JP2001306641A - 半導体集積回路の自動配置配線方法 - Google Patents

半導体集積回路の自動配置配線方法

Info

Publication number
JP2001306641A
JP2001306641A JP2000127322A JP2000127322A JP2001306641A JP 2001306641 A JP2001306641 A JP 2001306641A JP 2000127322 A JP2000127322 A JP 2000127322A JP 2000127322 A JP2000127322 A JP 2000127322A JP 2001306641 A JP2001306641 A JP 2001306641A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
grid
length
chip
wiring grid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000127322A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Shimizu
健 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
Priority to JP2000127322A priority Critical patent/JP2001306641A/ja
Publication of JP2001306641A publication Critical patent/JP2001306641A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線グリッド間隔の異なる2種類のLSIレ
イアウトを組み合わせる場合、端子と配線の間に未結線
部分が生じ、その未結線部分に手動で配線を配置しなけ
ればならず、一方の配線グリッド間隔に揃えようとする
と、レイアウトに長時間必要で時間的なロスが大きく、
チップ面積の増加が生じる場合もある。 【解決手段】 x方向の長さ{x2+(L/2)}、y
方向の長さ{y2+(L/2)}の端子16及び17が
配置される。配線グリッド10に沿って必要なマクロブ
ロックの配線11及び12が配置され、その後にチップ
上にチップの配線グリッド13に沿って配線14、15
が自動配線される。端子16及び17を上位のチップの
配線グリッド13で見てみると、必ず1本以上の配線グ
リッドをx方向及びy方向共に横切ることになるため、
チップ上の配線14、15は端子16、17を介して必
ずマクロブロックの配線11、12に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の自
動配置配線方法に係り、特にコンピュータ支援設計(C
AD)システムを用いて大規模半導体集積回路(LS
I)をレイアウト設計する半導体集積回路の自動配置配
線方法に関する。
【0002】
【従来の技術】CADシステムを用いて行うLSIのレ
イアウト設計に際しては、例えばNANDやNORなど
の論理ゲートに相当する基本セルをLSIチップ上に配
置しておき、基本セル間の配線を格子状のグリッドに沿
って自動的に配置することが行われる。また、基本セル
以外にも、トランジスタや抵抗を組み合わせたものなど
のセルもある。
【0003】また、いくつかの基本セルを用いて構成し
た、ゲートやフリップフロップなどの何種類かの論理機
能単位(ブロック)を実現する配線パターンは予めレイ
アウト設計され、ライブラリとして準備されているた
め、このライブラリから必要なプロックの配線パターン
を呼び出してブロックの自動配置及び自動配線すること
も行われる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、近年、LS
Iの高集積化などに伴い、各種メモリ、乗算器、AL
U、更にはCPU周辺回路などのマクロブロックも、ロ
ジック回路と共に1チップに搭載されるようになってき
たが、レイアウト設計におけるグリッドの間隔は、製造
プロセスの違いからテクノロジー毎に異なるため、ある
一つのマクロブロックを、そのまま別のテクノロジーの
ロジック回路用のチップに搭載させることはグリッドの
間隔が互いに異なり、そのままでは自動配置、配線がで
きない。
【0005】例えば、図4に示すように、マクロブロッ
ク1を、マクロブロック1の外側にパターンを持つチッ
プ2に搭載する場合、マクロブロック1の配線グリッド
3とチップ2の配線グリッド4とは、互いのテクノロジ
ーの違いからグリッド間隔が異なる。この場合、自動配
置配線では基本的に異なるグリッド間のレイアウトがで
きないため、チップ2の配線グリッド4上に配置されて
いる自動配線5と、マクロブロック1の端子との間に未
結線部分が生じ、その未結線部分に手動で配線6を配置
しなければならないという問題がある。
【0006】また、自動配置、配線のために、上記のマ
クロブロック1を図5に7で示すように、その配線グリ
ッド8をチップ2の配線グリッド4と同一のグリッド間
隔となるように自動配置配線し直して使用することも考
えられる。しかし、この場合は、マクロブロック1の配
線グリッドを使用できないということと、セルレイアウ
トやマクロブロックのレイアウト等も修正する作業が必
要になり、レイアウトに長時間必要で時間的なロスが大
きく、また、場合によってはチップ面積の増加が生じる
場合もある。
【0007】本発明は以上の点に鑑みなされたもので、
配線グリッド間隔が異なる複数のレイアウトを簡単に組
み合わせて短時間にレイアウトし得る半導体集積回路の
自動配置配線方法を提供することを目的とする。
【0008】また、本発明の他の目的は、既存のレイア
ウトデータを使用して既存のレイアウトの配線グリッド
間隔と異なる配線グリッド間隔に自動配置配線を簡単に
行い得る半導体集積回路の自動配置配線方法を提供する
ことにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、マクロブロック及び端子を配置してから第
1の配線グリッドに沿って所望の第1の配線を行った
後、グリッド間隔が前記第1の配線グリッドのグリッド
間隔以上の第2の配線グリッドに沿って少なくとも前記
端子に接続される配線を含む所望の第2の配線を行う半
導体集積回路の自動配置配線方法であって、第1の配線
グリッドのx方向の間隔よりも第2の配線グリッドのx
方向の間隔の方が長いときは、端子のx方向の長さを第
2の配線グリッドのx方向の間隔より第2の配線の配線
幅の1/2倍以上大なる値に設定し、第1の配線グリッ
ドのy方向の間隔よりも第2の配線グリッドのy方向の
間隔の方が長いときは、端子のy方向の長さを第2の配
線グリッドのy方向の間隔より第2の配線の配線幅の1
/2倍以上大なる値に設定して配置することを特徴とす
る。
【0010】本発明では、下位のマクロブロックの端子
のx方向の長さを、上位のマクロブロック又はチップの
第2の配線グリッドのx方向の間隔よりも第2の配線の
配線幅の1/2倍以上大とし、下位のマクロブロックの
端子のy方向の長さを、第2の配線グリッドのy方向の
間隔よりも第2の配線の配線幅の1/2倍以上大とする
ようにしたため、端子は第2の配線グリッドを1本以上
横切るようにできる。
【0011】ここで、上記の端子は、具体的には、x方
向の長さxp、y方向の長さypのサイズに設定され、
長さxpは、第2の配線グリッドのx方向の間隔をx
2、y方向の間隔をy2、第2の配線の配線幅をLとし
たとき、間隔x2が第1の配線グリッドのx方向の間隔
x1より大であるときには、{x2+(L/2)}以上
の長さで、x2=x1のときは任意の長さとし、長さy
pは、間隔y2が第1の配線グリッドのy方向の間隔y
1より大であるときには、{y2+(L/2)}以上の
長さで、y2=y1のときは任意の長さとして自動配線
することを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図1は本発明になる半導体集積
回路の自動配置配線方法の一実施の形態のフローチャー
ト、図2は本発明方法によりレイアウトされた端子と配
線の一例を示す。
【0013】本実施の形態について、図1及び図2を併
せ参照して説明する。一例として、まず、チップ上にマ
クロブロックの配置及び配線をしてから、マクロブロッ
クの外側のチップ上に図2に示すように配線をするもの
とする(以下、上記のマクロブロックを下位のマクロブ
ロック、上記のチップを上位のチップともいう。)。
【0014】ここで、図2において、下位のマクロブロ
ックの配線グリッド10はx方向のグリッド間隔(長
さ)がx1、y方向のグリッド間隔(長さ)がy1であ
り、また、配線11、12の幅はL’である。一方、上
位のチップの配線グリッド13はx方向のグリッド間隔
(長さ)がx2、y方向のグリッド間隔(長さ)がy2
であり、また、配線14及び15の幅はLである。この
実施の形態で自動配置配線をする前提として、x1≦x
2、y1≦y2であるものとする。
【0015】図1に戻って説明するに、CADによりレ
イアウトを行うに際し、記憶装置(図示せず)には、チ
ップやマクロブロックの配線グリッドの情報、配置する
マクロブロックの位置情報、配線情報などのパターンデ
ータが予め記憶されている。レイアウト装置は、この記
憶装置からパターンデータを取り込み(ステップS
1)、チップの配線グリッドのx方向の長さx2がマク
ロブロックの配線グリッドのx方向の長さx1よりも長
いかどうか判定し(ステップS2)、長ければ、マクロ
ブロックの端子のx方向の長さxpを xp≧x2+(L/2) ・・・(1) なる不等式を満足する値に設定する(ステップS3)。
ここで、(1)式中のLは、図2に示したチップ上の配
線14、15の幅である。
【0016】一方、x2>x1の条件が満たされないと
きには、x2=x1であり、この場合はマクロブロック
の配線グリッドのx方向の長さx1は、チップの配線グ
リッドのx方向の長さx2と等しいので、マクロブロッ
クの端子のx方向の長さは任意の長さに設定する(ステ
ップS4)。
【0017】続いて、チップの配線グリッドのy方向の
長さy2がマクロブロックの配線グリッドのy方向の長
さy1よりも長いかどうか判定し(ステップS5)、長
ければ、マクロブロックの端子のy方向の長さypを yp≧y2+(L/2) ・・・(2) なる不等式を満足する値に設定する(ステップS6)。
【0018】一方、y2>y1の条件が満たされないと
きには、y2=y1であり、この場合はマクロブロック
の配線グリッドのy方向の長さy2は、チップの配線グ
リッドのy方向の長さy1と等しいので、マクロブロッ
クの端子のy方向の長さは任意の長さに設定する(ステ
ップS7)。
【0019】ステップS6又はS7の処理の後、ステッ
プS3又はS4で設定したx方向の長さと、ステップS
6又はS7で設定したy方向の長さのマクロブロックの
端子を、チップ上にマクロブロックと共に配置する(ス
テップS8)。図2では、上記の端子として、x方向の
長さ{x2+(L/2)}、y方向の長さ{y2+(L
/2)}の端子16及び17が配置される。
【0020】続いて、マクロブロックの配線グリッド1
0に沿って必要なマクロブロックの配線が図2に11及
び12で示すように配置され、その後にチップ上にチッ
プの配線グリッド13に沿って図2に14及び15で示
すように自動配線される(ステップS9)。
【0021】この実施の形態では、端子16及び17を
上位のチップの配線グリッド13で見てみると、必ず1
本以上の配線グリッドをx方向及びy方向共に横切るこ
とになるため、チップ上の配線14、15は端子16、
17を介して必ずマクロブロックの配線11、12に接
続される。
【0022】次に、本実施の形態の作用効果について、
更に詳細に図3と共に説明する。マクロブロックの配線
グリッド10とチップの配線グリッド13とは、前述し
たようにテクノロジーの相違からx方向及びy方向の長
さ(グリッド間隔)が異なり、図3(A)に示すよう
に、下位のマクロブロックに端子19及び20を配置
し、それにつながる配線11及び12を行った後、この
マクロブロックの端子19、20につながるチップ上の
配線を配線グリッド13に沿って自動配置した場合、従
来は端子19及び20のサイズが配線グリッド10に対
応して決定されているので、配線グリッド10が配線グ
リッド13よりも小さい場合は、同図(A)に23で示
すような未結線や、24で示すような配線幅が極めて狭
いデザインルールエラーが発生することがある。
【0023】これに対し、本実施の形態では、マクロブ
ロックの端子のx方向のサイズは(1)式の不等式を満
足する値に設定され、かつ、y方向のサイズは(2)式
の不等式を満足する値に設定されることから、図3
(B)に示すように、マクロブロックの端子25及び2
6は、配線グリッド13よりも大きなサイズとされるた
め、チップ上の配線21は端子25に接続され、また、
チップ上の配線22は端子26に接続される。
【0024】従って、従来のように、未結線部分の手動
による配線を不要にできることからレイアウト作業等の
時間を短縮でき、また、従来のレイアウトデータを流用
することができる。更に、下位のマクロブロックの配線グ
リッドを上位のチップの配線グリッドと同一のグリッド
間隔となるように自動配置配線し直す必要も無いので、
セルレイアウトやマクロブロックのレイアウト等も修正
する作業が不要であり、場合によってはチップ面積を小
さくすることも可能である。
【0025】なお、本発明は上記の実施の形態に限定さ
れるものではなく、例えば上位のチップに代えて上位の
マクロブロックと下位のマクロブロックとの間で配線す
る場合も適用でき、またゲートアレイのLSI以外の各
種のLSIに適用可能である。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
下位のマクロブロックの端子のx方向の長さとy方向の
長さを、上位のマクロブロック又はチップの配線グリッ
ドの各方向の間隔よりも上位のマクロブロック又はチッ
プの配線の配線幅の1/2倍以上大とすることにより、
上記の下位のマクロブロックの端子が上位のマクロブロ
ック又はチップの配線グリッドを1本以上横切るように
したため、第2の配線を端子に必ず接続でき、よって、
従来のように、未結線部分の手動による配線を不要にで
きることからレイアウト作業等の時間を短縮できる。
【0027】また、本発明によれば、マクロブロックの
配置や配線自体は変更する必要が無いので、既存のレイ
アウトデータをそのまま流用することができる。
【0028】更に、本発明によれば、下位のマクロブロ
ックの第1の配線グリッドを第2の配線グリッドと同一
のグリッド間隔となるように自動配置配線し直す必要も
無いので、セルレイアウトやマクロブロックのレイアウ
ト等も修正する作業が不要である。
【0029】更に、本発明によれば、端子の外形を変更
するだけであるので、場合によってはチップ面積を小さ
くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態のフローチャートであ
る。
【図2】本発明の一実施の形態による端子と配線と配線
グリッドの関係を示す図である。
【図3】本発明の一実施の形態の作用効果説明図であ
る。
【図4】従来方法の一例による配線説明図である。
【図5】従来方法の他の例による配線説明図である。
【符号の説明】
10 マクロブロックの配線グリッド 11、12 マクロブロックの配線 13 チップの配線グリッド 14、15、21、22 チップの配線 16、17、25、26 本発明方法によるマクロブロ
ックの端子 19、20 従来方法によるマクロブロックの端子 23 未結線部分 24 デザインルールエラー個所

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マクロブロック及び端子を配置してから
    第1の配線グリッドに沿って所望の第1の配線を行った
    後、グリッド間隔が前記第1の配線グリッドのグリッド
    間隔以上の第2の配線グリッドに沿って少なくとも前記
    端子に接続される配線を含む所望の第2の配線を行う半
    導体集積回路の自動配置配線方法であって、 前記第1の配線グリッドのx方向の間隔よりも前記第2
    の配線グリッドのx方向の間隔の方が長いときは、前記
    端子のx方向の長さを前記第2の配線グリッドのx方向
    の間隔より前記第2の配線の配線幅の1/2倍以上大な
    る値に設定し、前記第1の配線グリッドのy方向の間隔
    よりも前記第2の配線グリッドのy方向の間隔の方が長
    いときは、前記端子のy方向の長さを前記第2の配線グ
    リッドのy方向の間隔より前記第2の配線の配線幅の1
    /2倍以上大なる値に設定して配置することを特徴とす
    る半導体集積回路の自動配置配線方法。
  2. 【請求項2】 前記端子は、x方向の長さxp、y方向
    の長さypのサイズに設定され、前記長さxpは、前記
    第2の配線グリッドのx方向の間隔をx2、y方向の間
    隔をy2、前記第2の配線の配線幅をLとしたとき、前
    記間隔x2が前記第1の配線グリッドのx方向の間隔x
    1より大であるときには、{x2+(L/2)}以上の
    長さで、x2=x1のときは任意の長さとし、前記長さ
    ypは、前記間隔y2が前記第1の配線グリッドのy方
    向の間隔y1より大であるときには、{y2+(L/
    2)}以上の長さで、y2=y1のときは任意の長さと
    して自動配線することを特徴とする請求項1記載の半導
    体集積回路の自動配置配線方法。
JP2000127322A 2000-04-27 2000-04-27 半導体集積回路の自動配置配線方法 Pending JP2001306641A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000127322A JP2001306641A (ja) 2000-04-27 2000-04-27 半導体集積回路の自動配置配線方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000127322A JP2001306641A (ja) 2000-04-27 2000-04-27 半導体集積回路の自動配置配線方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001306641A true JP2001306641A (ja) 2001-11-02

Family

ID=18636939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000127322A Pending JP2001306641A (ja) 2000-04-27 2000-04-27 半導体集積回路の自動配置配線方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001306641A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7940328B2 (en) 2006-05-25 2011-05-10 Sony Corporation Solid state imaging device having wirings with lateral extensions
JP2015506589A (ja) * 2012-01-13 2015-03-02 テラ イノヴェイションズ インコーポレイテッド リニアFinFET構造をもつ回路
WO2016129109A1 (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US9779200B2 (en) 2008-03-27 2017-10-03 Tela Innovations, Inc. Methods for multi-wire routing and apparatus implementing same
US9818747B2 (en) 2007-12-13 2017-11-14 Tela Innovations, Inc. Super-self-aligned contacts and method for making the same
US9859277B2 (en) 2006-03-09 2018-01-02 Tela Innovations, Inc. Methods, structures, and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits
US9871056B2 (en) 2008-03-13 2018-01-16 Tela Innovations, Inc. Semiconductor chip including integrated circuit having cross-coupled transistor configuration and method for manufacturing the same
US9905576B2 (en) 2006-03-09 2018-02-27 Tela Innovations, Inc. Semiconductor chip including region having rectangular-shaped gate structures and first metal structures
US9910950B2 (en) 2007-03-07 2018-03-06 Tela Innovations, Inc. Methods for cell phasing and placement in dynamic array architecture and implementation of the same
US9917056B2 (en) 2006-03-09 2018-03-13 Tela Innovations, Inc. Coarse grid design methods and structures
US10074640B2 (en) 2007-03-05 2018-09-11 Tela Innovations, Inc. Integrated circuit cell library for multiple patterning
US10230377B2 (en) 2006-03-09 2019-03-12 Tela Innovations, Inc. Circuitry and layouts for XOR and XNOR logic
US10446536B2 (en) 2009-05-06 2019-10-15 Tela Innovations, Inc. Cell circuit and layout with linear finfet structures

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9917056B2 (en) 2006-03-09 2018-03-13 Tela Innovations, Inc. Coarse grid design methods and structures
US10230377B2 (en) 2006-03-09 2019-03-12 Tela Innovations, Inc. Circuitry and layouts for XOR and XNOR logic
US10217763B2 (en) 2006-03-09 2019-02-26 Tela Innovations, Inc. Semiconductor chip having region including gate electrode features of rectangular shape on gate horizontal grid and first-metal structures of rectangular shape on at least eight first-metal gridlines of first-metal vertical grid
US10186523B2 (en) 2006-03-09 2019-01-22 Tela Innovations, Inc. Semiconductor chip having region including gate electrode features formed in part from rectangular layout shapes on gate horizontal grid and first-metal structures formed in part from rectangular layout shapes on at least eight first-metal gridlines of first-metal vertical grid
US10141335B2 (en) 2006-03-09 2018-11-27 Tela Innovations, Inc. Semiconductor CIP including region having rectangular-shaped gate structures and first metal structures
US9859277B2 (en) 2006-03-09 2018-01-02 Tela Innovations, Inc. Methods, structures, and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits
US10141334B2 (en) 2006-03-09 2018-11-27 Tela Innovations, Inc. Semiconductor chip including region having rectangular-shaped gate structures and first-metal structures
US9905576B2 (en) 2006-03-09 2018-02-27 Tela Innovations, Inc. Semiconductor chip including region having rectangular-shaped gate structures and first metal structures
KR101371843B1 (ko) 2006-05-25 2014-03-07 소니 주식회사 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 카메라 모듈
US7940328B2 (en) 2006-05-25 2011-05-10 Sony Corporation Solid state imaging device having wirings with lateral extensions
US10074640B2 (en) 2007-03-05 2018-09-11 Tela Innovations, Inc. Integrated circuit cell library for multiple patterning
US9910950B2 (en) 2007-03-07 2018-03-06 Tela Innovations, Inc. Methods for cell phasing and placement in dynamic array architecture and implementation of the same
US10734383B2 (en) 2007-10-26 2020-08-04 Tela Innovations, Inc. Methods, structures, and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits
US9818747B2 (en) 2007-12-13 2017-11-14 Tela Innovations, Inc. Super-self-aligned contacts and method for making the same
US10461081B2 (en) 2007-12-13 2019-10-29 Tel Innovations, Inc. Super-self-aligned contacts and method for making the same
US10727252B2 (en) 2008-03-13 2020-07-28 Tela Innovations, Inc. Semiconductor chip including integrated circuit having cross-coupled transistor configuration and method for manufacturing the same
US10020321B2 (en) 2008-03-13 2018-07-10 Tela Innovations, Inc. Cross-coupled transistor circuit defined on two gate electrode tracks
US10658385B2 (en) 2008-03-13 2020-05-19 Tela Innovations, Inc. Cross-coupled transistor circuit defined on four gate electrode tracks
US9871056B2 (en) 2008-03-13 2018-01-16 Tela Innovations, Inc. Semiconductor chip including integrated circuit having cross-coupled transistor configuration and method for manufacturing the same
US10651200B2 (en) 2008-03-13 2020-05-12 Tela Innovations, Inc. Cross-coupled transistor circuit defined on three gate electrode tracks
US9779200B2 (en) 2008-03-27 2017-10-03 Tela Innovations, Inc. Methods for multi-wire routing and apparatus implementing same
US10446536B2 (en) 2009-05-06 2019-10-15 Tela Innovations, Inc. Cell circuit and layout with linear finfet structures
JP2015506589A (ja) * 2012-01-13 2015-03-02 テラ イノヴェイションズ インコーポレイテッド リニアFinFET構造をもつ回路
JPWO2016129109A1 (ja) * 2015-02-13 2017-11-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US9947708B2 (en) 2015-02-13 2018-04-17 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and manufacturing method of the same
WO2016129109A1 (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100477042B1 (ko) 반도체 집적 회로 및 스탠더드 셀 배치 설계 방법
US6763511B2 (en) Semiconductor integrated circuit having macro cells and designing method of the same
JP2001127161A (ja) 集積回路
JP2001306641A (ja) 半導体集積回路の自動配置配線方法
EP0926736B1 (en) Semiconductor integrated circuit having thereon on-chip capacitors
US6477696B2 (en) Routing definition to optimize layout design of standard cells
US7091614B2 (en) Integrated circuit design for routing an electrical connection
US6780745B2 (en) Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same
US20030028853A1 (en) Wiring layout method of integrated circuit
JP2006155119A (ja) Lsi物理設計方法、プログラム及び装置
JP3647686B2 (ja) 半導体集積回路の設計方法および半導体集積回路の製造方法
JP2910734B2 (ja) レイアウト方法
JPH06216249A (ja) Icチップ自動レイアウト設計システム
JP3651654B2 (ja) 機能マクロ及びその設計方法、及び半導体装置の設計方法
JP3541782B2 (ja) 半導体集積回路の設計方法
JP3064925B2 (ja) レイアウト方法
JP2752152B2 (ja) スタンダードセルライブラリ及びそれを用いた自動配置配線方法
JP3052847B2 (ja) Lsiレイアウト方式
JP2004260059A (ja) 半導体装置の配線構造及び配線レイアウト作成方法
JPH0685066A (ja) 半導体集積回路装置の電源配線布設方法
JP2001036051A (ja) 半導体集積回路装置及びその設計方法
JPH0529459A (ja) 端子位置決定方法
JPH096826A (ja) 半導体集積回路の設計方法
JP2007081270A (ja) 半導体装置および集積回路の設計方法
JP2002261162A (ja) 半導体集積回路装置、およびそのレイアウト設計方法