JPS60250652A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS60250652A
JPS60250652A JP10619884A JP10619884A JPS60250652A JP S60250652 A JPS60250652 A JP S60250652A JP 10619884 A JP10619884 A JP 10619884A JP 10619884 A JP10619884 A JP 10619884A JP S60250652 A JPS60250652 A JP S60250652A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
semiconductor device
electrode wiring
resistance
high reliability
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10619884A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP10619884A priority Critical patent/JPS60250652A/ja
Publication of JPS60250652A publication Critical patent/JPS60250652A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置における電極配線構造に関する。
〔従来技術〕
従来、半導体装置における電極配線としてＡｌ、Ｗｌあ
るいはＷとＴｚ層等が用いられるのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、Ａｌ電極配線はエレク
トロ・コイグレージョン現象による断線が発生し易い事
など低融点であるという欠点を有して居少、Ｗ電極配線
はエレクトロ・コイグレージョンによる断線は発見しな
く、高融点ではあるが、電気抵抗値が高いという欠点が
ち少、ＷとＴｉの多重層でもＴ４の電気抵抗が高いとい
う欠点があった。
〔目的〕
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、耐熱性が良
好で且つ、エレクトロ・コイグレージョンによる断線も
なく、且つ電気抵抗値の低い、半導体装置における電極
配線構造を提供する事を目的とする。
〔概要〕
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置に於て、Ｗ電極配線には、Ｖ層が合わせて形成
されて成る事を特徴とする。
〔実施例〕
以下、実施例によシ本発明を詳述する。
第１図は、本発明の一実施例を示す半導体装置における
電極配線構造の断面図である。すなわちｓ６基板１の表
面には、拡散層２．フィールド酸化膜８が形成され、該
フィールド酸化膜にはコンタクト穴７が形成され、第１
の７層４．ｗ層５゜第２のＶ層６から成る電極配線が形
成されて成る。
〔効果〕
本発明の如くＷ電極配線に７層を合わせて形成すること
Ｋより、第１表にＷ＃ＡＪｔＶ＃Ｔｊ等の融点及び電気
比抵抗値からも分る如＜、”単層あるいはＡＩ単層ある
いはＷとＴｉ多層構造の電極配線に比べて、耐熱性及び
電気比抵抗の小ささとに於て最もすぐれた性能を有し、
且つ、Ｗ線のもっている耐エレクトロ・コイグレージョ
ン性もそなえた電極配線が可能となる効果がある。
第　１　表 Ｗ、Ａｊ　、Ｖ、Ｔｉの融点と電気比抵抗向、７層はＷ
の上、下いずれの面、あるいは中間層として形成されて
も良いことは云うまでもない。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置における電
極配線構造の断面図である。 ｌ・・ｓ４基板　２・・拡継層　８・・絶縁膜４．６・
・７層　５・・Ｗ層 ７・・コンタクト穴。 以　上 出願人　株式会社諏訪精工舎

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Ｗ電極配線＜ｔｉｖ層が合わされて形成されて成る事を
    特徴とする半導体装置。
JP10619884A 1984-05-25 1984-05-25 半導体装置 Pending JPS60250652A (ja)

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JPS60250652A true JPS60250652A (ja) 1985-12-11

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4960732A (en) * 1987-02-19 1990-10-02 Advanced Micro Devices, Inc. Contact plug and interconnect employing a barrier lining and a backfilled conductor material
US5260234A (en) * 1990-12-20 1993-11-09 Vlsi Technology, Inc. Method for bonding a lead to a die pad using an electroless plating solution

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US4960732A (en) * 1987-02-19 1990-10-02 Advanced Micro Devices, Inc. Contact plug and interconnect employing a barrier lining and a backfilled conductor material
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