JP2018106782A - 磁気テープ装置および磁気再生方法 - Google Patents

Abstract

【課題】再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを搭載した磁気テープ装置を提供すること。【解決手段】磁気テープと再生ヘッドとを含む磁気テープ装置であって、上記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、上記再生ヘッドは再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、上記磁気テープは非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、かつ上記磁性層の表面において測定される１−ブロモナフタレンに対する接触角は４８．０〜５３．０°の範囲である磁気テープ装置。磁気再生方法。【選択図】なし

Description

本発明は、磁気テープ装置および磁気再生方法に関する。

記録媒体に情報を記録する方式の１つとして、磁気記録が挙げられる。磁気記録では、情報が磁化パターンとして磁気記録媒体に記録される。そして磁気記録媒体に記録された情報は、磁化パターンから得られる磁気的な信号を磁気ヘッドにより読み取ることによって再生される。かかる再生のために用いられる磁気ヘッドとして、各種磁気ヘッドが提案されている（例えば特許文献１参照）。

特開２００４−１８５６７６号公報

近年の情報量の莫大な増大に伴い、磁気記録媒体には記録容量を高めること（高容量化）が求められている。高容量化のための手段としては、磁気記録媒体の記録密度を高めることが挙げられる。しかし、記録密度を高めるほど磁性層から得られる磁気的な信号（具体的には漏れ磁界）は微弱になる傾向があるため、再生ヘッドとして、微弱な信号を感度よく読み取ることができる高感度な磁気ヘッドを用いることが望ましい。磁気ヘッドの感度に関しては、磁気抵抗効果を動作原理とするＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドが、従来使用されていたインダクティブヘッドと比べて優れていると言われている。

ＭＲヘッドとしては、特許文献１の段落０００３に記載されているように、ＡＭＲ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドおよびＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドが知られている。ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲヘッドより感度が高いと言われているＭＲヘッドである。更に、特許文献１の段落０００４等に記載されているＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドは、更なる高感度化の可能性が期待されているＭＲヘッドである。

一方、磁気記録の記録再生方式は、浮上型と摺動型に大別される。また、磁気記録により情報が記録される磁気記録媒体は、磁気ディスクと磁気テープとに大別される。以下において、磁気記録媒体として磁気ディスクを含むドライブを「磁気ディスク装置」といい、磁気記録媒体として磁気テープを含むドライブを「磁気テープ装置」という。
磁気ディスク装置は一般にＨＤＤ（Ｈａｒｄ ｄｉｓｋ ｄｒｉｖｅ）と呼ばれ、浮上型の記録再生方式を採用している。磁気ディスク装置では、磁気ディスク回転時の空気流によって磁気ディスクと磁気ヘッドとの所定の間隔を維持できるように、磁気ヘッドスライダの磁気ディスク対向面の形状および磁気ヘッドスライダを支えるヘッドサスペンションアセンブリが設計される。かかる磁気ディスク装置では、磁気ディスクと磁気ヘッドが接触しない状態で情報の記録および再生が行われる。このような記録再生方式が浮上型である。これに対し、磁気テープ装置は摺動型の記録再生方式を採用している。磁気テープ装置では、情報の記録および再生時には、磁気テープの磁性層表面と磁気ヘッドとが接触し摺動する。

特許文献１には、ＴＭＲヘッドを磁気ディスク装置において使用することが提案されている。これに対し、磁気テープ装置におけるＴＭＲヘッドの使用については、現在、将来的な使用の可能性が予測されているに留まる。現実の使用に至っていない理由としては、磁気テープ装置に用いられる再生ヘッドに対して、ＴＭＲヘッドを使用するほどの感度向上が現状要求されていないことが挙げられる。しかるに、磁気テープ装置においても再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用することができれば、今後の磁気テープの更なる高密度記録化に対応することが可能となる。

そこで本発明の目的は、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを搭載した磁気テープ装置を提供することにある。

ＴＭＲヘッド等のＭＲヘッドの動作原理である磁気抵抗効果とは、磁界の変化によって電気抵抗が変化する現象である。ＭＲヘッドは、磁気記録媒体から発生する漏れ磁界の変化を抵抗値（電気抵抗）の変化として検出し、この抵抗値の変化を電圧の変化に変換することによって情報を再生する。特許文献１の段落０００７に記載されているようにＴＭＲヘッドは一般に抵抗値が高いと言われているものの、ＴＭＲヘッドにおいて抵抗値の大きな低下が発生することは、再生出力の低下と、これに伴う電磁変換特性（具体的にはＳＮＲ；Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−ｎｏｉｓｅ−ｒａｔｉｏ）の低下の原因となってしまう。
本発明者らは上記目的を達成するために検討を重ねる中で、磁気テープ装置において再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用すると、ＴＭＲヘッドにおいて抵抗値（電気抵抗）の顕著な低下が発生するという、従来まったく知られていなかった現象を見出した。ＴＭＲヘッドにおける抵抗値の低下とは、ＴＭＲヘッドに含まれるトンネル磁気抵抗効果型素子を構成する２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器を当てて測定される電気抵抗の低下である。この抵抗値が顕著に低下する現象は、磁気ディスク装置におけるＴＭＲヘッド使用時にも、磁気ディスク装置または磁気テープ装置におけるＧＭＲヘッド等の他のＭＲヘッド使用時にも、見られない。即ち、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用して情報の再生を行うとＴＭＲヘッドにおいて抵抗値の顕著な低下が発生することは、従来認識すらされていなかった。磁気ディスク装置と磁気テープ装置の記録再生方式の違い、詳しくは、再生時の磁気記録媒体と磁気ヘッドとの接触の有無が、磁気テープ装置において発生するＴＭＲヘッドの抵抗値の顕著な低下が、磁気ディスク装置では見られない理由と考えられる。また、ＴＭＲヘッドが、磁気テープが搬送される方向に、絶縁層（トンネルバリア層）を挟んで２つの電極を有するという、現在実用化されている他のＭＲヘッドにはない特殊な構造を有することが、ＴＭＲヘッドにおいて発生する抵抗値の顕著な低下が他のＭＲヘッドでは見られない理由と考えられる。
これに対し、本発明者らは、上記現象を見出したうえで更なる鋭意検討を重ねた結果、更に以下の点を新たに見出した。
磁気テープ装置における磁気テープの搬送速度を低速化することは記録再生特性の劣化を抑制するうえで望ましい。しかし、磁気テープ装置における磁気テープの搬送速度を所定値以下（具体的には１８ｍ／秒以下）とした場合、ＴＭＲヘッドの抵抗値の低下が特に著しく発生する。
ただし、かかる抵抗値の低下は、磁気テープとして以下に詳述する磁気テープを使用することによって抑制することができる。
以上の知見に基づき、本発明の一態様は完成された。

即ち、本発明の一態様は、
磁気テープと、再生ヘッドと、を含む磁気テープ装置であって、
上記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
上記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子（以下、「ＴＭＲ素子」とも記載する。）を含む磁気ヘッド（以下、「ＴＭＲヘッド」とも記載する。）であり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、かつ
上記磁性層の表面において測定される１−ブロモナフタレンに対する接触角は、４８．０〜５３．０°の範囲である、磁気テープ装置、
に関する。

また、本発明の一態様は、
磁気テープに記録された情報を再生ヘッドによって再生することを含む磁気再生方法であって、
上記再生における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
上記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、かつ
上記磁性層の表面において測定される１−ブロモナフタレンに対する接触角は、４８．０〜５３．０°の範囲である、磁気再生方法、
に関する。

以下において、１−ブロモナフタレンに対する接触角を、１−ブロモナフタレン接触角とも記載する。１−ブロモナフタレン接触角は、液滴法により測定される値とする。具体的には、１−ブロモナフタレン接触角とは、雰囲気温度２５℃および相対湿度２５％の測定環境において、θ／２法により、あるサンプルについて６回測定を行い得られた値の算術平均をいうものとする。測定条件の具体的態様の一例は、実施例について後述する。

上記磁気テープ装置および上記磁気再生方法の一態様は、以下の通りである。

一態様では、上記磁性層の表面において測定される１−ブロモナフタレンに対する接触角は、４８．２〜５２．５°の範囲である。

一態様では、上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．８ｎｍ以下である。

一態様では、上記中心線平均表面粗さＲａは、２．５ｎｍ以下である。

一態様では、上記磁気テープは、上記非磁性支持体と上記磁性層との間に非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有し、上記磁性層と上記非磁性層との合計厚みは１．８μｍ以下である。

一態様では、上記磁性層と上記非磁性層との合計厚みは、１．１μｍ以下である。

本発明の一態様によれば、磁気テープに記録された情報を１８ｍ／秒以下の磁気テープ搬送速度で再生する際、ＴＭＲヘッドにおいて抵抗値の顕著な低下が発生することを抑制することができる。

［磁気テープ装置］
本発明の一態様は、
磁気テープと、再生ヘッドと、を含む磁気テープ装置であって、
上記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
上記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、かつ
磁性層の表面において測定される１−ブロモナフタレンに対する接触角は、４８．０〜５３．０°の範囲である、磁気テープ装置、
に関する。

磁気テープ装置において、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用し、かつ磁気テープ搬送速度１８ｍ／秒以下という特定条件下で再生が行われる場合、従来の磁気テープを適用すると、ＴＭＲヘッドにおいて抵抗値（電気抵抗）が顕著に低下する現象が発生してしまう。この現象は、本発明者によって新たに見出された現象である。かかる現象が発生する理由を、本発明者らは以下のように考えている。
ＴＭＲヘッドは、トンネル磁気抵抗効果を利用する磁気ヘッドであって、絶縁層（トンネルバリア層）を挟んで２つの電極を有する。２つの電極間に位置するトンネルバリア層は絶縁層であるため、２つの電極間に電圧を印加しても、通常は電極間に電流は流れないかほとんど流れない。しかし、磁気テープからの漏れ磁界の影響を受けたフリー層の磁界の向きによって、トンネル効果により電流（トンネル電流）が流れ、トンネル磁気抵抗効果によって、トンネル電流が流れる量の変化が抵抗値の変化として検出される。この抵抗値の変化を電圧の変化に変換することによって、磁気テープに記録された情報を再生することができる。
また、ＭＲヘッドの構造としては、ＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ−Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ）構造とＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ−Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ−ｔｏ−Ｐｌａｎｅ）構造とがあり、ＴＭＲヘッドはＣＰＰ構造を有する磁気ヘッドである。ＣＰＰ構造のＭＲヘッドでは、ＭＲ素子の膜面に垂直な方向、即ち磁気テープに記録された情報を再生する場合に磁気テープが搬送される方向に電流が流れる。これに対し、他のＭＲヘッド、例えばＧＭＲヘッドの中で近年広く用いられているスピンバルブ型ＧＭＲヘッドは、ＣＩＰ構造を有する。ＣＩＰ構造を有するＭＲヘッドでは、ＭＲ素子の膜面内方向、即ち磁気テープに記録された情報を再生する場合に磁気テープが搬送される方向と直交する方向に電流が流れる。
以上のように、ＴＭＲヘッドは現在実用化されている他のＭＲヘッドにはない特殊な構造を有する。このため、２つの電極間に１箇所でも短絡（損傷によってできた迂回路）が発生すると抵抗値が顕著に低下してしまう。このように２つの電極間に１箇所でも短絡が発生すると抵抗値が顕著に低下することは、他のＭＲヘッドでは起こらない現象である。また、浮上型の記録再生方式を採用する磁気ディスク装置では、再生時に磁気ディスクと再生ヘッドは接触しないため、短絡を引き起こす損傷は発生し難い。これに対し、摺動型の記録再生方式を採用する磁気テープ装置では、何ら対策を施さない場合には、磁気テープとの摺動によって、ＴＭＲヘッドが衝撃を受けて損傷し短絡が起こりやすい。中でも、磁気テープの搬送速度が低速になると、再生時に、ＴＭＲヘッドの同一箇所が磁気テープと接触する時間はより長くなるため、損傷がより発生し易くなると考えられる。このことが、磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下の磁気テープ装置において、再生時にＴＭＲヘッドの抵抗値低下が特に著しく発生する理由と本発明者らは推察している。

これに対し本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、かつ上記磁性層の表面において測定される１−ブロモナフタレンに対する接触角（１−ブロモナフタレン接触角）が４８．０〜５３．０°の範囲である磁気テープによって、磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下の磁気テープ装置において再生時にＴＭＲヘッドの抵抗値低下が特に著しく発生する現象を抑制することが可能になることを新たに見出した。１−ブロモナフタレン接触角が４８．０〜５３．０°の範囲である磁気テープがＴＭＲヘッドとの接触時にＴＭＲヘッドに対して適度な親和性を示すことにより、磁気テープとＴＭＲヘッドとの円滑な摺動がもたらされると考えられる。その結果、ＴＭＲヘッドの抵抗値低下を抑制することが可能になると、本発明者らは推察している。
ただし、以上は本発明者らの推察であって、本発明を何ら限定するものではない。
なお１−ブロモナフタレン接触角については、特開２０１６−５１４９３号公報に、磁気記録媒体の走行耐久性を高めるために、磁気記録媒体において磁性層の１−ブロモナフタレン接触角等を特定の範囲とすることが開示されている。しかし、先に詳述したように、磁気テープ装置において再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用すること自体、現在、将来的な使用の可能性が予測されているに留まる。しかも、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを搭載する磁気テープ装置では、特定の磁気テープ搬送速度（具体的には１８ｍ／秒以下）において、ＴＭＲヘッドの抵抗値低下が特に顕著に発生することは、従来まったく知られていなかった現象である。かかる現象に対して１−ブロモナフタレン接触角が影響を及ぼすこと、および１−ブロモナフタレン接触角を４８．０〜５３．０°の範囲に規定することにより上記現象の抑制が可能になることは、特開２０１６−５１４９３号公報には何ら示唆はなく、本発明者らの鋭意検討の結果、初めて見出されたことである。
以下、上記磁気テープ装置について、更に詳細に説明する。以下に記載の「ＴＭＲヘッドの抵抗値低下」とは、特記しない限り、磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下の磁気テープ装置において磁気テープに記録された情報をＴＭＲヘッドによって再生する際に発生するＴＭＲヘッドの抵抗値の顕著な低下をいうものとする。

＜磁気テープ＞
＜＜１−ブロモナフタレン接触角＞＞
上記磁気テープの磁性層表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角は、４８．０〜５３．０°の範囲である。１−ブロモナフタレン接触角は、値が小さいほど磁気テープ（詳しくは磁性層表面）とＴＭＲヘッドとの親和性が高く、値が大きいほど磁気テープとＴＭＲヘッドとの親和性が低いことを意味すると、本発明者らは考えている。そして、４８．０〜５３．０°の範囲の１−ブロモナフタレン接触角を示す磁性層表面は、ＴＭＲヘッドとの接触時にＴＭＲヘッドに対して適度な親和性を示すことにより安定な接触状態を実現することができ、これによりＴＭＲヘッドの抵抗値低下を抑制することができると推察される。ＴＭＲヘッドの抵抗値低下をより一層抑制する観点から、磁性層表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角は、４８．２°以上であることが好ましく、４８．５°以上であることが更に好ましく、４９．０°以上であることが一層好ましく、４９．５°以上であることがより一層好ましい。同様の観点から、磁性層表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角は、５２．８°以下であることが好ましく、５２．５°以下であることがより好ましい。

磁性層表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角は、１−ブロモナフタレン接触角を調整可能な成分（以下、「１−ブロモナフタレン接触角調整成分」ともいう。）を使用し、かかる成分の含有量を調整することによって、制御することができる。例えば、１−ブロモナフタレン接触角調整成分として、１−ブロモナフタレン接触角の値を大きくする作用を奏することができる成分を用いて、この成分の含有量を増量することにより、１−ブロモナフタレン接触角の値を大きくすることができる。

１−ブロモナフタレン接触角調整成分の一例としては、潤滑剤を挙げることができる。更に、詳細を後述するポリマーを挙げることもできる。例えば、潤滑剤および後述のポリマーからなる群から選ばれる一種以上の１−ブロモナフタレン接触角調整成分を用いることにより、磁性層表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角が４８．０〜５３．０°の範囲の磁気テープを得ることができる。一態様では、１−ブロモナフタレン接触角調整成分として、一種以上の潤滑剤を使用し、後述のポリマーを使用せずに磁性層を形成することができる。また、他の一態様では、１−ブロモナフタレン接触角調整成分として、一種以上の後述のポリマーを使用し、潤滑剤を使用せずに磁性層を形成することができる。更に他の一態様では、１−ブロモナフタレン接触角調整成分として、一種以上の潤滑剤と一種以上の後述のポリマーとを併用して磁性層を形成することができる。

＜＜１−ブロモナフタレン接触角調整成分＞＞
１−ブロモナフタレン接触角調整成分は、磁性層表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角を調整可能な成分である。以下において、１−ブロモナフタレン接触角調整成分を、１−ブロモナフタレン接触角調整剤ともいう。ここで調整可能とは、１−ブロモナフタレン接触角を変化させる作用を奏することができることをいう。かかる作用を奏することは、１−ブロモナフタレン接触角調整成分の有無により、磁性層表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角が変化することによって、確認することができる。１−ブロモナフタレン接触角調整成分は、１−ブロモナフタレン接触角の値を大きくする作用を奏することが好ましい。１−ブロモナフタレン接触角調整成分の一態様は潤滑剤であり、他の一態様は後述するポリマーである。以下、これら成分について、順次説明する。

（潤滑剤）
潤滑剤としては、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸アミド等の各種磁気記録媒体に通常使用される各種潤滑剤を挙げることができる。 磁性層に含まれる潤滑剤が多いほど、磁性層表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角の値は大きくなる傾向がある。

例えば、脂肪酸としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等を挙げることができ、ステアリン酸、ミリスチン酸、およびパルミチン酸が好ましく、ステアリン酸がより好ましい。なお脂肪酸は、金属塩等の塩の形態で磁性層に含まれていてもよい。

脂肪酸エステルとしては、上記各種脂肪酸のエステル、例えば、ミリスチン酸ブチル、パルミチン酸ブチル、ステアリン酸ブチル、ネオペンチルグリコールジオレエート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンジステアレート、ソルビタントリステアレート、オレイン酸オレイル、ステアリン酸イソセチル、ステアリン酸イソトリデシル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸ブトキシエチル等を挙げることができる。

脂肪酸アミドとしては、各種脂肪酸のアミド、例えば、ラウリン酸アミド、ミリスチン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド等を挙げることができる。

脂肪酸含有量は、磁性層形成用組成物において、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０．０質量部であり、好ましくは０．１〜１０．０質量部であり、より好ましくは０．５〜８．０質量部であり、更に好ましくは１．０〜７．０質量部である。脂肪酸として二種以上の異なる脂肪酸を使用する場合、含有量とは、それらの合計含有量をいうものとする。この点は、他の成分についても同様である。即ち、本発明および本明細書では、ある成分は、特記しない限り、一種含まれてもよく二種以上含まれていてもよい。ある成分として二種以上が含まれる場合、この成分の含有量とは、特記しない限り、二種以上の合計含有量をいうものとする。
脂肪酸エステル含有量は、磁性層形成用組成物における脂肪酸エステル含有量として、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０．１〜１０．０質量部であり、好ましくは０．５〜８．０質量部であり、より好ましくは１．０〜７．０質量部である。
脂肪酸アミド含有量は、磁性層形成用組成物において、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜３．０質量部であり、好ましくは０〜２．０質量部であり、より好ましくは０〜１．０質量部である。
また、上記磁気テープが非磁性支持体と磁性層との間に非磁性層を有する場合、非磁性層に潤滑剤が含まれてもよく、含まれなくてもよい。非磁性層に含まれる潤滑剤は、通常、少なくとも一部は磁性層側に移行し磁性層に存在し得る。非磁性層形成用組成物における脂肪酸含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０．０質量部であり、好ましくは１．０〜１０．０質量部であり、より好ましくは１．０〜７．０質量部である。脂肪酸エステル含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０．０質量部であり、好ましくは０．１〜８．０質量部である。非磁性層形成用組成物における脂肪酸アミド含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜３．０質量部であり、好ましくは０〜１．０質量部である。

脂肪酸と脂肪酸の誘導体の一種以上とを併用することが好ましく、脂肪酸エステルおよび脂肪酸アミドからなる群から選択される一種以上と脂肪酸とを併用することがより好ましく、脂肪酸、脂肪酸エステルおよび脂肪酸アミドを併用することがより好ましい。
脂肪酸と脂肪酸の誘導体（エステル、アミド等）とを併用する場合、脂肪酸誘導体の脂肪酸由来部位は、併用される脂肪酸と同様または類似の構造を有することが好ましい。例えば、一例として、脂肪酸としてステアリン酸を用いる場合には、ステアリン酸ブチル等のステアリン酸エステルおよび／またはステアリン酸アミドを使用することは好ましい。

また、潤滑剤としては、特開２００９−９６７９８号公報の段落０１１１に記載されているものを用いることもできる。

（含窒素ポリマー）
１−ブロモナフタレン接触角調整成分の一態様としては、含窒素ポリマーを挙げることができる。含窒素ポリマーに含まれるポリマー鎖が、磁性層表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角を高めることに寄与すると推察される。含窒素ポリマーとは、構造中に窒素原子を含むポリマーをいう。好ましい含窒素ポリマーとしては、アミン系ポリマーの一種であるポリアルキレンイミン系ポリマー、およびポリアルキレンイミン系ポリマー以外のアミン系ポリマー等を挙げることができる。ポリアルキレンイミン系ポリマーとは、ポリアルキレンイミン鎖を１つ以上含むポリマーである。ポリアルキレンイミン系ポリマーの詳細については、特開２０１６−５１４９３号公報の段落００３５〜００７７を参照できる。また、アミン系ポリマーの詳細については、特開２０１６−５１４９３号公報の段落００７８〜００８０を参照できる。

また、一態様では、含窒素ポリマーは、重量平均分子量が、磁性層に含まれる結合剤の重量平均分子量を超えない範囲にあるポリマーであることが好ましい。例えば、上記含窒素ポリマーの重量平均分子量は、８０，０００以下、６０，０００以下、４０，０００以下、３５，０００以下、３０，０００以下、２０，０００以下、または１０，０００以下であることができる。また、含窒素ポリマーの重量平均分子量は、例えば１，０００以上、１，５００以上、２，０００以上、または３，０００以上であることができる。特記しない限り、本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。測定条件としては、下記条件を挙げることができる。後述の実施例に示す重量平均分子量は、特記しない限り、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ−８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ(ｉｎｎｅｒ ｄｉａｍｅｔｅｒ（内径）)×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）

含窒素ポリマーを使用して磁性層表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角を調整する場合、磁性層における含窒素ポリマーの含有量は、強磁性粉末１００．０質量部に対して０．５質量部以上とすることが好ましく、１．０質量部以上とすることがより好ましい。高密度記録の観点からは、強磁性粉末の充填率を高くするために磁性層における他の成分の含有量は相対的に低くすることが好ましい。この点からは、磁性層における含窒素ポリマーの含有量は、強磁性粉末１００．０質量部に対して５０．０質量部以下とすることが好ましく、４０．０質量部以下とすることがより好ましく、３０．０質量部以下とすることが更に好ましく、２０．０質量部以下とすることが一層好ましく、１５．０質量部以下とすることがより一層好ましい。

次に、上記磁気テープに含まれる磁性層等について、更に詳細に説明する。

＜＜磁性層＞＞
（強磁性粉末）
磁性層に含まれる強磁性粉末としては、各種磁気記録媒体の磁性層において通常用いられる強磁性粉末を使用することができる。強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは、磁気テープの記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末としては、平均粒子サイズが５０ｎｍ以下の強磁性粉末を用いることが好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは１０ｎｍ以上であることが好ましい。

強磁性粉末の好ましい具体例としては、強磁性六方晶フェライト粉末を挙げることができる。強磁性六方晶フェライト粉末の平均粒子サイズは、記録密度向上と磁化の安定性の観点から、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがより好ましい。強磁性六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば、特開２０１１−２２５４１７号公報の段落００１２〜００３０、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１３４〜０１３６、および特開２０１２−２０４７２６号公報の段落００１３〜００３０を参照できる。

強磁性粉末の好ましい具体例としては、強磁性金属粉末を挙げることもできる。強磁性金属粉末の平均粒子サイズは、記録密度向上と磁化の安定性の観点から、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがより好ましい。強磁性金属粉末の詳細については、例えば特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１３７〜０１４１および特開２００５−２５１３５１号公報の段落０００９〜００２３を参照できる。

本発明および本明細書において、特記しない限り、強磁性粉末等の各種粉末の平均粒子サイズは、透過型電子顕微鏡を用いて、以下の方法により測定される値とする。
粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントして粉末を構成する粒子の写真を得る。得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子（一次粒子）のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
以上の測定を、無作為に抽出した５００個の粒子について行う。こうして得られた５００個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて行うことができる。
本発明および本明細書において、強磁性粉末およびその他の粉末についての平均粒子サイズとは、特記しない限り、上記方法により求められる平均粒子サイズをいうものとする。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて測定された値である。本発明および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している態様に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している態様も包含される。粒子との語を、粉末を表すために用いることもある。

粒子サイズ測定のために磁気テープから試料粉末を採取する方法としては、例えば特開２０１１−０４８８７８号公報の段落００１５に記載の方法を採用することができる。

本発明および本明細書において、特記しない限り、粉末を構成する粒子のサイズ（粒子サイズ）は、上記の粒子写真において観察される粒子の形状が、
（１）針状、紡錘状、柱状（ただし、高さが底面の最大長径より大きい）等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、即ち長軸長で表され、
（２）板状または柱状（ただし、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい）の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
（３）球形、多面体状、不特定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものを言う。

また、粉末の平均針状比は、上記測定において粒子の短軸の長さ、即ち短軸長を測定し、各粒子の（長軸長／短軸長）の値を求め、上記５００個の粒子について得た値の算術平均を指す。ここで、特記しない限り、短軸長とは、上記粒子サイズの定義で（１）の場合は、粒子を構成する短軸の長さを、同じく（２）の場合は、厚みまたは高さを各々指し、（３）の場合は、長軸と短軸の区別がないから、（長軸長／短軸長）は、便宜上１とみなす。
そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義（１）の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義（２）の場合、平均粒子サイズは平均板径であり、平均板状比とは、（最大長径／厚みまたは高さ）の算術平均である。同定義（３）の場合、平均粒子サイズは、平均直径（平均粒径、平均粒子径ともいう）である。

磁性層における強磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。磁性層の強磁性粉末以外の成分は、少なくとも、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上と結合剤であり、任意に一種以上の更なる添加剤が含まれ得る。磁性層において強磁性粉末の充填率が高いことは、記録密度向上の観点から好ましい。

（結合剤）
上記磁気テープは塗布型磁気テープであって、磁性層に、強磁性粉末とともに結合剤を含む。結合剤としては、一種以上の樹脂を使用する。樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００２８〜００３１を参照できる。結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。

また、結合剤とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一態様では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一態様では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁性層形成工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１２４〜０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０〜８０．０質量部、磁性層等の各層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０〜８０．０質量部の量で使用することができる。

（その他成分）
磁性層には、上記の各種成分とともに、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して使用することができる。または、公知の方法で合成された化合物を添加剤として使用することもできる。添加剤の一例として、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれ得る添加剤としては、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤、カーボンブラック等を挙げることができる。
添加剤の一例としては、非磁性粉末を挙げることもできる。非磁性粉末の一態様は、研磨剤として機能することができる非磁性粉末（以下、「研磨剤」と記載する。）である。研磨剤を含む磁性層には、特開２０１３−１３１２８５号公報の段落００１２〜００２２に記載の分散剤を、研磨剤の分散性を向上するために含有させることができる。また、研磨剤については、同公報の段落００２３〜００２４も参照できる。
また、非磁性粉末の一態様は、磁性層表面に適度に突出する突起を形成する突起形成剤として機能することができる非磁性フィラー（以下、「突起形成剤」と記載する。）である。突起形成剤としては、無機酸化物粉末、無機酸化物コロイド粒子等を用いることができる。本発明および本明細書において、「コロイド粒子」とは、少なくとも、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、トルエンもしくは酢酸エチル、または上記溶媒の二種以上を任意の混合比で含む混合溶媒の少なくとも１つの有機溶媒１００ｍＬあたり１ｇ添加した際に、沈降せず分散しコロイド分散体をもたらすことのできる粒子をいうものとする。突起形成剤については、特開２０１１−０４８８７８号公報の段落００１３〜００２８を参照できる。なお後述の実施例に示すコロイダルシリカ（シリカコロイド粒子）の平均粒子サイズは、特開２０１１−０４８８７８号公報の段落００１５に平均粒径の測定方法として記載されている方法により求められた値であり、後述の実施例に示す変動係数は同段落に記載されている方法により求められた値である。後述の実施例に示す真球度は、特開２０１１−０４８８７８号公報の段落００２０に円形度の測定方法として記載されている方法により求められた値である。また、他の一態様では、突起形成剤は、カーボンブラックであることも好ましい。

（磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａ）
磁気テープにおいて磁性層の表面平滑性を高めることは、電磁変換特性の向上につながる。磁性層の表面平滑性については、磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａを指標とすることができる。本発明および本明細書において、磁気テープの磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａとは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ；Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により面積４０μｍ×４０μｍの領域で測定される値とする。測定条件の一例としては、下記の測定条件を挙げることができる。後述の実施例に示す中心線平均表面粗さＲａは、下記測定条件下での測定によって求めた値である。
ＡＦＭ（Ｖｅｅｃｏ社製Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ４）により磁気テープの磁性層表面の面積４０μｍ×４０μｍの領域を測定する。スキャン速度（探針移動速度）は４０μｍ／秒、分解能は５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌとする。

電磁変換特性向上の観点からは、一態様では、上記磁気テープの磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、２．８ｎｍ以下であることが好ましく、２．５ｎｍ以下であることがより好ましく、２．３ｎｍ以下であることが更に好ましく、２．０ｎｍ以下であることが一層好ましい。ところで、本発明者らの検討によれば、磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａが２．５ｎｍ以下であると、何ら対策を施さないとＴＭＲヘッドの抵抗値低下がより一層顕著に発生する傾向が見られた。ただし、上記Ｒａが２．５ｎｍ以下の場合に発生するＴＭＲヘッドの抵抗値の顕著な低下も、本発明の一態様にかかる磁気テープ装置であれば抑制することができる。また、磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、１．２ｎｍ以上または１．３ｎｍ以上であることができる。ただし電磁変換特性向上の観点からは上記Ｒａが低いほど好ましいため、上記例示した値を下回ってもよい。

磁性層の表面平滑性、即ち磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、公知の方法により制御することができる。例えば、磁性層に含まれる各種粉末（例えば、強磁性粉末、任意に含まれ得る非磁性粉末等）のサイズ、磁気テープの製造条件等を調整することにより、磁性層の表面平滑性を制御することができる。また、磁性層表面を表面処理することによって、磁性層の表面平滑性を高める（即ち中心線平均表面粗さＲａの値を小さくする）こともできる。例えば、磁性層表面の表面処理としては、特開平５−６２１７４号公報に記載の研磨手段を用いる研磨処理を挙げることもできる。かかる研磨処理については、同公報の段落０００５〜００３２および全図面を参照できる。

＜＜非磁性層＞＞
次に非磁性層について説明する。上記磁気テープは、非磁性支持体上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機物質の粉末でも有機物質の粉末でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１４６〜０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００４０〜００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。

非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細は、非磁性層に関する公知技術が適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。

上記磁気テープの非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が１０ｍＴ以下であるか、保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下であるか、または、残留磁束密度が１０ｍＴ以下であり、かつ保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下である層をいうものとする。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。

＜＜非磁性支持体＞＞
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、加熱処理等を行ってもよい。

＜＜バックコート層＞＞
上記磁気テープは、非磁性支持体の磁性層を有する表面とは反対の表面側に、非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有することもできる。バックコート層には、カーボンブラックおよび無機粉末のいずれか一方または両方が含有されていることが好ましい。バックコート層に含まれる結合剤および任意に含まれ得る各種添加剤については、磁性層および／または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することができる。

＜＜各種厚み＞＞
非磁性支持体の厚みは、好ましくは３．０〜６．０μｍである。
磁性層の厚みは、近年求められている高密度記録化の観点からは０．１５μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以下であることがより好ましい。磁性層の厚みは、更に好ましくは０．０１〜０．１μｍの範囲である。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する２層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。２層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。

非磁性層の厚みは、例えば０．１〜１．５μｍであり、０．１〜１．０μｍであることが好ましい。

ところで、磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジに収容されて流通され、使用される。磁気テープカートリッジの１巻あたりの記録容量を高めるためには、磁気テープカートリッジ１巻に収められる磁気テープ全長を長くすることが望ましい。そのためには、磁気テープを薄くする（以下、「薄型化」と記載する。）ことが求められる。磁気テープの薄型化のための手段の１つとして、非磁性支持体上に非磁性層と磁性層とをこの順に有する磁気テープについては、磁性層と非磁性層との合計厚みを薄くすることが挙げられる。上記磁気テープが非磁性層を有する場合、磁気テープの薄型化の観点からは、磁性層と非磁性層との合計厚みは、１．８μｍ以下であることが好ましく、１．５μｍ以下であることがより好ましく、１．１μｍ以下であることが更に好ましい。本発明者らの検討によれば、磁性層と非磁性層との合計厚みが１．１μｍ以下であると、何ら対策を施さないとＴＭＲヘッドの抵抗値低下がより一層顕著に発生する傾向が見られた。ただし、磁性層と非磁性層との合計厚みが１．１μｍ以下の場合に発生するＴＭＲヘッドの抵抗値の顕著な低下も、本発明の一態様にかかる磁気テープ装置であれば抑制することができる。また、磁性層と非磁性層との合計厚みは、例えば０．１μｍ以上、または０．２μｍ以上であることができる。

バックコート層の厚みは、０．９μｍ以下であることが好ましく、０．１〜０．７μｍの範囲であることが更に好ましい。

磁気テープの各層および非磁性支持体の厚みは、公知の膜厚測定法により求めることができる。一例として、例えば、磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビーム、ミクロトーム等の公知の手法により露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡を用いて断面観察を行う。断面観察において厚み方向の１箇所において求められた厚み、または無作為に抽出した２箇所以上の複数箇所、例えば２箇所、において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各層の厚みは、製造条件から算出される設計厚みとして求めてもよい。

＜＜製造方法＞＞
（各層形成用組成物の調製）
磁性層、非磁性層またはバックコート層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶媒を含む。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体を製造するために一般に使用される各種有機溶媒を用いることができる。中でも、塗布型磁気記録媒体に通常使用される結合剤の溶解性の観点からは、各層形成用組成物には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン等のケトン溶媒の一種以上が含まれることが好ましい。各層形成用組成物における溶媒量は特に限定されるものではなく、通常の塗布型磁気記録媒体の各層形成用組成物と同様にすることができる。また、各層形成用組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ２段階以上に分かれていてもかまわない。本発明で用いられるすべての原料は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。また、個々の原料を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。磁性層形成用組成物については、強磁性粉末を含有する分散液（磁性液）、研磨剤を含有する分散液（研磨剤液）および突起形成剤を含有する分散液（突起形成剤液）をそれぞれ別に分散して調製した後、同時または順次、潤滑剤等の他の成分と混合し磁性層形成用組成物を調製することが好ましい。潤滑剤、硬化剤および溶媒の一部または全部を、磁性液、研磨剤液および突起形成剤液を混合した混合液に添加してもよい。また、磁気テープの製造工程では、従来の公知の製造技術を一部または全部の工程において用いることができる。混練工程では、オープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつニーダを使用することが好ましい。これらの混練処理の詳細については特開平１−１０６３３８号公報および特開平１−７９２７４号公報に記載されている。また、各層形成用組成物を分散させるために、ガラスビーズおよび／またはその他のビーズを用いることができる。このような分散ビーズとしては、高比重の分散ビーズであるジルコニアビーズ、チタニアビーズ、およびスチールビーズが好適である。これら分散ビーズは、ビーズ径と充填率を最適化して用いることが好ましい。分散機は公知のものを使用することができる。

（塗布工程）
磁性層は、磁性層形成用組成物を非磁性支持体表面に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０−２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。

（その他の工程）
磁気テープ製造のためのその他の各種工程については、特開２０１０−２３１８４３号公報の段落００６７〜００６９を参照できる。磁性層表面の表面処理については、先に記載した通り、特開平５−６２１７４号公報も参照できる。また、磁気テープには、磁気テープ装置においてヘッドトラッキングサーボを行うことを可能とするために、公知の方法によってサーボパターンを形成することもできる。

以上説明した磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジに収容され、磁気テープカートリッジが磁気テープ装置に装着される。磁気テープカートリッジでは、一般に、カートリッジ本体内部に磁気テープがリールに巻き取られた状態で収容されている。リールは、カートリッジ本体内部に回転可能に備えられている。磁気テープカートリッジとしては、カートリッジ本体内部にリールを１つ具備する単リール型の磁気テープカートリッジおよびカートリッジ本体内部にリールを２つ具備する双リール型の磁気テープカートリッジが広く用いられている。単リール型の磁気テープカートリッジは、磁気テープへのデータ（磁気信号）の記録および／または再生のために磁気テープ装置（ドライブ）に装着されると、磁気テープカートリッジから磁気テープが引き出されてドライブ側のリールに巻き取られる。磁気テープカートリッジから巻き取りリールまでの磁気テープ搬送経路には、磁気ヘッドが配置されている。磁気テープカートリッジ側のリール（供給リール）とドライブ側のリール（巻き取りリール）との間で、磁気テープの送り出しと巻き取りが行われる。この間、磁気ヘッドと磁気テープの磁性層表面とが接触し摺動することにより、磁気信号の記録および／または再生が行われる。これに対し、双リール型の磁気テープカートリッジは、供給リールと巻き取りリールの両リールが、磁気テープカートリッジ内部に具備されている。本発明の一態様にかかる磁気テープは、単リール型および双リール型のいずれの磁気テープカートリッジに収容されてもよい。磁気テープカートリッジの構成は公知である。

＜再生ヘッド＞
上記磁気テープ装置は、再生ヘッドとして、ＴＭＲヘッドを含む。ＴＭＲヘッドは、トンネル磁気抵抗効果型素子（ＴＭＲ素子）を含む磁気ヘッドである。ＴＭＲ素子は、磁気テープに記録された情報（詳しくは、磁気テープの磁性層に記録された情報）を再生するための再生素子として、磁気テープからの漏れ磁界の変化を、トンネル磁気抵抗効果を利用して抵抗値（電気抵抗）の変化として検出する役割を果たすことができる。検出された抵抗値の変化が電圧の変化に変換されることによって、磁気テープに記録された情報を再生することができる。

上記磁気テープ装置に含まれるＴＭＲヘッドとしては、トンネル磁気抵抗効果型素子（ＴＭＲ素子）を含む公知の構成のＴＭＲヘッドを用いることができる。例えば、ＴＭＲヘッドの構造、ＴＭＲヘッドを構成する各部の材料等の詳細については、ＴＭＲヘッドに関する公知技術を適用することができる。

ＴＭＲヘッドはいわゆる薄膜ヘッドである。ＴＭＲヘッドに含まれるＴＭＲ素子は、少なくとも、２つの電極層と、トンネルバリア層と、フリー層と、固定層と、を有する。ＴＭＲヘッドは、これらの層の断面が、磁気テープと摺動する面の側に向いた状態でＴＭＲ素子を含んでいる。２つの電極層の間にトンネルバリア層が位置し、トンネルバリア層は絶縁層である。一方、フリー層および固定層は、磁性層である。フリー層は磁化自由層とも呼ばれ、外部磁界によって磁化方向が変化する層である。これに対し、固定層は、外部磁界によって磁化方向が変化しない層である。２つの電極間にはトンネルバリア層（絶縁層）が位置しているため、電圧を印加しても、通常、電流は流れないかほとんど流れない。しかし、磁気テープからの漏れ磁界の影響を受けたフリー層の磁化方向によって、トンネル効果により電流（トンネル電流）が流れる。トンネル電流が流れる量は、固定層の磁化方向とフリー層の磁化方向との相対角度によって変化し、相対角度が小さいほどトンネル電流が流れる量は多くなる。このトンネル電流が流れる量の変化は、トンネル磁気抵抗効果によって、抵抗値の変化として検出される。そして、この抵抗値の変化を電圧の変化に変換することによって、磁気テープに記録された情報を再生することができる。ＴＭＲヘッドの構成の一例については、例えば、特開２００４−１８５６７６号公報の図１を参照することができる。ただし、かかる図面に示されている態様に限定されるものではない。特開２００４−１８５６７６号公報の図１では、２つの電極層と２つのシールド層が示されている。ただし、シールド層が電極層を兼ねる構成のＴＭＲヘッドも公知であり、かかる構成のＴＭＲヘッドも使用可能である。ＴＭＲヘッドでは、トンネル磁気抵抗効果によって、２つの電極間に電流（トンネル電流）が流れて電気抵抗が変化する。ＴＭＲヘッドはＣＰＰ構造を有する磁気ヘッドであるため、電流が流れる方向は、磁気テープの搬送方向である。なお本発明および本明細書において、「直交」とは、本発明が属する技術分野において許容される誤差の範囲を含むものとする。上記誤差の範囲とは、例えば、厳密な直交±１０°未満の範囲を意味し、厳密な直交±５°以内であることが好ましく、±３°以内であることがより好ましい。ＴＭＲヘッドの抵抗値低下とは、２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器を当てて測定される電気抵抗の低下であって、電流が流れていない状態での２つの電極間の電気抵抗の低下を意味する。この電気抵抗の著しい低下は電磁変換特性低下の原因となる。このＴＭＲヘッドの抵抗値低下は、再生すべき情報が記録されている磁気テープとして磁性層表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角が４８．０〜５３．０°の範囲の磁気テープを用いることにより抑制することができる。

上記再生ヘッドは、少なくとも磁気テープに記録された情報を再生するための再生素子としてＴＭＲ素子を含む磁気ヘッドである。かかる磁気ヘッドには、磁気テープに情報を記録するための素子が含まれていてもよく、含まれていなくてもよい。即ち、再生ヘッドと記録ヘッドは、１つの磁気ヘッドであってもよく分離した磁気ヘッドであってもよい。また、再生素子としてＴＭＲ素子を含む磁気ヘッドに、ヘッドトラッキングサーボを行うためのサーボパターン読み取り素子が含まれていてもよい。

＜磁気テープ搬送速度＞
上記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下である。磁気テープ搬送速度とは、走行速度とも呼ばれ、磁気テープに記録された情報を再生するために磁気テープ装置内で磁気テープが搬送される（走行する）際の磁気テープと再生ヘッドとの相対速度であり、通常、磁気テープ装置の制御部において設定される。磁気テープ搬送速度を１８ｍ／秒以下に低速化することは、記録再生特性の劣化を抑制するうえで望ましい。しかし、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを含む磁気テープ装置において磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下であると、ＴＭＲヘッドの抵抗値低下が特に顕著に発生してしまう。かかる抵抗値低下は、本発明の一態様にかかる磁気テープ装置では、磁性層表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角が４８．０〜５３．０°の範囲の磁気テープを用いることにより抑制することができる。磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、１５ｍ／秒以下または１０ｍ／秒以下であってもよい。また、磁気テープ搬送速度は、例えば１ｍ／秒以上であることができる。

［磁気再生方法］
本発明の一態様は、
磁気テープに記録された情報を再生ヘッドによって再生することを含む磁気再生方法であって、
上記再生における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
上記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
上記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、かつ
上記磁性層の表面において測定される１−ブロモナフタレンに対する接触角は、４８．０〜５３．０°の範囲である、磁気再生方法、
に関する。磁気テープに記録された情報の再生は、磁気テープを搬送しながら（走行させながら）磁気テープと再生ヘッドとを接触させ摺動させることによって行われる。上記磁気再生方法における再生の詳細、上記磁気再生方法において用いられる磁気テープおよび再生ヘッドの詳細は、先に本発明の一態様にかかる磁気テープ装置について記載した通りである。

更に本発明の一態様によれば、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用し、磁気テープに記録された情報を再生する際の磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下である磁気テープ装置において使用される磁気テープであって、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、かつ上記磁性層の表面において測定される１−ブロモナフタレンに対する接触角が４８．０〜５３．０°の範囲である磁気テープも提供される。かかる磁気テープの詳細も、先に本発明の一態様にかかる磁気テープ装置について記載した通りである。

以下に、本発明を実施例に基づき説明する。但し、本発明は実施例に示す態様に限定されるものではない。以下に記載の「部」、「％」の表示は、特に断らない限り、「質量部」、「質量％」を示す。

下記の１−ブロモナフタレン接触角調整剤Ａとしては、特開２０１６−５１４９３号公報の段落０１１５〜０１２４に記載の方法によって合成されたポリアルキレンイミン系ポリマーを用いた。下記の１−ブロモナフタレン接触角調整剤Ｂとしては、市販のアミン系ポリマー（ビックケミー社製ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０２）を用いた。

［実施例１］
各層形成用組成物の処方を、下記に示す。

（磁性層形成用組成物）
（磁性液）
強磁性六方晶バリウムフェライト粉末：１００．０部
（Ｈｃ：１９６ｋＡ／ｍ（２４６０Ｏｅ）、平均粒子サイズ（平均板径）２４ｎｍ）
オレイン酸：２．０部
塩化ビニル共重合体（日本ゼオン製ＭＲ−１０４）：１０．０部
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：４．０部
(重量平均分子量７００００、ＳＯ_３Ｎａ基：０．０７ｍｅｑ／ｇ)
１−ブロモナフタレン接触角調整剤（種類：表１参照）：表１参照
メチルエチルケトン：１５０．０部
シクロヘキサノン：１５０．０部
（研磨剤液）
α−アルミナ（ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積：１９ｍ^２／ｇ、真球度：１．４）：６．０部
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂
（重量平均分子量７００００、ＳＯ_３Ｎａ基：０．１ｍｅｑ／ｇ）：０．６部
２，３−ジヒドロキシナフタレン：０．６部
シクロヘキサノン：２３．０部
（突起形成剤液）
コロイダルシリカ（平均粒子サイズ：表１参照、変動係数：７％、真球度：１．０３）：２．０部
メチルエチルケトン：８．０部
（その他成分）
ステアリン酸：表１参照
ステアリン酸アミド：０．３部
ステアリン酸ブチル：６．０部
メチルエチルケトン：１１０．０部
シクロヘキサノン：１１０．０部
ポリイソシアネート（日本ポリウレタン製コロネート（登録商標）Ｌ）：３．０部

（非磁性層形成用組成物）
カーボンブラック（平均粒子サイズ：１６ｎｍ、ＤＢＰ（Ｄｉｂｕｔｙｌ ｐｈｔｈａｌａｔｅ）吸油量：７４ｃｍ^３／１００ｇ）：１００．０部
トリオクチルアミン：４．０部
塩化ビニル共重合体（日本ゼオン製ＭＲ−１０４）：１９．０部
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 (重量平均分子量５００００、ＳＯ_３Ｎａ基：０．０７ｍｅｑ／ｇ)：１２．０部
メチルエチルケトン：３７０．０部
シクロヘキサノン：３７０．０部
ステアリン酸：２．０部
ステアリン酸アミド：０．３部
ステアリン酸ブチル：２．０部

（バックコート層形成用組成物）
ベンガラ（平均粒子サイズ：０．１５μｍ、平均針状比：７、ＢＥＴ比表面積：５２ｍ^２／ｇ）：８０．０部
カーボンブラック（平均粒子サイズ：１６ｎｍ、ＤＢＰ吸油量：７４ｃｍ^３／１００ｇ）：２０．０部
フェニルホスホン酸：３．０部
塩化ビニル共重合体（日本ゼオン製ＭＲ−１０４）：１２．０部
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂
(重量平均分子量５００００、ＳＯ_３Ｎａ基：０．０７ｍｅｑ／ｇ)：８．０部
αアルミナ（ＢＥＴ比表面積：１７ｍ^２／ｇ）：５．０部
メチルエチルケトン：３７０．０部
シクロヘキサノン：３７０．０部
ステアリン酸：表１参照
ステアリン酸アミド：０．３部
ステアリン酸ブチル：２．０部
ポリイソシアネート（日本ポリウレタン製コロネートＬ）：５．０部

１．磁気テープの作製
（磁性層形成用組成物の作製）
磁性層形成用組成物を、以下の方法によって作製した。
上記磁性液の成分をオープンニーダにより混練および希釈処理した後、横型ビーズミル分散機により、粒径０．１ｍｍのジルコニア（ＺｒＯ_２）ビーズ（以下、「Ｚｒビーズ」と記載する。）を用い、ビーズ充填率８０体積％、ローター先端周速１０ｍ／秒で、１パスあたりの滞留時間を２分とし、３０パスの分散処理を行い磁性液を得た。
上記研磨剤液の成分を混合して粒径０．３ｍｍのＺｒビーズとともに横型ビーズミル分散機に入れ、ビーズ体積／（研磨剤液体積＋ビーズ体積）が８０％になるように調整し、１２０分間ビーズミル分散処理を行った。処理後の液を取り出し、フロー式の超音波分散濾過装置を用いて、超音波分散濾過処理を施して研磨剤液を得た。
磁性液、突起形成剤液および研磨剤液と、上記のその他成分をディゾルバー攪拌機に導入し、周速１０ｍ／秒で３０分間攪拌した後、フロー式超音波分散機により流量７．５ｋｇ／分で３パス処理した後に、１μｍのフィルタで濾過して磁性層形成用組成物を作製した。

（非磁性層形成用組成物の作製）
非磁性層形成用組成物を、以下の方法によって作製した。
潤滑剤（ステアリン酸、ステアリン酸アミドおよびステアリン酸ブチル）を除く上記成分を、オープンニーダにより混練および希釈処理した後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。得られた分散液に、潤滑剤（ステアリン酸、ステアリン酸アミドおよびステアリン酸ブチル）を添加して、ディゾルバー攪拌機にて攪拌および混合処理を施して非磁性層形成用組成物を作製した。

（バックコート層形成用組成物の作製）
バックコート層形成用組成物を、以下の方法によって作製した。
ポリイソシアネートおよび潤滑剤（ステアリン酸、ステアリン酸アミドおよびステアリン酸ブチル）を除く上記成分を、ディゾルバー攪拌機に導入し、周速１０ｍ／秒で３０分間攪拌した後、横型ビーズミル分散機により分散処理を実施した。得られた分散液に、ポリイソシアネートおよび潤滑剤（ステアリン酸、ステアリン酸アミドおよびステアリン酸ブチル）を添加して、ディゾルバー攪拌機にて攪拌および混合処理を施し、バックコート層形成用組成物を作製した。

（磁気テープの作製）
厚み４．０μｍの非磁性支持体（ポリアミド支持体）の一方の表面に、乾燥後の厚みが表１に示す厚みになるように非磁性層形成用組成物を塗布し乾燥させた後、バックコート層形成用組成物を、非磁性支持体の非磁性層を形成した表面とは反対側の表面に乾燥後の厚みが０．５μｍになるように塗布し乾燥させた。一度巻き取りロールに巻き取った非磁性支持体を雰囲気温度７０℃の環境下で３６時間熱処理した。
熱処理後の非磁性層上に、乾燥後の厚みが表１に示す厚みになるように磁性層形成用組成物を塗布し乾燥させた。
その後、金属ロールのみから構成されるカレンダで速度４０ｍ／ｍｉｎ、線圧３００ｋｇ／ｃｍ（２９４ｋＮ／ｍ）、および表１に示すカレンダ温度（カレンダロールの表面温度）で表面平滑化処理（カレンダ処理）を行った。その後、雰囲気温度７０℃の環境下で３６時間熱処理を行った。熱処理後、１／２インチ（０．０１２７メートル）幅にスリットを行った。
続いて、特開平５−６２１７４号公報に記載のダイヤモンドホイールを用いて表面処理（同公報の図１〜図３に示されている態様）を行った後、市販のサーボライターによって磁性層にサーボパターンを形成した。
以上により、磁気テープを作製した。 作製した磁気テープの各層厚みを、以下の方法により求めた。形成した非磁性層および磁性層の厚みが表１に示す厚みであり、バックコート層および非磁性支持体の厚みが上記厚みであることが確認された。
磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビームにより露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡によって断面観察を行った。断面観察において厚み方向の２箇所において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めた。

以上の方法によって作製した磁気テープの一部を下記評価に使用し、他の一部を後述するＴＭＲヘッドの抵抗値測定のために使用した。

２．磁気テープの物性評価
（１）磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａ
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ、Ｖｅｅｃｏ社製Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ４）を用い、磁気テープの磁性層表面において測定面積４０μｍ×４０μｍの範囲を測定し、中心線平均表面粗さＲａを求めた。スキャン速度（探針移動速度）は４０μｍ／秒、分解能は５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌとした。

（２）磁性層の表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角
接触角測定機（協和界面科学社製接触角測定装置ＤｒｏｐＭａｓｔｅｒ７００）により、以下の方法により磁性層表面において１−ブロモナフタレン接触角の測定を行った。
ロール状に巻き取った磁気テープをロールの端部から一定長さ切り取り得られたテープサンプルを、バックコート層表面がスライドガラス表面と接触するようにスライドガラス上に設置した。テープサンプル表面（磁性層表面）に測定用液体（１−ブロモナフタレン）２．０μｌを滴下し、滴下した液体が安定した液滴を形成したことを目視で確認した後、上記接触角測定機に付随の接触角解析ソフトウェアＦＡＭＡＳにより液滴像を解析し、テープサンプルと液滴の接触角を測定した。接触角の算出はθ／２法によって行い、１サンプルにつき６回測定した平均値を１−ブロモナフタレン接触角とした。測定は、雰囲気温度２５℃および相対湿度２５％の環境で行い、以下の解析条件で接触角を求めた。
手法：液滴法（θ／２法）
着滴認識：自動
着滴認識ライン（針先からの距離）：５０ｄｏｔ
アルゴリズム：自動
イメージモード：フレーム
スレッシホールドレベル：自動

３．再生ヘッドの抵抗値測定
上記１．で作製した磁気テープを、記録ヘッドおよび再生ヘッドを固定した１／２インチ（０．０１２７メートル）リールテスターに取り付け、情報の記録および再生を行った。記録ヘッドとしてはＭＩＧ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎ−Ｇａｐ）ヘッド（ギャップ長０．１５μｍ、トラック幅１．０μｍ）を使用し、再生ヘッドとしてはＨＤＤ用再生ヘッドとして市販されているＴＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）を使用した。磁気テープのテープ長は１０００ｍであり、再生を行う際の磁気テープ搬送速度（磁気テープと磁気ヘッドとの相対速度）を表１に示す値として、磁気テープの搬送（走行）を合計４，０００パス行った。１パス毎に再生ヘッドを磁気テープの幅方向に２．５μｍずつ移動させ、４００パス搬送毎に再生ヘッドの抵抗値（電気抵抗）を測定し、初期値（０パスでの抵抗値）に対する抵抗値低下率を、以下の式によって求めた。
抵抗値低下率（％）＝［（初期値−４００パス搬送後の抵抗値）／初期値］×１００
抵抗値（電気抵抗）の測定は、ＴＭＲヘッドに含まれるＴＭＲ素子の２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器（三和電気計器株式会社製のデジタルマルチメータ（型番：ＤＡ−５０Ｃ））を当てて行った。算出された抵抗値低下率が３０％以上であった場合、抵抗値低下が発生したと判断して再生ヘッドを新品のヘッドに交換し、次の４００パス以降の搬送および抵抗値測定を行った。抵抗値低下回数が１回以上であることは、抵抗値の低下が顕著であることを意味する。４，０００パス走行において１回も抵抗値低下率が３０％以上にならなかった場合、抵抗値低下回数を０回とした。抵抗値低下回数０回の場合、測定された抵抗値低下率の最大値を表１に示す。

［実施例２〜８、比較例１〜１５］
１．磁気テープの作製
表１に示す各種条件を表１に示すように変更した点以外、実施例１と同様に磁気テープを作製した。

２．磁気テープの物性評価
作製した磁気テープの各種物性を、実施例１と同様に評価した。

３．再生ヘッドの抵抗値測定
作製した磁気テープを使用して、実施例１と同様の方法によって再生ヘッドの抵抗値測定を行った。再生を行う際の磁気テープ搬送速度は表１に示す値とした。実施例２〜８および比較例７〜１５では、再生ヘッドとして、実施例１と同様のＴＭＲヘッドを使用した。比較例１〜６では、再生ヘッドとして、市販のスピンバルブ型ＧＭＲヘッド（素子幅７０ｎｍ）を使用した。このＧＭＲヘッドは、磁気テープの搬送方向と直交する方向に、ＭＲ素子を挟んで２つの電極を有するＣＩＰ構造を有する磁気ヘッドであった。これら２つの電極を繋ぐ配線に電気抵抗測定器を当てて、実施例１と同様に抵抗値測定を行った。

以上の結果を、表１に示す。

表１に示すように、再生ヘッドとしてＧＭＲヘッドを使用した比較例１〜６では、磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下であって、磁気テープの磁性層表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角が４８．０〜５３．０°の範囲外であっても再生ヘッドの抵抗値の顕著な低下は見られなかった。また、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用したものの磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒を超えていた比較例７でも、磁気テープの磁性層表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角が４８．０〜５３．０°の範囲外であっても再生ヘッドの抵抗値の顕著な低下は見られなかった。これに対し、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用し、磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下であり、かつ磁気テープの磁性層表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角が４８．０〜５３．０°の範囲外であった比較例８〜１５では、再生ヘッドの抵抗値の顕著な低下が発生した。
これに対し、再生ヘッドとしてＴＭＲヘッドを使用し、磁気テープ搬送速度が１８ｍ／秒以下であり、かつ磁気テープの磁性層表面において測定される１−ブロモナフタレン接触角が４８．０〜５３．０°の範囲内であった実施例１〜８では、再生ヘッドの抵抗値の顕著な低下を抑制することができた。

本発明は、高密度記録された情報を高感度再生することが望まれる磁気記録用途において有用である。

Claims (12)

1. 磁気テープと、再生ヘッドと、を含む磁気テープ装置であって、
   前記磁気テープ装置における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
   前記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
   前記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、かつ
   前記磁性層の表面において測定される１−ブロモナフタレンに対する接触角は、４８．０〜５３．０°の範囲である、磁気テープ装置。
2. 前記磁性層の表面において測定される１−ブロモナフタレンに対する接触角は、４８．２〜５２．５°の範囲である、請求項１に記載の磁気テープ装置。
3. 前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは２．８ｎｍ以下である、請求項１または２に記載の磁気テープ装置。
4. 前記中心線平均表面粗さＲａは２．５ｎｍ以下である、請求項３に記載の磁気テープ装置。
5. 前記磁気テープは、前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有し、
   前記磁性層と前記非磁性層との合計厚みは１．８μｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気テープ装置。
6. 前記磁性層と前記非磁性層との合計厚みは１．１μｍ以下である、請求項５に記載の磁気テープ装置。
7. 磁気テープに記録された情報を再生ヘッドによって再生することを含む磁気再生方法であって、
   前記再生における磁気テープ搬送速度は１８ｍ／秒以下であり、
   前記再生ヘッドは、再生素子としてトンネル磁気抵抗効果型素子を含む磁気ヘッドであり、
   前記磁気テープは、非磁性支持体上に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、かつ
   前記磁性層の表面において測定される１−ブロモナフタレンに対する接触角は、４８．０〜５３．０°の範囲である、磁気再生方法。
8. 前記磁性層の表面において測定される１−ブロモナフタレンに対する接触角は、４８．２〜５２．５°の範囲である、請求項７に記載の磁気再生方法。
9. 前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは２．８ｎｍ以下である、請求項７または８に記載の磁気再生方法。
10. 前記中心線平均表面粗さＲａは２．５ｎｍ以下である、請求項９に記載の磁気再生方法。
11. 前記磁気テープは、前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有し、
    前記磁性層と前記非磁性層との合計厚みは１．８μｍ以下である、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の磁気再生方法。
12. 前記磁性層と前記非磁性層との合計厚みは１．１μｍ以下である、請求項１１に記載の磁気再生方法。