JPS6037746A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6037746A JPS6037746A JP14702083A JP14702083A JPS6037746A JP S6037746 A JPS6037746 A JP S6037746A JP 14702083 A JP14702083 A JP 14702083A JP 14702083 A JP14702083 A JP 14702083A JP S6037746 A JPS6037746 A JP S6037746A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- insulating film
- polycrystalline
- wirings
- deposited
- Prior art date
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置における多層Ｓｉ配線構造に関する
。
。
従来、半導体装置における多層ＳＺ配線構造は、第１図
に断面図で示す如＜、”’基板１上には絶縁Ｍ２が形成
され、該絶縁膜２上に第１のｓ７配線３が多結晶ＳＺに
より形成され、層間絶縁膜４を介して設けられた第２の
Ｓ＄配線５と前記層間絶縁膜に開けられたコンタクト穴
を通して接続されて成るのが通例であった。
に断面図で示す如＜、”’基板１上には絶縁Ｍ２が形成
され、該絶縁膜２上に第１のｓ７配線３が多結晶ＳＺに
より形成され、層間絶縁膜４を介して設けられた第２の
Ｓ＄配線５と前記層間絶縁膜に開けられたコンタクト穴
を通して接続されて成るのが通例であった。
１、か１２、ト配従来技術によると、第１のｓ７配線と
第２のｓ７配腺の接続部に自然酸化膜等が形成され、接
触抵抗が大きくなると論う欠点があった。
第２のｓ７配腺の接続部に自然酸化膜等が形成され、接
触抵抗が大きくなると論う欠点があった。
本発明は、上記従来技術の欠点をなくシ、多層ｓ４配線
の接触抵抗を小さくすることを目的とする。
の接触抵抗を小さくすることを目的とする。
前記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置に於て、第１のｓ７配線と第２のｓ７配線の少
くとも接続部に１寸、Ｔｉ、Ｃｕ等の金属膜が挾まれて
形成されて成ることを特徴とする。
導体装置に於て、第１のｓ７配線と第２のｓ７配線の少
くとも接続部に１寸、Ｔｉ、Ｃｕ等の金属膜が挾まれて
形成されて成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明の一実施例を示す半導体装置の多層Ｓｉ
配線構造の断面図である。すなわち、８ｉ基板工１上に
は絶Ｒ膜１２が形成され、該絶縁膜１２上には第１のｓ
７配線及が多結晶Ｓｉにより形成され、該ｓ７配線１３
は、その上に形成された層間絶縁膜１４を介して形成さ
れた多結晶Ｓｉからなる第２のｓ７配線工６とは前記層
間絶縁膜Ｉ４に開けられたコンタクト穴を通して、予じ
めコンタクト穴内あるいはコンタクト穴周辺に迄メッキ
あるいはスパッタ等によ）形成されたＣｕあるいはＴｉ
等からなる金属膜１５を挾んで接続されて成る。
配線構造の断面図である。すなわち、８ｉ基板工１上に
は絶Ｒ膜１２が形成され、該絶縁膜１２上には第１のｓ
７配線及が多結晶Ｓｉにより形成され、該ｓ７配線１３
は、その上に形成された層間絶縁膜１４を介して形成さ
れた多結晶Ｓｉからなる第２のｓ７配線工６とは前記層
間絶縁膜Ｉ４に開けられたコンタクト穴を通して、予じ
めコンタクト穴内あるいはコンタクト穴周辺に迄メッキ
あるいはスパッタ等によ）形成されたＣｕあるいはＴｉ
等からなる金属膜１５を挾んで接続されて成る。
本発明の如く、多Ｂｓ４配線のコンタクト部に於て金属
膜を挾んで接続することにより、Ｓｉ配線同志の接触抵
抗を下げることができる効果がある。
膜を挾んで接続することにより、Ｓｉ配線同志の接触抵
抗を下げることができる効果がある。
本発明は多結晶ｓ７配線相互の接続のみならず、下地Ｓ
Ｚ基板に形成された拡散層と、多結晶ＳＺ配線との接続
にも適用できることは云うまでもない。
Ｚ基板に形成された拡散層と、多結晶ＳＺ配線との接続
にも適用できることは云うまでもない。
更に、金属膜はＳｉ配線下に延在して存在しても良い。
第１図は従来技術による半導体装置におけるＳｉ多層配
線構造を示す断面図、第２図は本発明の一実施例を示す
半導体装置におけるＳｉ多層配線構造の断面図である。 １．１１・・ｓ７基板 ２，１２・・絶縁膜３．１３・
・第１のｓ５配線 ４．Ｊ４・・層間絶縁膜 ５’ 、
３６−−第２のＳｉ配線１５−−金属膜。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎
線構造を示す断面図、第２図は本発明の一実施例を示す
半導体装置におけるＳｉ多層配線構造の断面図である。 １．１１・・ｓ７基板 ２，１２・・絶縁膜３．１３・
・第１のｓ５配線 ４．Ｊ４・・層間絶縁膜 ５’ 、
３６−−第２のＳｉ配線１５−−金属膜。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎
Claims (1)
- 第１のＳ＜配線と第２のＳ＜配線の少なくとも接続部に
はＴｉ、Ｃｕ等の金属膜が狭まれて形成されて成ること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14702083A JPS6037746A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14702083A JPS6037746A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037746A true JPS6037746A (ja) | 1985-02-27 |
Family
ID=15420726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14702083A Pending JPS6037746A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037746A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63211650A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-09-02 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP14702083A patent/JPS6037746A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63211650A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-09-02 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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