JPS6037750A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体装置に係シ、特に集積回路装置の配線
部の構造の改良に関するものである。

〔従来技術〕

第１図（ａ）は従来装置の一例の構造を示す正面断面図
、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＩＢ−ＩＢ線での断面
図である。図において、（１）はｐ形シリコン基板、（
２）は素子形成領域を囲むように表面部に形成されたフ
ィールド酸化膜、（３）および（４）はｐ形シリコン領
域を構成する。（５）はソース領域（３）の上からドレ
イン領域（４）の上にわたって形成されたゲート酸化膜
、（６）はゲート酸化膜（５）の上に形成されたゲート
電極、（７）はゲート酸化膜（５）を貫通してソース領
域（３）につながるとともにフィールド酸化膜（２）の
上を延びるソース配線、（８）はゲート酸化膜（５）を
貫通してドレイン領域（４）につながるとともにフィー
ルド酸化膜（２）の上を延びるドレイン配線、（９）は
表面保護絶縁膜である。

半導体集積回路装置において〜は、上記ソース配線（７
）およびドレイン配線のような、例えばアルミニウム（
Ａｔ）からなる配線によって数多くの素子相互間を接続
して構成され、電源電圧の供給、信号の伝達はこの配線
を通して行なわれる。

ところが、従来の装置ではＡｔ配線の厚さが幅に比して
低いので、その断面積が小さく限定され配線中を流れる
電流の密度が大きくなり、エレクトロマイグレーション
などＫよる断線が生じ易いという欠点があった。

〔発明の概要〕

この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、配
線の厚さを線幅と同程度またはそれ以上とすることによ
って、配線幅を従来のものよシ広げることなく、信頼性
の高い配線を有する半導体装置を提供するものである。

〔発明の実施例〕

第２図（ａ）はこの発明の一実施例の構造を示す正面断
面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＩＩＢ−１１Ｂ線
での断面図である。図において、第１図の従来例と同一
符号は同等部分を示肱その説明の重複を避ける。この実
施例におけるソース配線（）ａ）およびドレイン配線（
８ａ）はともに厚さを線幅と同程度にしたので、従来の
ものに比して断面積が増大し、電流密度は小さくなり、
しかも、線幅は変化しないので、パターン集積度には悪
影響はない。

上記実施例では配線の厚さを線幅と同程度処したが、線
幅以上にしてもよいことは勿論である１〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明になる半導体装置では基
板上に形成する配線の厚さをその線幅と同８度またはそ
れ以上にしたので、断面積を大きくでき、高電流密度に
よる断線などの可能性の低い、信頼性の高い配線構造と
することができる。

【図面の簡単な説明】

第ユ図ｔａ＞は従来装置の一例の構造を示す正面断面図
、第１図（ｂ）はその）Ｂ−４Ｂ線での断面図、第２図
（ａｌはこの発明の一実施例の構造を示す正面断面図、
第２図（ｂ）はその［［Ｂ−１１Ｂ線での断面図である
０ 図において、（１）はシリコン基板、（３）はソース領
域、（４）はドレイン領域、（５）はゲート酸化膜、（
６）はゲート電極、（７ａ）はソース配線、（８ａ）は
ドレイン配線である。 なお１１図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人大岩増雄 第１ 第２

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板上に形成され当該半導体基板に構成さ
   れた半導体素子に接続される配線を有するものにおいて
   、上記配線の幅を所定値処した状態でその厚さを上記幅
   と同程度またはそれ以上にしたことを特徴とする半導体
   装置。