JPS6084841A - 多層配線 - Google Patents
多層配線Info
- Publication number
- JPS6084841A JPS6084841A JP19210783A JP19210783A JPS6084841A JP S6084841 A JPS6084841 A JP S6084841A JP 19210783 A JP19210783 A JP 19210783A JP 19210783 A JP19210783 A JP 19210783A JP S6084841 A JPS6084841 A JP S6084841A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- thickness
- electrode wiring
- electrode
- film
- Prior art date
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はAt多層配線構造に関する。
従来、Al多層配線構造は、亀1図に断師図で示す如く
、Si基根1上に形成された酸化膜2上に第1のAl電
極配線3が1μ常程度の厚さで形成され、層間絶縁膜4
を介して第2のAl電極配線5が1μ惧程度の厚さで形
成されて成るのが通例であった。
、Si基根1上に形成された酸化膜2上に第1のAl電
極配線3が1μ常程度の厚さで形成され、層間絶縁膜4
を介して第2のAl電極配線5が1μ惧程度の厚さで形
成されて成るのが通例であった。
しかし1.上記従来によると、第20At電極配J−’
、+11&、・1自MAINP&fj1C−1r−−1
すJtIIWl−J−1−AIrWn二1111絶縁膜
4の段部で断線するという欠点があった。
、+11&、・1自MAINP&fj1C−1r−−1
すJtIIWl−J−1−AIrWn二1111絶縁膜
4の段部で断線するという欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくり、、Al多層
配線に於て、段部での断線をなくする構造を提供するこ
とを目的とする。
配線に於て、段部での断線をなくする構造を提供するこ
とを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な描成は、多
層配線に於て、絶縁基板上にはAl電極配線が形成され
、層間絶に、膜を介して第2のAl電極配線が第1のA
t電極配線の2層以上の厚さで形成されて成ることを特
徴とする。
層配線に於て、絶縁基板上にはAl電極配線が形成され
、層間絶に、膜を介して第2のAl電極配線が第1のA
t電極配線の2層以上の厚さで形成されて成ることを特
徴とする。
以下、実施例によシ本発明を詳述する。
第2図は本発明の一実施例を示す半導体集積回路におけ
る多層配線構造を示す断面図である。すなわち、SZ基
板11の表面には酸化膜12が形成され、該酸化膜12
上には第1のAl電極配線13が0.5μ常の厚さで形
成され、層間絶縁膜14 k介して、第2のAl電極配
線工5が第1のAt電極配線13の厚さの約2倍、1μ
mの厚さで形成されて成る。
る多層配線構造を示す断面図である。すなわち、SZ基
板11の表面には酸化膜12が形成され、該酸化膜12
上には第1のAl電極配線13が0.5μ常の厚さで形
成され、層間絶縁膜14 k介して、第2のAl電極配
線工5が第1のAt電極配線13の厚さの約2倍、1μ
mの厚さで形成されて成る。
本発明の如く、第20Al電極配線の厚さ′fr第10
At電極配線の約2倍とすることにより、段部での第2
のAJ電極配線の厚さは、従来技術よ9厚くなり、断線
の発生がなくなる効果がある。
At電極配線の約2倍とすることにより、段部での第2
のAJ電極配線の厚さは、従来技術よ9厚くなり、断線
の発生がなくなる効果がある。
第1図は、従来技術によるAj多層配線構造を示す断面
図、第2しは本発明の一実施例を示す多層配線の断面図
である。 1.11・・s6基板 2,12・−酸化膜 3゜13
・會第1のAl電極配線 4,14・・層間絶縁膜 5
,15・・第2のAl電極配線。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 第1図 う 第2図
図、第2しは本発明の一実施例を示す多層配線の断面図
である。 1.11・・s6基板 2,12・−酸化膜 3゜13
・會第1のAl電極配線 4,14・・層間絶縁膜 5
,15・・第2のAl電極配線。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 第1図 う 第2図
Claims (1)
- 絶縁基板上にtま第1のAl電極配線が形成され、層間
絶縁膜を介して第2のAl電極配線が第1のAl電極配
線の2倍以上の厚さで形成されて成る事を特徴とする多
層配線。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19210783A JPS6084841A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 多層配線 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19210783A JPS6084841A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 多層配線 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6084841A true JPS6084841A (ja) | 1985-05-14 |
Family
ID=16285770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19210783A Pending JPS6084841A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 多層配線 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6084841A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0731351U (ja) * | 1994-12-05 | 1995-06-13 | ローム株式会社 | サーマルヘッド |
JPH0744694U (ja) * | 1995-02-28 | 1995-11-28 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS583252A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Seiko Epson Corp | 半導体集積回路装置 |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP19210783A patent/JPS6084841A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS583252A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Seiko Epson Corp | 半導体集積回路装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0731351U (ja) * | 1994-12-05 | 1995-06-13 | ローム株式会社 | サーマルヘッド |
JPH0744694U (ja) * | 1995-02-28 | 1995-11-28 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド |
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