JPS6057646A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS6057646A
JPS6057646A JP16541583A JP16541583A JPS6057646A JP S6057646 A JPS6057646 A JP S6057646A JP 16541583 A JP16541583 A JP 16541583A JP 16541583 A JP16541583 A JP 16541583A JP S6057646 A JPS6057646 A JP S6057646A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
wiring
silicide
contact
section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16541583A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP16541583A priority Critical patent/JPS6057646A/ja
Publication of JPS6057646A publication Critical patent/JPS6057646A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の多層配線構造に関する。
従来、半導体装置における多層配線構造は、最も一般的
には第１図に示す如き構造をとっていた。
すなわち、ｓｉ基板１上に形成された酸化膜２士にｓｉ
配線３が形成され、層間絶ｔす膜４を介して、該層間絶
縁膜４を通して開けられたコンオクト穴５を通して、Ａ
ｔ配線６が形成されて成るのが通例であ−た。
［、かじ、上記従来技術によると、多層配線のコンタク
ト部での妾触抵抗が犬となる欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、５１種金属
等の多層配線においても接触抵抗の小さな多層配線構造
を提供することを目的とする。
上記目的を辺成するための本発明の基本的な描成は、半
導体装置に於て、Ｓｉ配線表面にはモリブデン・シリサ
イド、タングステン・シリサイド、タンタルＯシリサイ
ドあるいはチタン、シリサイド等のシリサイド膜が形成
され、層間絶縁膜に開けられたコンタクト穴を通して層
間絶縁膜上にＡｔ配線を形成する場合に、コンタクト部
汲びｄ配線下にはモリブデン・シリサイド、タングステ
ン・シリサイド、タンタル・シリサイドあるいけチタン
譬シリ…−イド等のシリサイド膜か、あるいけモリソデ
ン、タングステン、タンタルあるいはチタン等の金属膜
が形成されて成ることを特徴とする、以下、実施例によ
り本発明を詳述中る。
第２図は、本発明による半導体装置の多層配線構造の一
実施例を示す断面図である。すなわち、ｓｉ基板１１の
表面に形ｒ１ν゛された酸化膜１２士にはＳ♂配線１５
土にシリサイド膜１４が形成された第１の配紳層が形成
され、層間絶縁膜１５を介して層間絶縁膜１５に開けら
れたコンタクト穴１６を辿して、シリサイドまたはシリ
サイド膜１４の構成金属からなる膜１７が形成さり１、
該膜１７上にはａ膜１８からなる配線が形成きれて成る
。
上記発明の如く、下地ｓｉ配線上のシリサイドと上部Ａ
ｔ配線下のシリサイドまたは金属膜とを圀続して形成す
ることにより、接続部の接触抵抗を小さくできる効果が
ある。上層配線がＡｔではな（ＥＥｃの場合にも本発明
が適用できることは云うまでもない。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術による半導体装ｆバの多層配線構造を
示す断面図、第２図ｄ本発明の一実施例をテす半導体装
置の多層配線構造のｎ面図である。 １．１１・・・・・・半導体基板 ２．１２・・・・酸化膜 ５．１６・・・・・・　Ｂｉ配線 ４．１５・−・・層間絶縁膜 ５．１６・・・・・コンタクト部 ６．１８・・・・・・Δを配線 １４　・・・・・シリサイド膜 １７・・・・・シリサイド膜または金属膜以　十 出願人　株式会社　諏訪精工舎 代理人　弁理±　１７）上　務

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Ｓｉ配線表面にはモリブデン・シリサイド、タングステ
    ン・シリサイド、タンタル・シリサイドあるいけチタン
    ・シリサイド等のシリサイド膜が形成され、層間絶縁膜
    に開けられたコンタクト穴を通して層間絶縁膜上にＡｔ
    配線を形成する場合に、コンタクト部及びａ配線下には
    モリブデン・シリサイド、タングステン・シリサイド、
    タンタル拳シリサイドあるいけチタン・シリサイド等の
    シリサイド膜か、あるいはモリブデン、タングステン、
    タンタルあるいはチタン等の金属膜が形成されて成る事
    を特徴とする半導体装置。
JP16541583A 1983-09-08 1983-09-08 半導体装置 Pending JPS6057646A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16541583A JPS6057646A (ja) 1983-09-08 1983-09-08 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16541583A JPS6057646A (ja) 1983-09-08 1983-09-08 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6057646A true JPS6057646A (ja) 1985-04-03

Family

ID=15811978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16541583A Pending JPS6057646A (ja) 1983-09-08 1983-09-08 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6057646A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4824801A (en) * 1986-09-09 1989-04-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing aluminum bonding pad with PSG coating
US4916397A (en) * 1987-08-03 1990-04-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with bonding pad

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5360587A (en) * 1976-11-11 1978-05-31 Nec Corp Production of semiconductor device
JPS5649542A (en) * 1979-09-28 1981-05-06 Seiko Epson Corp Integrated circuit device of mos type
JPS5650536A (en) * 1979-10-01 1981-05-07 Seiko Epson Corp Mos-type integrated circuit device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5360587A (en) * 1976-11-11 1978-05-31 Nec Corp Production of semiconductor device
JPS5649542A (en) * 1979-09-28 1981-05-06 Seiko Epson Corp Integrated circuit device of mos type
JPS5650536A (en) * 1979-10-01 1981-05-07 Seiko Epson Corp Mos-type integrated circuit device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4824801A (en) * 1986-09-09 1989-04-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing aluminum bonding pad with PSG coating
US4916397A (en) * 1987-08-03 1990-04-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with bonding pad

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4710398A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JPS6057646A (ja) 半導体装置
JP2000294639A (ja) 半導体装置
JPS6066450A (ja) 多層配線
JPS6037747A (ja) 多層配線
JPS6037124A (ja) 半導体装置
JP2554043B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS6066465A (ja) 半導体装置
JPS6037746A (ja) 半導体装置
JPS6066467A (ja) 半導体装置
JPS6027166A (ja) 半導体装置
JPH0399461A (ja) Ｍｉｍキャパシタを具備した半導体装置
JPH01196852A (ja) 半導体集積回路装置の電極配線
JPS57201072A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JPS6027146A (ja) 半導体装置
JPS58191449A (ja) 多層配線構造
JPS6037745A (ja) 半導体装置
JPS63253644A (ja) 半導体装置
JPS63141360A (ja) 半導体装置
JPH11317408A (ja) 配線構造
JPH10116901A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS617655A (ja) 半導体装置
JPS58209143A (ja) 多層配線構造
JPS6037748A (ja) 半導体装置
JPS60250652A (ja) 半導体装置