JP2961544B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JP2961544B2 JP2961544B2 JP63097633A JP9763388A JP2961544B2 JP 2961544 B2 JP2961544 B2 JP 2961544B2 JP 63097633 A JP63097633 A JP 63097633A JP 9763388 A JP9763388 A JP 9763388A JP 2961544 B2 JP2961544 B2 JP 2961544B2
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- integrated circuit
- circuit device
- semiconductor integrated
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路装置における電極の構造に関
する。
する。
従来、半導体集積回路装置における電極としては、Al
電極配線が最も一般的に用いられていたが、近時高温超
電導体が発見されるに及んで高温超電導体による電極形
式が試みられるようになってきている。
電極配線が最も一般的に用いられていたが、近時高温超
電導体が発見されるに及んで高温超電導体による電極形
式が試みられるようになってきている。
しかし、上記従来技術によると、例えばY1Ba2Cu3O7等
のセラミック系高温超電導体を半導体装置の電極配線に
用いようとすると、銅を主成分とする為に、セラミック
系高温超電導体による電極を600℃以上にて焼成アニー
ルする際に、半導体に深い準位を形成する銅がコンタク
ト穴を通して基板内に拡散し、電気的特性を劣化させる
と言う課題があった。
のセラミック系高温超電導体を半導体装置の電極配線に
用いようとすると、銅を主成分とする為に、セラミック
系高温超電導体による電極を600℃以上にて焼成アニー
ルする際に、半導体に深い準位を形成する銅がコンタク
ト穴を通して基板内に拡散し、電気的特性を劣化させる
と言う課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題をなくし、セラミッ
ク系高温超電導体を電極配線として用いても半導体特性
を劣化させる事の無い新しい高温超電導体による電極配
線構造を提供する事を目的とする。
ク系高温超電導体を電極配線として用いても半導体特性
を劣化させる事の無い新しい高温超電導体による電極配
線構造を提供する事を目的とする。
本発明の半導体集積回路装置は、基板上に形成した層
間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクト穴
部と、前記層間絶縁膜及び前記コンタクト穴部の表面に
形成された電導性窒化膜と、前記導電性窒化膜上に形成
された高温超電導体からなる配線層とを有する半導体集
積回路装置であって、前記電導性窒化膜がZrNであるこ
とを特徴とする。
間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に形成されたコンタクト穴
部と、前記層間絶縁膜及び前記コンタクト穴部の表面に
形成された電導性窒化膜と、前記導電性窒化膜上に形成
された高温超電導体からなる配線層とを有する半導体集
積回路装置であって、前記電導性窒化膜がZrNであるこ
とを特徴とする。
また、本発明は、前記基板と前記配線層とが接触する
部分に少なくともZrNを有することを特徴とする。
部分に少なくともZrNを有することを特徴とする。
TiN、NbN、ZrN、WN等の電導性窒化膜は、高温超電導
体に含有されるCu等の重金属の半導体基板への熱拡散を
阻止する作用がある。特に、ZrNは中でも抵抗率がもっ
とも低いため熱拡散を阻止することはもちろん、オーミ
ックなコンタクトを取るのにも適している。
体に含有されるCu等の重金属の半導体基板への熱拡散を
阻止する作用がある。特に、ZrNは中でも抵抗率がもっ
とも低いため熱拡散を阻止することはもちろん、オーミ
ックなコンタクトを取るのにも適している。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置における
高温超導電体膜による電極配線構造を示す具体例の要部
の断面図である。
高温超導電体膜による電極配線構造を示す具体例の要部
の断面図である。
すなわち、Si基板１の表面には、層間絶縁膜としての
SiO2膜２が形成され、該SiO2膜２に開けられたコンタク
ト穴を通して、拡散層３から成るSi配線層と接続して高
温超電導体電極を配線する場合に、予じめTiN膜４をス
パッタ法等にて形成後、Y1Ba2Cu3O7膜５をスパッタ法等
により形成する、いわゆる電導性窒化膜と高温超電導体
膜との多層構造となす訳であり、TiN膜４は、拡散層３
上のコンタクト穴部には最低限形成しておく必要があ
る。その後、プラズマCVD等により、CVDSi3N4膜６等に
よるオーバーコート膜を形成すると共に、該オーバーコ
ート膜に開けられたパッド部コンタクト穴にTiN膜７及
びAl電極８を形成する訳であるが、該Al電極８は外部リ
ード線との接続を容易にする為に設けたものである。ま
た、導電性窒化膜は少なくとも高温超電導配線下にあれ
ばよいので、パッド部コンタクト穴に必ずしもTiN膜な
どの導電性窒化膜を形成する必要はない。この場合に
は、パッド部コンタクト穴にアルミ電極等を形成する。
SiO2膜２が形成され、該SiO2膜２に開けられたコンタク
ト穴を通して、拡散層３から成るSi配線層と接続して高
温超電導体電極を配線する場合に、予じめTiN膜４をス
パッタ法等にて形成後、Y1Ba2Cu3O7膜５をスパッタ法等
により形成する、いわゆる電導性窒化膜と高温超電導体
膜との多層構造となす訳であり、TiN膜４は、拡散層３
上のコンタクト穴部には最低限形成しておく必要があ
る。その後、プラズマCVD等により、CVDSi3N4膜６等に
よるオーバーコート膜を形成すると共に、該オーバーコ
ート膜に開けられたパッド部コンタクト穴にTiN膜７及
びAl電極８を形成する訳であるが、該Al電極８は外部リ
ード線との接続を容易にする為に設けたものである。ま
た、導電性窒化膜は少なくとも高温超電導配線下にあれ
ばよいので、パッド部コンタクト穴に必ずしもTiN膜な
どの導電性窒化膜を形成する必要はない。この場合に
は、パッド部コンタクト穴にアルミ電極等を形成する。
尚、TiN膜４は、TiN他、NbN、ZrN、WNあるいはHfN、M
oN等の他の導電性窒化膜であっても良い事は云うまでも
ない。
oN等の他の導電性窒化膜であっても良い事は云うまでも
ない。
本発明により、セラミック系高温超導電体膜を電極配
線とした場合の半導体集積回路装置の特性劣化を防止す
ることができる効果がある。
線とした場合の半導体集積回路装置の特性劣化を防止す
ることができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置における高
温超電導体膜配線構造の要部の断面図である。 １……Si基板 ２……SiO2膜 ３……拡散層 ４……TiN膜 ５……Y1Ba2Cu3O7膜 ６……CVDSi3Ns膜 ７……TiN膜 ８……Al電極
温超電導体膜配線構造の要部の断面図である。 １……Si基板 ２……SiO2膜 ３……拡散層 ４……TiN膜 ５……Y1Ba2Cu3O7膜 ６……CVDSi3Ns膜 ７……TiN膜 ８……Al電極
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に形成した層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜に形成されたコンタクト穴部と、 前記層間絶縁膜及び前記コンタクト穴部の表面に形成さ
れた電導性窒化膜と 前記導電性窒化膜上に形成された高温超電導体からなる
配線層とを有する半導体集積回路装置であって、前記電
導性窒化膜がZrNである半導体集積回路装置。 - 【請求項２】前記基板と前記配線層とが接触する部分に
少なくともZrNを有する請求項１記載の半導体集積回路
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63097633A JP2961544B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63097633A JP2961544B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268155A JPH01268155A (ja) | 1989-10-25 |
| JP2961544B2 true JP2961544B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=14197559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63097633A Expired - Lifetime JP2961544B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2961544B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0634412B2 (ja) * | 1987-04-01 | 1994-05-02 | 株式会社半導体エネルギ−研究所 | 超電導体装置 |
| JPH01152747A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Toshiba Corp | 電子装置 |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP63097633A patent/JP2961544B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01268155A (ja) | 1989-10-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070806 Year of fee payment: 8 |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080806 Year of fee payment: 9 |
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