の範囲での最適な入射角範囲は基板温度や使用する磁気
ヘッドの特性によって最適値が異なる。
入射角は９０度（接線方向）としない方がよい。９０度
成分を入れると膜の付着強度が低下するほか、記録再生
特性にも若干の劣化が起きる。Ｃｏ−Ｏ層については入
射角を９０度（接線方向）成分を入れた場合、０度（垂
直入射）成分を入れた場合のいずれにおいても記録再生
特性の明らかな劣化がみられる。特に０度成分を入れた
場合には突起高さや表面保護層の厚さの変化に対して出
力が非常に敏感に変化し、スペーシングロスファクタが
大きくなっているものと思われる。９０度から０度まで
の範囲での最適な入射角範囲は基板温度や使用する磁気
ヘッドの特性によって最適値が異なる。
【００１７】なお、実施例としては第１層としてＣｏ−
Ｃｒを用いた場合についてのみ述べてきたが、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｒを用いた場合にも同様の効果が得られた。同様
に実施例では第２層としてＣｏ−Ｏを用いた場合につい
てのみ述べてきたが、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを用いた場合にも
同様の効果が得られた。また、実施例の記録再生特性の
測定結果はテープ状の薄膜磁気記録媒体についてのみ述
べてきたが、これに限らず、薄膜磁気記録媒体全般に本
発明が有効であることは言うまでもない。
Ｃｒを用いた場合についてのみ述べてきたが、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｒを用いた場合にも同様の効果が得られた。同様
に実施例では第２層としてＣｏ−Ｏを用いた場合につい
てのみ述べてきたが、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを用いた場合にも
同様の効果が得られた。また、実施例の記録再生特性の
測定結果はテープ状の薄膜磁気記録媒体についてのみ述
べてきたが、これに限らず、薄膜磁気記録媒体全般に本
発明が有効であることは言うまでもない。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明の磁気記録媒体およ
びその製造方法によれば、ポリエチレンナフタレート基
板やポリエチレンテレフタレート基板を使用して、優れ
た記録再生特性を有するＣｏ−Ｏ／Ｃｏ−Ｃｒ系の磁気
記録媒体を提供することができる。
びその製造方法によれば、ポリエチレンナフタレート基
板やポリエチレンテレフタレート基板を使用して、優れ
た記録再生特性を有するＣｏ−Ｏ／Ｃｏ−Ｃｒ系の磁気
記録媒体を提供することができる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の構成の一例を示す断面
図
図
【図２】Ｃｏ−Ｃｒ層の１cm2当たりの飽和磁化量を変
えたときのＣｏ−Ｏ／Ｃｏ−Ｃｒ媒体の記録再生特性の
測定結果を示す特性図
えたときのＣｏ−Ｏ／Ｃｏ−Ｃｒ媒体の記録再生特性の
測定結果を示す特性図
【図３】Ｃｏ−Ｃｒ層の膜厚ｄを変えたときの記録再生
特性の測定結果を示した特性図
特性の測定結果を示した特性図
【図４】媒体全体の面内方向磁化曲線の角型比と再生出
力の関係を示す特性図
力の関係を示す特性図
【図５】媒体全体の磁化容易方向と再生出力の関係を示
す特性図
す特性図
【図６】連続蒸着法による磁気記録媒体の製造方法の例
を示す模式図
を示す模式図
１ 排気系 ２ 真空槽 ３ 巻き出しロール ４ 高分子基板 ５ 磁性層形成用キャン ６ 電子ビーム ７ 電子ビーム蒸発源 ８ 酸素導入ノズル ９ 遮蔽板 １０ 巻き取りロール １１ ガイドロール １２ 回転方向
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−334646（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−62198（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−86914（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−159269（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/66 G11B 5/85
Claims (7)
- 【請求項１】基板上に直接あるいは下地層を介して順に
ＣｏとＣｒまたはＣｏとＮｉとＣｒを主成分として含む
層、及びＣｏとＯまたはＣｏとＮｉとＯを主成分として
含む層が形成された磁気記録媒体において、前記Ｃｏと
ＣｒまたはＣｏとＮｉとＣｒを主成分として含む層の１
cm2当たりの飽和磁化量が０．００２ｅｍｕ以下である
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】ＣｏとＣｒまたはＣｏとＮｉとＣｒを主成
分として含む層の膜厚が５ｎｍ以上であることを特徴と
する請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】面内方向の角型比が０．６以上０．９以下
であることを特徴とする請求項１あるいは請求項２記載
の磁気記録媒体。 - 【請求項４】磁化容易方向が膜面内方向となす角度が１
５度以上３５度以下であることを特徴とする請求項１、
請求項２あるいは請求項３記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】基板上に直接あるいは下地層を介して順に
ＣｏとＣｒまたはＣｏとＮｉとＣｒを主成分として含む
層、及びＣｏとＯまたはＣｏとＮｉとＯを主成分として
含む層を真空蒸着法によって形成する磁気記録媒体の製
造方法において、前記ＣｏとＣｒまたはＣｏとＮｉとＣ
ｒを主成分として含む層の１cm2当たりの飽和磁化量が
０．００２ｅｍｕ以下で、かつ、前記ＣｏとＣｒまたは
ＣｏとＮｉとＣｒを主成分として含む層を形成するとき
の基板温度が、ＣｏとＯまたはＣｏとＮｉとＯを主成分
として含む層を形成するときの基板温度以下であること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】基板へのＣｏとＣｒまたはＣｏとＮｉとＣ
ｒを主成分として含む層を形成するときの蒸気入射方向
の範囲が接線方向の入射を含まないことを特徴とする請
求項５記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】基板へのＣｏとＯまたはＣｏとＮｉとＯを
主成分として含む層を形成するときの蒸気入射方向の範
囲が垂直入射および接線方向の入射のいずれも含まない
ことを特徴とする請求項５、あるいは請求項６記載の磁
気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14404792A JP2970219B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14404792A JP2970219B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05342550A JPH05342550A (ja) | 1993-12-24 |
| JP2970219B2 true JP2970219B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=15353090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14404792A Expired - Fee Related JP2970219B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2970219B2 (ja) |
-
1992
- 1992-06-04 JP JP14404792A patent/JP2970219B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05342550A (ja) | 1993-12-24 |
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