JPS63108763A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS63108763A JPS63108763A JP25610386A JP25610386A JPS63108763A JP S63108763 A JPS63108763 A JP S63108763A JP 25610386 A JP25610386 A JP 25610386A JP 25610386 A JP25610386 A JP 25610386A JP S63108763 A JPS63108763 A JP S63108763A
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- Japan
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- metal film
- capacitor
- film
- type semiconductor
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- Pending
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路に関し、特に単位面積当りの
静電容量の大きなＭＩＳ形コンデンサを備えた半導体集
積回路に関する。
静電容量の大きなＭＩＳ形コンデンサを備えた半導体集
積回路に関する。
従来、半導体基板上に形成したコンデンサ、特にＭＩＳ
形コンデンサは、半導体基板上に形成した、−導電形半
導体層の一部を電極とし、さらに、前述の一導電形半導
体層の上に絶縁膜を形成し、その上に配線層で用いる金
属膜を電極とした構成のものとなっていた。
形コンデンサは、半導体基板上に形成した、−導電形半
導体層の一部を電極とし、さらに、前述の一導電形半導
体層の上に絶縁膜を形成し、その上に配線層で用いる金
属膜を電極とした構成のものとなっていた。
ところが、上述した従来の構造だけでは、単位面積当り
の容量が小さく、コンデンサを含む半導体集積回路を作
る場合、半導体集積回路において、コンデンサの占める
割合が大きくなるという欠点がある。
の容量が小さく、コンデンサを含む半導体集積回路を作
る場合、半導体集積回路において、コンデンサの占める
割合が大きくなるという欠点がある。
本発明の目的は、従来より単位面積当りの静電容量が大
きいＭＩＳ形コンデンサを備えた半導体集積回路を提供
することにある。
きいＭＩＳ形コンデンサを備えた半導体集積回路を提供
することにある。
本発明の半導体集積回路は、選択的に形成した不純物濃
度の高い第１導電形半導体層と、その上部に第１の絶縁
膜を介して形成した第１の金属膜と前記第１導電形半導
体層と電気的に接続された第２の金属膜と前記第１の金
属膜の上に絶縁膜を介して設けられた第３の金属膜と、
さらに第３の金属膜と第２の金属膜を電気的に接続する
手段とを有してなるＭＩＳ型コンデンサを含んで構成さ
れている。
度の高い第１導電形半導体層と、その上部に第１の絶縁
膜を介して形成した第１の金属膜と前記第１導電形半導
体層と電気的に接続された第２の金属膜と前記第１の金
属膜の上に絶縁膜を介して設けられた第３の金属膜と、
さらに第３の金属膜と第２の金属膜を電気的に接続する
手段とを有してなるＭＩＳ型コンデンサを含んで構成さ
れている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体チップの主要部
の断面図である。
の断面図である。
Ｎ形半導体基板１の中に不純物濃度の高いＮ＋形形感導
体層２形成し、第１電極とし、酸化シリコンからなる第
１の絶縁膜３を介し、第一層目の配線層で用いるＡｅか
らなる第１の金属膜４を、第２電極とする。さらに第１
の金属膜４の上に酸化シリコンからなる第２の絶縁膜５
を形成する。
体層２形成し、第１電極とし、酸化シリコンからなる第
１の絶縁膜３を介し、第一層目の配線層で用いるＡｅか
らなる第１の金属膜４を、第２電極とする。さらに第１
の金属膜４の上に酸化シリコンからなる第２の絶縁膜５
を形成する。
その上に第二層目の配線層で用いるＡｊ？からなる第３
の金属膜６を形成し第３電極とする。第３の金属膜６と
、第１電極であるＮ形半導体基板ｌの中の不純物濃度の
高いＮ＋形形感導体層２、第２の絶縁膜５に設けたスル
ーホール７とＮ”形半導体Ｍ２と電気的に接続されてい
る第２の金属膜８で、電気的に接続する。
の金属膜６を形成し第３電極とする。第３の金属膜６と
、第１電極であるＮ形半導体基板ｌの中の不純物濃度の
高いＮ＋形形感導体層２、第２の絶縁膜５に設けたスル
ーホール７とＮ”形半導体Ｍ２と電気的に接続されてい
る第２の金属膜８で、電気的に接続する。
以上、説明したように、本発明は、第１導電形半導体基
板中の不純物濃度の高い第１導電形半導体層と、二層配
線構造の第一層目の配線層と第二層目の配線層で使用す
る金属膜とスルーホールを有する半導体集積回路装置で
、前述の第１の導電形半導体基板中の不純物濃度の高い
第１導電形半導体層と第一層目の配線層で使用する第１
の金属膜とその間にある第１の絶縁膜で作るコンデンサ
と、第一層目の配線層で使用する第１の金属膜と、第二
層目の配線層で使用する第３の金属膜とその間にある第
２の絶縁膜で作るコンデンサができる。さらに第二層目
の配線層で使用する第３の金属膜と第１導電形半導体基
板中の不純物濃度の高い第１導電形半導体層はスルーホ
ールと第一層目の配線層の金属膜で電気的に接続されて
いるので各々で構成されるコンデンサが並列接続される
構造になる。従って従来構造のＭＩＳ形コンデンサより
容量を増加できる効果があり、従来と同じ静電容量のも
のを作る場合面積が小さくてすむという効果がある。
板中の不純物濃度の高い第１導電形半導体層と、二層配
線構造の第一層目の配線層と第二層目の配線層で使用す
る金属膜とスルーホールを有する半導体集積回路装置で
、前述の第１の導電形半導体基板中の不純物濃度の高い
第１導電形半導体層と第一層目の配線層で使用する第１
の金属膜とその間にある第１の絶縁膜で作るコンデンサ
と、第一層目の配線層で使用する第１の金属膜と、第二
層目の配線層で使用する第３の金属膜とその間にある第
２の絶縁膜で作るコンデンサができる。さらに第二層目
の配線層で使用する第３の金属膜と第１導電形半導体基
板中の不純物濃度の高い第１導電形半導体層はスルーホ
ールと第一層目の配線層の金属膜で電気的に接続されて
いるので各々で構成されるコンデンサが並列接続される
構造になる。従って従来構造のＭＩＳ形コンデンサより
容量を増加できる効果があり、従来と同じ静電容量のも
のを作る場合面積が小さくてすむという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体チップの主要部
の断面図、第２図は従来例を示す半導体チップの主要部
の断面図である。 １・・・Ｎ形半導体基板、２・・・Ｎ゛形半導体層、３
・・・第１の絶縁膜、４・・・第１の金属膜（第２電極
）、５・・・第２の絶縁膜、６・・・第３の金属膜（第
３電極）、７・・・スルーホール、８・・・第２の金属
膜。 荒１図 箭Ｚ図
の断面図、第２図は従来例を示す半導体チップの主要部
の断面図である。 １・・・Ｎ形半導体基板、２・・・Ｎ゛形半導体層、３
・・・第１の絶縁膜、４・・・第１の金属膜（第２電極
）、５・・・第２の絶縁膜、６・・・第３の金属膜（第
３電極）、７・・・スルーホール、８・・・第２の金属
膜。 荒１図 箭Ｚ図
Claims (1)
- 第１導電形半導体基板に、選択的に形成した不純物濃度
の高い第１導電形半導体層と、その上部に第１の絶縁膜
を介して形成した第１の金属膜と前記第１導電形半導体
層と電気的に接続された第２の金属膜と前記第１の金属
膜の上に絶縁膜を介して設けられた第３の金属膜と、さ
らに第３の金属膜と第２の金属膜を電気的に接続する手
段とを有してなるコンデンサを含むことを特徴とする半
導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25610386A JPS63108763A (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25610386A JPS63108763A (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63108763A true JPS63108763A (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=17287929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25610386A Pending JPS63108763A (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63108763A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0473960A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路 |
| EP0767363A3 (en) * | 1990-10-12 | 1997-07-02 | Kazuhiro Okada | A method of manufacturing a physical quantity detector using electrostatic capacitance change |
| US6282956B1 (en) | 1994-12-29 | 2001-09-04 | Kazuhiro Okada | Multi-axial angular velocity sensor |
| US6314823B1 (en) | 1991-09-20 | 2001-11-13 | Kazuhiro Okada | Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same |
| JP2006279063A (ja) * | 1998-02-27 | 2006-10-12 | Hitachi Ltd | アイソレータ及びそれを用いるモデム装置 |
-
1986
- 1986-10-27 JP JP25610386A patent/JPS63108763A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0473960A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路 |
| EP0767363A3 (en) * | 1990-10-12 | 1997-07-02 | Kazuhiro Okada | A method of manufacturing a physical quantity detector using electrostatic capacitance change |
| US5811693A (en) * | 1990-10-12 | 1998-09-22 | Okada; Kazuhiro | Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same |
| US6053057A (en) * | 1990-10-12 | 2000-04-25 | Okada; Kazuhiro | Force detector |
| US6158291A (en) * | 1990-10-12 | 2000-12-12 | Okada; Kazuhiro | Force detector and acceleration detector |
| US6477903B2 (en) | 1990-10-12 | 2002-11-12 | Kazuhiro Okada | Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same |
| US6716253B2 (en) | 1990-10-12 | 2004-04-06 | Kazuhiro Okada | Force detector |
| US6314823B1 (en) | 1991-09-20 | 2001-11-13 | Kazuhiro Okada | Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same |
| US6941810B2 (en) | 1993-03-30 | 2005-09-13 | Kazuhiro Okada | Angular velocity sensor |
| US6282956B1 (en) | 1994-12-29 | 2001-09-04 | Kazuhiro Okada | Multi-axial angular velocity sensor |
| US6865943B2 (en) | 1994-12-29 | 2005-03-15 | Kazuhiro Okada | Angular velocity sensor |
| JP2006279063A (ja) * | 1998-02-27 | 2006-10-12 | Hitachi Ltd | アイソレータ及びそれを用いるモデム装置 |
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