JPS6066450A - 多層配線 - Google Patents

多層配線

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Publication number
JPS6066450A
JPS6066450A JP17500383A JP17500383A JPS6066450A JP S6066450 A JPS6066450 A JP S6066450A JP 17500383 A JP17500383 A JP 17500383A JP 17500383 A JP17500383 A JP 17500383A JP S6066450 A JPS6066450 A JP S6066450A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
wiring
electrode
insulating film
wirings
Prior art date
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Pending
Application number
JP17500383A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP17500383A priority Critical patent/JPS6066450A/ja
Publication of JPS6066450A publication Critical patent/JPS6066450A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は多Ｊ’ｄｊ配線構造に係り、とりわけ半導体装
置の多層配線構造に関する。
従来、半導体装置の多層部＆！構造は第１図に断面構造
で示す如き構造となっていた。すなわち、８１基板１の
表面には拡散層２．絶縁膜５が形成され、該絶縁膜を介
して８１配線４が形成され、層間絶縁膜５を介し、該層
間絶縁膜５に開けられたコンタクト穴を通して、Ａｔ配
線φが形成されて成るのが通例であった。
しかし、上記従来技術によるとＡＡ配線と８１配線との
接続部における接触抵抗が大と−るという欠点があった
。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、半導体装置
における多層配線の接触抵抗を低減することを目的とす
る。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、多
層配線に於て、８１配線表面にはＴ１８１、Ｔａｘｉ等
の金属間化合物膜かＴｉ、Ｔａ膜が形成され、その上に
形成された絶縁膜を介し、該絶縁膜に開けられたコンタ
クト穴を通してＴ１゜Ｔａ等の金属膜が形成されて成る
ことを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明の一実施例を示す半導体装置における多
層配線構造を示す断面図である。
８１基板１１の表面には拡散層１２．絶縁膜１３が形成
され、該絶縁膜を介して８１膜による８１配線１４．８
１配線上に形成されたＴ１８１膜１５により電極配線が
形成され、その上に形成された層間絶縁膜１６を介し、
該層間絶縁膜１６に開けられたコンタクト穴を通して、
Ｔ１からなる電極１７とその上に形成されたＡｔ′ＩＪ
ｉ極膜１８からなる電極配線が形成されて成る。
本発明の如く、多層配線において下層配線表面にＴ１あ
るいはＴｉ１３１等の膜を形成し、上層配線の少なくと
も下層にＴ１膜等を形成することにより、上部配線と下
部配線との接続による接触抵抗の増大を防止できる効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術による半導体装置における多層配線構
造を示す断１ｍ図、第２図は本発明の一実施例を承す半
導体装置の多層配線構造の断面図である。 １．１１・・・・・・半導体基板 ２．１２・・・・・・拡散層 ３．１６・・・・・・絶縁膜 ４．１４・・・・・・８１配線 ５．１６・・・・・・層間絶Ｒ膜 ６．１８・・・・・・Ａｔ配線 １５・・・・・・・・・・・・ＴｉＥｌｉ膜１７・・・
・・・・・・・・・Ｔ１膜 以　上 出願人　株式会社藷肪精工舎 代理人　弁理士　最上　務

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、８１配線表面にはＴｉ８１．Ｔａ８１等の金属間の
    化合物膜かＴｉＴａ膜が形成され、その上に形成された
    絶縁膜を介し、該絶縁膜を開けられたコンタクト穴を通
    して、Ｔｉ、Ｔａ等の金属膜が形成されて成ることを特
    徴とする多層配線。
JP17500383A 1983-09-21 1983-09-21 多層配線 Pending JPS6066450A (ja)

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JP17500383A JPS6066450A (ja) 1983-09-21 1983-09-21 多層配線

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JP17500383A JPS6066450A (ja) 1983-09-21 1983-09-21 多層配線

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JPS6066450A true JPS6066450A (ja) 1985-04-16

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JP17500383A Pending JPS6066450A (ja) 1983-09-21 1983-09-21 多層配線

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JP (1) JPS6066450A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6284537A (ja) * 1985-10-08 1987-04-18 Nec Corp 半導体装置
JPS6439059A (en) * 1987-04-20 1989-02-09 Nec Corp Semiconductor device
JPH05160273A (ja) * 1991-12-05 1993-06-25 Sharp Corp 半導体装置のコンタクトプラグ及びその形成方法、半導体装置の多層配線及びその形成方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6284537A (ja) * 1985-10-08 1987-04-18 Nec Corp 半導体装置
JPS6439059A (en) * 1987-04-20 1989-02-09 Nec Corp Semiconductor device
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