JPS6037745A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6037745A JPS6037745A JP14701983A JP14701983A JPS6037745A JP S6037745 A JPS6037745 A JP S6037745A JP 14701983 A JP14701983 A JP 14701983A JP 14701983 A JP14701983 A JP 14701983A JP S6037745 A JPS6037745 A JP S6037745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- insulating film
- film
- region
- polycrystalline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置におけるSZ多層配線構造に関する
。
。
従来、半導体装置におけるs7多層配線構造は第1図に
断面図で示す如き構造をとっているのが通例であった。
断面図で示す如き構造をとっているのが通例であった。
すなわち、SZ基板1の表面には拡散層21絶縁膜3が
形成され、該絶縁股上に第1のs77配線4が多結晶S
iで形成され、該第1のs77配線4は前記絶縁膜3に
開けられたコンタイト穴を通してs7基板lに形成され
た拡散層2と接続され、更に、前記第1のSZ配線層4
上に形成された層間絶縁膜5を介して第2のs7配線6
が多結晶s7が形成され、該第2のSi配線6は、層間
絶縁、暎5に開けられたコンタクト穴を通して第Jのs
7配線4と接続されて成るのが通例であった。
形成され、該絶縁股上に第1のs77配線4が多結晶S
iで形成され、該第1のs77配線4は前記絶縁膜3に
開けられたコンタイト穴を通してs7基板lに形成され
た拡散層2と接続され、更に、前記第1のSZ配線層4
上に形成された層間絶縁膜5を介して第2のs7配線6
が多結晶s7が形成され、該第2のSi配線6は、層間
絶縁、暎5に開けられたコンタクト穴を通して第Jのs
7配線4と接続されて成るのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、多層s4配線の抵抗値
が高いという欠点があった。
が高いという欠点があった。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、多層Si配線
の抵抗値を下げると共に、接触抵抗値を低く保つ多層s
z配線構造を提供することを目的とする。
の抵抗値を下げると共に、接触抵抗値を低く保つ多層s
z配線構造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置に於て、第1のsi配線上に層間絶縁膜を介し
て第2のSZ’配線が形成され、前記層間絶縁膜に開け
られたコンタクト穴を通して、第1のs7配線と第2の
s7配線とが互にa6で接続されると共に、第1のs’
<配線表面および第2のs66配線面の少なくとも一方
あるいは両方に金属Mが形成されて成ることを特徴とす
る。
導体装置に於て、第1のsi配線上に層間絶縁膜を介し
て第2のSZ’配線が形成され、前記層間絶縁膜に開け
られたコンタクト穴を通して、第1のs7配線と第2の
s7配線とが互にa6で接続されると共に、第1のs’
<配線表面および第2のs66配線面の少なくとも一方
あるいは両方に金属Mが形成されて成ることを特徴とす
る。
以下、実施例によシ本発明を詳述する。
第2図は、本発明の一実施例を示す半導体装置の多層s
7配線構造の断面図である。すなわち、s77基板11
表面には拡散層12 、絶縁膜17が形成され、該絶B
膜17を介して第1のs66配線14多結晶s7で形成
され、該SZ配線層14は絶縁膜17に開けられたコン
タクト穴を通してs7基板11の表面に形成された拡散
層12と接続されると共に、その表面にはTi等の金属
膜15が形成され、更に、その表面に形成された層間絶
縁[4(16を介して、第2のSi配線17が多結晶S
<で形成され、該第2のS<配線は層間絶縁膜16に開
けられたコンタクト穴を通して、同時に金属膜15もコ
ンタクト部はエツチング除去されて、第1のSZ配線1
4と接続されて成る。
7配線構造の断面図である。すなわち、s77基板11
表面には拡散層12 、絶縁膜17が形成され、該絶B
膜17を介して第1のs66配線14多結晶s7で形成
され、該SZ配線層14は絶縁膜17に開けられたコン
タクト穴を通してs7基板11の表面に形成された拡散
層12と接続されると共に、その表面にはTi等の金属
膜15が形成され、更に、その表面に形成された層間絶
縁[4(16を介して、第2のSi配線17が多結晶S
<で形成され、該第2のS<配線は層間絶縁膜16に開
けられたコンタクト穴を通して、同時に金属膜15もコ
ンタクト部はエツチング除去されて、第1のSZ配線1
4と接続されて成る。
上記の如く、本発明によると、多層Si配線の抵抗値が
下がると共に接触抵抗も小さくてすむという効果がある
。
下がると共に接触抵抗も小さくてすむという効果がある
。
金属膜は第1層Si配線表面のみならず第2層si配f
JJ表面にも形成さitて良く、そのいず九が一方でも
良い。更に金M股はSi配綜の周囲のいずれの部分に形
成され−Cも良い。
JJ表面にも形成さitて良く、そのいず九が一方でも
良い。更に金M股はSi配綜の周囲のいずれの部分に形
成され−Cも良い。
第1図は従来技術による半導体装置のs7多層配線構造
を示す断面図、第2図は本発明による半導体装置の一実
施例を示すs4多層配線構造を示す断面図である。 1.11・・sz基板 2,12・・拡散度3.13−
−絶縁膜 4.14−−第1のs4配線5.16・・層
間絶縁膜 6.17・・第2のs7配線 15・・金属
膜。 以 上
を示す断面図、第2図は本発明による半導体装置の一実
施例を示すs4多層配線構造を示す断面図である。 1.11・・sz基板 2,12・・拡散度3.13−
−絶縁膜 4.14−−第1のs4配線5.16・・層
間絶縁膜 6.17・・第2のs7配線 15・・金属
膜。 以 上
Claims (1)
- 第1のs7配線上に層間絶縁膜を介して第2のs7配線
が形成され、前記層間絶縁に開けられたコンタクト穴を
通して、第1のSZ配線と第2のs7配線とが互に86
で接続されると共に、第1のSi配線表面および第2の
S<配線表面の少なくとも一方あるいは両方に金属膜が
形成されて成ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14701983A JPS6037745A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14701983A JPS6037745A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6037745A true JPS6037745A (ja) | 1985-02-27 |
Family
ID=15420703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14701983A Pending JPS6037745A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6037745A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0639150A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-15 | Tomy Ltd | 駆動機構 |
JPH06304341A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-01 | B I:Kk | 楽器玩具 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5365088A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP14701983A patent/JPS6037745A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5365088A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0639150A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-15 | Tomy Ltd | 駆動機構 |
JPH06304341A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-01 | B I:Kk | 楽器玩具 |
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