JPS6037744A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6037744A JPS6037744A JP14701683A JP14701683A JPS6037744A JP S6037744 A JPS6037744 A JP S6037744A JP 14701683 A JP14701683 A JP 14701683A JP 14701683 A JP14701683 A JP 14701683A JP S6037744 A JPS6037744 A JP S6037744A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- semiconductor device
- film
- resistance
- diffused layer
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置におけるSi抵抗体を含むSi配線
構造に関する。
構造に関する。
従来、半導体装置におけるSi抵抗体を含むSi配線構
造は、第1図に示す断面図の如き構造となっていた。す
なわち、si基板1の表面には拡散層2.絶縁膜3が形
成され、該絶縁膜3を介して多結晶siによるSZ配線
4と該SZ配線内にSZ抵抗体5が形成されると共に、
前記si自己線4は絶縁膜3に開けられたコンタクト穴
を通してあった。
造は、第1図に示す断面図の如き構造となっていた。す
なわち、si基板1の表面には拡散層2.絶縁膜3が形
成され、該絶縁膜3を介して多結晶siによるSZ配線
4と該SZ配線内にSZ抵抗体5が形成されると共に、
前記si自己線4は絶縁膜3に開けられたコンタクト穴
を通してあった。
しかし、上記従来技術によるとs7配線の抵抗が高いと
いう欠点があった。
いう欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、Si配線抵
抗が小さく、且っs7配紛内にs7抵抗体を含有するs
7配線の抵抗体を除く部分の抵抗値を小さくすることを
目的とする。
抗が小さく、且っs7配紛内にs7抵抗体を含有するs
7配線の抵抗体を除く部分の抵抗値を小さくすることを
目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置に於て、Si配腺の少くともSi抵抗体部分以
外の表面には金属j換が形成されて成ることを特徴とす
る。
導体装置に於て、Si配腺の少くともSi抵抗体部分以
外の表面には金属j換が形成されて成ることを特徴とす
る。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第2図は本発明の一実施例を示す半導体装置におけるS
Z抵抗体を含むs77配線の断面図である。すなわち、
s4基板11の表面には拡散層12 。
Z抵抗体を含むs77配線の断面図である。すなわち、
s4基板11の表面には拡散層12 。
絶縁膜13が形成され、該IK!3緑膜13を介して多
結晶s7,1:pなるs7配線14とsz抵抗体15が
形成され、前記s6配線14の表面にはTi等の金属膜
16が形成されると共に、前記SZ配線14は絶縁膜1
3を通して開けられたコンタクト穴を通して下地拡散層
12と接続されて成る。
結晶s7,1:pなるs7配線14とsz抵抗体15が
形成され、前記s6配線14の表面にはTi等の金属膜
16が形成されると共に、前記SZ配線14は絶縁膜1
3を通して開けられたコンタクト穴を通して下地拡散層
12と接続されて成る。
本発明の如く、Si配線のSi抵抗体以外の表面に金属
膜を形成することにより、””配線の抵抗値を小さく出
来ると共に、上記Al配線との接続における接触抵抗の
低減を計ることができる等の効果がある。
膜を形成することにより、””配線の抵抗値を小さく出
来ると共に、上記Al配線との接続における接触抵抗の
低減を計ることができる等の効果がある。
本発明はSZ配線の上面のみならず、側面あるいは底面
への金属膜形成にも適用できる。
への金属膜形成にも適用できる。
第1図は従来技術による半導体装置のsi抵抗体を含む
Si配線の構造を示す断面図、第2図は本発明による半
導体装置のSZ抵抗体を含むs7配線の断面図である。 1.11・・s4基板 2.工2・・拡散層 3113
・・絶縁膜 4,14・・sz配線 5.]5・・出願
人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 箋 tlす l
Si配線の構造を示す断面図、第2図は本発明による半
導体装置のSZ抵抗体を含むs7配線の断面図である。 1.11・・s4基板 2.工2・・拡散層 3113
・・絶縁膜 4,14・・sz配線 5.]5・・出願
人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 箋 tlす l
Claims (1)
- s7配線の少なくともSi抵抗体部分以外の表面には金
属膜が形成されて成ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14701683A JPS6037744A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14701683A JPS6037744A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6037744A true JPS6037744A (ja) | 1985-02-27 |
Family
ID=15420632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14701683A Pending JPS6037744A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6037744A (ja) |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP14701683A patent/JPS6037744A/ja active Pending
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