JPS6037750A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6037750A JPS6037750A JP14749383A JP14749383A JPS6037750A JP S6037750 A JPS6037750 A JP S6037750A JP 14749383 A JP14749383 A JP 14749383A JP 14749383 A JP14749383 A JP 14749383A JP S6037750 A JPS6037750 A JP S6037750A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- wirings
- width
- regions
- oxide film
- Prior art date
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置に係シ、特に集積回路装置の配線
部の構造の改良に関するものである。
部の構造の改良に関するものである。
第1図(a)は従来装置の一例の構造を示す正面断面図
、第1図(b)は第1図(a)のIB−IB線での断面
図である。図において、(1)はp形シリコン基板、(
2)は素子形成領域を囲むように表面部に形成されたフ
ィールド酸化膜、(3)および(4)はp形シリコン領
域を構成する。(5)はソース領域(3)の上からドレ
イン領域(4)の上にわたって形成されたゲート酸化膜
、(6)はゲート酸化膜(5)の上に形成されたゲート
電極、(7)はゲート酸化膜(5)を貫通してソース領
域(3)につながるとともにフィールド酸化膜(2)の
上を延びるソース配線、(8)はゲート酸化膜(5)を
貫通してドレイン領域(4)につながるとともにフィー
ルド酸化膜(2)の上を延びるドレイン配線、(9)は
表面保護絶縁膜である。
、第1図(b)は第1図(a)のIB−IB線での断面
図である。図において、(1)はp形シリコン基板、(
2)は素子形成領域を囲むように表面部に形成されたフ
ィールド酸化膜、(3)および(4)はp形シリコン領
域を構成する。(5)はソース領域(3)の上からドレ
イン領域(4)の上にわたって形成されたゲート酸化膜
、(6)はゲート酸化膜(5)の上に形成されたゲート
電極、(7)はゲート酸化膜(5)を貫通してソース領
域(3)につながるとともにフィールド酸化膜(2)の
上を延びるソース配線、(8)はゲート酸化膜(5)を
貫通してドレイン領域(4)につながるとともにフィー
ルド酸化膜(2)の上を延びるドレイン配線、(9)は
表面保護絶縁膜である。
半導体集積回路装置において〜は、上記ソース配線(7
)およびドレイン配線のような、例えばアルミニウム(
At)からなる配線によって数多くの素子相互間を接続
して構成され、電源電圧の供給、信号の伝達はこの配線
を通して行なわれる。
)およびドレイン配線のような、例えばアルミニウム(
At)からなる配線によって数多くの素子相互間を接続
して構成され、電源電圧の供給、信号の伝達はこの配線
を通して行なわれる。
ところが、従来の装置ではAt配線の厚さが幅に比して
低いので、その断面積が小さく限定され配線中を流れる
電流の密度が大きくなり、エレクトロマイグレーション
などKよる断線が生じ易いという欠点があった。
低いので、その断面積が小さく限定され配線中を流れる
電流の密度が大きくなり、エレクトロマイグレーション
などKよる断線が生じ易いという欠点があった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、配
線の厚さを線幅と同程度またはそれ以上とすることによ
って、配線幅を従来のものよシ広げることなく、信頼性
の高い配線を有する半導体装置を提供するものである。
線の厚さを線幅と同程度またはそれ以上とすることによ
って、配線幅を従来のものよシ広げることなく、信頼性
の高い配線を有する半導体装置を提供するものである。
第2図(a)はこの発明の一実施例の構造を示す正面断
面図、第2図(b)は第2図(a)のIIB−11B線
での断面図である。図において、第1図の従来例と同一
符号は同等部分を示肱その説明の重複を避ける。この実
施例におけるソース配線()a)およびドレイン配線(
8a)はともに厚さを線幅と同程度にしたので、従来の
ものに比して断面積が増大し、電流密度は小さくなり、
しかも、線幅は変化しないので、パターン集積度には悪
影響はない。
面図、第2図(b)は第2図(a)のIIB−11B線
での断面図である。図において、第1図の従来例と同一
符号は同等部分を示肱その説明の重複を避ける。この実
施例におけるソース配線()a)およびドレイン配線(
8a)はともに厚さを線幅と同程度にしたので、従来の
ものに比して断面積が増大し、電流密度は小さくなり、
しかも、線幅は変化しないので、パターン集積度には悪
影響はない。
上記実施例では配線の厚さを線幅と同程度処したが、線
幅以上にしてもよいことは勿論である1〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明になる半導体装置では基
板上に形成する配線の厚さをその線幅と同8度またはそ
れ以上にしたので、断面積を大きくでき、高電流密度に
よる断線などの可能性の低い、信頼性の高い配線構造と
することができる。
幅以上にしてもよいことは勿論である1〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明になる半導体装置では基
板上に形成する配線の厚さをその線幅と同8度またはそ
れ以上にしたので、断面積を大きくでき、高電流密度に
よる断線などの可能性の低い、信頼性の高い配線構造と
することができる。
第ユ図ta>は従来装置の一例の構造を示す正面断面図
、第1図(b)はその)B−4B線での断面図、第2図
(alはこの発明の一実施例の構造を示す正面断面図、
第2図(b)はその[[B−11B線での断面図である
0 図において、(1)はシリコン基板、(3)はソース領
域、(4)はドレイン領域、(5)はゲート酸化膜、(
6)はゲート電極、(7a)はソース配線、(8a)は
ドレイン配線である。 なお11図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人大岩増雄 第1 第2
、第1図(b)はその)B−4B線での断面図、第2図
(alはこの発明の一実施例の構造を示す正面断面図、
第2図(b)はその[[B−11B線での断面図である
0 図において、(1)はシリコン基板、(3)はソース領
域、(4)はドレイン領域、(5)はゲート酸化膜、(
6)はゲート電極、(7a)はソース配線、(8a)は
ドレイン配線である。 なお11図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人大岩増雄 第1 第2
Claims (1)
- (1)半導体基板上に形成され当該半導体基板に構成さ
れた半導体素子に接続される配線を有するものにおいて
、上記配線の幅を所定値処した状態でその厚さを上記幅
と同程度またはそれ以上にしたことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14749383A JPS6037750A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14749383A JPS6037750A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6037750A true JPS6037750A (ja) | 1985-02-27 |
Family
ID=15431631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14749383A Pending JPS6037750A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6037750A (ja) |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP14749383A patent/JPS6037750A/ja active Pending
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