JP6602805B2 - 磁気テープ - Google Patents

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Description

本発明は、磁気テープに関する。
磁気記録媒体にはテープ状のものとディスク状のものがあり、データバックアップ等のストレージ用途には、テープ状の磁気記録媒体、即ち磁気テープが主に用いられている。
磁気テープとして、特許文献1および2には、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側にバックコート層(特許文献1および2には、「バック層」と記載されている。)を有する磁気テープが開示されている。
特開昭63−249932号公報 特開平1−60819号公報
磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジ内にリールに巻き取られた状態で収容される。磁気テープカートリッジの1巻あたりの記録容量を高めるためには、磁気テープカートリッジ1巻に収められる磁気テープ全長を長くすべきである。そのためには、磁気テープを薄くする(以下、「薄型化」と記載する。)ことが求められる。
磁気テープの薄型化のための手段としては、バックコート層の厚みを薄くすることが挙げられる。バックコート層の厚みに関して、特許文献1にはバックコート層の厚みは2.5μm以下と記載されており(特許文献1の請求項1)、特許文献1の実施例でのバックコート層の厚みは2.0μmである。また、特許文献2には、バックコート層の厚みは1.5μmと記載されており(特許文献2の請求項1)、特許文献2の実施例でのバックコート層の厚みは1.0μmである。しかるに、近年求められている更なる高記録容量化のためには、バックコート層を更に薄くすること(以下、「薄層化」と記載する。)が望ましい。
しかしながら、本発明者がバックコート層の薄層化について検討したところ、特に、バックコート層を厚み0.30μm以下に薄層化した磁気テープでは、磁気テープをドライブにおいて走行させた後に、磁気テープのエッジ部分にダメージ(以下、「エッジダメージ」と記載する。)が発生する現象が顕著であることが判明した。この点について、更に説明すると、磁気テープへの情報の記録および/または再生は、磁気テープカートリッジをドライブにセットし、磁気テープカートリッジ内の磁気テープを走行させて行われる。上記の通り、磁気テープは磁気テープカートリッジ内にリールに巻き取られた状態で収容されているため、走行中には、リールからの磁気テープの送り出しおよび巻き取りが行われる。この巻き取り時に巻き乱れが生じると、リールのフランジ等に磁気テープのエッジが当たり、エッジダメージが発生してしまう。このエッジダメージは、記録時のエラー増加および/または走行安定性の低下を引き起こし得る。したがって、巻き乱れを抑制してエッジダメージを低減することが求められる。
そこで本発明の目的は、厚み0.30μm以下に薄層化されたバックコート層を有する磁気テープであって、エッジダメージの発生が抑制された磁気テープを提供することにある。
本発明の一態様は、
非磁性支持体の一方の表面側に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、他方の表面側に非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有する磁気テープであって、
上記バックコート層の厚みは、0.30μm以下であり、
上記バックコート層は、脂肪酸エステルを含み、
上記バックコート層の表面において振り子粘弾性試験により求められる対数減衰率は、0.060以下であり、
上記磁気テープを真空加熱する前に上記バックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、0nm超かつ10.0nm以下であり、
上記磁気テープを真空加熱した後に上記バックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、0nm超かつ10.0nm以下であり、かつ
上記磁気テープを真空加熱した後に上記バックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングSafterと、上記磁気テープを真空加熱する前に上記バックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングSbeforeとの差分(Safter−Sbefore)は、0nm超かつ8.0nm以下である磁気テープ、
に関する。
以下において、バックコート層の表面において振り子粘弾性試験により求められる対数減衰率を、単に「対数減衰率」ともいう。また、磁気テープの「バックコート層(の)表面」とは、磁気テープのバックコート層側表面と同義である。磁気テープの「磁性層(の)表面」とは、磁気テープの磁性層側表面と同義である。
本発明および本明細書において、バックコート層の表面において振り子粘弾性試験により求められる対数減衰率とは、以下の方法により求められる値とする。
図1〜図3は、対数減衰率の測定方法の説明図である。以下、これら図面を参照し対数減衰率の測定方法を説明する。ただし、図示された態様は例示であって、本発明を何ら限定するものではない。
測定対象の磁気テープから、測定用試料100を切り出す。切り出した測定用試料100を、振り子粘弾性試験機内の試料ステージ101において、基板103上に測定面(バックコート層表面)を上方に向けて載置し、目視で確認できる明らかなしわが入っていない状態で、固定用テープ105等で固定する。
測定用試料100の測定面上に、質量13gの振り子付円柱型シリンダエッジ104(直径4mm)を、シリンダエッジの長軸方向が測定用試料100の長手方向と平行になるように載せる。こうして測定用試料100の測定面に、振り子付円柱型シリンダエッジ104を載せた状態(上方から見た状態)の一例を、図1に示す。図1に示す態様では、ホルダ兼温度センサー102が設置され、基板103の表面温度をモニタリングできる構成になっている。ただし、この構成は必須ではない。なお測定用試料100の長手方向とは、図1に示す態様では図中に矢印によって示した方向であり、測定用試料を切り出した磁気テープにおける長手方向をいう。また、本明細書に記載の「平行」等の角度に関する記載には、本発明が属する技術分野において許容される誤差の範囲を含むものとする。例えば、厳密な角度±10°未満の範囲内であることを意味し、厳密な角度との誤差は、5°以下であることが好ましく、3°以下であることがより好ましい。また、振り子107(図2参照)としては、金属、合金等のマグネットに吸着される性質を有する材料製の振り子を用いる。
測定用試料100を載置した基板103の表面温度を5℃/min以下(5℃/min以下であれば任意の昇温速度でよい。)の昇温速度で昇温して80℃として、振り子運動を、振り子107とマグネット106との吸着を解除することにより開始(初期振動を誘起)させる。振り子運動している振り子107の状態(横から見た状態)の一例が、図2である。図2に示す態様では、振り子粘弾性試験機内で、試料ステージ下方に配置されたマグネット(電磁石)106への通電を停止して(スイッチをオフにして)吸着を解除することにより振り子運動を開始し、電磁石への通電を再開して(スイッチをオンにして)振り子107をマグネット106に吸着させることにより振り子運動を停止させる。振り子運動中、図2に示すように、振り子107は振幅を繰り返す。振り子が振幅を繰り返している間、振り子の変位を変位センサー108によりモニタリングして得られる結果から、変位を縦軸に取り、経過時間を横軸に取った変位−時間曲線を得る。変位−時間曲線の一例を、図3に示す。図3では、振り子107の状態と変位−時間曲線との対応が模式的に示されている。一定の測定間隔で、静止(吸着)と振り子運動とを繰り返し、10分以上(10分以上であれば任意の時間でよい。)経過した後の測定間隔において得られた変位−時間曲線を用いて、対数減衰率Δ(無単位)を、下記式から求め、この値を磁気テープのバックコート層表面の対数減衰率とする。1回の吸着の吸着時間は1秒以上(1秒以上であれば任意の時間でよい。)とし、吸着終了から次の吸着開始までの間隔は6秒以上(6秒以上であれば任意の時間でよい。)とする。測定間隔とは、吸着開始から次の吸着開始までの時間の間隔である。また、振り子運動を行う環境の湿度は、相対湿度40〜70%の範囲であれば任意の相対湿度でよい。
変位−時間曲線において、変位が極小から再び極小になるまでの間隔を、波の一周期とする。nを、測定間隔中の変位−時間曲線に含まれる波の数とし、Anを、n番目の波における極小変位と極大変位との差とする。図3では、n番目の波の変位が極小から再び極小になるまでの間隔を、Pn(例えば1番目の波についてはP、2番目についてはP、3番目についてはP)と表示している。対数減衰率の算出には、n番目の波の次に現れる極小変位と極大変位との差(上記式中、An+1、図3に示す変位−時間曲線ではA)も用いる。ただし、極大以降に振り子107が静止(吸着)している部分は波の数のカウントには用いない。また、極大変位以前に振り子107が静止(吸着)している部分も、波の数のカウントには用いない。したがって、図3に示す変位−時間曲線では、波の数は3つ(n=3)である。
以下において、磁気テープを真空加熱する前にバックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅(Full Width at Half Maximum;FWHM)を「FWHMbefore」とも記載し磁気テープを真空加熱した後にバックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅を「FWHMafter」とも記載する。また、磁気テープを真空加熱した後にバックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングSafterと、磁気テープを真空加熱する前にバックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングSbeforeとの差分を、「差分(Safter−Sbefore)」とも記載する。FWHMafter、および差分(Safter−Sbefore)を求めるためのスペーシングSafterは、磁気テープを真空加熱した後に求められる値である。本発明および本明細書において、磁気テープの「真空加熱」とは、磁気テープを200Pa以上0.01MPa以下の圧力かつ70〜90℃の雰囲気温度の環境下に24時間保持することにより行われる。
本発明および本明細書において、磁気テープのバックコート層表面において光学干渉法により測定されるスペーシングとは、以下の方法により測定される値とする。
磁気テープと透明な板状部材(例えばガラス板等)を、磁気テープのバックコート層表面が透明な板状部材と対向するように重ね合わせた状態で、磁気テープのバックコート層側とは反対側から5.05×10N/m(0.5atm)の圧力で押圧部材を押しつける。この状態で、透明な板状部材を介して磁気テープのバックコート層表面に光を照射し(照射領域:150000〜200000μm)、磁気テープのバックコート層表面からの反射光と透明な板状部材の磁気テープ側表面からの反射光との光路差によって発生する干渉光の強度(例えば干渉縞画像のコントラスト)に基づき、磁気テープのバックコート層表面と透明な板状部材表面との間のスペーシング(距離)を求める。ここで照射される光は特に限定されるものではない。照射される光が、複数波長の光を含む白色光のように、比較的広範な波長範囲にわたり発光波長を有する光の場合には、透明な板状部材と反射光を受光する受光部との間に、干渉フィルタ等の特定波長または特定波長域以外の光を選択的にカットする機能を有する部材を配置し、反射光の中の一部の波長または一部の波長域の光を選択的に受光部に入射させる。照射させる光が単一の発光ピークを有する光(いわゆる単色光)の場合には、上記の部材は用いなくてもよい。受光部に入射させる光の波長は、一例として、例えば500〜700nmの範囲にあることができる。ただし、受光部に入射させる光の波長は、上記範囲に限定されるものではない。また、透明な板状部材は、この部材を介して磁気テープに光を照射し干渉光が得られる程度に、照射される光を透過する透明性を有する部材であればよい。
以上の測定は、例えばMicro Physics社製Tape Spacing Analyzer等の市販のテープスペーシングアナライザー(TSA;Tape Spacing Analyzer)を用いて行うことができる。実施例におけるスペーシング測定は、Micro Physics社製Tape Spacing Analyzerを用いて実施した。
本発明および本明細書におけるスペーシング分布の半値全幅とは、上記スペーシングの測定により得られる干渉縞画像を300000ポイントに分割して各ポイントのスペーシング(磁気テープのバックコート層表面と透明な板状部材の磁気テープ側表面との間の距離)を求め、これをヒストグラムとし、このヒストグラムをガウス分布でフィッティングしたときの半値全幅(Full Width at Half Maximum;FWHM)である。
また、差分(Safter−before)は、上記300000ポイントにおける真空加熱後の最頻値から真空加熱前の最頻値を差し引いた値をいうものとする。
一態様では、上記対数減衰率は、0.010以上0.060以下である。
一態様では、上記バックコート層の厚みは、0.10μm以上0.30μm以下である。
一態様では、FWHMbeforeは、0nm超かつ8.0nm以下である。
一態様では、FWHMafterは、0nm超かつ8.0nm以下である。
一態様では、差分(Safter−Sbefore)は、0nm超かつ6.0nm以下である。
一態様では、上記バックコート層に含まれる非磁性粉末は、無機粉末およびカーボンブラックからなる群から選択される一種以上の非磁性粉末である。
一態様では、上記バックコート層における上記無機粉末の含有量は、上記バックコート層に含まれる非磁性粉末全量100.0質量部に対して50.0質量部超〜100.0質量部の範囲である。
一態様では、上記磁気テープは、上記非磁性支持体と上記磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有する。
本発明の一態様によれば、厚み0.30μm以下のバックコート層を有し、かつエッジダメージの発生が抑制された磁気テープを提供することができる。
対数減衰率の測定方法の説明図である。 対数減衰率の測定方法の説明図である。 対数減衰率の測定方法の説明図である。 磁気テープ製造工程の具体的態様の一例(工程概略図)を示す。 実施例で用いた振動付与装置の概略構成図である。
本発明の一態様は、非磁性支持体の一方の表面側に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、他方の表面側に非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有する磁気テープであって、上記バックコート層の厚みは0.30μm以下であり、上記バックコート層は脂肪酸エステルを含み、上記バックコート層の表面において振り子粘弾性試験により求められる対数減衰率は0.060以下であり、上記磁気テープを真空加熱する前に上記バックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅(FWHMbefore)は0nm超かつ10.0nm以下であり、上記磁気テープを真空加熱した後に上記バックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅(FWHMafter)は0nm超かつ10.0nm以下であり、かつ上記磁気テープを真空加熱した後に上記バックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングSafterと、上記磁気テープを真空加熱する前に上記バックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングSbeforeとの差分(Safter−Sbefore)は0nm超かつ8.0nm以下である磁気テープに関する。
上記磁気テープは、バックコート層が厚み0.30μm以下に薄層化されていてもエッジダメージの発生の抑制が可能である。この点について、本発明者は次のように考えている。
バックコート層が厚み0.30μm以下に薄層化されるとエッジダメージの発生が顕著となる理由は、バックコート層の剛性が低下することにより巻き取り時に磁性層の表面とバックコート層の表面との接触不良が発生して巻き乱れが生じるからではないかと、本発明者は考えている。これに対し、上記磁気テープでは、バックコート層表面において測定される対数減衰率、差分(Safter−Sbefore)、FWHMbeforeおよびFWHMafterがそれぞれ上記範囲であることにより、巻き取り時のバックコート層表面と磁性層表面との接触状態の安定性を高めることができ、その結果、巻き乱れに起因して生じるエッジダメージの発生を抑制できると本発明者は考えている。詳しくは、下記(1)〜(3)の通りである。
(1)本発明者は、巻き取り時のバックコート層表面の面内各部における磁性層表面との密着力の均一性を高めることが、巻き取り時のバックコート層表面と磁性層表面との接触状態の安定性を高めることに寄与すると考えている。更に上記の密着力の均一性には、バックコート層表面から遊離する粘着性成分が影響を及ぼすと推察している。詳しくは、巻き取り時のバックコート層表面の面内各部における磁性層表面との密着力は、上記粘着性成分の量が多いほど不均一となり、上記粘着性成分の量が少ないほど均一性が高まると推察される。
以上の点に関し、上記方法により測定される対数減衰率は、バックコート層表面から遊離する粘着性成分の量の指標になり得る値であると、本発明者は考えている。詳しくは、上記対数減衰率の値は、上記粘着性成分の量が多いほど大きくなり、上記粘着性成分の量が少ないほど小さくなると考えられる。そして本発明者は、上記磁気テープにおいて、バックコート層表面において測定される対数減衰率が0.060以下であることによって、巻き取り時のバックコート層表面の面内各部における磁性層表面との密着力の均一性を高めることができると考えている。
上記粘着性成分の詳細は明らかではない。ただし本発明者は、結合剤として用いられる樹脂に由来する可能性があると推察している。詳しくは、次の通りである。
結合剤としては、詳細を後述するように各種樹脂を用いることができる。樹脂とは、2つ以上の重合性化合物の重合体(ホモポリマーおよびコポリマーを包含する。)であり、分子量が平均分子量を下回る成分(以下、「低分子量結合剤成分」と記載する。)も通常含まれる。このような低分子量結合剤成分が、バックコート層表面から多く遊離するほど、巻き取り時のバックコート層表面の面内各部における磁性層表面との密着力は不均一になってしまうと、本発明者は考えている。上記の低分子量結合剤成分は粘着性を有すると考えられ、上記方法により求められる対数減衰率がバックコート層表面から遊離する粘着性成分の量の指標になるのではないかと、本発明者は推察している。なお、一態様では、バックコート層は、非磁性粉末および結合剤に加えて、硬化剤を含むバックコート層形成用組成物を、非磁性支持体表面に塗布し、硬化処理を施し形成される。ここでの硬化処理により、結合剤と硬化剤とを硬化反応(架橋反応)させることができる。ただし、低分子量結合剤成分は、硬化反応の反応性に乏しいのではないかと本発明者は考えている。その理由は明らかではない。硬化反応の反応性に乏しいため、低分子量結合剤成分はバックコート層に留まり難いことが、バックコート層表面から低分子量結合剤成分が遊離しやすい理由の1つではないかと、本発明者は推察している。
(2)差分(Safter−Sbefore)に関しては、この値がバックコート層に含まれる脂肪酸エステルによってバックコート層表面に形成される液膜の厚みの指標になり得ると本発明者は考えている。詳しくは、以下の通りである。
潤滑剤は、一般に流体潤滑剤と境界潤滑剤とに大別され、脂肪酸エステルは流体潤滑剤として機能し得る成分と言われている。脂肪酸エステルは、それ自身がバックコート層表面に液膜を形成することにより、バックコート層を保護する役割を果たすことができると考えられる。更に脂肪酸エステルの液膜は、磁気テープがリールに巻き取られてバックコート層表面と磁性層表面とが接触する際に、メニスカス(液架橋)により両表面の間に両表面を引き寄せる力(メニスカス力)をもたらすことができると考えられる。このことが、接触状態の安定性を高めることに寄与すると推察される。ただし、脂肪酸エステルがバックコート層表面に過剰に存在すると、メニスカス力が強く働き、接触状態の安定性の低下をもたらす貼り付きの原因になると考えられる。
以上の点に関して本発明者は、脂肪酸エステルは真空加熱により揮発する性質を有する成分であるため、真空加熱後(脂肪酸エステルの液膜が揮発し除去された状態)と真空加熱前(脂肪酸エステルの液膜が存在している状態)のスペーシングの差分(Safter−before)は、バックコート層表面における脂肪酸エステルにより形成される液膜の厚みの指標になり得ると考えている。更に本発明者は、差分(Safter−before)が0nm超かつ8.0nm以下となるようにバックコート層表面に脂肪酸エステルの液膜を存在させることが、巻き取り時にバックコート層表面と磁性層表面とを貼り付きを抑制しつつ安定な接触状態で接触させることにつながると推察している。
(3)更に本発明者は、差分(Safter−Sbefore)が上記範囲であるバックコート層表面において、更にFWHMbeforeおよびFWHMafterが上記範囲であることが、バックコート層表面と磁性層側表面との間に、巻き乱れを抑制するに足るメニスカス力を働かせることに寄与すると考えている。この点に関して、光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、この値が小さいほど測定対象表面の各部において測定されるスペーシングの値のばらつきが少ないことを意味する。磁気テープのバックコート層表面において上記のスペーシングの値がばらつく要因は、バックコート層自体の表面形状のばらつき(例えば、バックコート層に含まれる非磁性粉末の分散状態に起因するばらつき)と、脂肪酸エステルによって形成された液膜の厚みのばらつきにあると考えられる。真空加熱前、即ちバックコート層表面に脂肪酸エステルの液膜が存在する状態で測定されるFWHMbeforeは、バックコート層の表面形状のばらつきと脂肪酸エステルの液膜の厚みのばらつきが大きいほど大きくなり、中でも脂肪酸エステルの液膜の厚みのばらつきが大きく影響すると考えられる。これに対し、真空加熱後、即ちバックコート層表面から脂肪酸エステルの液膜が除去された状態で測定されるFWHMafterは、バックコート層自体の表面形状のばらつきが大きいほど大きくなると推察される。即ち、FWHMbeforeおよびFWHMafterがともに小さいほど、バックコート層の表面形状のばらつきもバックコート層表面の脂肪酸エステルの液膜の厚みのばらつきも小さいことを意味すると考えられる。そしてFWHMbeforeおよびFWHMafterがともに0nm超かつ10.0nm以下となるようにバックコート層の表面形状の均一性および脂肪酸エステルの液膜の厚みの均一性を高めることが、差分(Safter−Sbefore)が上記範囲であるバックコート層表面と磁性層側表面との間に、巻き乱れを抑制するに足るメニスカス力を働かせることに寄与すると、本発明者は推察している。
以上が、上記磁気テープでは、バックコート層の厚みが0.30μmに薄層化されているにもかかわらず、エッジダメージの発生の抑制が可能な理由についての本発明者の推察である。ただし上記は推察に過ぎず、本発明を何ら限定するものではない。
以下、上記磁気テープについて、更に詳細に説明する。
[バックコート層]
<バックコート層の厚み>
上記磁気テープのバックコート層の厚みは0.30μm以下である。バックコート層の厚みは、例えば0.10〜0.30μmであることができ、0.15〜0.30μmであることもでき、または0.20〜0.30μmであることもできる。バックコート層が厚み0.30μm以下に薄層化されていることは、このバックコート層を有する磁気テープの薄型化に寄与し得る。ただしバックコート層の薄層化は、エッジダメージの発生をもたらしてしまう。これに対し、厚み0.30μm以下のバックコート層の表面において測定される対数減衰率、差分(Safter−Sbefore)、FWHMbeforeおよびFWHMafterをそれぞれ上記範囲とすることにより、エッジダメージの発生を抑制することができる。バックコート層の厚みは、磁気テープの更なる薄型化の観点からは、0.25μm以下であることもでき、0.20μm以下であることもできる。
<対数減衰率>
上記磁気テープのバックコート層の表面において振り子粘弾性試験により求められる対数減衰率は、0.060以下である。このことが、厚み0.30μm以下のバックコート層を有する磁気テープにおいてエッジダメージの発生を抑制することに寄与すると本発明者は推察している。エッジダメージの更なる抑制の観点から、対数減衰率は、0.058以下であることが好ましく、0.055以下であることがより好ましく、0.050以下であることが更に好ましく、0.045以下であることが一層好ましく、0.040以下であることがより一層好ましく、0.035以下であることが更により一層好ましい。上記対数減衰率は、例えば0.010以上、または0.012以上であることができる。エッジダメージの発生を抑制する観点からは、対数減衰率は低いほど好ましい傾向がある。したがって、対数減衰率は、上記の例示した下限を下回ってもよい。バックコート層対数減衰率を調整するための手段の具体的態様は、後述する。
<FWHMbefore、FWHMafter
上記磁気テープのバックコート層表面において真空加熱前に測定されるFWHMbefore、および真空加熱後に測定されるFWHMafterは、ともに0nm超かつ10.0nm以下である。先に記載したように、FWHMbeforeおよびFWHMafterが上記範囲であることが、巻き取り時のバックコート層表面と磁性層表面との接触状態の安定性を高めることに寄与すると、本発明者は推察している。より一層接触状態の安定性を高める観点からは、FWHMbeforeおよびFWHMafterは、9.0nm以下であることが好ましく、8.0nm以下であることがより好ましく、7.0nm以下であることが更に好ましく、6.0nm以下であることが一層好ましく、5.0nm以下であることがより一層好ましい。FWHMbeforeおよびFWHMafterは、例えば1.0nm以上または2.0nm以上であることができる。エッジダメージの発生を抑制する観点からは、FWHMbeforeおよびFWHMafterの値は小さいほど好ましい傾向がある。したがって、FWHMbeforeおよびFWHMafterは、上記の例示した下限を下回ってもよい。
真空加熱前に測定されるFWHMbeforeは、主に脂肪酸エステルの液膜の厚みのばらつきを低減することにより小さくすることができる。具体的な手段の一例は後述する。一方、真空加熱後に測定されるFWHMafterは、バックコート層の表面形状のばらつきを低減することにより小さくすることができる。そのためには、バックコート層形成用組成物における非磁性粉末の分散性を向上することが好ましい。分散性は、例えば、バックコート層形成に用いる非磁性粉末の種類および二種以上の非磁性粉末を含む場合にはそれらの混合比等によって調整することができる。具体的な手段の一例は後述する。
<差分(Safter−Sbefore)>
上記磁気テープのバックコート層表面において測定される真空加熱前後のスペーシングの差分(Safter−Sbefore)は、0nm超かつ8.0nm以下である。エッジダメージの発生をより一層抑制する観点から、差分(Safter−Sbefore)は、0.1nm以上であることが好ましく、1.0nm以上であることがより好ましく、1.5nm以上であることが更に好ましい。また、同様の観点から、差分(Safter−Sbefore)は、7.0nm以下であることが好ましく、6.0nm以下であることがより好ましく、5.0nm以下であることが更に好ましく、4.0nm以下であることが一層好ましい。差分(Safter−Sbefore)は、バックコート層形成用組成物に添加する脂肪酸エステル量によって制御することができる。バックコート層形成用組成物に添加する脂肪酸エステル量を増量するほど、差分(Safter−Sbefore)は大きくなる傾向がある。
<脂肪酸エステル>
上記磁気テープは、バックコート層に脂肪酸エステルを含む。脂肪酸エステルと上記差分(Safter−Sbefore)、FWHMbeforeおよびFWHMafterとに関する本発明者の推察は、先に記載した通りである。
脂肪酸エステルは、バックコート層に一種のみ含まれていてもよく、二種以上含まれていてもよい。脂肪酸エステルとしては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等のエステルを挙げることができる。具体例としては、例えば、ミリスチン酸ブチル、パルミチン酸ブチル、ステアリン酸ブチル(ブチルステアレート)、ネオペンチルグリコールジオレエート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンジステアレート、ソルビタントリステアレート、オレイン酸オレイル、ステアリン酸イソセチル、ステアリン酸イソトリデシル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸ブトキシエチル等を挙げることができる。
バックコート層の脂肪酸エステル含有量は、バックコート層に含まれる非磁性粉末100.0質量部あたり、例えば0.1〜10.0質量部であり、好ましくは1.0〜5.0質量部である。脂肪酸エステルとして二種以上の異なる脂肪酸エステルを使用する場合、含有量とは、それらの合計含有量をいうものとする。本発明および本明細書において、特記しない限り、ある成分は一種のみ用いても二種以上を用いてもよい。ある成分を二種以上用いる場合、この成分の含有量とは、特記しない限り、これら二種以上の成分の合計含有量をいうものとする。
<その他潤滑剤>
上記磁気テープは、バックコート層に潤滑剤の一種である脂肪酸エステルを含み、脂肪酸エステル以外の潤滑剤をバックコート層に含んでもよく、含まなくてもよい。脂肪酸エステル以外の潤滑剤としては、脂肪酸、脂肪酸アミド等を挙げることができる。脂肪酸および脂肪酸アミドは、一般に境界潤滑剤として機能し得る成分と言われている。
脂肪酸としては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等を挙げることができ、ステアリン酸、ミリスチン酸およびパルミチン酸が好ましく、ステアリン酸がより好ましい。なお脂肪酸は、金属塩等の塩の形態でバックコート層に含まれていてもよい。
脂肪酸アミドとしては、上記の各種脂肪酸のアミド、例えば、ラウリン酸アミド、ミリスチン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド等を挙げることができる。
脂肪酸と脂肪酸誘導体(エステル、アミド等)を併用する場合、脂肪酸誘導体の脂肪酸由来部位は、併用される脂肪酸と同様または類似の構造を有することが好ましい。例えば、一例として、脂肪酸としてステアリン酸を用いる場合にステアリン酸エステルおよび/またはステアリン酸アミドを使用することは好ましい。
バックコート層の脂肪酸含有量は、バックコート層に含まれる非磁性粉末100.0質量部あたり、例えば0〜10.0質量部であり、好ましくは0.1〜10.0質量部であり、より好ましくは1.0〜7.0質量部である。バックコート層の脂肪酸アミド含有量は、バックコート層に含まれる非磁性粉末100.0質量部あたり、例えば0〜3.0質量部であり、好ましくは0〜2.0質量部であり、より好ましくは0〜1.0質量部である。
以上記載した各種潤滑剤は、磁性層、および/または、任意に設けられる非磁性層に含まれていてもよい。各層における潤滑剤の種類および/または含有量については、各層の処方に関する公知技術を適用できる。
<非磁性粉末>
バックコート層に含まれる非磁性粉末としては、カーボンブラックと、カーボンブラック以外の非磁性粉末と、のいずれか一方または両方を使用することができる。カーボンブラック以外の非磁性粉末としては、無機粉末を挙げることができる。無機粉末としては、α−酸化鉄等の酸化鉄、二酸化チタン等の酸化チタン、酸化セリウム、酸化スズ、酸化タングステン、ZnO、ZrO、SiO、Cr、α−アルミナ、β−アルミナ、γ−アルミナ、ゲータイト、コランダム、窒化珪素、チタンカーバイト、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、二硫化モリブデン、酸化銅、MgCO、CaCO、BaCO、SrCO、BaSO、炭化珪素等の無機粉末を挙げることができる。好ましい無機粉末は、無機酸化物粉末であり、より好ましくはα−酸化鉄および酸化チタンであり、更に好ましくはα−酸化鉄である。バックコート層に含まれる非磁性粉末については、非磁性層に含まれる非磁性粉末に関する後述の記載も参照できる。
一般に、無機粉末はカーボンブラックに比べてバックコート層形成用組成物における分散性が良好な傾向がある。バックコート層形成用組成物における非磁性粉末の分散性を高めることは、バックコート層の表面形状のばらつきを低減することに寄与し得る。したがって、バックコート層の表面形状のばらつきを低減するほど小さな値になると考えられる真空加熱後に測定されるFWHMafterの調整方法としては、バックコート層に含まれる非磁性粉末の種類および二種以上の非磁性粉末を含む場合にはそれらの混合比を調整することを挙げることができる。例えば、バックコート層の非磁性粉末の主粉末(非磁性粉末の中で質量基準で最も多く含まれる非磁性粉末)として、無機粉末を用いることは好ましい。バックコート層に含まれる非磁性粉末が無機粉末およびカーボンブラックからなる群から選択される一種以上の非磁性粉末である場合、非磁性粉末全量100.0質量部に対する無機粉末の含有量は、50.0質量部超〜100.0質量部の範囲であることが好ましく、60.0質量部〜100.0質量部の範囲であることがより好ましく、70.0質量部〜100.0質量部の範囲であることが更に好ましく、80.0質量部〜100.0質量部の範囲であることが一層好ましい。また、バックコート層における非磁性粉末の含有量(充填率)については、非磁性層の非磁性粉末に関する後述の記載を参照できる。
非磁性粉末の平均粒子サイズは、例えば10〜200nmの範囲であることができる。無機粉末の平均粒子サイズは、好ましくは50〜200nmの範囲であり、より好ましくは80〜150nmの範囲である。一方、カーボンブラックの平均粒子サイズは、好ましくは10〜50nmの範囲であり、より好ましくは15〜30nmの範囲である。
また、バックコート層形成用組成物における非磁性粉末の分散性は、公知の分散剤の使用、分散条件の強化等によっても高めることができる。
真空加熱前に測定されるFWHMbeforeの調整方法の好ましい態様については、後述する。
更にバックコート層は結合剤を含み、任意に公知の添加剤を含むこともできる。バックコート層の結合剤、添加剤等のその他詳細は、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および/または非磁性層に関する公知技術を適用することもできる。また、磁性層および非磁性層に関する後述の記載も参照できる。
次に、上記磁気テープに含まれる磁性層等について、更に詳細に説明する。
[磁性層]
<強磁性粉末>
磁性層に含まれる強磁性粉末としては、各種磁気記録媒体の磁性層において通常用いられる強磁性粉末を使用することができる。強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは、磁気テープの記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末としては、平均粒子サイズが50nm以下の強磁性粉末を用いることが好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは10nm以上であることが好ましい。
強磁性粉末の好ましい具体例としては、強磁性六方晶フェライト粉末を挙げることができる。強磁性六方晶フェライト粉末の平均粒子サイズは、記録密度向上と磁化の安定性の観点から、10nm以上50nm以下であることが好ましく、20nm以上50nm以下であることがより好ましい。強磁性六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば、特開2011−225417号公報の段落0012〜0030、特開2011−216149号公報の段落0134〜0136、および特開2012−204726号公報の段落0013〜0030を参照できる。
強磁性粉末の好ましい具体例としては、強磁性金属粉末を挙げることもできる。強磁性金属粉末の平均粒子サイズは、記録密度向上と磁化の安定性の観点から、10nm以上50nm以下であることが好ましく、20nm以上50nm以下であることがより好ましい。強磁性金属粉末の詳細については、例えば特開2011−216149号公報の段落0137〜0141および特開2005−251351号公報の段落0009〜0023を参照できる。
本発明および本明細書において、特記しない限り、強磁性粉末等の各種粉末の平均粒子サイズは、透過型電子顕微鏡を用いて、以下の方法により測定される値とする。
粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率100000倍で撮影し、総倍率500000倍になるように印画紙にプリントして粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子(一次粒子)のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
以上の測定を、無作為に抽出した500個の粒子について行う。こうして得られた500個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡H−9000型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトKS−400を用いて行うことができる。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡H−9000型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトKS−400を用いて測定された値である。本発明および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している態様に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している態様も包含される。粒子との語が、粉末を表すために用いられることもある。
粒子サイズ測定のために磁気テープから試料粉末を採取する方法としては、例えば特開2011−048878号公報の段落0015に記載の方法を採用することができる。
本発明および本明細書において、特記しない限り、粉末を構成する粒子のサイズ(粒子サイズ)は、上記の粒子写真において観察される粒子の形状が、
(1)針状、紡錘状、柱状(ただし、高さが底面の最大長径より大きい)等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、即ち長軸長で表され、
(2)板状または柱状(ただし、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい)の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
(3)球形、多面体状、不特定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものを言う。
また、粉末の平均針状比は、上記測定において粒子の短軸の長さ、即ち短軸長を測定し、各粒子の(長軸長/短軸長)の値を求め、上記500個の粒子について得た値の算術平均を指す。ここで、特記しない限り、短軸長とは、上記粒子サイズの定義で(1)の場合は、粒子を構成する短軸の長さを、同じく(2)の場合は、厚みまたは高さを各々指し、(3)の場合は、長軸と短軸の区別がないから、(長軸長/短軸長)は、便宜上1とみなす。
そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義(1)の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義(2)の場合、平均粒子サイズは平均板径であり、平均板状比とは、(最大長径/厚みまたは高さ)の算術平均である。同定義(3)の場合、平均粒子サイズは、平均直径(平均粒径、平均粒子径ともいう)である。
磁性層における強磁性粉末の含有量(充填率)は、好ましくは50〜90質量%の範囲であり、より好ましくは60〜90質量%の範囲である。磁性層の強磁性粉末以外の成分は、少なくとも結合剤であり、任意に一種以上の更なる添加剤が含まれ得る。磁性層において強磁性粉末の充填率が高いことは、記録密度向上の観点から好ましい。
<結合剤、硬化剤>
上記磁気テープは塗布型磁気テープであって、磁性層に結合剤を含む。結合剤とは、一種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー(共重合体)でもよい。これらの樹脂は、バックコート層および/または後述する非磁性層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開2010−24113号公報の段落0028〜0031を参照できる。また、結合剤は、電子線硬化型樹脂等の放射線硬化型樹脂であってもよい。放射線硬化型樹脂については、特開2011−048878号公報の段落0044〜0045を参照できる。
結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば10,000以上200,000以下であることができる。
本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によって測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。測定条件としては、下記条件を挙げることができる。
GPC装置:HLC−8120(東ソー社製)
カラム:TSK gel Multipore HXL−M(東ソー社製、7.8mmID(inner diameter(内径))×30.0cm)
溶離液:テトラヒドロフラン(THF)
上記結合剤として使用可能な樹脂とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一態様では加熱により硬化反応(架橋反応)が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一態様では光照射により硬化反応(架橋反応)が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁性層形成工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応(架橋)した状態で磁性層に含まれ得る。この点は、バックコート層形成用組成物等の他の層を形成するために用いられる組成物が硬化剤を含む場合に、この組成物を用いて形成される層についても、同様である。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開2011−216149号公報の段落0124〜0125を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤100.0質量部に対して例えば0〜80.0質量部、磁性層の強度向上の観点からは好ましくは50.0〜80.0質量部の量で使用することができる。
<添加剤>
磁性層には、強磁性粉末および結合剤が含まれ、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、一例として、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれる添加剤としては、非磁性粉末(例えば無機粉末、カーボンブラック等)、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。また、非磁性粉末としては、研磨剤として機能することができる非磁性粉末、磁性層表面に適度に突出する突起を形成する突起形成剤として機能することができる非磁性粉末(例えば非磁性コロイド粒子等)等が挙げられる。なお後述の実施例に示すコロイダルシリカ(シリカコロイド粒子)の平均粒子サイズは、特開2011−048878号公報の段落0015に平均粒径の測定方法として記載されている方法により求められた値である。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して、または公知の方法で製造して、任意の量で使用することができる。研磨剤を含む磁性層に使用され得る添加剤の一例としては、特開2013−131285号公報の段落0012〜0022に記載の分散剤を、研磨剤の分散性を向上するための分散剤として挙げることができる。
以上説明した磁性層は、非磁性支持体表面上に直接、または非磁性層を介して間接的に、設けることができる。
[非磁性層]
次に非磁性層について説明する。上記磁気テープは、非磁性支持体表面上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体表面上に非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を介して磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機粉末でも有機粉末でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機粉末としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等の粉末が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開2011−216149号公報の段落0146〜0150を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開2010−24113号公報の段落0040〜0041も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量(充填率)は、好ましくは50〜90質量%の範囲であり、より好ましくは60〜90質量%の範囲である。
非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細は、非磁性層に関する公知技術が適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。
上記磁気テープの非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が10mT以下であるか、保磁力が7.96kA/m(100Oe)以下であるか、または、残留磁束密度が10mT以下であり、かつ保磁力が7.96kA/m(100Oe)以下である層をいうものとする。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。
[非磁性支持体]
次に、非磁性支持体(以下、単に「支持体」とも記載する。)について説明する。非磁性支持体としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、熱処理等を行ってもよい。
[各種厚み]
非磁性支持体の厚みは、好ましくは3.00〜20.00μm、より好ましくは3.00〜10.00μm、更に好ましくは3.00〜6.00μmであり、特に好ましくは3.00〜4.50μmである。
磁性層の厚みは、用いる磁気ヘッドの飽和磁化量、ヘッドギャップ長、記録信号の帯域等に応じて最適化することができる。磁性層の厚みは、一般には0.01μm〜0.15μmであり、高密度記録化の観点から、好ましくは0.02μm〜0.12μmであり、更に好ましくは0.03μm〜0.10μmである。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する二層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。二層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。
非磁性層の厚みは、例えば0.10〜1.50μmであり、0.10〜1.00μmであることが好ましい。
バックコート層の厚みについては、先に記載した通りである。バックコート層を薄層化することは、磁気テープの薄型化のための手段の1つとして挙げられる。磁気テープを薄型化することにより磁気テープカートリッジ1巻あたりの記録容量を高める観点から、上記磁気テープの総厚は、6.00μm以下であることが好ましい。一方、磁気テープの取り扱いの容易性(ハンドリング性)等の観点からは、磁気テープの総厚は1.00μm以上であることが好ましい。
磁気テープの各層および非磁性支持体の厚みは、公知の膜厚測定法により求めることができる。一例として、例えば、磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビーム、ミクロトーム等の公知の手法により露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡によって断面観察を行う。断面観察において厚み方向の1箇所において求められた厚み、または無作為に抽出した2箇所以上の複数箇所、例えば2箇所、において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各層の厚みは、製造条件から算出される設計厚みとして求めてもよい。
[磁気テープの製造方法]
<各層形成用組成物の調製>
磁性層、バックコート層または任意に設けられる非磁性層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶媒を含む。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体を製造するために一般に使用される各種有機溶媒を用いることができる。中でも、塗布型磁気記録媒体に通常使用される結合剤の溶解性の観点からは、各層形成用組成物には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン等のケトン溶媒の一種以上が含まれることが好ましい。各層形成用組成物における溶媒量は特に限定されるものではなく、通常の塗布型磁気記録媒体の各層形成用組成物と同様にすることができる。各層を形成するための組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含む。個々の工程はそれぞれ2段階以上に分かれていてもかまわない。本発明で用いられる全ての原料は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。また、個々の原料を2つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。磁気テープを製造するためには、公知の製造技術を用いることができる。混練工程ではオープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつニーダを使用することが好ましい。これらの混練処理の詳細については特開平1−106338号公報および特開平1−79274号公報に記載されている。また、各層形成用組成物を分散させるためには、分散メディアとして、ガラスビーズおよびその他の分散ビーズの一種以上を用いることができる。このような分散ビーズとしては、高比重の分散ビーズであるジルコニアビーズ、チタニアビーズ、およびスチールビーズが好適である。これら分散ビーズの粒径(ビーズ径)と充填率は最適化して用いることができる。分散機は公知のものを使用することができる。各層形成用組成物を、塗布工程に付す前に公知の方法によってろ過してもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径0.01〜3μmのフィルタを用いることができる。
<塗布工程、冷却工程、加熱乾燥工程、バーニッシュ(burnish)処理工程、硬化工程、振動付与工程>
磁性層は、磁性層形成用組成物を、非磁性支持体表面上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次または同時に重層塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開2010−231843号公報の段落0066を参照できる。
好ましい一態様では、上記磁気テープは、非磁性層形成用組成物と磁性層形成用組成物とを逐次重層塗布することにより製造することができる。逐次重層塗布を含む製造工程は、好ましくは次のように行うことができる。非磁性層を、非磁性層形成用組成物を非磁性支持体表面上に塗布することにより塗布層を形成する塗布工程、および形成した塗布層を加熱処理により乾燥させる加熱乾燥工程を経て形成する。そして形成された非磁性層の表面上に磁性層形成用組成物を塗布することにより塗布層を形成する塗布工程、および形成した塗布層を加熱処理により乾燥させる加熱乾燥工程を経て、磁性層を形成することができる。
一方、バックコート層は、非磁性支持体の磁性層が形成された(または形成される)表面とは反対の表面側に形成される。好ましくは、バックコート層は、バックコート層形成用組成物を非磁性支持体表面上に塗布することにより塗布層を形成する塗布工程、および形成した塗布層を加熱処理により乾燥させる加熱乾燥工程を経て形成することができる。
好ましい一態様では、上記磁気テープは、バックコート層形成工程が、
非磁性粉末、結合剤、脂肪酸エステル、硬化剤および溶媒を含むバックコート層形成用組成物を非磁性支持体表面上に塗布することにより塗布層を形成する塗布工程、
上記塗布層を加熱処理により乾燥させる加熱乾燥工程、ならびに、
上記塗布層に硬化処理を施す硬化工程、
を含み、
上記塗布工程と加熱乾燥工程との間に、上記塗布層を冷却する冷却工程を含み、
上記加熱乾燥工程と硬化工程との間に、上記塗布層表面をバーニッシュするバーニッシュ処理工程を含み、かつ
上記硬化工程の後にバックコート層に振動を加える工程(振動付与工程)を含む製造方法により、製造することができる。
上記製造方法のバックコート層形成工程の中で冷却工程およびバーニッシュ処理工程を実施することは、バックコート層の表面において測定される対数減衰率を0.060以下とするための好ましい手段であると本発明者は考えている。詳しくは、次の通りである。
塗布工程と加熱乾燥工程との間に塗布層を冷却する冷却工程を行うことは、バックコート層表面から遊離する粘着性成分を、上記塗布層の表面および/または表面近傍の表層部分に局在させることに寄与するのではないかと、本発明者は推察している。これは、加熱乾燥工程前に上記塗布層を冷却することにより、加熱乾燥工程における溶媒揮発時に粘着性成分が上記塗布層の表面および/または表層部分に移行しやすくなるためではないかと考えられる。ただし、その理由は明らかではない。そして、粘着性成分が表面および/または表層部分に局在した塗布層の表面をバーニッシュ処理することにより、粘着性成分を除去することができると本発明者は考えている。こうして粘着性成分を除去した後に硬化工程を行うことが、バックコート層の表面において測定される対数減衰率を0.060以下にすることにつながると、本発明者は推察している。ただし、以上は推察に過ぎず、本発明を何ら限定するものではない。
更に、振動付与工程を行うことにより、バックコート層表面の脂肪酸エステルの液膜が流動し、液膜の厚みの均一性が向上されると考えられる。したがって、振動付与工程を行うことは、FWHMbeforeを制御するために好ましい。
以下、一例として、上記磁気テープの製造方法の具体的態様を、図4に基づき説明する。ただし本発明は、下記具体的態様に限定されるものではない。
図4は、非磁性支持体の一方の表面側に非磁性層と磁性層とをこの順に有し、他方の表面側にバックコート層を有する磁気テープを製造する工程の具体的態様を示す工程概略図である。図4に示す態様では、非磁性支持体(長尺フィルム)を、送り出し部から送り出し、巻き取り部で巻き取る操作を連続的に行い、かつ図4に示されている各部または各ゾーンにおいて塗布、乾燥、配向等の各種処理を行うことにより、走行する非磁性支持体上の一方の表面側に非磁性層および磁性層を逐次重層塗布により形成し、他方の表面側にバックコート層を形成することができる。バックコート層形成工程に冷却ゾーンを含み、かつ硬化処理前にバーニッシュ処理工程を含む点以外は、塗布型磁気記録媒体の製造のために通常行われる製造工程と同様にすることができる。
送り出し部から送り出された非磁性支持体上には、第一の塗布部において、非磁性層形成用組成物の塗布が行われ、非磁性層形成用組成物の塗布層が形成される(非磁性層形成用組成物の塗布工程)。
第一の加熱処理ゾーンでは、形成された塗布層を加熱することにより、非磁性層形成用組成物の塗布層を乾燥させる(加熱乾燥工程)。加熱乾燥処理は、塗布工程後の塗布層を有する非磁性支持体を加熱雰囲気中に通過させることにより行うことができる。ここでの加熱雰囲気の雰囲気温度は、例えば60〜140℃程度である。ただし、溶媒を揮発させて塗布層を乾燥させることができる温度とすればよく、上記範囲に限定されるものではない。また任意に、加熱した気体を塗布層表面に吹き付けてもよい。以上の点は、後述する第二の加熱処理ゾーンにおける加熱乾燥工程および第三の加熱処理ゾーンにおける加熱乾燥工程についても、同様である。また、結合剤として電子線硬化型樹脂等の放射線硬化型樹脂を含む非磁性層形成用組成物を用いて塗布層を形成した場合には、電子線等の放射線を塗布層に照射する硬化処理を行うことができる。この点は、他の層を形成する工程についても同様である。
次に、第二の塗布部において、第一の加熱処理ゾーンにて加熱乾燥工程を行い形成された非磁性層表面上に、磁性層形成用組成物が塗布され、磁性層形成用組成物の塗布層が形成される(磁性層形成用組成物の塗布工程)。
その後、磁性層形成用組成物の塗布層が湿潤状態にあるうちに、配向ゾーンにおいて塗布層中の強磁性粉末の配向処理が行われる。配向処理については、特開2010−24113号公報の段落0052を参照することができる。
配向処理後の塗布層は、第二の加熱処理ゾーンにおいて加熱乾燥工程に付される。
次いで、第三の塗布部において、非磁性支持体の非磁性層および磁性層が形成された表面とは反対の表面上に、バックコート層形成用組成物が塗布されて塗布層が形成される(バックコート層形成用組成物の塗布工程)。
上記塗布工程後、冷却ゾーンにおいて、塗布工程で形成されたバックコート層形成用組成物の塗布層が冷却される(冷却工程)。例えば、上記塗布層を形成した非磁性支持体を冷却雰囲気中に通過させることにより、冷却工程を行うことができる。冷却雰囲気の雰囲気温度は、好ましくは−10℃〜0℃の範囲とすることができ、より好ましくは−5℃〜0℃の範囲とすることができる。冷却工程を行う時間(例えば、塗布層の任意の部分が冷却ゾーンに搬入されてから搬出されるまでの時間(以下において、「滞在時間」ともいう。))は特に限定されるものではない。滞在時間を長くするほど対数減衰率の値は小さくなる傾向があるため、0.060以下の対数減衰率が実現できるように必要に応じて予備実験を行う等して調整することが好ましい。なお冷却工程では、冷却した気体を塗布層表面に吹き付けてもよい。
その後、第三の加熱処理ゾーンにおいて、冷却工程後の塗布層を加熱処理し乾燥させる。
こうして、非磁性支持体の一方の表面側に、非磁性層および磁性層をこの順に有し、他方の表面側に加熱乾燥されたバックコート層形成用組成物の塗布層を有する磁気テープを得ることができる。ここで得られた磁気テープは、この後に、後述する各種処理を施した後に、製品磁気テープとなる。
得られた磁気テープは、巻き取り部に巻き取られた後に、製品磁気テープのサイズに裁断(スリット)される。スリットは、公知の裁断機を用いて行うことができる。
スリットされた磁気テープは、バックコート層形成用組成物に含まれている硬化剤の種類に応じた硬化処理(加熱、光照射等)を行う前に、加熱乾燥されたバックコート層形成用組成物の塗布層の表面をバーニッシュ処理される(加熱乾燥工程と硬化工程との間のバーニッシュ処理工程)。このバーニッシュ処理により、冷却ゾーンにおいて冷却されて塗布層表面および/または表層部分に移行した粘着性成分を除去できることが、対数減衰率を0.060以下にすることにつながると、本発明者は推察している。ただし先に記載した通り、推察に過ぎず、本発明を何ら限定するものではない。
バーニッシュ処理は、部材(例えば研磨テープ、または研削用ブレード、研削用ホイール等の研削具)により処理対象の表面を擦る処理であり、塗布型磁気記録媒体製造のために公知のバーニッシュ処理と同様に行うことができる。ただし、冷却工程および加熱乾燥工程を経た後、硬化工程前の段階でバーニッシュ処理を行うことは、従来行われていなかった。これに対し、上記段階でバーニッシュ処理を行うことにより、対数減衰率を0.060以下にすることができる。
バーニッシュ処理は、好ましくは、研磨テープによって処理対象の塗布層表面を擦る(研磨する)こと、研削具によって処理対象の塗布層表面を擦る(研削する)ことの一方または両方を行うことにより、実施することができる。研磨テープとしては、市販品を用いてもよく、公知の方法で作製した研磨テープを用いてもよい。また、研削具としては、固定式ブレード、ダイヤモンドホイール、回転式ブレード等の公知の研削用ブレード、研削用ホイール等を用いることができる。また、研磨テープおよび/または研削具によって擦られた塗布層表面をワイピング材によって拭き取るワイピング(wiping)処理を行ってもよい。好ましい研磨テープ、研削具、バーニッシュ処理およびワイピング処理の詳細については、特開平6−52544号公報の段落0034〜0048、図1および同公報の実施例を参照できる。バーニッシュ処理を強化するほど、対数減衰率の値は小さくなる傾向がある。バーニッシュ処理は、研磨テープに含まれる研磨剤として高硬度な研磨剤を用いるほど強化することができ、研磨テープ中の研磨剤量を増やすほど強化することができる。また、研削具として高硬度な研削具を用いるほどバーニッシュ処理を強化することができる。バーニッシュ処理条件に関しては、処理対象の塗布層表面と部材(例えば研磨テープまたは研削具)との摺動速度を早くするほど、バーニッシュ処理を強化することができる。上記摺動速度は、部材を移動させる速度および処理対象の磁気テープを移動させる速度の一方または両方を速くすることにより、速くすることができる。
上記のバーニッシュ処理(バーニッシュ処理工程)後、バックコート層形成用組成物の塗布層に硬化処理を施す。図4に示す態様では、バックコート層形成用組成物の塗布層には、バーニッシュ処理後、硬化処理前に、表面平滑化処理が施される。表面平滑化処理は、磁気テープの磁性層表面および/またはバックコート層表面の平滑性を高めるために行われる処理であり、カレンダ処理によって行うことが好ましい。カレンダ処理の詳細については、例えば特開2010−231843号公報の段落0026を参照できる。カレンダ処理を強化するほど、磁気テープ表面を平滑化することができる。カレンダ処理は、カレンダロールの表面温度(カレンダ温度)を高くするほど、および/または、カレンダ圧力を大きくするほど、強化することができる。
その後、バックコート層形成用組成物の塗布層に、この塗布層に含まれる硬化剤の種類に応じた硬化処理を施す(硬化工程)。硬化処理は、加熱処理、光照射等の上記塗布層に含まれる硬化剤の種類に応じた処理によって行うことができる。硬化処理条件は特に限定されるものではなく、塗布層形成に用いたバックコート層形成用組成物の処方、硬化剤の種類、塗布層の厚み等に応じて適宜設定すればよい。例えば、硬化剤としてポリイソシアネートを含むバックコート層形成用組成物を用いて塗布層を形成した場合には、硬化処理は加熱処理であることが好ましい。なおバックコート層以外の層に硬化剤が含まれる場合、その層の硬化反応も、ここでの硬化処理により進行させることもできる。または別途、硬化工程を設けてもよい。なお硬化工程後に、更にバーニッシュ処理を行ってもよい。
次いで、振動付与部においてバックコート層に振動を付与する(振動付与工程)。振動付与手段は特に限定されるものではない。例えば、バックコート層を形成した非磁性支持体のバックコート層とは反対側の面を、振動付与ユニットと接触させることにより、バックコート層に振動を加えることができる。バックコート層を形成した非磁性支持体を振動付与ユニットと接触させながら走行させてもよい。振動付与ユニットは、例えば、内部に超音波振動子を備えることにより、このユニットと接触した物品に振動を加えることができる。超音波振動子の振動周波数、強度、および/または振動付与ユニットとの接触時間によって、バックコート層に加える振動を調整することができる。例えば接触時間は、バックコート層を形成した非磁性支持体の振動付与ユニットとの接触中の走行速度によって調整することができる。これらの振動付与条件は特に限定されるものではなく、先に記載したスペーシング分布の半値全幅、特に、真空加熱前に測定されるFWHMbeforeを制御できるように設定すればよい。振動付与条件の設定のために実製造前に予備実験を行い、条件を最適化することもできる。
以上により、本発明の一態様にかかる磁気テープを得ることができる。ただし上記の製造方法は例示であって、対数減衰率、差分(Safter−Sbefore)、FWHMbeforeおよびFWHMafterを調整可能な任意の手段によって、バックコート層表面において測定される各種値を制御することができ、そのような態様も本発明に包含される。
以上説明した本発明の一態様にかかる磁気テープは、厚み0.30μm以下のバックコート層を有する磁気テープであって、エッジダメージの発生の少ない磁気テープであることができる。なお近年、記録および/または再生の高速化が指向されており、これに伴い磁気テープの走行速度の高速化が進んでいる。磁気テープの走行速度は、搬送速度とも呼ばれ、磁気テープ走行時の磁気テープと磁気ヘッドとの相対速度である。一般に、走行速度の高速化が進むほど巻き乱れが生じやすくなる傾向があるため、エッジダメージが発生しやすい傾向がある。これに対し、本発明の一態様にかかる磁気テープによれば、先に記載したように、エッジダメージの発生を抑制することができる。したがって、本発明の一態様にかかる磁気テープは、記録および/または再生の高速化にも対応し得る磁気テープである。一例として、例えば走行速度は、3m/秒以上であることができ、好ましくは5m/秒以上、例えば5〜20m/秒であることができる。ただしこの範囲に限定されず、本発明の一態様にかかる磁気テープは様々な走行速度で走行させ、情報を記録および/または再生するために好適に用いることができる。
以下に、本発明を実施例に基づき説明する。但し、本発明は実施例に示す態様に限定されるものではない。なお、以下に記載の「部」の表示は、「質量部」を示す。
[実施例1]
<磁性層形成用組成物>
(磁性液)
強磁性六方晶バリウムフェライト粉末:100.0部
(保磁力Hc:2100Oe(168kA/m)、平均粒子サイズ:25nm)
スルホン酸基含有ポリウレタン樹脂:15.0部
シクロヘキサノン:150.0部
メチルエチルケトン:150.0部
(研磨剤液)
α−アルミナ(平均粒子サイズ:110nm):9.0部
塩化ビニル共重合体(日本ゼオン製MR110):0.7部
シクロヘキサノン:20.0部
(シリカゾル)
コロイダルシリカ(平均粒子サイズ:120nm):3.5部
メチルエチルケトン:8.2部(その他成分)
ブチルステアレート:2.0部
ステアリン酸:2.0部
ポリイソシアネート(日本ポリウレタン社製コロネート):2.5部
(仕上げ添加溶媒)
シクロヘキサノン:180.0部
メチルエチルケトン:180.0部
<非磁性層形成用組成物>
非磁性無機粉末(α−酸化鉄):80.0部
(平均粒子サイズ:150nm、平均針状比:7、BET(Brunauer−Emmett−Teller)比表面積:52m/g)
カーボンブラック(平均粒子サイズ:20nm):20.0部
電子線硬化型塩化ビニル共重合体:13.0部
電子線硬化型ポリウレタン樹脂:6.0部
フェニルホスホン酸:3.0部
シクロヘキサノン:140.0部
メチルエチルケトン:170.0部
ブチルステアレート:2.0部
ステアリン酸:1.0部
<バックコート層形成用組成物>
非磁性粉末:100.0部
無機粉末(α−酸化鉄):比率について表1参照
(平均粒子サイズ:150nm、平均針状比:7、BET比表面積:52m/g)
カーボンブラック(平均粒子サイズ:20nm):比率について表1参照
塩化ビニル共重合体:13.0部
スルホン酸基含有ポリウレタン樹脂:6.0部
フェニルホスホン酸:3.0部
シクロヘキサノン:140.0部
メチルエチルケトン:170.0部
ブチルステアレート:表1参照
ステアリン酸:2.0部
ポリイソシアネート(日本ポリウレタン社製コロネート):5.0部
メチルエチルケトン:400.0部
<各層形成用組成物の調製>
磁性層形成用組成物は、以下の方法によって調製した。
上記磁性液をオープンニーダにより混練および希釈処理した後、横型ビーズミル分散機により、粒径0.5mmのジルコニア(ZrO)ビーズ(以下、「Zrビーズ」と記載する)を用い、ビーズ充填率80体積%およびローター先端周速10m/秒で、1パスあたりの滞留時間を2分とし、12パスの分散処理を行った。
研磨剤液は、上記成分を混合した後、粒径1mmのZrビーズとともに縦型サンドミル分散機に入れ、ビーズ体積/(研磨剤液体積+ビーズ体積)が60%になるように調整し、180分間サンドミル分散処理を行い、処理後の液を取り出し、フロー式の超音波分散ろ過装置を用いて、超音波分散ろ過処理を施した。
磁性液、シリカゾルおよび研磨剤液と、その他の成分および仕上げ添加溶媒をディゾルバー攪拌機に導入し、周速10m/秒で30分間攪拌した後、フロー式超音波分散機により流量7.5kg/分でパス回数20回で処理した後に、孔径0.5μmのフィルタで5回ろ過して磁性層形成用組成物を調製した。
非磁性層形成用組成物は以下の方法によって調製した。
潤滑剤(ブチルステアレートおよびステアリン酸)を除く上記成分をオープンニーダにより混練および希釈処理して、その後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。その後、潤滑剤(ブチルステアレートおよびステアリン酸)を添加して、ディゾルバー攪拌機にて攪拌および混合処理を施して非磁性層形成用組成物を調製した。
バックコート層形成用組成物は以下の方法によって調製した。
潤滑剤(ブチルステアレートおよびステアリン酸)、ポリイソシアネートおよびメチルエチルケトン(400.0部)を除く上記成分をオープンニーダにより混練および希釈処理して、その後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。その後、潤滑剤(ブチルステアレートおよびステアリン酸)、ポリイソシアネートおよびメチルエチルケトン(400.0部)を添加して、ディゾルバー攪拌機にて攪拌および混合処理を施し、バックコート層形成用組成物を調製した。
<磁気テープの作製>
図4に示す具体的態様により磁気テープを作製した。詳しくは、次の通りとした。
表1に示す厚みのポリエチレンナフタレート製支持体を送り出し部から送り出し、一方の表面に、第一の塗布部において乾燥後の厚みが表1に示す厚みになるように非磁性層形成用組成物を塗布し、第一の加熱処理ゾーン(雰囲気温度100℃)にて乾燥させて塗布層を形成した。形成した塗布層に、125kVの加速電圧で40kGyのエネルギーとなるように電子線を照射した。
その後、第二の塗布部において乾燥後の厚みが表1に示す厚みになるように磁性層形成用組成物を非磁性層上に塗布し塗布層を形成した。形成した塗布層が湿潤状態にあるうちに配向ゾーンにおいて磁場強度0.3Tの磁場を塗布層の表面に対して垂直方向に印加し垂直配向処理を行った後、その後に雰囲気温度100℃の第二の加熱処理ゾーン(雰囲気温度100℃)にて乾燥させた。
その後、第三の塗布部において、上記ポリエチレンナフタレート製支持体の非磁性層および磁性層を形成した表面とは反対の表面上に、乾燥後の厚みが表1に示す厚みになるようにバックコート層形成用組成物を塗布して塗布層を形成し、形成した塗布層が湿潤状態にあるうちに雰囲気温度0℃に調整した冷却ゾーンに表1に示す滞在時間で通過させて冷却工程を行った。その後、第三の加熱処理ゾーン(雰囲気温度100℃)にて上記塗布層を乾燥させた。
こうして得られた磁気テープを1/2インチ(0.0127メートル)幅にスリットした後、バックコート層形成用組成物の塗布層表面のバーニッシュ処理およびワイピング処理を行った。バーニッシュ処理およびワイピング処理は、特開平6−52544号公報の図1に記載の構成の処理装置において、研磨テープとして市販の研磨テープ(富士フイルム社製商品名MA22000、研磨剤:ダイヤモンド/Cr/ベンガラ)を使用し、研削用ブレードとして市販のサファイヤブレード(京セラ社製、幅5mm、長さ35mm、先端角度60度)を使用し、ワイピング材として市販のワイピング材(クラレ社製商品名WRP736)を使用して行った。処理条件は、特開平6−52544号公報の実施例12における処理条件を採用した。
上記バーニッシュ処理およびワイピング処理後、金属ロールのみから構成されるカレンダロールで、速度80m/分、線圧300kg/cm(294kN/m)、カレンダ温度(カレンダロールの表面温度)100℃にてカレンダ処理(表面平滑化処理)を行った。
その後、雰囲気温度70℃の環境で36時間硬化処理(加熱処理)を行った後に振動付与部においてバックコート層に振動を加えた。具体的には、バックコート層を形成した支持体を、図5に示す振動付与装置にバックコート層を形成した表面とは反対側の表面が振動付与ユニットと接するように設置し、バックコート層を形成した支持体(図5中、符号1)を搬送速度0.5m/秒で搬送させてバックコート層に振動を加えた。図5中、符号2はガイドローラ(符号2は2つのガイドローラの一方に付した)、符号3は振動付与装置(超音波振動子を含む振動付与ユニット)、矢印は搬送方向を示す。バックコート層を形成した支持体の任意の箇所が振動付与ユニットとの接触を開始してから接触が終了するまでの時間を振動付与時間として、表1に示す。使用した振動付与ユニットは内部に超音波振動子を備えている。超音波振動子の振動周波数および強度を表1に示す値として振動付与を行った。
以上により、実施例1の磁気テープを作製した。
[実施例2〜9、比較例1〜16]
表1に示すように各種条件を変更した点以外、実施例1と同様の方法で磁気テープを作製した。振動付与時間は、上記バックコート層を形成した支持体の搬送速度を変えることにより調整した。
表1に記載のバックコート層の無機粉末/カーボンブラックの処方率とは、非磁性粉末(無機粉末およびカーボンブラック)の合計含有量100.0質量部に対する各粉末の質量基準の含有率である。
表1中、バックコート層形成工程の冷却ゾーン滞在時間の欄および硬化処理前バーニッシュ処理の欄に「未実施」と記載されている比較例では、バックコート層形成工程に冷却ゾーンを含まず、かつバーニッシュ処理およびワイピング処理を行わない製造工程により磁気テープを作製した。
実施例および比較例の各磁気テープの各層および非磁性支持体の厚みを、以下の方法により求めた。形成した各層および非磁性支持体の厚みが表1に示す厚みであることが確認された。
磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビームにより露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡によって断面観察を行った。断面観察において厚み方向の2箇所において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めた。
[磁気テープの物性評価]
<1.バックコート層の表面において測定される対数減衰率>
測定装置として、株式会社エー・アンド・ディー製剛体振り子型物性試験器RPT−3000W(振り子:真鍮製、基板:ガラス基板、基板昇温速度5℃/min)を用いて、先に記載した方法により実施例および比較例の各磁気テープのバックコート層表面において対数減衰率を求めた。実施例および比較例の各磁気テープから切り出した測定用試料は、約3cm×約5cmのサイズのガラス基板上に、固定用テープ(東レ・デュポン製カプトンテープ)で図1に示すように4箇所を固定し載置した。吸着時間を1秒間かつ測定間隔を7〜10秒とし、86回目の測定間隔について変位−時間曲線を作成し、この曲線を用いて対数減衰率を求めた。測定は、相対湿度約50%の環境下にて行った。
<2.FWHMbefore、FWHMafter
TSA(Tape Spacing Analyzer(Micro Physics社製))を用いて、以下の方法によりFWHMbeforeおよびFWHMafterを求めた。
磁気テープのバックコート層表面上に、TSAに備えられたガラス板を配置した状態で、押圧部材としてTSAに備えられているウレタン製の半球を用いて、この半球を磁気テープの磁性層表面に、5.05×10N/m(0.5atm)の圧力で押しつけた。この状態で、TSAに備えられているストロボスコープから白色光を、ガラス板を通して磁気テープのバックコート層表面の一定領域(150000〜200000μm)に照射し、得られる反射光を、干渉フィルタ(波長633nmの光を選択的に透過するフィルタ)を通してCCD(Charge−Coupled Device)で受光することで、この領域の凹凸で生じた干渉縞画像を得た。
この画像を300000ポイントに分割して各ポイントのガラス板の磁気テープ側の表面から磁気テープのバックコート層表面までの距離(スペーシング)を求めこれをヒストグラムとし、ヒストグラムをガウス分布でフィッティングしたときの半値全幅をスペーシング分布の半値全幅として、真空加熱前のFWHMbeforeおよび真空加熱後のFWHMafterを求めた。
真空加熱は、磁気テープを、200Pa以上0.01MPa以下の真空度かつ内部雰囲気温度70〜90℃の真空定温乾燥機に24時間保存することにより行った。
<3.差分(Safter−Sbefore)>
上記2.で得た真空加熱後のヒストグラムの最頻値から、真空加熱前のヒストグラムの最頻値を差し引いて、差分(Safter−Sbefore)とした。
[磁気テープの性能評価]
<エッジダメージの評価>
実施例および比較例の各磁気テープ(磁気テープ全長500m)を収容した磁気テープカートリッジを、IBM社製LTO−G6(Linear Tape−Open Generation 6)ドライブにセットし、磁気テープを、テンション0.6N、走行速度5m/秒で1500往復走行させた。
上記走行後の磁気テープカートリッジを、リファレンスドライブ(IBM社製LTO−G6ドライブ)にセットし、磁気テープを走行させて記録再生を行った。走行中の再生信号を外部AD(Analog/Digital)変換装置に取り込み、磁気テープの一方のエッジに最も近いトラックおよび他方のエッジに最も近いトラックでそれぞれ、再生信号振幅が平均(各トラックでの測定値の平均)に対して70%以上低下した信号をミッシングパルスとして、その発生頻度(発生回数)を磁気テープ全長で除して、磁気テープの単位長さ当たり(1m当たり)のミッシングパルス発生頻度(以下、「ミッシングパルス個数」と記載する。)として求めた。
エッジダメージが重度に発生しているほど、上記方法で求められるミッシングパルス個数は増加する。したがって、上記方法で求められるミッシングパルス個数は、エッジダメージの指標となる。ミッシングパルス個数が10.0個/m以下であれば、エッジダメージの発生が実用上十分なレベルまで抑制されていると判断することができる。なおエッジダメージが発生する位置は一定ではないため、本評価では、一方のエッジに最も近いトラックでの測定結果と、他方のエッジに最も近いトラックでの測定結果の中で、より大きい測定結果をミッシングパルス個数として採用し、表1に示した。
比較例16は、走行中に磁性層表面に付着した付着物の影響により、磁性層表面を磁気ヘッドと接触させ摺動させることが困難(走行困難)となったため、評価を停止した。上記磁性層表面の付着物は、バックコート層表面が削れて発生した削れ屑が磁性層表面に付着したものと推察される。
以上の結果を、表1に示す。
バックコート層の厚みが0.30μmを超える比較例1〜7の磁気テープでは、バックコート層の表面において測定される各種値が先に記載した範囲外であっても、ミッシングパルス個数は10.0個/m以下であった。これに対し、バックコート層の厚みが0.30μm以下であってバックコート層の表面において測定される対数減衰率、差分(Safter−Sbefore)、FWHMbeforeまたはFWHMafterが先に記載した範囲外の比較例8〜16の磁気テープでは、ミッシングパルス個数が10.0個/mを超えた。以上の結果から、バックコート層の厚みが0.30μm以下に薄層化されると、何ら対策を施さなければエッジダメージが発生することが確認された。
これに対し、実施例1〜9と比較例8〜16との対比から、バックコート層の厚みが0.30μm以下の磁気テープにおいて、バックコート層の表面において測定される対数減衰率、差分(Safter−Sbefore)、FWHMbeforeおよびFWHMafterを先に記載した範囲内とすることにより、エッジダメージの発生を抑制できることが確認できる。
本発明は、バックアップテープ等の磁気テープの技術分野において有用である。

Claims (9)

  1. 非磁性支持体の一方の表面側に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、他方の表面側に非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有する磁気テープであって、
    前記バックコート層の厚みは、0.30μm以下であり、
    前記バックコート層は、脂肪酸エステルを含み、
    前記バックコート層の表面において振り子粘弾性試験により求められる対数減衰率は、0.060以下であり、
    前記磁気テープを真空加熱する前に前記バックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、0nm超かつ10.0nm以下であり、
    前記磁気テープを真空加熱した後に前記バックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、0nm超かつ10.0nm以下であり、かつ
    前記磁気テープを真空加熱した後に前記バックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングSafterと、前記磁気テープを真空加熱する前に前記バックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシングSbeforeとの差分、Safter−Sbefore、は、0nm超かつ8.0nm以下である磁気テープ。
  2. 前記対数減衰率は、0.010以上0.060以下である、請求項1に記載の磁気テープ。
  3. 前記バックコート層の厚みは、0.10μm以上0.30μm以下である、請求項1または2に記載の磁気テープ。
  4. 前記磁気テープを真空加熱する前に前記バックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、0nm超かつ8.0nm以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の磁気テープ。
  5. 前記磁気テープを真空加熱した後に前記バックコート層の表面において光学干渉法により測定されるスペーシング分布の半値全幅は、0nm超かつ8.0nm以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の磁気テープ。
  6. 前記差分、Safter−Sbefore、は、0nm超かつ6.0nm以下である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の磁気テープ。
  7. 前記バックコート層に含まれる非磁性粉末は、無機粉末およびカーボンブラックからなる群から選択される一種以上の非磁性粉末である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の磁気テープ。
  8. 前記バックコート層における前記無機粉末の含有量は、前記バックコート層に含まれる非磁性粉末全量100.0質量部に対して50.0質量部超〜100.0質量部の範囲である、請求項7に記載の磁気テープ。
  9. 前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有する、請求項1〜8のいずれか1項に記載の磁気テープ。
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