JPS6037748A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6037748A JPS6037748A JP14702883A JP14702883A JPS6037748A JP S6037748 A JPS6037748 A JP S6037748A JP 14702883 A JP14702883 A JP 14702883A JP 14702883 A JP14702883 A JP 14702883A JP S6037748 A JPS6037748 A JP S6037748A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metal
- silicide
- wiring
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置における金属配線またはシリサイド
配線構造に関する。
配線構造に関する。
従来、半導体装置における金属配線やシリサイド配線は
第1図に示す如く、81基板1の表面に形成された絶縁
膜2上にTi、Ta、Mo、AA等の金属膜やMoSi
、TiSi、TaS:L等シリサイド膜3が形成されて
成るのが通例であった抵抗が小とならないこと及び、上
部あるいは下部配線との接触抵抗も必ずしも小とならな
い等の欠点があった。
第1図に示す如く、81基板1の表面に形成された絶縁
膜2上にTi、Ta、Mo、AA等の金属膜やMoSi
、TiSi、TaS:L等シリサイド膜3が形成されて
成るのが通例であった抵抗が小とならないこと及び、上
部あるいは下部配線との接触抵抗も必ずしも小とならな
い等の欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、低抵抗、低
接触抵抗が可能な金属あるいはシリサイド配線を提供す
ることを目的とする。
接触抵抗が可能な金属あるいはシリサイド配線を提供す
ることを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置に於て、金属配線またはシリサイド配線のいず
れかの側面1表面、底面または全周囲にはS1膜が形成
されて成ることを特徴とする。
導体装置に於て、金属配線またはシリサイド配線のいず
れかの側面1表面、底面または全周囲にはS1膜が形成
されて成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第2図乃至第4図は本発明の実施例を示す半導体装置に
おける配線構造の断面図である。すなわち、第2図では
81基板11の表面に形成された絶縁膜12上にS1膜
14.シリサイド膜または金属膜13.Si膜15から
なる三層構造の配線構造が形成されて成る。第3図では
81基板21上の絶縁膜22上に金属膜またはシリサイ
ド膜24とそのfl]1面に形設、六れたEIillH
24からなる配線構造が形成されて成る。第4図ではS
1基板61上の絶縁膜32上に金属膜またはシリサイド
膜33の周囲にs1膜34が形成されて成る配線構造か
ら成る。
おける配線構造の断面図である。すなわち、第2図では
81基板11の表面に形成された絶縁膜12上にS1膜
14.シリサイド膜または金属膜13.Si膜15から
なる三層構造の配線構造が形成されて成る。第3図では
81基板21上の絶縁膜22上に金属膜またはシリサイ
ド膜24とそのfl]1面に形設、六れたEIillH
24からなる配線構造が形成されて成る。第4図ではS
1基板61上の絶縁膜32上に金属膜またはシリサイド
膜33の周囲にs1膜34が形成されて成る配線構造か
ら成る。
上記の如く、金属膜やシリサイド膜からなる配線のいず
れかの表面に81膜を形成することにより、低抵抗でか
つ多層配線時の低接触抵抗が可能な金属あるいはシリサ
イド配線が可能となる効果がある。
れかの表面に81膜を形成することにより、低抵抗でか
つ多層配線時の低接触抵抗が可能な金属あるいはシリサ
イド配線が可能となる効果がある。
第1図は従来技術による半導体装置における金属あるい
はシリサイド配線構造を示す断面図、第2図乃至第4図
は本発明の実施例を示す金属またはシリサイド配線構造
を示す断面図である。 1.11,21,31・・・・・・S1基板2.12,
22.32・・・・・・絶縁膜3.13,23.33・
・・・・・金F番月莫あるし)はシリサイド膜 14.15,24,34・・・81膜 第2図
はシリサイド配線構造を示す断面図、第2図乃至第4図
は本発明の実施例を示す金属またはシリサイド配線構造
を示す断面図である。 1.11,21,31・・・・・・S1基板2.12,
22.32・・・・・・絶縁膜3.13,23.33・
・・・・・金F番月莫あるし)はシリサイド膜 14.15,24,34・・・81膜 第2図
Claims (1)
- 1、 金属配線またはシリサイド配線のいずれかの側面
9表面、底面または全周囲にはS1膜が形成されて成る
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14702883A JPS6037748A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14702883A JPS6037748A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6037748A true JPS6037748A (ja) | 1985-02-27 |
Family
ID=15420900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14702883A Pending JPS6037748A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6037748A (ja) |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP14702883A patent/JPS6037748A/ja active Pending
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