JPS6037744A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6037744A
JPS6037744A JP14701683A JP14701683A JPS6037744A JP S6037744 A JPS6037744 A JP S6037744A JP 14701683 A JP14701683 A JP 14701683A JP 14701683 A JP14701683 A JP 14701683A JP S6037744 A JPS6037744 A JP S6037744A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
semiconductor device
film
resistance
diffused layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP14701683A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwasugi
岩杉 誠一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP14701683A priority Critical patent/JPS6037744A/ja
Publication of JPS6037744A publication Critical patent/JPS6037744A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置におけるSi抵抗体を含むSi配線
構造に関する。
従来、半導体装置におけるSi抵抗体を含むSi配線構
造は、第1図に示す断面図の如き構造となっていた。す
なわち、si基板1の表面には拡散層2.絶縁膜3が形
成され、該絶縁膜3を介して多結晶siによるSZ配線
4と該SZ配線内にSZ抵抗体5が形成されると共に、
前記si自己線4は絶縁膜3に開けられたコンタクト穴
を通してあった。
しかし、上記従来技術によるとs7配線の抵抗が高いと
いう欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、Si配線抵
抗が小さく、且っs7配紛内にs7抵抗体を含有するs
7配線の抵抗体を除く部分の抵抗値を小さくすることを
目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置に於て、Si配腺の少くともSi抵抗体部分以
外の表面には金属j換が形成されて成ることを特徴とす
る。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第2図は本発明の一実施例を示す半導体装置におけるS
Z抵抗体を含むs77配線の断面図である。すなわち、
s4基板11の表面には拡散層12 。
絶縁膜13が形成され、該IK!3緑膜13を介して多
結晶s7,1:pなるs7配線14とsz抵抗体15が
形成され、前記s6配線14の表面にはTi等の金属膜
16が形成されると共に、前記SZ配線14は絶縁膜1
3を通して開けられたコンタクト穴を通して下地拡散層
12と接続されて成る。
本発明の如く、Si配線のSi抵抗体以外の表面に金属
膜を形成することにより、””配線の抵抗値を小さく出
来ると共に、上記Al配線との接続における接触抵抗の
低減を計ることができる等の効果がある。
本発明はSZ配線の上面のみならず、側面あるいは底面
への金属膜形成にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術による半導体装置のsi抵抗体を含む
Si配線の構造を示す断面図、第2図は本発明による半
導体装置のSZ抵抗体を含むs7配線の断面図である。 1.11・・s4基板 2.工2・・拡散層 3113
・・絶縁膜 4,14・・sz配線 5.]5・・出願
人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 箋 tlす l

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. s7配線の少なくともSi抵抗体部分以外の表面には金
    属膜が形成されて成ることを特徴とする半導体装置。
JP14701683A 1983-08-10 1983-08-10 半導体装置 Pending JPS6037744A (ja)

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JP14701683A JPS6037744A (ja) 1983-08-10 1983-08-10 半導体装置

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JPS6037744A true JPS6037744A (ja) 1985-02-27

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