JPH0424957A - マイクロコンピュータデバイスの製造方法 - Google Patents

マイクロコンピュータデバイスの製造方法

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JPH0424957A
JPH0424957A JP2124851A JP12485190A JPH0424957A JP H0424957 A JPH0424957 A JP H0424957A JP 2124851 A JP2124851 A JP 2124851A JP 12485190 A JP12485190 A JP 12485190A JP H0424957 A JPH0424957 A JP H0424957A
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JP
Japan
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microcomputer
chip
eprom
terminal
interface circuit
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Pending
Application number
JP2124851A
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English (en)
Inventor
Yasuhiko Sakamoto
坂本 恭彦
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、EFROM (イレーザブルプログラマブル
リードオンリメモリ)を内蔵したマイクロコンピュータ
デバイスの製造方法に関する。
[従来の技術] EPROMを有するマイクロコンピュータデバイスを作
成する場合、マイクロコンピュータと同一のチップ上に
EPROMを形成することか行われる。
第6図は、この種のマイクロコンピュータデバイスの従
来の製造方法を示すフローチャートである。
同図に示すように、既存のマイクロコンピュータ用フォ
トマスクのパターンデータと既存のEPROM用フォト
マスクのパターンデータとをCAD(コンピュータエイ
デドデザイン)で合成する(工程a)。
マイクロコンピュータとEPROMとは製造プロセスが
それぞれ互いに異なっており、EPROMの製造プロセ
スかマイクロコンピュータの製造プロセスより複雑であ
る。例えば、マイクロコンピュータチップのトランジス
タのゲート材料に用いられるポリシリコンは1層である
のに対し、EPROMチップのトランジスタのゲート材
料に用いられるポリシリコンは2層となっている。また
、マイクロコンピュータのチップに供給される電源電圧
は通常5■以下であり、他方、EPROMチツブの書き
込み電圧はIOV以上である。このため、マイクロコン
ピュータのチップの絶縁層の耐電圧とEPROMチップ
の絶縁層の耐電圧とが異なるのでレイアウトや製造プロ
セスの変更も行わなければならない。
従って、同一のチップ上にマイクロコンピュータとEP
ROMとを同一の製造プロセスで形成するため既存のマ
イクロコンピュータ部分のパターンをEPROM用に修
正する(工程b)。
合成後修正されたマイクロコンピュータパターンのデー
タよりフォトマスクを形成する(工程C)このフォトマ
スクを用いてマイクロコンピュータのチップの試作を行
う(工程d)。
試作されたチップのテストを行い、テスト完了後パッケ
ージへのアセンブリを行う(工程e、f)。これにより
、マイクロコンピュータとEFROMとが同一のチップ
上に形成される。
[発明が解決しようとする課題] このようなマイクロコンピュータデバイスを製造するに
は、既存のマイクロコンピュータ(ROM部分はマスク
ROMのもの)のフォトマスクパターンをEPROMの
製造プロセスに合わせ込むための設計変更が必要である
また、1つのチップ上にマイクロコンピュータとEPR
OMとを組み込むことに伴う製造プロセスの変更のため
、トランジスタの電流供給能力やチップ上の配線部分の
抵抗値が変わってしまう。
このためデバイスの動作速度や、デバイス外部への電流
供給能力が変化するなど特性に変化か生じてしまう。
従って本発明の目的は、最小限度の枚数のフォトマスク
で製造することができ、しかも特性の変化がないマイク
ロコンピュータデバイスの製造方法を提供することにあ
る。
口課題を解決するための手段] 上述した目的は本発明によれば、EPROM用のインタ
ーフェース回路とマイクロコンピュータとを備えたマイ
クロコンピュータチップを形成し、一方、配線パターン
を有する基板を形成し、形成した基板上にマイクロコン
ピュータチップとEPROMを有するチップとを載置し
、両チップを配線パターンを介して接続することで達成
される。
[作用] EPROM用のインターフェース回路とマイクロコンピ
ュータとが同一のチップに形成されている。これにより
EFROMを新たに形成するためのプロセスが省略され
るのでマイクロコンピュータ部分のフォトマスクパター
ンをEPROMの製造プロセスに合わせ込む必要がない
[実施例] 以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第2図は本発明の一実施例としてのマイクロコンピュー
タデバイスから樹脂モールドを除去した際の斜視図であ
る。
同図に示すように、基板20上にEPROMチップ21
と、EPROM用のインターフェース回路とマイクロコ
ンピュータとを備えたマイクロコンピュータチップの一
例であるマイクロコンピュータチップ22とが載置され
ている。両チップ21及び22が基板上20の配線パタ
ーン23とボンディングワイヤとを介してそれぞれ互い
に接続されている。この基板20の下部周辺には複数の
外部端子24か所定の間隔で設けられており、基板20
上の両チップ21及び22と外部の回路との接続に用い
られる。
第3図は第2図に示したマイクロコンピュータデバイス
のブロック図である。
同図に示すようにマイクロコンピュータチップ22には
3つのインターフェース回路22a〜22cと1つの制
御信号発生回路22dとが内蔵されている。
これら3つのインターフェース回路22a〜22cと配
線パターン23とを介してマイクロコンピュータチップ
22のマイクロコンピュータとEPROMチップ2Iの
各端子とかそれぞれ接続されている。EPROM21に
はマイクロコンピュータのシステムプログラムやデータ
等が格納されている。
一方、マイクロコンピュータチップ22のマイクロコン
ピュータは、基板20の外部端子24と接続されている
第4図は第2図に示したマイクロコンピュータデバイス
をさらに詳細に説明するためのブロック図である。
同図に示すように、マイクロコンピュータデバイスの基
板20には、外部からの制御信号を入力するための制御
入力端子24aが設けられている。この制御入力端子2
4aは、マイクロコンピュータチップ22の図示しない
マイクロコンピュータから外部へ信号を出力するための
出力端子と、外部からEPROM2+へ制御信号を入力
するための制御入力端子とを兼用している。
入出力端子24bは、外部からデータ信号をEPROM
21へ入力したり、EPROM21から外部へデータ信
号をaカしたりするための端子である。
又、入出力端子24bは、マイクロコンビニル夕から外
部へ信号を出力するための出力端子でもある。
アドレス信号入力端子24cは、外部からEFROM2
1ヘアドレス信号を入力するための端子であり、マイク
ロコンピュータから外部へ信号を出力するための出力端
子と外部からEPROM21ヘアドレス信号を入力する
端子とを兼用している。
モード設定端子24dは、マイクロコンピュータがEP
ROM21に蓄積されているプログラムを実行する通常
モードや、EPROM2+にデータ等を書き込むモード
を設定するための信号を外部から入力するための端子で
ある。
EPROM21のチップには、図示しない記憶素子の他
に、制御信号の入力端子21aと、アドレス信号の入力
端子21bと、データ信号の入出力端子21cとが設け
られている。
各制御入力端子24aは、マイクロコンピュータチップ
22の各端子25aを介してインターフェース回路22
aの各入力端子とそれぞれ接続されており、インターフ
ェース回路22aの各出力端子は制御信号発生回路22
dの一方の入力端子と接続されている。
制御信号発生回路22dの他方の入力端子はマイクロコ
ンピュータチップ22の各端子25[1を介して各モー
ド設定端子24dと接続されている。
制御信号発生回路22dは、マイクロコンピュタチップ
22の端子26aと接続されており、基板22上の配線
パターン23を介してEPROM2+のチップの各入力
端子21aとそれぞれ接続されている。
入出力端子24bは、マイクロコンピュータチップ22
の端子25bを介してインターフェース回路22bの一
方の入力端子と接続されており、インターフェース回路
22bの他方の入力端子は制御信号発生回路22dの出
力端子と接続されている。制御信号発生回路22dはイ
ンターフェース回路22cとも接続されている。
インターフェース回路22bの出力端子は、マイクロコ
ンピュータチップ22の端子26bと接続されている。
端子26bは基板22上の配線パターン23を介してE
PROM2+のチップの端子21bと接続されている。
アドレス信号入力端子24cは、マイクロコンピュータ
チップ22の端子25cを介してインターフニス回路2
2cの一方の入力端子と接続されており、インターフェ
ース回路22cの他方の入力端子は、制御信号発生回路
22dの出力端子と接続されている。
インターフェース回路2h は、外部から制御入力端子
24aへ入力された制御信号を制御信号発生回路22d
へ送出する。
インターフェース回路22bは、入出力端子24bを介
して入力されるデータ信号をEPROM21へ入力し、
EPROM2+から送出されるデータ信号を入出力端子
24bへ送出する。
インターフェース回路22cは、外部からアドレス入力
端子24cへ入力されたアドレス信号を端子26cと配
線パターン23とを介してEPROM21へ送圧する。
インターフェース回路22cの各出力端子はマイクロコ
ンピュータチップ22の端子26cと接続されており、
基板20上の配線パターン23を介してEPROM21
のチップの端子21cと接続されている。
制御信号全生成回路22dは、通常モード信号や、書き
込みモード信号等を発生する。
第5図は第3図に示したインターフェース回路とマイク
ロコンピュータとの一部を表す回路図である。
同図に示すように、インターフェース回路22aは、複
数の3ステート素子によるパスバッファで構成されてお
り、各3ステート素子の制御入力端子には制御信号発生
回路22dからの制御信号がインバータにより反転され
て入力されている。
インターフェース回路22aの入力端子には既存のマイ
クロコンピュータの出力端子が接続されており、インタ
ーフェース回路22aの出力端子は制御入力端子24a
と接続されている。
インターフェース回路22b及び22cも同様に複数の
3ステート素子によるパスバッファで構成されている。
なお、これらのパスバッファの数は各入力端子や入出力
端子の数とともに増減してもよい。
インターフェース回路22bの入力端子には既存のマイ
クロコンピュータの8カ端子が接続されており、インタ
ーフェース回路22cには既存のマイクロコンピュータ
の出力端子が接続されている。
制御入力端子24aとマイクロコンピュータチップの端
子26a とは複数の2人カアンド27を介して接続さ
れている。
入出力端子24bとマイクロコンピュータチップの端子
26bとは、各入出力端子がそれぞれ互いに逆方向に接
続された2つの3ステート素子で構成された双方向パス
バッファで接続されている。各双方向パスバッファの一
端は各入出力端子24bと接続されており、各双方向パ
スバッファの他端は既存のマイクロコンピュータの各イ
ンストラクション入力端子とそれぞれ接続されている。
なお双方向パスバッファの数は図では1組が示されてい
るが入出力端子24bの数とともに増減してもよいこと
は明らかである。
アドレス信号入力端子24cとマイクロコンピュータチ
ップの端子26cとは2アンド2アンド2オア28を介
して接続されている。この2アンド2アンド2オア28
の入力端子にはマイクロコンピュータのプログラムカウ
ンタ29の出力端子か接続されている。
従って、本発明のマイクロコンピュータのチップは、同
図に示すように、インターフェース回路22a〜22c
やモード信号等の制御信号を発生する回路22d等を既
存のマイクロコンピュータに付加したマイクロコンピュ
ータチップをすることにより、マイクロコンピュータチ
ップの製造プロセスを変更したり追加することなく形成
することかできる。
なお、第5図に示す回路は外部とEFROMとを接続す
るために使用する端子24a 124b s 24cか
マイクロコンピュータの端子として使用される場合、そ
の端子形態か出力端子であることを仮定したものである
。この端子形態かたとえば入力端子なとの他の形態の場
合は、インターフェースのための回路が同図とは異なっ
てくる。
第1図は本発明の一実施例としてのマイクロコンピュー
タデバイスの製造方法を示すフローチャートである。
同図に示すように、既存のマイクロコンピュータ用のフ
ォトマスクのパターンにEPROM用のインターフェー
ス回路のパターンを組み込む。この場合、インターフェ
ース回路は既存のマイクロコンピュータと同一の製造プ
ロセスで形成することができるので、既存のマイクロコ
ンピュータの設計を基本的に変更する必要がない(工程
A)。
次にEPROM用のインターフェース回路と既存のマイ
クロコンピュータとを備えたマイクロコンピュータチッ
プのフォトマスクを形成する。
このマイクロコンピュータチップ用のフォトマスクの枚
数は、EPROM用のフォトマスクの枚数より少ない。
これは既存のマイクロコンピュータのチップのトランジ
スタのゲート材料に用いられるポリシリコンは1層であ
るのに対し、EFROMのチップは、例えばトランジス
タのゲート材料に用いられるポリシリコンは2層となっ
ているからである。従って少なくともポリシリコン1層
分のフォトマスクを省略することができる(工程B)。
EPROM用のインターフェース回路と既存のマイクロ
コンピュ〜りとを備えたマイクロコンピュータのチップ
を形成する(工程C)。
一方、配線パターンを有する基板を形成する。
この基板はマイクロコンピュータのチップの各端子、即
ちパッド座標とE F ROMのチップの各パッド座標
とを基にして、各端子を接続するための配線パターンや
外部端子を基板に形成する。尚、この工程は、工程A−
Cに示すマイクロコンピュータのチップの形成と並行し
て行ってもよい。基板には、例えばプリント基板が用い
られるが、これに限らず絶縁体上に配線パターンが形成
されていればよい(工程D)。
この基板上にマイクロコンピュータのチップとEPRO
Mのチップとを載置する。なおEPROMのチップは、
既存のものから選択するのみであるので新たにEPRO
Mのフォトマスクのパターンを設計する必要はない(工
程E)。
両チップを基板上の配線パターンを介してそれぞれ接続
する。両チップの接続にはワイヤボンディング法が用い
られるが、これに限らずワイヤレスボンディング法で接
続してもよい(工程F)。
樹脂モールド成型することによりマイクロコンピュータ
デバイスか完成する(工程G)。
このように本発明のマイクロコンピュータデバイスは、
新たにEPROMのフォトマスクのパターンを設計する
ことなく、最小限度の枚数のフォトマスクで形成するこ
とができる。
また、マイクロコンピュータのチップとEPROMのチ
ップをそれぞれ予めテストすることにより、良品のチッ
プを基板上に搭載することができるので歩留まりを向上
することができる。
さらにトランジスタの電流供給能力やチップ上の配線部
分の抵抗値が変わることによるデバイスの動作速度や、
デバイス外部への電流供給能力の変化等の特性の変化が
生じない。
[発明の効果] 以上詳細に説明したように本発明によれば、EPROM
用のインターフェース回路とマイクロコンピュータとを
備えたマイクロコンピュータチップを形成し、一方、配
線パターンを有する基板を形成し、形成した基板上にマ
イクロコンピュータチップとEFROMを有するチップ
とを載置し、両チップを配線パターンを介して接続する
ので、最小限度の枚数のフォトマスクで製造することか
でき、しかも特性の変化がないマイクロコンピュータデ
バイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例としてのマイクロコンピュー
タデバイスの製造方法を示すフローチャト、第2図は本
発明の一実施例としてマイクロコンピュータデバイスか
ら樹脂モールドを除去した際の斜視図、第3図は第2図
に示したマイクロコンピュータデバイスのブロック図、
第4図は第2図に示したマイクロコンピュータデバイス
をさらに詳細に説明するためのブロック図、第5図は第
3図に示したインターフェース回路とマイクロコンピュ
ータとの一部を表す回路図、第6図はEPROMを内蔵
したマイクロコンピュータデバイスの従来の製造方法を
示すフローチャートである。 20・・・・・・基板、21・・・・・・EPROM、
22・・・・・・マイクロコンピュータ、223〜22
c・・・・・・インターフェース回路、22d・・・・
・・制御信号発生回路、23・・・・・・配線パターン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  EPROM用のインターフェース回路とマイクロコン
    ピュータとを備えたマイクロコンピュータチップを形成
    し、一方、配線パターンを有する基板を形成し、該形成
    した基板上に前記マイクロコンピュータチップとEPR
    OMを有するチップとを載置し、両チップを前記配線パ
    ターンを介して接続することを特徴とするマイクロコン
    ピュータデバイスの製造方法。
JP2124851A 1990-05-15 1990-05-15 マイクロコンピュータデバイスの製造方法 Pending JPH0424957A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6078514A (en) * 1997-09-09 2000-06-20 Fujitsu Limited Semiconductor device and semiconductor system for high-speed data transfer
JP2006310411A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Fujitsu Ltd 半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6078514A (en) * 1997-09-09 2000-06-20 Fujitsu Limited Semiconductor device and semiconductor system for high-speed data transfer
JP2006310411A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP4707446B2 (ja) * 2005-04-26 2011-06-22 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置

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